DD149547A1 - Auftragen von deckschichten auf reflektierende flaechen - Google Patents

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Beleuchtungseinrichtungen. Das Verfahren zum Auftragen von Deckschichten auf reflektierende Flaechen wird durch Polymerisation gasfoermiger organischer Ausgangsverbindungen in einer Glimmentladung unter einem Druck in der Kammer von 1.10&exp-5! bis 1 mm QS, bei einer Stromdichte in der Entladung von 0,01 bis 0,5 mA/cm&exp2! und einer Stromfrequenz von 40.000 Hz durchgefuehrt. Als Ausgangsverbindungen verwendet man stickstoffhaltige organische Siliziumverbindungen oder Kohlenwasserstoffe der Alkanreihe. Die Anlage enthaelt eine Vakuumkammer, in der ein Metallverdampfer, Elektroden zur Erzeugung der Glimmentladung und Vorrichtungen zur Befestigung der Erzeugnisse, auf die die Deckschicht aufgetragen wird, untergebracht sind. Als Elektroden werden die Erzeugnisse benutzt, die koaxial einander gegenueber angeordnet und vom Gehaeuse der Vakuumkammer isoliert sind. Mit der Kammer sind durch Vakuumleitungen Mittel zum Auspumpen sowie Einrichtungen fuer die dosierte Zufuhr von Daempfen der Ausgangsverbindungen in die Kammer verbunden.

Description

Berlin,*den 30. 6. 1980 56 535 17

Auftragen von Deckschichten auf reflektierende Flächen

Anwendungsgebiet der Erfindung

Die Erfindung bezieht sich auf Herstellung von Beleuchtungseinrichtungen, und insbesondere auf ein Verfahren zum Auftragen von Deckschichten auf reflektierende Flächen und auf eine Anlage zu dessen Verwirklichung.

Die vorliegende Erfindung kann am wirkungsvollsten zum Auftragen von Deckschichten auf Scheinwerferreflektoren von Verkehrsmitteln, zum Beispiel Kraftfahrzeugen, sowie zum Auftragen von Deckschichten auf Reflektoren von Beleuchtungskörpern, auf Spiegel usw. verwendet werden.

CharakteristJk ₁ der bekannten technischen Lösungen

Im Zusammenhang mit erhöhten Forderungen an die Qualität der Reflektoren, darunter an deren Korrosionsbeständigkeit, die durch eventuelle Einwirkung eines aggressiven Mediums bei der Nutzung der Verkehrsmittel unter verschiedenen Bedingungen hervorgerufen werden, arbeitet man zur Zeit an der Erhöhung der Korrosionsbeständigkeit der S_cheinwerferref lektoren und entsprechend an der Widerstandsfähigkeit der Scheinwerfer. Außerdem rufen die Besonderheiten der Nutzung einer Reihe von Beleuchtungseinrichtungen die Notwendigkeit der Erhöhung der Abriebbeständigkeit der reflektierenden Fläche hervor. Es ist dabei für die Reflektoren sehr wichtig, daß die Erhöhung der Korrosions- und Abriebbeständigkeit nicht zu einer wesentlichen Reduzierung des Reflexionsvermögens führt. Eine Erhöhung der Korro-

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sionsbeständigkeit der reflektierenden Flächen wie Scheinwerferreflektoren, wird z. B. durch .Auftragen eines Schutzfilmes auf eine Lichtreflexionsschicht, zum Beispiel auf einen Aluminiumüberzug, erreicht.

Besonders verbreitete Verfahren zur Herstellung eines Schutzfilmes sind das Auftragen einer Lackschicht auf die reflektierende Fläche sowie das Auftragen einer Siliziumoxidschicht.

Das Auftragen eines Lackfilms jedoch kann mit der Entstehung des Sinters und der Verunreinigung der Oberfläche des Reflektors und mit einer wesentlichen Verringerung des Reflexionsvermögens (ca. 6 %) zusammenhänge^. Außerdem erfordert die Verwirklichung dieses Verfahrens zusätzliche Flächen, zusätzliches Personal und zusätzliche Ausrüstungen zum Auftragen und Trocknen des Lackfilms.

Das Auftragen des Siliziumoxidfilms erfolgt in derselben Vakuumkammer, wie auch das Auftragen eines Aluminiumüberzugs, jedoch ist die Qualität der Deckschicht, darunter deren Korrosionsschutzbeständigkeit, nicht immer genügend stabil und hängt wesentlich von der Stärke des Vakuums in der Kammer (das bedeutend höher als beim Aluminieren ist) und von anderen verfahrenstechnischen Faktoren ab. Außerdem sind die hergestellten Schichten hydrophil.

