DD140643A3 - Magnetischer informationsverschiebespeicher - Google Patents

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DD140643A3 DD20518978A DD20518978A DD140643A3 DD 140643 A3 DD140643 A3 DD 140643A3 DD 20518978 A DD20518978 A DD 20518978A DD 20518978 A DD20518978 A DD 20518978A DD 140643 A3 DD140643 A3 DD 140643A3
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Spartak D Geworkjan
Reinhard Straubel
Jaroslaw M Pogosjan
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Spartak D Geworkjan
Reinhard Straubel
Jaroslaw M Pogosjan
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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Speicher, bei dem als Magnetisierungsstrukturen in einer weichmagnetischen Schicht gespeicherte Informationen mittels Magnetfelder verschoben werden und bei Abschalten der Magnetfelder stabil in der Schicht erhalten bleiben. Der Speicher findet insbesondere Anwendung in der Datenverarbeitung, Nachrichtentechnik, Meßtechnik sowie Steuerungsund Regelungstechnik. Ziel und Aufgabe der Erfindung bestehen darin, einen magnetischen Dünnschichtschiebespeicher zu schaffen, der durch Verwendung feinkristalliner Speicherschichten nur einen geringen Herstellungsaufwand erfordert und dabei, eine Speicherdichte pro Flächeneinheit erlaubt, die vergleichbar mit der magnetischer Blasenspeicher ist. Die-erfindungsgemäße Lösung besteht darin, daß die Informationen in Kanälen innerhalb einer weichmagnetischen Speicherschicht verschoben werden, deren Lage dadurch vorgegeben ist, daß entsprechend der Kanalbreite und -länge eine gegenüber der Kanalumgebung vergrößerte magnetische Anisotropie mit der Vorzugsachse in Richtung der Kanallängsausdehnung vorhanden ist. Die Kanalumgebung ist durch ein senkrecht zur Speicherschichtebene gerichtetes Vormagnetisierungsfeld total gesättigt, während innerhalb der Kanäle die Magnetisierung Komponenten parallel zur Kanallängsausdehnung besitzt.

Description

Magnetischer Informationsverschiebespeicher
1Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft einen Speicher, der insbesondere Anwendung in der Datenverarbeitung, Nachrichtentechnik, Meßtechnik und. Steuerungs-· und Regelungstechnik findet und bei dem in Form von Magnetisierungsstrukturen in einer weichmagnetischen Schicht gespeicherte Informationen unter dem Einfluß äußerer Magnetfelder von den Orten der Aufzeichnung zu den Orten der Wiedergabe verschoben werden können und bei Abschaltung der äußeren Magnetfelder stabil in der Schicht erhalten bleiben. t _ .
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen Es ist eine Vielzahl von Verfahren, Vorrichtungen und Systemen bekannt geworden, die eine solche Informationsspeicherung und -Verschiebung gestatten« Sie lassen sich in zwei große Gruppen einteilen:
Die Lösungen der ersten (älteren) Gruppe beruhen darauf, daß in einem zuvor total magnetisch gesättigten, feinkristallinen weichmagnetischen Speicherschichtkanal, bei dem die Vorzugsachse der Magnetisierung in der Schichtebene liegt, am Ort der Aufzeichnung unter Überwindung einer sogenannten Keimbildungsfeldstärke zunächst ein der ursprünglichen Sättigungs- -.richtung entgegengesetzt magnetisierter länglicher Bereich endlicher Länge in den Schichtkanal eingesetzt wird und dann beim Anlegen von örtlich und zeitlich periodischen äußeren Magnetfeldern, deren Amplitude kleiner als die der Keimbildungsfelder sein muß, durch periodische Längenänderungen längs des Schichtkanals unidirektional verschoben werden. Bei Bedarf erfolgt diese Verschiebung bis zum Ort der Wiedergabe, wo die Anwesenheit eines solchen ummagnetisierten Bereiches zu einem elektrischen Wiedergabesignal führt. Eine Folge solcher gegenseitig isolierter Bereiche repräsentiert dann eine Folge von binär kodierten Informationssymbolen· Zur zerstörungsfreien Verschiebung der ummagnetisierten Bereiche ist es erforderlich, daß die äußeren treibenden magnetischen Impulsfelder sowohl eine spezielle periodische Orts- als auch Zeitabhängigkeit besitzen (US-PS 2 919 432; US-PS 3 366 937)f wobei die Ortsabhängigkei; auch dadurch
