CZ305614B6 - Způsob úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru a monokrystalický scintilátor s povrchem upraveným podle tohoto způsobu - Google Patents
Způsob úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru a monokrystalický scintilátor s povrchem upraveným podle tohoto způsobu Download PDFInfo
- Publication number
- CZ305614B6 CZ305614B6 CZ2014-763A CZ2014763A CZ305614B6 CZ 305614 B6 CZ305614 B6 CZ 305614B6 CZ 2014763 A CZ2014763 A CZ 2014763A CZ 305614 B6 CZ305614 B6 CZ 305614B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- scintillator
- monocrystalline
- etching
- monocrystalline scintillator
- acid
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000002715 modification method Methods 0.000 title abstract 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 14
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- -1 cerium-activated yttrium-aluminum Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Způsob úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru z materiálu hlinitoytritého perovskitu aktivovaného cerem a monokrystalický scintilátor upravený tímto způsobem se týká úprav povrchu scintilátorů pomocí leptání v kyselinách za řízených podmínek. Způsob zahrnuje po finálním mechanickém opracování leptání v kyselině fluorovodíkové za řízené teploty po předem definovanou dobu, následné opláchnutí ulpívající kyseliny ze scintilátoru a osušení. Nakonec je provedeno čištění povrchu ve vakuu argonovými ionty.
Description
Způsob úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru a monokrystalický scintilátor s povrchem upraveným podle tohoto způsobu
Oblast techniky
Vynález se týká úpravy scintilačního materiálu na bázi hlinitoytritého perovskitu aktivovaného cerem pro zvýšení jeho detekční citlivosti a scintilační účinnosti.
Dosavadní stav techniky
Při opracovávání krystalického materiálu dochází vlivem působení nástrojů k uvolňování tepla od přítomného tření. Uvolněné teplo mění krystalickou strukturu na povrchu obrobku, která má nepříznivý vliv na fyzikální a chemické parametry materiálu. Miniaturní vady vytvořené při opracování ovlivňují fyzikální parametry, jako je například citlivost na dopadající záření. Rovněž v narušené vrstvě se může hromadit molekulární a atomární znečištění.
Je známo z vynálezu CZ 263 772 B1 upravování povrchu perovskitu a granátu, které se provádí za pomoci kyseliny chlorovodíkové, dusičné a fosforečné. Materiál je již ve formě polotovaru chemicky upravován kyselinou, následně je provedeno finální mechanické opracování, načež se znova provádí povrchová úprava kyselinou. Nevýhody řešení spočívají v tom, že úprava povrchu kyselinou je dvojfázová, časově, technologicky a materiálově náročná.
Úkolem vynálezu je vytvořit způsob úpravy monokrystalického scintilátoru na bázi hlinitoytritého perovskitu aktivovaného cerem, který by se aplikoval na finální výrobek, který by trval relativně kratší dobu, který by podstatně vylepšoval vlastnosti výrobku, a který využíval pouze jeden druh kyseliny.
Podstata vynálezu
Vytčený úkol je vyřešen vytvořením způsobu úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru z materiálu hlinitoytritého perovskitu aktivovaného cerem podle tohoto vynálezu.
Vynález zahrnuje způsob úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru z materiálu hlinitoytritého perovskitu aktivovaného cerem. Součástí takového způsobu je mechanická úprava povrchu scintilátoru a alespoň jedno leptání v kyselině za řízené teploty po předem stanovenou dobu.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že leptání se provádí po finálním mechanickém opracování scintilátoru v lázni kyseliny fluorovodíkové o koncentraci v rozmezí od 80 do 99 %, při teplotách v rozmezí od 20 do 80 °C, po dobu od 1 do 20 h pro alespoň částečné odstranění Beilbyho vrstvy, načež se scintilátor opláchnut do ulpívajících zbytků kyseliny a poté je osušen.