Zur Erhöhung der Qualität des Siliziumoxidfilms wird in die Arbeitskammer während des Auftragens des obengenannten Films eine gasförmige siliziumorganische Verbindung eingeführt» welche die Herstellung eines hydrophoben Films ermöglicht. (Siehe z. B. FR-PS Nr. 2 320 363 vom 20.7.1976). Oed^och auch bei diesem Verfahren ist ein bedeutend

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höheres Vakuum notwendig, als beim Aluminieren, und es ist eine Instabilität der Qualität des herzustellenden Schutzfilms möglich.

Bekannt ist weiter ein Verfahren (DE-AS Nr. 2 537 416, veröffentlicht am 10. 3. 1977) zur Herstellung eines hydrophoben Schutzfilms durch Polymerisation der Dämpfe der siliziumorganischen Ausgangsverbindungen durch Glimmentladung· Gemäß diesem Verfahren wird auf eine im voraus im Vakuum metallisierte Fläche in derselben Vakuumkammer ein siliziumorganischer Schutzfilm aufgetragen, der durch Absetzen aus der Gasphase mittels Polymerisation der niedermolekularen Siloxane oder Alkoxysilane in einer Glimmentladung gebildet wird. Bei Durchführung des Absetzenprozesses des Films wird es empfohlen,eine Glühkatode zu benutzen, als solche verwendet man einen Aluminiumverdampfer, dem ein negatives Potential zugeführt wird. Die Glimmentladung wird von einer Wechselspannungsquelle mit einer Frequenz von 50 Hz gezündet.

Die Bedingungen der Durchführung des Prozesses jedoch - der Dampfdruck in der Vakuumkammer - sichern nicht immer die Herstellung optisch durchsichtiger Schutzfilme, obwohl die optische Durchsichtigkeit eine der wichtigsten Voraussetzungen ist. Außerdem ist die Abriebbeständigkeit der herzustellenden Schutzfilme ungenügend für eine Reihe von Anwendungsbereichen der Reflektoren und gewährt auch keine Möglichkeit, Staub von der Reflektoroberfläche zu entfernen.

Bekannt sind Einrichtungen zum Auftragen von Schutzfilmen auf Reflektoren. Zum' Auftragen der Lackfilme verwendet man entweder ein Bad mit Lack oder einen Zerstäuber sowie auch

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entsprechende Trockeneinrichtungen. Um diese Ausrüstungen verwenden zu können, braucht man zusätzliche Produktionsflächen, zusätzliche Ventilation sowie zusätzliches Personal zur Bedienung dieser Ausrüstungen.

Zum Auftragen des Siliziumoxidschutzfilms benutzt man die gleichen Vakuummetallisierungsanlagen wie auch zum Auftragen der Reflexionsschichten, Sie sind aber zusätzlich mit Siliziumoxidverdampfern, mit zusätzlichen Speisequellen und mit Einrichtungen zur Schaffung der oxydierenden Atmosphäre in der Kammer oder für die Zufuhr-:der Dämpfe einer chemischen Verbindung zur Verbesserung der Eigenschaften des Schutzfilmes versehen (siehe z. B. technisches Werbungsmaterial mit Beschreibung einer Anlage vom Typ A-8000H Leybold-Heraens, sowie FR-PS Nr. 2 320 363 vom 20. 7. 1976). Diese Anlagen kennzeichnen sich durch ein höheres Vakuum und eine größere Energieintensität als es zum Aluminieren erforderlich ist.

Bekannt ist eine Anlage zum Auftragen einer Reflex*ionsschicht durch Verdampfung im Vakuum und eines Schutzfilmes durch Absetzen aus der Gasphase in der Glimmentladung (siehe z. B. DE-AS Nr „ 2 537 416 vom 10. 3. 1977).

Die Auflage enthält eine Vakuumkammer, innerhalb deren eine mit dem Kammergehäuse elektrisch verbundene Planetenvorrichtung zur Drehung der als Elektrode dienenden Erzeugnisse, ein Aluminiumverdampfer, der auch als Glühelektrode benutzt wird, eine vom Kammergehäuse isolierte Elektrode spezieller Form zur Bildung der Glimmentladung und ein Schirm, der den Aluminiumverdampfer von der Elektrode trennt, untergebracht sind. Die Kammer ist mit dem Auspumpungssystem verbunden, wobei an der dem Auspumpungsstutzen entgegengesetzten

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Seite eine Einrichtung für die dosierte Zufuhr der Dämpfe der Ausgangsverbindung in die Kammer" angeordnet ist.