erreicht werden kann, daß der Speicherschichtkanal selbst in einer speziellen geometrischen Struktur ausgeführt wird (US-PS 3 438 016), oder direkt ortsabhängige magnetische Eigenschaften besitzt (US-PS 3 366 937) bzw* durch den periodischen äußeren magnetischen Streufluß einer darunter angebrachten hartmagnetischen·Schicht ortsveränderlich vormagnetisiert. wird (DD-PS 81 146),
Zur zweiten Gruppe gehören die sogenannten magnetischen Blasenspeicher, bei denen die monokristalline oder amorphe Speicherschicht eine magnetische Vorzugsrichtung senkrecht zur Ebene der Speicherschicht besitzt«» Unter der Wirkung eines ständig in Normalrichtung wirkenden Vormagnetisierungsfeldes können hierbei am Aufzeichnungsort in der zunächst gesättigten Schicht zylinderförmige ummagnetisierte Bereiche gebildet werden, die sich gleichfalls durch äußere orts« und zeitabhängige, periodische Impulsfelder längs vorgegebener Spuren verschieben lassen (A9H. Bobeck, Application of Orthoferrites to Domain-Wall Devices, IEEE Trans, on Magnetics, MAG-5» 544 /1969).
Der wesentliche Nachteil der ersten Gruppe von solchen Informationsspeichern liegt darin begründet, daß sich nur relativ große ummagnetisierte Bereiche mit einem ungünstigen Längen-Dicken-Verhältnis stabil erhalten und verschieben lassen, was eine relativ geringe Speicherdichte pro Flächeneinheit zur Folge hat.
Der wesentliche Nachteil der zweiten Gruppe von solchen Informationsspeichern ist darin zu suchen, daß die einkristallinen Speicherschichten einen relativ großen technologischen Herstellungsaufwand erfordern und die amorphen Speicherschichten· bis jetzt nicht mit der notwendigen zeitlichen Stabilität ihrer magnetischen Eigenschaften hergestellt werden, können.
Ziel der Erfindung
Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines magnetischen Informationsschiebespeichers, der nur einen geringen Herstellungsaufwand Uea« für Bedampfung, elektrolytische oder stromlose Schichtabscheidung, Sputtern, erfordert und dabei eine . Speicherdichte pro Flächeneinheit erlaubt, die vergleichbar mit der magnetischer Blasenspeicher ist, sowie die Behebung der beschriebenen Mängel der bekannten technischen Lösungen«,
Darlegung des Wesens der Erfindung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, unter Verwendung feinkristalliner Speicherschichten einen magnetischen Dünn-Schichtschiebespeicher mit hoher Speicherdichte zu schaffen, bei dem magnetische Übergangsfrernten mittels äußerer Magnetfelder verschoben werden.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß innerhalb einer weichmagnetischen Speicherschicht, die magnetisch isotrop ist oder eine pauschale magnetische Vorzugsachse in der Schichtebene besitzt, die Lage von Kanälen, in denen die Informationen verschoben werden, dadurch vorgegeben ist, daß entsprechend der Kanalbreite und -länge eine gegenüber der Kanalumgebung vergrößerte magnetische Anisotropie mit der Vorzugsachse in Richtung der Kanallängsausdehnung vorhanden ist. Das ist durch lokale Ionenimplantation, durch lokale Dickenänderungen der Speicherschicht, durch lokale Diffusion von anderen Legierungskomponenten und/oder durch zusätzliche Aufbringung von unterhalb und/oder oberhalb der Speicherschicht entsprechend dem gewünschten Kanalverlauf angeordneten Schichtstrukturen mit gegenüber der magnetischer Anisotropie realisiert« . An der Speicherschicht ist eine Vorrichtung zur Erzeugung eines die Umgebung der Kanäle total sättigenden, senkrecht zur Ebene der Speicherschicht- gerichteten Vormagnetiaierungsfeldes angeordnet. Dabei besitzt die Magnetisierung innerhalb der Kanäle infolge der Anisotropie noch energetisch gleichberechtigte und damit örtlich und zeitlich stabile Komponenten parallel zur Kanallängsausdehnung, welche vor einer Informationsaufzeichnung mittels eines entsprechenden Peldimpulses in eine Richtung ausgerichtet werden.