Scintilátor se opracuje do požadované velikosti, tvaru a lesku povrchu. V průběhu těchto opracování dochází k poškození a změnám na povrchu scintilátoru, tzv. vznik Beilbyho vrstvy. Dostatečně koncentrovaná kyselina fluorovodíková za správně navozených podmínek rozleptává povrchové vrstvy monokrystalu a obnažuje nepoškozenou strukturu scintilátoru. Odstranění Beilbyho vrstvy zvyšuje citlivost scintilátoru na dopadající záření s energií nižší než 5 ke V. Rovněž provedená úprava povrchu pozitivně ovlivňuje světelnou účinnost zdrojů scintilace nacházejících se v monokrystalu.
V jiném výhodném provedení způsobu úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru z materiálu hlinitoytritého perovskitu aktivovaného cerem podle tohoto vynálezu je teplota kyseliny v láz
-1 CZ 305614 B6 ni od 20 do 50 °C a doba leptání je v rozmezí od 10 do 20 h. Pomalé leptání po dostatečně dlouhou dobu zvyšuje citlivost scintilátoru na dopadající záření o energii do 5 keV.
V dalším jiném výhodném provedení způsobu úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru z materiálu hlinitoytritého perovskitu aktivovaného cerem podle tohoto vynálezu je teplota kyseliny v lázni v rozmezí od 50 do 80 °C a doba leptání je od 1 do 10 h. Vysoká teplota kyseliny v lázni urychluje proces odbourávání Beilbyho vrstvy, takže je opracování citlivého a účinnějšího scintilátoru urychleno. To je vhodné zejména pro masovou produkci.
V jiném dalším výhodném provedení způsobu úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru z materiálu hlinitoytritého perovskitu aktivovaného cerem podle tohoto vynálezu je po vyjmutí z lázně scintilátor opláchnut deionizovanou vodou. Následně je scintilátor usušen proudem vzduchu. Poslední úpravou odstraňující zbytky nečistot je čištění argonovými ionty ve vakuu.
Vynález rovněž zahrnuje monokrystalický scintilátor, jehož povrch byl upraven podle výše uvedeného způsobu.
Podstata vynálezu u monokrystalického scintilátoru spočívá v tom, že je jeho povrch pravidelně členitý dle růstových proužků monokrystalu. Tím, že povrch scintilátoru je pravidelně členitý a je tvořen očištěným materiálem, je zvýšena jeho citlivost na dopadající záření i o nízkých energetických úrovních. Jak monokrystal při svém růstu začleňuje více a více atomů do své struktury vznikají růstové kroužky, které jsou v pravidelných rozestupech a téměř identické.
V jiném dalším výhodném provedení monokrystalického scintilátoru podle tohoto vynálezu má pravidelné členění vlnitý tvar s periodou v rozmezí od 10 do 20 pm o výšce od nejvyššího k nejnižšímu bodu vln v rozmezí od 1 do 5 pm. Vlnitý tvar zvyšuje úhel pro výstup světla od zdroje scintilace, čímž se zvyšuje celkový světelný výtěžek ze scintilátoru. Díky pravidelnosti tvaru a vzoruje výtěžek světla mnohonásobně lepší než u broušených povrchů.
Mezi výhody vynálezu řadíme, relativně rychlou úpravu povrchu scintilátorů, použití jednoho druhu kyseliny na koncový produkt, kompletní odstranění Beilbyho vrstvy, zvýšení citlivosti na dopadající záření a zvýšení výtěžku světla generovaného scintilátorem.
Příklady uskutečnění vynálezu
Rozumí se, že jednotlivá uskutečnění vynálezu jsou představována pro ilustraci, nikoli jako omezení vynálezu na výčet zde uvedených příkladů provedení. Odborníci znalí stavu techniky najdou nebo budou schopni zjistit za použití rutinního experimentování mnoho ekvivalentů ke specifickým uskutečněním vynálezu, která jsou zde speciálně popsána. I tyto ekvivalenty budou zahrnuty v rozsahu následujících patentových nároků.
Detail struktury povrchu je pravidelně vlnitý podle růstových kroužků monokrystalu, které vystoupily z povrchu v průběhu leptání Beilbyho vrstvy. Perioda mezi vlnami je 20 gm a výška mezi nejspodnějším a nej vyšším bodem vlny je 5 gm.