Die Arbeitsweise der Anlage ist wie folgt. Nach dem Auftragen des Aluminiumüberzuges auf die Erzeugnisse, die durch .

die PlantenvoiTicivcung gedreht werden, wird die Kammer bis

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zu einem Vakuum von 7,5.10 mm QS (10 bar) ausgepumpt, und in die Kammer wird durch die Einrichtung für die dosierte Zufuhr die Ausgangsverbindung eingeführt, wodurch in der Kammer der erforderliche Druck erzeugt wird. Die Glimmentladung wird zwischen den mit dem Kammergehäuse verbundenen Erzeugnissen und der vom Kammergehäuse isolierten Elektrode erzeugt. Beim Auftragen des Schutzfilmes verwendet man außerdem als Glühelektrode einen Aluminiumverdampfer, der auf eine höhere Temperatur erwärmt wird, um eine Glühemission der Elektronen zu erreichen, und der mit einem negativen Potential gegenüber den Erzeugnissen verbunden ist.

Die genannte Anlage gewährt jedoch keine Möglichkeit, eine Deckschicht unter Anwendung mehrerer Ausgangsverbindungen und Gase herzustellen, da lediglich eine Einrichtung für die dosierte Zufuhr des Ausgangsstoffes vorgesehen ist. Außerdem enthält die Anlage keine Vorrichtungen, die eine gleichmäßige Zufuhr von Dämpfen der Ausgangsverbindung an die Erzeugnisse sichern, obwohl dies erforderlich ist, um eine gleichmäßige Deckschicht auf den Erzeugnissen zu gewährleisten. Die Anlage sieht das Auftragen einer Deckschicht nur auf die rotierenden Schichtträger vor, es ist nicht vorgesehen, die Deckschichten auf Erzeugnisse aufzutragen, die bezüglich der Kammer unbeweglich angeordnet sind.

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Da die Kassette mit den Erzeugnissen geerdet ist, d, h« elektrisch mit dem Kammergehäuse verbunden, setzt sich die Deckschicht auch auf die Kammerwandungen ab.,; wodurch die Nutzung der Anlage erschwert und der Verbrauch am Ausgangsstoff erhöht wird. Die konstruktive Ausführung der Anlage sieht weiterhin keine Regelung der Geschwindigkeit des Auspumpens beim Auftragen der Deckschicht vor, obwohl das notwendig ist, um einen konstanten Dampfdruck in der Kammer aufrechtzuerhalten und schließlich eine gleichbleibende Qualität der herzustellenden Deckschicht zu sichern. Die Verwendung einer Glühelektrode macht außerdem die Konstruktion der Anlage komplizierter.

Ziel der Erfindung

Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Erhöhung dar Qualität der Deckschichten der reflektierenden Flächen, z. B. die Erhöhung der Rorrosions- und Abriebbeständigkeit, die die Lebensdauer der reflektierenden Einrichtungen im ganzen bestimmen.

Darlegung des Wesens der Erfindung

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, solch ein Verfahren und eine solche Anlage zum Auftragen der Deckschichten auf reflektierende Flächen zu entwickeln, die die Möglichkeit geben, auf reflektierende Flächen gleichmäßig einen optisch durchsichtigen Schutzfilm in ein und derselben Kammer während eines Zyklus mit dem Auftragen der Reflexionsschicht aufzutragen, wobei der Schutzfilm nur auf die zu überziehenden Erzeu£?^rtiSS© abzusetzen ist.

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Die gestellte Aufgabe ist dadurch gelöst, daß das Auftragen der Deckschichten auf reflektierende Flächen durch Polymerisation der gasförmigen organischen Ausgangsverbindungen in der Glimmentladung unter folgenden gewählten verfahrenstechnischen Parametern durchgeführt wird: unter einem Dampfdruck in der Kammer von 1.10 bis 1 mmQS, bei einer Stromdichte in der Entladung von 0,01 bis 0,5 mA/cm und bei einer Stromfrequenz von 50 bis 40.000 Hz, und daß als gasförmige organische Ausgangsverbindungen stickstoffhaltige organische Siliziumverbindungen oder Kohlenwasserstoffe vorwiegend der Alkanreihe, z. B. Dekan, verwendet werdee. Die gewählten verfahrenstechnischen Parameter sichern die optische Durchsichtigkeit sowie die Korrosions- und Abriebbeständigkeit des Films. So z. B. ermöglicht die Änderung der Frequenz im gewählten Bereich von 50 bis 40.000 Hz die Regelung der Härte und demzufolge der Abriebbeständigkeit des Schutzfilms. Die Erhöhung der Frequenz beeinflußt außerdem die Erhöhung der Absetzgeschwindigkeit des Films. Die Durchführung des Prozesses innerhalb der gewählten Bereiche der Stromdichte in der Entladung und des Dampfdruckes garantiert eine optische Durchsichtigkeit des Films. Die Verwendung der stickstoffhaltigen organischen Siliziumverbindungen oder Kohlenwasserstoffe der Alkanreihe führt zu einer Steigerung der Adhäsion gegenüber dem Schichtträger sowie zur Erhöhung der Korrosionsbeständigkeit und der Härte.