Zur Verschiebung von statisch und dynamisch stabilen Übergangsfronten, die in einer Aufzeichnungsvorrichtung erzeugte Strecken mit zur ausgerichteten Magnetisierungskomponeaate der Kanäle antiparalleler Magnetisierungskomponente begrenzen, befinden sich an der Speicherschicht Anordnungen zur Erzeugung äußerer orts- und seitabhängiger, periodischer, in Speicherschichtebene wirksamer Magnetfeldkonfigurationen, deren Amplituden zur Gewährleistung einer zerstörungsfreien Verschiebung in Richtung der Kanallängsausdehnung kleiner als die des zur Aufzeichnung erforderlichen Magnetfeldes sind. Eine Folge von solchen Übergangs-
fronten der Magnetisierung oder jeweils ein Paar unmittelbar benachbarter Fronten kann dann eine Folge binär kodierter -Informationssymbole repräsentieren« Die Verschiebung der Über-1 gangsfronten erfolgt synchron mit dem Aufzeichnungsvorgang, Zur Erzeugung der für die Verschiebung der Übergangsfronten erforderlichen orts- und zeitperiodischen magnetischen Felder sind unter und/oder über der Speicherschicht Systeme von Mustern elektrischer, zeitlich nacheinander mit Stromimpulsen gespeister Leiterzüge und bei Bedarf entsprechend des gewählten Musters und dessen Ansteuerung an der Speicherschicht eine Vorrichtung zur Erzeugung eines in der Speicherschicht örtlich homogenen und zeitveränderlichen Magnetfeldes angeordnet, wobei \ die Richtung des entstehenden Magnetfeldes vorzugsweise parallel \ zu der Längsausdehnung der Kanäle verläuft» Zur Bildung des \ örtlich homogenen Magnetfeldes ist die gesamte Speicherschicht j einschließlich der Systeme elektrischer Leiterzüge vorteilhaft in eine Spule eingebettet«
Zur Erzeugung der für die Verschiebung der Übergangsfronten I der Magnetisierung erforderlichen orts- und zeitperiodischen \ magnetischen Felder sind in einer anderen Realisierungsvariante zusätzlich auf und/oder unter der Speicherschicht längs der Kanäle einen äußeren magnetischen Streufluß erzeugende weichmagnetische: Schichtelemente angebracht, deren Sättigungsmagnetisierung und/oder magnetische Anisotropie größer als die der Kanäle ist.Zur Erzielung der erforderlichen Zeitabhängigkeit dieser Felder und damit zur notwendigen phasenrichtigen Ummagnetisierung der Schichtelemente in. dem zur Bewegung der Übergangsfronten erforderlichen Takt ist an der Speicherschicht eine Vorrichtung zur Erzeugung eines zeitveränderlichen inner- { halb der Speicherschicht örtlich homogenen, eventuell rotieren- j
i den Magnetfeldes angeordnet« Die Richtung und Stärke dieses . J
Magnetfeldes hängt wesentlich von den geometrischen und magnetischen Parametern der weichmagnetischen Schichtelemente j
abs Dieses rotierende Feld wird vorteilhaft von gekreuzten ί
Spulen erzeugt, in die das ganze Speicherschichtpaket einzu- ! betten ist, i
Zur Erzeugung der für die Verschiebung der Übergangsfronten ;
der Magnetisierung längs der vorgegebenen Kanäle erforderlichen orts- und zeitperiodischen Magnetfelder sind in einer weiteren
Realisierungsvariante auf einer oder beiden Oberflächen der Speicherschicht zusätzlich eine hartmagnetische mit einer periodischen magnetischen Aufzeichnung versehene Schicht und an der Speicherschicht eine Vorrichtung zur Erzeugung eines innerhalb der Speicherschicht örtlich homogenen und zeitveränderlichen Magnetfeldes angeordnet« Sowohl die magnetische Aufz~eichnung auf der hartmagnetischen Schicht als auch das äußere Magnetfeld ist dabei vorzugsweise parallel zu den Kanälen ausgerichtet·
