CZ5183U1 - Výkonová polovodičová součástka - Google Patents
Výkonová polovodičová součástka Download PDFInfo
- Publication number
- CZ5183U1 CZ5183U1 CZ19965277U CZ527796U CZ5183U1 CZ 5183 U1 CZ5183 U1 CZ 5183U1 CZ 19965277 U CZ19965277 U CZ 19965277U CZ 527796 U CZ527796 U CZ 527796U CZ 5183 U1 CZ5183 U1 CZ 5183U1
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- silicon wafer
- power semiconductor
- diode
- electrodes
- silicon
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
Technické řešení se týká obsahující křemíkovou destičku výkonové polovodičové součástky s nejméně jedním přechodem PN a nejméně jednu dilatační elektrodu z kovu nebo jiného materiálu s přibližně stejným koeficientem tepelné roztažnosti jako křemík.
Dosavadní stav techniky
Dosud se u výkonových polovodičových součástek při rozměru křemíkové destičky větším než 6 mm používají zpravidla dvě dilatační elektrody z wolframu nebo molybdenu nebo jiného kovu či materiálu s přibližně stejným koeficientem tepelné roztažnosti jako křemík. Dilatační elektrody zvyšují mechanickou odolnost výkonové polovodičové součástky při tepelném namáhání součástky za provozu, kdy dochází k významným změnám teplot. Dilatační elektrody jsou ke křemíkové destičce připevněny pájkou, slitinovým spojem, případně lisováním přes kovovou mezivrstvu. Nevýhodou stávajícího stavu jsou vysoké náklady na kovový materiál i velký počet operací při výrobě dilatačních elektrod.
Podstata technického řešení
Uvedené nedostatky do značné míry odstraňuje výkonová polovodičová součástka, obsahující křemíkovou destičku a nejméně jednu dilatační elektrodu, vhodnou volbou tvaru a geometrických rozměrů křemíkové destičky a dilatačních elektrod tak, že křemíková destička a dilatační elektrody jsou kruhového tvaru a poměr průměru křemíkové destičky k součtu tlouštěk všech přítomných dilatačních elektrod je větší než 14,5. Uvedené uspořádání přináší úsporu wolframu a molybdenu a dalších materiálů s přibližně stejným koeficientem tepelné roztažnosti jako u křemíku. Je vhodné při výrobě výkonových polovodičových součástek větších rozměrů o průměru křemíkové destičky větším než 8 mm.
Příklad provedení technického řešení
Technické řešení je blíže osvětleno na konkrétním provedení výkonové polovodičové součástky, např. výkonového tyristoru nebo výkonové diody o průměru kruhové křemíkové destičky 45 mm, ke které je připojena jedna dilatační elektroda kruhového tvaru o tloušťce 3 mm, připojenou k jedné straně křemíkové destičky slitinovým spojem. Dosažený poměr průměru kruhové destičky a tloušťky dilatační elektrody kruhového tvaru je 15.
Claims (1)
- Výkonová polovodičová součástka obsahující nejméně jednu křemíkovou destičku a nejméně s jedním přechodem PN a nejméně jednou dilatační elektrodou z kovu nebo jiného materiálu, např. z wolframu nebo molybdenu se stejným koeficientem tepelné roztažnosti jako křemík, přičemž dilatační elektroda nebo elektrody jsou spojeny s křemíkovou destičkou pájkou nebo slitinovým spojem, vyznačující se tím, že křemíková destička a dilatační elektrody jsou kruhového tvaru a poměr průměru křemíkové destičky k součtu tlouštěk všech dilatačních elektrod je větší než 14,5.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ19965277U CZ5183U1 (cs) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | Výkonová polovodičová součástka |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ19965277U CZ5183U1 (cs) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | Výkonová polovodičová součástka |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ5183U1 true CZ5183U1 (cs) | 1996-09-12 |
Family
ID=38780699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ19965277U CZ5183U1 (cs) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | Výkonová polovodičová součástka |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ5183U1 (cs) |
-
1996
- 1996-04-30 CZ CZ19965277U patent/CZ5183U1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3128419A (en) | Semiconductor device with a thermal stress equalizing plate | |
| Manikam et al. | Die attach materials for high temperature applications: A review | |
| US2922092A (en) | Base contact members for semiconductor devices | |
| US4313128A (en) | Compression bonded electronic device comprising a plurality of discrete semiconductor devices | |
| KR950000902A (ko) | 고온의 무연 주석 기제 다-성분 납땜 합금 | |
| JP2016029695A (ja) | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 | |
| US3523832A (en) | Thermogenerator with germanium-silicon semiconductors | |
| SE433021B (sv) | Termiskt och elektriskt ledande skyddsbuffert for en halvledaranordning | |
| US3160798A (en) | Semiconductor devices including means for securing the elements | |
| US3204158A (en) | Semiconductor device | |
| CZ5183U1 (cs) | Výkonová polovodičová součástka | |
| GB1588477A (en) | Prefabricated composite metallic heat-transmitting plate unit | |
| US3546025A (en) | Thermoelectric generator apparatus | |
| CS223183B1 (cs) | Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru | |
| US3897624A (en) | Method for bonding ceramics with metal | |
| US3485679A (en) | Thermoelectric device with embossed graphite member | |
| US3562605A (en) | Void-free pressure electrical contact for semiconductor devices and method of making the same | |
| US3822152A (en) | Graduated sige alloy thermocouple | |
| JP3313649B2 (ja) | 半導体素子の製造方法、及びその製造方法により製造された半導体素子を組込んだ電力変換装置 | |
| US3950778A (en) | Semiconductor device and case member | |
| JPS5685842A (en) | Semiconductor device having heat dissipating fin | |
| US3415943A (en) | Stud type base design for high power semiconductors | |
| JP3313640B2 (ja) | 半導体素子及び電力変換装置 | |
| JPS57114242A (en) | Semiconductor device | |
| US20020012609A1 (en) | Solder composition for high temperature semiconductor device |