Zur Erhöhung dsr Korrosions- und Abriebbeständigkeit stellt

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- gleich^, itj.^ r Zufuhr der gasförmigen organischen Ausgangsverbindung und de ocr.f örmigen Legierungszus~ätze, z. B. des Sauerstoffs, dos κ^: ^ä^ndioxids, der Wasserdampf^ und des Ammoniaks, welche die Mögx^, * >! : .^ it geben,

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Si-O-,Si-N-Bindungen zu erhalten, die die Abrieb- und Erwärmungsbeständigkeit erhöhen;

- bei Abwechslung der Zufuhr verschiedener gasförmiger Ausgangsverbindungen; was die Herstellung einer Kombination der Schichten mit einer hohen Adhäsion gegenüber dem Schichtträger mit Schichten mit einer hohen Korrosions-, Abrieb- und Wärmebeständigkeit ermöglicht;

- bei Behandlung der abgesetzten Deckschicht in der Glimmentladung in einem gasförmigen Medium, z. B. im Sauerstoff, in der Luft oder in Wasserdampfen, das gibt die Möglichkeit, der Oberflächenschicht eine größere Härte und Abriebbeständigkeit durch Entstehung der Si-O-Bindungen zu verleihen;

- bei einer gleichzeitigen Zufuhr eines Edelgasträgers, z. B. Argon, Stickstoff usw. mit den Dämpfen der Ausgangsverbindung, wodurch die Möglichkeit gewährt wird, den Partialdruck der Dämpfe der Ausgangsverbindungen zu reduzieren und diese Verbindung unter milderen Bedingungen aufzutragen, um höhere optische Eigenschaften zu erhalten.

Die gestellte Aufgabe wird auch dadurch gelöst, daß in der Anlage zum Auftragen der Deckschichten auf reflektierende Flächen, die eine Vakuumkammer mit den darin untergebrachten Metallverdampfern, mit Elektroden zur Erzeugung der Glimmentladung, mit Vorrichtungen zur Befestigung der Erzeugnisse, auf die die Deckschicht aufgetragen wird, und die mit der Vakuumkammer durch Vakuumleitungen verbundenen Mittel zur Auspumpung sowie eine Einrichtung für dosierte Zufuhr einer gasförmigen organischen Ausgangsverbindung in die Kammer enthält, erfindungsgemäß als Elektroden die

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Erzeugnisse benutzt werden, die koaxial einander gegenüber aufgestellt und vom Gehäuse der Vakuumkammer isoliert sind. Die Isolierung der Elektroden-Erzeugnisse vom Gehäuse der Vakuumkammer ermöglicht in einem wesentlichen Maße die Vermeidung der Verschmutzung der Kammerwandungen mit dem Stoff des Schutzfilms und die Verringerung des Verbrauchs an Ausgangsstoff.

Die Anlage wurde in zwei Varianten vorgeschlagen - mit einer unbeweglichen Anordnung der Erzeugnisse und mit der Drehung der Erzeugnisse in der Kassette. Das Fehlen einer Glühelektrode (als solche wird ein Metallverdampfer verwendet) gibt die Möglichkeit, den Prozeß des Auftragens eines Schutzfilms nicht nur auf metallisierte Erzeugnisse, z. B. Scheinwerferreflektoren (dabei dient die aufgetragene Metallschicht als eine Elektrode), sondern auch auf eine Fl„äche aus einem stromleitenden Stoff, z. B. auf Reflektoren aus poliertem Aluminium, poliertem Stahl usw. durchzuführen.

Für eine gleichmäßige Zufuhr der gasförmigen organischen Ausgangsverbindungen auf Erzeugnisse ist es notwendig, daß die Anlage mit einer Vorrichtung versehen wird, welche in einem Fall in Form eines Kegels ausgeführt ist, dessen Spitze der Einlaßöffnung dos Stutzens der Einrichtung für dosierte Zufuhr der Ausgangsverbindungen in die Kammer zugekehrt ist. Im anderen Fall ist es wünschenswert, daß die Vorrichtung für eine gleichmäßige Zufuhr der gasförmigen Ausgangsverbindungen auf Erzeugnisse in Form eines Systems von Rohren mit öffnungen ausgeführt wird, deren Achse senkrecht zu der Achse jedes Rohres liegt, wobei sich der Durchmesser der öffnungen in der Richtung der Zufuhr der gasförmigen Ausgangsverbindung vergrößert.

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AusfUhrungsbeispiel

Nachstehend wird die vorliegende Erfindung durch Ausführungsbeispiele und beigefügte Zeichnungen näher erläutert· Es zeigen:

Fig. 1: eine Gesamtansicht der erfindungsgemäßen Fließbandvakuumanlage zum Auftragen der Deckschichten auf Scheinvverf erref lektoren;

Fig. 2: eine Gesamtansicht der erfindungsgemäßen Apparatur der Vakuummetallisierung zum Auftragen der Reflexions- und Schutzschicht;

Fig. 3: Gesamtansicht der erfindungsgemäßen periodisch arbeitenden Anlage zum Auftragen der Reflexionsund Schutzschicht auf Scheinwerferreflektoren.