Ausführungsbeispiel
Die Erfindung soll nachstehend"an einigen Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigen
Pig# 1: eine schematische Darstellung des ganzen Speichers in Blockdarstellung
Pig, 2: die perspektivische Darstellung der Anordnung einer Speicherschicht mit parallelen Leiterzügen, einem statischen Vormagnetisierungsfeld senkrecht zur Speicherschichtebene und einem amplitudenmodulierten Magnetfeld, das homogen auf die Speicherschicht und weitgehend parallel zu den Kanälen wirkt,
Pig» 2a: die schematische Darstellung der zeitlichen Folge elektrischer Impulse, mit denen die einzelnen Leiterzüge nacheinander beaufschlagt werden, sowie den zeitlichen Verlauf des bipolaren Magnetfeldes parallel zu den Kanälen,
Pig, 2b: die schematische Darstellung der gwei sich wiederholen den Phasen eines Zyklus der Verschiebung zweier benachbarter Übergangsfronten in der Anordnung nach Pig, 2»
Pig» 3: die schematische Darstellung der zwei sich wiederholenden Phasen eines Zyklus der Verschiebung zweier benachbarter Übergangsfronten in der Anordnung nach Figo 2 mit monopolaren Peldimpulsen, wobei beide Über~ gangsfronten gleichzeitig unidirektional verschoben werden können,
Pig, 4: die Darstellung der Anordnung einer Speicherschicht mit zwei übereinander angeordneten mäanderförmigen
- 6- m£V0 SO^
Leiterzügen*
Fig« 1 gibt einen schematischen Überblick über den ganzen Speicher in Blockdarstellung, wenn zur Verschiebung der Über--· 'gangsfronten der Magnetisierung elektrische Leiterzüge verwendet werdTen. Die zu speichernde Information wird am Eingang des gesamten Speichersystems in einem Verstärker und Multiplexer 1 in Stromimpulse zur Aufzeichnung umgeformt und entsprechend der Organisation des Speichers nacheinander auf den Leitungen 1©1 bis 1»n an die η Orte der Aufzeichnungsvorrichtungen der einzelnen Kanäle in einem Speicherschichtpaket 2 überführt« Von einem Taktgenerator 3 gesteuert, der entsprechend der Aufzeichnungsrate das ganze Speichersystem synchronisiert, erzeugt ein Generator 4 die zur Verschiebung der Übergangsfronten der Magnetisierung erforderlichen Stromimpulse durch elektrische Leiterzüge AA"; BB'; CG' usw», die unmittelbar auf der Speicherschicht angebracht sind. Das Speicherschichtpaket 2 steht unter dem ständigen Einfluß eines Vormagnetisierungsfeldes 13» das im statischen Pail beispielsweise durch Polschuhe 5 und 5'eines temperaturkompensierten Permanentmagneten hervorgerufen wirde Ein Wiedergabeverstärker setzt mit seinem Multiplexer die aus den einzelnen Kanälen ausgelesenen Signale wieder zu der Folge der ursprünglichen binären Informationssymbole zusammen, Palis benötigt, liegt an dem Speicherschichtpaket 2 noch ein (hier nicht dargestelltes) zeitveränderliches Magnetfeld vorzugsweise parallel zur Kanallängsausdehnung an, dessen erforderliche Speiseströme gleichfalls durch den Generator erzeugt werden« Dieses innerhalb der Speicherschicht örtlich homogene magnetische Feld kann von einer das ganze. Speicherschichtpaket 2 umschlingende Spule hervorgerufen werden, die gleichfalls aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt ist» .
