CZ5183U1 - Výkonová polovodičová součástka - Google Patents
Výkonová polovodičová součástka Download PDFInfo
- Publication number
- CZ5183U1 CZ5183U1 CZ19965277U CZ527796U CZ5183U1 CZ 5183 U1 CZ5183 U1 CZ 5183U1 CZ 19965277 U CZ19965277 U CZ 19965277U CZ 527796 U CZ527796 U CZ 527796U CZ 5183 U1 CZ5183 U1 CZ 5183U1
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- silicon wafer
- power semiconductor
- diode
- electrodes
- silicon
- Prior art date
Links
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
Technické řešení se týká obsahující křemíkovou destičku výkonové polovodičové součástky s nejméně jedním přechodem PN a nejméně jednu dilatační elektrodu z kovu nebo jiného materiálu s přibližně stejným koeficientem tepelné roztažnosti jako křemík.
Dosavadní stav techniky
Dosud se u výkonových polovodičových součástek při rozměru křemíkové destičky větším než 6 mm používají zpravidla dvě dilatační elektrody z wolframu nebo molybdenu nebo jiného kovu či materiálu s přibližně stejným koeficientem tepelné roztažnosti jako křemík. Dilatační elektrody zvyšují mechanickou odolnost výkonové polovodičové součástky při tepelném namáhání součástky za provozu, kdy dochází k významným změnám teplot. Dilatační elektrody jsou ke křemíkové destičce připevněny pájkou, slitinovým spojem, případně lisováním přes kovovou mezivrstvu. Nevýhodou stávajícího stavu jsou vysoké náklady na kovový materiál i velký počet operací při výrobě dilatačních elektrod.
Podstata technického řešení
Uvedené nedostatky do značné míry odstraňuje výkonová polovodičová součástka, obsahující křemíkovou destičku a nejméně jednu dilatační elektrodu, vhodnou volbou tvaru a geometrických rozměrů křemíkové destičky a dilatačních elektrod tak, že křemíková destička a dilatační elektrody jsou kruhového tvaru a poměr průměru křemíkové destičky k součtu tlouštěk všech přítomných dilatačních elektrod je větší než 14,5. Uvedené uspořádání přináší úsporu wolframu a molybdenu a dalších materiálů s přibližně stejným koeficientem tepelné roztažnosti jako u křemíku. Je vhodné při výrobě výkonových polovodičových součástek větších rozměrů o průměru křemíkové destičky větším než 8 mm.
Příklad provedení technického řešení
Technické řešení je blíže osvětleno na konkrétním provedení výkonové polovodičové součástky, např. výkonového tyristoru nebo výkonové diody o průměru kruhové křemíkové destičky 45 mm, ke které je připojena jedna dilatační elektroda kruhového tvaru o tloušťce 3 mm, připojenou k jedné straně křemíkové destičky slitinovým spojem. Dosažený poměr průměru kruhové destičky a tloušťky dilatační elektrody kruhového tvaru je 15.
Claims (1)
- Výkonová polovodičová součástka obsahující nejméně jednu křemíkovou destičku a nejméně s jedním přechodem PN a nejméně jednou dilatační elektrodou z kovu nebo jiného materiálu, např. z wolframu nebo molybdenu se stejným koeficientem tepelné roztažnosti jako křemík, přičemž dilatační elektroda nebo elektrody jsou spojeny s křemíkovou destičkou pájkou nebo slitinovým spojem, vyznačující se tím, že křemíková destička a dilatační elektrody jsou kruhového tvaru a poměr průměru křemíkové destičky k součtu tlouštěk všech dilatačních elektrod je větší než 14,5.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ19965277U CZ5183U1 (cs) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | Výkonová polovodičová součástka |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ19965277U CZ5183U1 (cs) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | Výkonová polovodičová součástka |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ5183U1 true CZ5183U1 (cs) | 1996-09-12 |
Family
ID=38780699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ19965277U CZ5183U1 (cs) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | Výkonová polovodičová součástka |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ5183U1 (cs) |
-
1996
- 1996-04-30 CZ CZ19965277U patent/CZ5183U1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3128419A (en) | Semiconductor device with a thermal stress equalizing plate | |
| Manikam et al. | Die attach materials for high temperature applications: A review | |
| EP0935286A4 (en) | COPPER CIRCUIT JUNCTION SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME | |
| KR950000902A (ko) | 고온의 무연 주석 기제 다-성분 납땜 합금 | |
| JP2016029695A (ja) | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 | |
| US3523832A (en) | Thermogenerator with germanium-silicon semiconductors | |
| US3160798A (en) | Semiconductor devices including means for securing the elements | |
| US3204158A (en) | Semiconductor device | |
| CZ5183U1 (cs) | Výkonová polovodičová součástka | |
| US3480842A (en) | Semiconductor structure disc having pn junction with improved heat and electrical conductivity at outer layer | |
| GB1588477A (en) | Prefabricated composite metallic heat-transmitting plate unit | |
| JPS5837329A (ja) | 熱回収型パツド | |
| US3158471A (en) | Gold alloy solder for semiconductor devices | |
| Carlson et al. | Thermal expansion mismatch in electronic packaging | |
| US3897624A (en) | Method for bonding ceramics with metal | |
| US3717797A (en) | One piece aluminum electrical contact member for semiconductor devices | |
| US3485679A (en) | Thermoelectric device with embossed graphite member | |
| US3562605A (en) | Void-free pressure electrical contact for semiconductor devices and method of making the same | |
| CS223183B1 (cs) | Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru | |
| US3822152A (en) | Graduated sige alloy thermocouple | |
| JP3313649B2 (ja) | 半導体素子の製造方法、及びその製造方法により製造された半導体素子を組込んだ電力変換装置 | |
| US3950778A (en) | Semiconductor device and case member | |
| JPS5685842A (en) | Semiconductor device having heat dissipating fin | |
| JP2018067589A (ja) | 熱電変換モジュールの製造方法 | |
| JP3313640B2 (ja) | 半導体素子及び電力変換装置 |