Nachstehend sind Beispiele angeführt, die die Möglichkeit der Verwirklichung des Verfahrens zum Auftragen der Deckschichten auf reflektierende Flächen erläutern:

Beispiel .1

Als Ausgangsverbindung zum Auftragen des Schutzfilms wird eine stickstoffhaltige organische Siliziumverbindung Hexamethyldisilazan (CH_)-Si-NH-Si(CH₃)₃ verwendet. Der Partialdruck der Hexamethyldisilazan-Dämpfe beträgt

—2 1.10 mm QS. Außerdem wird ein Edelgasträger Argon verwen-

-1 det. Der Restdruck in der Vakuumkammer beträgt 1.10 mm QS. Die Stromdichte in der Elektrodenentladung beträgt

p 0,2 mA/cm . Die Stromfrequenz beträgt 20 kHz, die Spannung - 400 bis 500 V, die Dauer des Auftragens des Schutzfilms

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- 11 beträgt 2 min

Beispiel 2

Nach dera Auftragen eines Reflex-ionsaluminiumüberzugs wird in die Vakuumkammer als Ausgangsverbindung Dekan - ein Kohlenwasserstoff der Alkanreihe (C_1nH₀₀) eingeführt. Unter einem

1 i

•»1 Dampfdruck von 2.10** bis 2,5·10"*^χ mm QS, einer Spannung von 450 bis 550 V und einer Stromfrequenz von 1 kHz wird das Absetzen des Schutzfilms in der Glimmentladung innerhalb von 30 bis 40 s durchgeführt. Die Stromdichte in der Entladung beträgt 0,5mA/cm .

Beispiel 3

Nach dem Auftragen eines Reflex-ionsaluminiumüberzugs wird in die Vakuumkammer Hexamethyldisilazan eingeführt. Das Absetzen des .'Schutzfilms erfolgt unter einem Dampfdruck in der Kammer von 1 mm QS, einer Spannung von 400 bis 450V, einer

Stromdichte in der Entladung von 0,1 mA/cm und einer

Stromfrequenz von 40 kHz innerhalb von 30 s. Beispiel 4

Als Ausgangsverbindung verwendet man Hexamethyldisilazan.

Das Absetzen des Schutzfilms erfolgt unter einem Dampfdruck

-1 in der Kammer von 10 mm QS, einer Spannung von 380 bis 420V, einer Stromfrequenz von 50 Hz, einer Stromdichte in

ο der Entladung von 0,01 mA/cm innerhalb von 2 min.

Beispiel 5

Man verwendet als Ausgangsverbindung Hexamethyldisilazan mit Sauerstoffzuschlag. Der Partialdruck der Hexamethyl-

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in der Entladung von 0,1 mA/cm und einer Frequenz von

—2

disilazandämpfe beträgt 5.10 mm QS, der Sauerstoffpartial-

druck beträgt 5.10"* mm QS. Das Absetzen des Schutzfilms erfolgt bei einer Spannung von 400 bis 50OV, einer Stromdichte in der Entladung von 0,1 m/ 1 kHz innerhalb von 1,5 s.

Beispiel 6

Der Schutzfilm wird unter Druck der Hexamethyldisilazandämpfe in der Vakuumkammer von 10" mm QS, einer Spannung von 400 bis 420 V, einer Stromdichte in der Entladung

2 von 0,1 mA/cm und einer Frequenz von 10 kHz innerhalb von 1 min abgesetzt. Nach der Herstellung des Films wird der letztere einer Behandlung mit Glimmentladung in Wasserdampf en unter folgenden Bedingungen unterzogen: V/asser-

—1 —1

dampfdruck beträgt 1.10 bis 1,5,10 mm QS, die Spannung 350 bis 450V, die Stromdichte in der Entladung 0,1 bis

2 0,2 mA/cm und die Dauer der Behandlung beträgt 1 min.

Beispiel 7

Es wird ein kombinierter Schutzfilm, aus zwei Schichten bestehend, aufgetragen.

Die erste Schicht wird aus Hexamethyldisilazandämpfen

—1 —1

unter einem Druck von 1.10 bis 1,5.10 mm QS, einer Spa nung von 400 bis 420V, einer Stromdichte in der Entladung von 0,15 mA/cm , einer Frequenz von 5 kHz und einer Dauer von 1 min abgesetzt. Danach, nachdem die Kammer ausgepumpt wurde, wird der Film aus den (CH-O). Si-Dämpfen unter ei

-1 ο 4

Druck von 1.10 mm QS, einer Spannung von 400 bis 450V,

ner - 13 -

wurde, wird der Film aus den (CH-O). Si-Dämpfen unter einem -1 ο 4

mm QS, einer Spannung von 400

2 einer Stromdichte in der Entladung von 0,3 mA/cm , einer

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- 13 Stromfrequenz von 5 kHz und einer Dauer von 30 s abgesetzt.