In Pig» 2 ist ein solches Speicherschichtpaket 2 perspektivisch dargestellt« Auf einem Substrat 7 (Glas, Siliziumfläche oder dergleichen) ist eine weichmagnetische Speicherschicht 8 - eventuell durch homogenisierende (hier nicht dargestellte) unmagnetische Zwischenschichten getrennt - mit Kanälen 9 aufgebracht« Zunächst werden alle Kanäle 9 unter dem Einfluß des statischen Magnetfeldes 13 senkrecht zur Ebene der Speicherschicht 8 und eines Feldes 14 parallel zur Längsausdehnung
der Kanäle 9 so magnetisiert,-daß sie eine (nach links) gleichgerichtete Komponente 10 der Magnetisierung peralle 1 zu den Kanälen 9 besitzen. Je nach der zu speichernden Folge von Informationssymbolen können unter den zur Aufzeichnung dienenden Leitungen 1,1 bzw0 1,2 kurze Kanalstrecken 16 mit. dazu antiparalleler Magnetisierungskomponente 10 eingezeichnet werden«
Der in der Zeit t aufeinanderfolgende Verlauf der Speisung der Leiterzüge AAf BBf CG", mit entsprechenden bipolaren Stromimpulsen in Verbindung mit den Feldimpulsen 14 ist in Fig. 2a dargestellt, wobei die beiden Phasen des Verschiebezyklus durchs und 0 gekennzeichnet sinde Eine schematische Darstellung dieser Phasen in einem Kanal 9 zeigt Fig, 2b. Aus der Anfangssteilung CC0 erweitert in der Phase U. ein Magnetfeldimpuls 14 die endliche Kanalstrecke 16, bis die beiden die Strecke 16 begrenzenden Übergangsfronten 15» 15'an den stromimpulsgespeisten Leiterzügen AA'angehalten werden. Ein erneuter - nunmehr antiparalleler Magnetimpuls 14 schiebt in der zweiten Phase β die Übergangsfronten 15; 15'wiederum aufeinander zu,-Ein gleichzeitiger Stromimpuls durch die Leitungen BB'verhindert jedoch die Vernichtung der Kanalstrecke i6e Anschließend folgt wieder die Phase CA nunmehr aber unter Inanspruchnahme der Leiterzüge CCi Bei Verzicht auf die bei dieser Anordnung mögliche maximale line-are Speicherdichte kann die Zahl der voneinander unabhängig ansteuerbaren Leiterzüge AAf BBj CC' auf zwei reduziert werden.
Wenn es das benutzte Verfahren zur Herstellung der Leiterzugstrukturen erlaubt, kann die Verschiebung der Übergangsfronten
15; 15'mit einer Anordnung der Leitersüge AA'; BB"; CC'nach Fig« 3 erfolgen. Hierbei liegen alle Leiterzüge parallel dicht nebeneinander und weitgehend senkrecht zu den Kanälen 9, Sie werden in Richtung der Informationsverschiebung zeitlich nacheinander mit kurzen monopolaren Stromimpulsen derart gespeist, daß ihr resultierendes lokales Feld in Richtung der zur Längsausdehnung der Kanäle 9 parallelen Magnetisieru-ngskomponente 10 der zu verschiebenen Kanalstrecken 16 weist. Das somit in Verschieberichtung wandernde Feld verschiebt jeweils die vorderen Übergangsfronten 15'der Kanalstrecken 16, während durch zusätzliche, gleichzeitige Feldimpulse 14 die
interen Fronten 15 ständig nachgeschoben werden0 Durch die -damit mögliche gleichzeitige unidirektionale Verschiebung beider jede Kanalstrecke 16 begrenzenden Übergangsfronten 15; 15' kann mit diesem Verfahren eine größere mittlere Verschiebegeschwindigkeit -erreicht werden, als das mit dem Verfahren nach Pig, 2, 2as 2b möglich ist. Schließlich ist in der Pig, 4 eine Anordnung der Leiterzüge zur Informationsverschiebung beispielsweise für zwei Kanäle 9 dargestellt, bei dem zwei unabhängige