CS223183B1 - Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru - Google Patents
Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru Download PDFInfo
- Publication number
- CS223183B1 CS223183B1 CS60682A CS60682A CS223183B1 CS 223183 B1 CS223183 B1 CS 223183B1 CS 60682 A CS60682 A CS 60682A CS 60682 A CS60682 A CS 60682A CS 223183 B1 CS223183 B1 CS 223183B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- silicon wafer
- power semiconductor
- silicon
- electrodes
- disc
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Předmětem vynálezu je výkonová polovodičová součástka kotoučového· tvaru, která obsahuje destičku z monokrystalického křemíku a alespoň jednu dilatační elektrodu z materiálu s koeficientem tepelné roztažnosti blízkým koeficientu tepelné roztažnosti křemíku. Elektrody jsou spojeny s křemíkovou destičkou pájkou, slitinovým spojem, přítlakem nebo přítlakem přes kovovou mezivrstvu. Poměr průměru křemíkové destičky k součtu tlouštěk dilatačních elektrod součástky je větší než 12,5.
Description
Předmětem vynálezu je výkonová polovodičová součástka kotoučového· tvaru, která obsahuje destičku z monokrystalického křemíku a alespoň jednu dilatační elektrodu z materiálu s koeficientem tepelné roztažnosti blízkým koeficientu tepelné roztažnosti křemíku. Elektrody jsou spojeny s křemíkovou destičkou pájkou, slitinovým spojem, přítlakem nebo přítlakem přes kovovou mezivrstvu. Poměr průměru křemíkové destičky k součtu tlouštěk dilatačních elektrod součástky je větší než 12,5.
Vynález se týká výkonové polovodičové součástky kotoučového tvaru obsahující polovodičovou destičku z křemíkového materiálu s alespoň jedním přechodem PN a alespoň jednu dilatační elektrodu z wolframu, molybdenu nebo jiného materiálu β koeficientem tepelné rozvážnosti blízkým koeficientu tepelné roztažnosti křemíku.
U výkonových polovodičových součástek stávajícího provedení o průměru křemíkové destičky větším než cca 6 mm se užívá obvykle dvou dilatačních elektrod po jedné z každé strany křemíkové destičky, zhotovených z wolframu, molybdenu nebo jiného materiálu s koeficientem tepelné roztažnosti blízkým koeficientu tepelné roztažnosti křemíku. Dilatační elektrody jsou ke křemíkové destičce připojeny pájkou, slitinovým spojem, nebo přitlačeny přes kovovou mezivrstvu. Dilatační elektrody zajišťují mechanickou odolnost a dlouhodobou životnost součástky v provozu, kde je výkonová polovodičová součástka při svém pracovním zatížení vystavována změnám teploty. Nevýhodou stávajících provedení jsou relativne vysoké výrobní náklady způsobené vysokou cenou dilatačních elektrod.
Vynález řeší nevýhody stávajícího provedení vhodnou volbou geometrických rozměrů křemíkové destičky a dilatačních elektrod v podstatě takovou, že poměr průměru křemíkové destičky k součtu tlouštěk všech řečených dilatačních elektrod součástky je větší než 12,5.
Příkladem konkrétního provedení součástky podle vynálezu může být napříkLad výkonový tyristor, nebo výkonová dioda kotoučového tvaru o průměru křemíkové destičky 40 mm obsahující pouze jednu dilatační elektrodu z wolframu nebo molybdenu o tloušťce 3 mm, připojenou k. jedné straně křemíkové destičky slitinovým spojem.
Vynález přinese úspory wolframu, molybdenu nebo jiného materiálu s koeficientem roztažnosti blízkým roztažnosti křemíku a nalezne uplatnění u všech výkonových polovodičových součástek o průměru křemíkové destičky větším než cca 10 mm.
Claims (1)
- předmEtVýkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru obsahující destičku z monokrystalického křemíku a alespoň jednu dilatační elektrodu z materiálu s koeficientem tepelné roztažnosti blízkým koeficientu tepelné roztažnosti křemíku, například molybden nebo wolfram, přičemž tato elektroVYNÁLEZU da nebo elektrody jsou spojeny s křemíkovou destičkou pájkou, slitinovým spojem, přítlakem, nebo přítlakem přes kovovou mezivrstvu, vyznačená tím, že poměr křemíkové destičky k součtu tlouštěk všech dilatačních elektrod součástky je větší než 12,5.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS60682A CS223183B1 (cs) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS60682A CS223183B1 (cs) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS223183B1 true CS223183B1 (cs) | 1983-09-15 |
Family
ID=5338453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS60682A CS223183B1 (cs) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS223183B1 (cs) |
-
1982
- 1982-01-28 CS CS60682A patent/CS223183B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3128419A (en) | Semiconductor device with a thermal stress equalizing plate | |
| US2922092A (en) | Base contact members for semiconductor devices | |
| GB820621A (en) | Improvements in or relating to semi-conductive devices | |
| US2586609A (en) | Point-contact electrical device | |
| US3859143A (en) | Stable bonded barrier layer-telluride thermoelectric device | |
| GB967263A (en) | A process for use in the production of a semi-conductor device | |
| US3602777A (en) | Silicon carbide semiconductor device with heavily doped silicon carbide ohmic contacts | |
| GB906524A (en) | Semiconductor switching devices | |
| US5008735A (en) | Packaged diode for high temperature operation | |
| GB1132748A (en) | A semiconductor component including one or more pressure-contact junctions | |
| US3293509A (en) | Semiconductor devices with terminal contacts and method of their production | |
| US4500904A (en) | Semiconductor device | |
| US3160798A (en) | Semiconductor devices including means for securing the elements | |
| US3480842A (en) | Semiconductor structure disc having pn junction with improved heat and electrical conductivity at outer layer | |
| US3600144A (en) | Low melting point brazing alloy | |
| US3588632A (en) | Structurally reinforced semiconductor device | |
| CS223183B1 (cs) | Výkonová polovodičová součástka kotoučového tvaru | |
| US4498096A (en) | Button rectifier package for non-planar die | |
| GB1258309A (cs) | ||
| US3306784A (en) | Epitaxially bonded thermoelectric device and method of forming same | |
| US4482913A (en) | Semiconductor device soldered to a graphite substrate | |
| US3068383A (en) | Electric semiconductor device | |
| US3485679A (en) | Thermoelectric device with embossed graphite member | |
| CZ5183U1 (cs) | Výkonová polovodičová součástka | |
| US4862248A (en) | Contacting system for bipolar electronic circuit elements, more particularly semiconductor circuit elements |