In Fig. 1 ist die Fließbandanlage zum Auftragen der Deck* schichten auf Erzebgnisse 1, z. B. Scheinwerferreflektoren, dargestellt, die Apparaturen zur Vakuummetallisierung 2 umfaßt, welche von einem geschlossenen Kettenförderer 3 bewegt werden, der mit einem Antrieb 4 versehen ist.

Oede Apparatur 2 enthält eine Vakuumkammer 5 (Fig. 2), die mit Mitteln 6 zum Auspumpen des Vakuums verbunden ist. Die Mittel 6 zum Auspumpen umfassen eine Vorvakuum- und eine Hochvakuumpumpe 7 und 8 und entsprechende Vakuumventile 9 und Leitungen, darunter eine Vakuumleitung 10 mit einem Dosierventil 11. ·

Die Vakuumkammer 5, die Mittel 6 sowie ein Steuerblock 12 der Anlage sind auf einem Gestell 13 aufgebaut. In der Vakuumkammer 5 sind ein Metallverdampfer 14 und eine Vorrichtung 15 zur Befestigung der Erzeugnisse 1 montiert·

Die Erzeugnisse 1 mit den Vorrichtungen 15 stellen die vom Gehäuse der Kammer 5 isolierten und einander gegenüber koaxial angeordneten Elektroden dar, die in Klappdeckel 16 eingesteckt sind, welche auf Gelenken 17 an der Vakkumkammer 5 befestigt sind. Die Deckel 16 sind mit Dichtungsringen 18 aus Vakuumgummi versehen. Die Vorrichtungen 15 sind zur Sicherung einer leichten Abnahme und Montage z. B. der Scheinwerferreflektoren, mit abgefederten Spannzangen 19 versehen. Die Elektroden sind außerhalb der Kammer 5 an eine Speisequelle angeschlossen.

Die Kammer 5 ist auch mit Einrichtungen für die dosierte Zufuhr von Dämpfen der Ausgangsverbindungen und von Gasen

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in die Kammer 5 versehen. Oede solche Einrichtung setzt sich aus einem elektromagnetischen Absperrventil 21 mit einem Dosierventil 22 und, im Fall der Zufuhr der Dämpfe der Ausgangsverbindung, aus einem Behälter 23 für eine flüssige Verbindung 24 zusammen. Außerdem ist an der Anschlußstelle des Dosierventils 22 innerhalb der Kammer 5 eine Vorrichtung 25 für die gleichmäßige Zufuhr der Dämpfe der Ausgangsverbindung an die Oberfläche der Erzeugnisse 1 vorgesehen, die einen Kegel darstellt, dessen Spitze einer Einlaßöffnung 26 eines Stutzens 27 der Einrichtung für die dosierte Zufuhr der Ausgangsverbindung in die Kammer 5 zugekehrt ist.

In Fig. 3 ist die Gesamtansicht der periodisch arbeitenden Anlage zum Auftragen der Reflexions- und Schutzschichten auf Scheinwerferreflektoren gezeigt. Diese Anlage besteht aus der Vakuumkammer 5, die mit dem System zum Auspumpen durch Stutzen 28 und 29 sowie durch die Vakuumleitung 10 mit dem Dosierventil 11 verbunden ist. Die Kammer 5 ist mit Einrichtungen für die dosierte Zufuhr der Dämpfe der Ausgangsverbindungen oder Gase versehen. Diese Einrichtungen setzen sich aus dem elektromagnetischen Ansperrventil 21 mit dem Dosierventil 22 und aus dem Behälter für flüssige Ausgangsverbindung 24 zusammen. An der Stelle der Zuführung von Dämpfen der Ausgangsverbindungen in die Kammer 5 ist die Vorrichtung 25 für eine gleichmäßige Zuführung der Dämpfe der Ausgangsverbindungen an die Erzeugnisse 1 montiert, die in Form eines Systems von Rohren 30 mit öffnungen 31 ausgeführt ist, deren Durchmesser sich in Richtung der Zufuhr der gasförmigen Ausgangsverbindung vergrößert.

Die Erzeugnisse 1 (Fig. 2) sind in einer vom Gehäuse der

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Kammer 5 isolierten Drehtrommel 32 (Fig. 3) befestigt, die aus elektrisch voneinander isolierten strahlenförmigen Sektionen besteht. Das Potential wird nacheinanderfolgend den koaxial einander gegenüber angeordneten Erzeugnisse-Elektroden 1 - (Fig. 2) zugeführt, die in den genannten einander gegenüberliegenden Sektionen der Trommel 32 (Fig. 3) untergebracht sind. Innerhalb des Hohlraums der Trommel 32 befindet sich der Verdampfer 14, um den sich die Erzeugnisse 1 (Fig. 2) drehen.