Systeme AA^ BB'von übereinanderangeordneten mäanderförmig strukturierten Leiterzügen verwendet werden. Diese müssen zur Informationsverschiebung zeitlich nacheinander mit bipolaren Stromimpulsen gespeist werden« Auch bei diesem Verfahren erfolgt eine gleichzeitige unidirektionale Verschiebung der beiden jede Kanalstrecke 16 begrenzenden Übergangsfronten 15; 15% wobei die !Notwendigkeit einer das ganze Speicherschichtpaket umhüllenden Spule zur Erzeugung des Magnetfeldes 14 entfällt» Mit allen hier dargestellten Verfahren'der Informationsverschiebung läßt sich durch.entsprechende Wahl einer anderen Polge der Stromimpulse durch die Leiterzüge AA'; BB' und eventuelle CC eine unidirektionale Informationsverschiebung in beiden möglichen Kanalrichtungen erreichen«. Bei Verzicht auf die maximal mögliche lineare Speicherdichte ist auch in benachbarten Kanälen 9 eine antiparallele Informationsverschiebung möglich» Schließlich kann dieselbe Information auch durch benachbarte Kanäle nacheinander verschoben werden, wenn die Kanalenden' in Form des Buchstaben Y zusammenführen« Die benachbarten Kanalenden müssen dabei einen spitzen Winkel miteinander bilden, so daß das Feld der elektrischen Leiterzüge noch weitgehend parallel zur magnetischen Vorzugsachse verläuft» Damit lassen sich dann auch Informationsverschiebespeicher realisieren, deren zusammenhängende Kanäle 9 durch die ganze Speicherschichtfläche und nicht nur durch eine ihrer linearen Dimensionen beschränkt ist.

Claims (5)

  1. Erfindungsanspruch
    1« Magnetischer Informationsverschiebespeicher, bei dem die in Form von Magnetisierungsstrukturen in einer weichmagnetischen Schicht gespeicherter Informationen unter dem Einfluß äußerer angelegter Magnetfelder von den Orten der Aufzeichnung zu . den Orten der Wiedergabe verschoben werden können und bei Abschaltung der äußeren Magnetfelder in der Schicht stabil erhalten bleiben, dadurch gekennzeichnet, daß sich innerhalb der weichmagnetischen Speicherschicht (8), die magnetisch isotrop ist oder eine pauschale magnetische Vorzugsachse innerhalb der Schichtebene besitzt, Kanäle (9) mit gegenüber der Kanalumgebung vergrößerter magnetischer Anisotropie mit der Vorzugsachse in Richtung der Kanallängsausdehnung befinden, in denen die Informationen verschoben werden, daß an der Speicherschicht (8) eine Vorrichtung zur Erzeugung eines senkrecht zur Ebene der Speicherschicht (8) gerichteten, die Umgebung der Kanäle (9) total sättigenden, dabei aber innerhalb der Kanäle (9) energetisch gleichberechtigte, parallel zur Kanallängsausdehnung gerichtete Magnetisierungskomponenten gewährleistenden Vormagnetisierungsfeldes (13) angeordnet ist und daß sich zur Verschiebung von statisch und dynamisch stabilen Übergangsfronteη (15; 15*), die in der Aufzeichnungsvorrichtung erzeugte Strecken (16) mit zur vorher ausgerichteten Magnetisierungskomponente der Kanäle (9) antiparalleler Magnetisierungskomponente begrenzen, an der Speicherschicht (8) Anordnungen zur Erzeugung äußerer orts- und zeitabhängiger, periodischer, in Speicherschichtebene wirksamer Magnetfeldfigurationen befinden, deren Amplituden in Richtung der Kanallängsausdehnung kleiner als die des zur Aufzeichnung erforderlichen Magnetfeldes sind.