Die Arbeitsweise der Kettenfördereranlage ist wie folgt. Die Vakuumkammern 5 werden ununterbrochen mit Hilfe des geschlossenen Kettenförderers 3 (Fig. 1) verschoben. In der Position der Beladung werden in jede Kammer 5 (Fig. 2) Erzeugnisse 1, z. B, Scheinwerferreflektoren mit der zum Auftragen der Reflexionsschicht hergestellten Oberfläche, eingesteckt und in den Verdampfer 14 wird Aluminium eingelegt. Danach werden die Deckel 16 der Kammer 5 geschlossen und die anderen Vorgänge gehen automatisch vor sich. Während der Verschiebung mittels des Kettenförderers 3 (Fig. 1) wird in der Vakuumkammer 5 (Fig. 2) zuerst ein Vorvakuum mit einer Größen- Ordnung von 10 mm QS erreicht und danach ein Vakuum mit einer Größenordnung von 10*" mm QS, unter dem die Metallisierung durchgeführt wird. Nach Abschluß der Aluminiumverdampfung und einer kurzzeitigen Abkühlung des Wolframzerstäubers wird die Vakuumkammer 5 von der Hochvakuumpumpe 8 getrennt und durch die Vakuumleitung 10 mit der Vorvakuumpumpe 7 in Verbindung gesetzt. Danach werden Dämpfe der Ausgangsverbindungen in die Kammer 5 eingeleitet und eine Glimmentladung zwischen den Erzeugnissen 1, die als Elektroden dienen, erzeugt. Nach Abschluß des Auftragens des Schutzfilms wird die Glimmentladung abgeschaltet, die Zufuhr der Dämpfe

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der Ausgangsverbindung in die Kammer 5 eingestellt und nach dem Auspumpen der Kammer 5 zwecks Evakuierung gasförmiger Reaktionsprodukte wird die Kammer 5 von den Mitteln 6 getrennt und in die Kammer wird Luft eingelassen. Anschließend werden die metallisierten Reflektoren herausgenommen» die neuen Reflektoren in der Kammer 5 angeordnet und das zu verdampfende Aluminium in den Verdampfer 14 eingelegt, wonach der Zyklus wiederholt wird.

Die Arbeitsweise der periodisch arbeitenden Anlage ist wie folgt. Vor Beginn der Arbeit wird in den Behälter 23 (Fig. 3) eine organische Ausgangsverbindung 24 in einer Menge gefüllt, die für mehrere Arbeitszyklen berechnet ist. Das Einlegen des Aluminiums in den Verdampfer 14 und der Erzeugnisse 1 in die Trommel 32 erfolgt manuell vor Beginn des nächsten Zyklus. Nach dem Einlegen der Erzeugnisse 1 in die Trommel 32 und des Aluminiums in den Verdampfer 14 schließt die Bedienungsperson die Tür, wonach die restlichen Vorgänge automatisch durchgeführt werden. Dabei wird zuerst vmitder Vorvakuumpumpe 7 durch den Stutzen 28 eine Vorverdünnung in der Kammer 5 und danach mit der Hochvakuumpumpe durch den Stutzen 29 dos Arbeitsvakuum erzeugt, unter dem die Aluminiumzerstäubung bei der imvoraus eingestellten Drehung der Trommel 32 durchgeführt wird. Nach Abschluß der Aluminiumzerstäubung wird die Kammer 5 von der Hochvakuumpumpe 8 getrennt. Dann wird das Ventil 21 geöffnet, die Dämpfe der organischen Ausgangsverbindung eingeführt und die Glimmentladung beim Auspumpen durch die Vakuumleitung 10 mit dem Dosierventil 11 eingeschaltet.

Nachdem die Schutzschicht aufgetragen ist, wird die Zufuhr von Dämpfen der Ausgangsverbindung eingestellt, die

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Glimmentladung ausgeschaltet, die Drehung der Trommel 32 eingestellt und die K_ammer 5 von Resten der Ausgangsverbindung gesäubert. Die Kammer 5 wird von den Mitteln 6 zum Auspumpen getrennt. Luft in die Kammer 5 eingeführt, und die fertigen Erzeugnisse 1 werden ausder Kammer 5 herausgenommen.