  2. 2. Magnetischer Informationsverschiebespeicher nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanäle (9) mittels lokaler Ionenimplantation realisiert sind.
  3. 3. Magnetischer Informationsverschiebespeicher nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Realisierung der Kanäle (9) die Speicherschicht (8) lokale Dickenänderungen aufweist·
    H 01\! 197 3* 81072 u
    • -ίο- 2 05109
    ,4o Magnetischer Inforniationgverschiebe speicher nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Realisierung der Kanäle (9) die Speicherschicht (8) zusätzliche lokal eindiffundierte Legierungskomp'onenten aufweist. ·
  4. 5. Magnetischer Informationsverschiebespeicher nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Realisierung der Kanäle (9) auf die Speicherschicht(8) entsprechend dem gewünschten Kanalverlauf angeordnete Schichtstrukturen mit gegenüber der Speicherschicht (8) vergrößerter magnetischen Anisotropie aufgebracht sind.
  5. 6. Magnetischer Informationsverschiebespeicher nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Realisierung der Kanäle (9) die Speicherschicht (8) Legierungskomponenten und zusätzlich aufgebrachte Schichtetrukturen mit vergrößerter magnetischen Anisotropie aufweist.
    7» Magnetischer Informationsverschiebespeicher nach Punkt 1 dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der für die Verschiebung der Übergangsfronten (15; 15') erforderlichen orts- und zeitperiodischen magnetischen Felder auf der Speicherschicht (8) unabhängig voneinander ansteuerbare Systeme von Hustern elektrischer, zeitlich in bestimmter Reihenfolge mit Stromimpulsen gespeister Leiterzüge und bei Bedarf entsprechend des gewählten Musters und dessen Ansteuerung an der Speicherschicht (8) eine Vorrichtung zur Erzeugung eines in der Speicherschicht (8) örtlich homogenen, aber zeitveränderlichen Magnetfeldes (14) angeordnet sind, wobei die Richtung des entstehenden Magnetfeldes vorzugsweise parallel zu der Längsausdehnung der Kanäle (9) verläuft.
    Magnetischer Informationsverschiebespeicher nach Punkt 1 -'.·. . dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der für die Verschiebung der Übergangsfronten (15; 15') erforderlichen orts- und zeitperiodischen magnetischen Felder zusätzlich auf der Speicherschicht (8) längs' der Kanäle (9) einen äußeren magnetischen Streufluß erzeugende weichmagnetische .Schichtelemente aufgebracht sind, deren Sättigungsmagnetisierung bzw» magnetische Anisotropie größer als die
    189
    der Kanäle ist, wobei zur notv/endigen phasenrichtigen Ummagnetisierung der Schichtelemente in dem zur Bewegung der Übergangsfronten (15; 15') erforderlichen Takt an der Speicherschicht (8) eine "Vorrichtung zur Erzeugung eines zeitveränderlichen, innerhalb der Speicherschicht (8) ' örtlich homogenen, eventuell rotierenden Magnetfeldes (14) angeordnet ist.
    Magnetischer Informationsverschiebespeicher nach Punkt I1 dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der für die Verschiebung der Übergangsfronten (15;15') erforderlichen orts- und zeitperiodischen magnetischen Felder auf einer der beiden Oberflächen der Speicherschicht (8) zusätzlich eine hartmagnetische,· mit,einer periodischen magnetischen Aufzeichnung versehene Schicht aufgebracht ist und an der Speicherschicht (8) eine Vorrichtung zur Erzeugung eines innerhalb der Speicherschicht (8) örtlich homogenen und zeitveränderlichen Magnetfeldes (14) angeordnet ist, wobei sowohl die magnetische Aufzeichnung auf der hartmagnetischen Sc'Jaicht als auch das äußere Magnetfeld (14) vorzugsweise parallel zu den Kanälen (9) gerichtet ist.
    Hierzu ^....Seiten Zeichnungen
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