Wie die durchgeführten Versuche gezeigt haben, ermöglicht die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens und der Anlage eine wesentliche Erhöhung der Korrosionsbeständigkeit der Reflexionsschicht auf den Scheinwerferreflektoren und entsprechend der Lebensdauer der optischen Elemente der Scheinwerfer. Dabei werden hohe optische Eigenschaften der Deckschicht infolge einer hohen optischen Durchsichtigkeit des Films im sichtbaren Teil des Spektrums, eine hohe Abriebbeständigkeit der Oberfläche der Deckschicht und Beständigkeit gegenüber den Wärmeeinwirkungen gesichert. Die Korrosionsbeständigkeit der Reflexionsschicht mit'Schutzf ilm erhöht sich im Vergleich zur Reflexionsschicht ohne Schutzfilm mindestens auf das 20fache. Die Verringerung des Reflexionsvermögens beim Auftragen des Schutzfilms auf einen Reflektor liegt unter 3 %.

Claims (12)

1. Verfahren zum Auftragen der Deckschichten auf reflektierende Flächen durch Polymerisation von gasförmigen organischen Ausgangsverbindungen in einer Glimmentladung, gekennzeichnet dadurch, daß die Deckschicht unter

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Erfindunqsanspruch

2. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Deckschicht bei gleichzeitiger Zufuhr gasförmiger organischer Ausgangsverbindung und eines Edelgasträgers aufgetragen wird.

—2 einem Druck in der Kammer (5) von 1.10 bis 1 mm QS, bei einer Stromdichte in der Entladung von 0,01 bis

0,5 mA/cm und bei einer Stromfrequenz bis 40.000 Hz aufgetragen wird und daß als gasförmige organische Ausgangsverbindungen stickstoffhaltige organische Siliziumverbindungen oder Kohlenwasserstoffe der Alkanreihe verwendet werden.

3. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Deckschicht bei gleichzeitiger Zufuhr gasförmiger organischer Ausgangsverbindung und gasförmiger Legierungszusätze aufgetragen wird.

4» Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Deckschicht bei abwechselnder Zufuhr verschiedener gasförmiger organischer Siliziumverbindungen aufgetragen wird.

5. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die hergestellte Deckschicht einer Behandlung in

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einer Glimmentladung in einem gasförmigen Medium ausgesetzt wird.

6· Anlage zum Auftragen einer Deckschicht auf reflektierende Flächen, die das Verfahren nach Punkt 1 bis 5 durchführt und die eine Vakuumkammer mit darin untergebrachten Metallverdampfern, mit Elektroden zur Erzeugung der Glimmentladung, mit Vorrichtungen zur Befestigung der Erzeugnisse, auf die die Deckschicht aufgetragen wird, und die mit der Vakuumkammer durch Vakuumleitungen verbundenen Mittel zum Auspumpen der Kammer sowie eine Einrichtung für die dosierte Zufuhr einer gasförmigen organischen Ausgangsverbindung in die Vakuumkammer enthält, gekennzeichnet dadurch, daß als Elektroden die Erzeugnisse (1) benutzt werden, die koaxial einander gegenüber angeordnet und vom Gehäuse der Vakuumkammer (5) isoliert sind, daß die Anlage mit Einrichtungen für die dosierte Zufuhr der Edelgase und Legierungszusätze in die Vakuumkammer (5) versehen ist.

7. Anlage nach Punkt 6, gekennzeichnet dadurch, daß die Elektroden unbeweglich bezüglich der Vakuumkammer (5) angeordnet sind.

8. Anlage nach Punkt 6, gekennzeichnet dadurch, daß die Elektroden mit Möglichkeiten zu einer Verschiebung bezüglich der Vakuumkammer (5) angeordnet sind.

9. Anlage nach Punkt 6, gekennzeichnet dadurch, daß die Vakuumkammer (5) mit Vorrichtungen (25) für eine gleichmäßige Zufuhr der gasförmigen organischen Ausgangsverbindung auf Erzeugnisse (1) versehen ist.

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10. Anlage nach Punkt 9, gekennzeichnet dadurch, daß die Vorrichtung (25) für eine gleichmäßige Zufuhr der gasförmigen organischen Ausgangsverbindung auf die Erzeugnisse (1) in Form eines Kegels ausgeführt ist, dessen Spitze ehr Einlaßöffnung eines Stutzens (27) der Einrichtung für die dosierte Zufuhr der Ausgangsverbindung in die Kammer (5) zugekehrt ist.

11. Anlage nach Punkt 9, gekennzeichnet dadurch, daß die Vorrichtung (25) für eine gleichmäßige Zufuhr der gasförmigen organischen Ausgangsverbindung auf die Erzeugnisse (1) inForm eines Systems von Rohren (30) mit Öffnungen (31) ausgeführt wird, deren Achse senkrecht zu der Achse jedes Rohrs (30) liegt, wobei sich der Durchmesser der Öffnungen (31) in der Richtung der Zufuhr der gasförmigen Ausgangsverbindung vergrößert.

12. Anlage nach Punkt 6, gekennzeichnet dadurch, daß zur Aufrechterhaltung des vorgegebenen Drucks in der Vakuumkammer (5), diese mit einem Ventil (11) versehen ist, das die Geschwindigkeit des Auspumpens der Kammer regelt.