Příklad 1:
Z monokrystalu YAP (YA1O3) s obsahem 0,1 % ceru (Ce) byl vyroben scintilátor ve tvaru disku o průměru 10 mm a tloušťce 0,5 mm. Výsledný polotovar byl leptán v kyselině fluorovodíkové o koncentraci 95 % při teplotě 20 °C po dobu 20 h. Po leptání byl scintilátor oplachován v deionizované vodě a osušen proudem vzduchu při pokojové teplotě. Poté následovalo vakuové čištění ionty argonu po dobu 20 min. Tento scintilátor byl následně použit pro detekci elektronů s energií 0,5 keV, kde vykazoval měřitelnou scintilaci.
-2CZ 305614 B6
Na rozdíl od jednostranně broušeného scintilátoru, který byl čištěn standardním postupem, tj. vyvářením ve směsi HC1 (hmotn. koncentrace 35 %) a HNO3 (hmotn. koncentrace 65 %) po dobu 15 min, a který při takto nízké energii elektronů nevykazoval měřitelnou scintilaci.
Příklad 2:
Z monokrystalu YAP (YA1O3) s obsahem 0,1 % cent (Ce) byl vyroben scintilátor ve tvaru disku o průměru 10 mm a tloušťce 0,5 mm. Výsledný polotovar byl leptán v kyselině fluorovodíkové o koncentraci 95 % při teplotě 60 °C po dobu 1 h. Po leptání byl scintilátor oplachován v deionizované vodě a osušen proudem vzduchu při pokojové teplotě. Poté následovalo vakuové čištění ionty argonu po dobu 20 min. Tento scintilátor byl následně použit pro detekci elektronů s energií 3 ke V.
Ve srovnání sjednostranně broušeným scintilátorem, který byl čištěn standardním postupem, tj. vyvářením ve směsi HC1 (hmotn. koncentrace 35 %) a HNO3 (hmotn. koncentrace 65 %) po dobu 15min, vykazoval scintilátor nově leptaný v HF 2,5x vyšší scintilační účinnost.
Příklad 3:
Z monokrystalu YAP (YA1O3) s obsahem 0,1 % ceru (Ce) byl vyroben scintilátor ve tvaru disku o průměru 10 mm a tloušťce 0,5 mm. Výsledný polotovar byl leptán v kyselině fluorovodíkové o koncentraci 95 % při teplotě 20 °C po dobu 1 h. Po leptání byl scintilátor oplachován v deionizované vodě a osušen proudem vzduchu při pokojové teplotě. Poté následovalo vakuové čištění ionty argonu po dobu 20 min. Tento scintilátor byl následně použit pro detekci elektronů s energií lOkeV.
Ve srovnání se scintilátorem sjednostranně broušeným povrchem, který byl čištěn standardním postupem, tj. vyvářením ve směsi HCI (hmotn. koncentrace 35 %) a HNO3 (hmotn. koncentrace 65 %) po dobu 15 min, vykazoval scintilátor leptaný v HF l,3x vyšší scintilační účinnost.
V následující tabulce jsou uvedeny hodnoty světelného výstupu jednotlivých scintilátoru s upravenými vrstvami odlišnými způsoby:
| Povrchová úprava scintilátoru | Světelný výstup |
| Všechny strany leštěné | 8% |
| 1 strana broušená, ostatní leštěné | 15% |
| Leptaný vzorek | 24% |
Průmyslová využitelnost
Způsob úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru z materiálu hlinitoytritého perovskitu aktivovaného cerem a monokrystalický scintilátor upravený tímto způsobem naleznou uplatnění v aplikacích zabývajících se detekcí záření s nižší energií, nebo o nižší intenzitě, kde je potřeba scintilátoru s vyšší účinností a citlivostí.
Claims (6)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Způsob úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru z materiálu hlinitoytritého perovskitu aktivovaného cerem, zahrnující mechanické opracování a alespoň jedno leptání v kyselině za řízené teploty po předem stanovenou dobu, vyznačující se tím, že leptání se provádí po finálním mechanickém opracování scintilátoru v lázni kyseliny fluorovodíkové o koncentraci v rozmezí od 80 do 99 %, při teplotách v rozmezí od 20 do 80 °C, po dobu od 1 do 20 h pro alespoň částečné odstranění Beilbyho vrstvy, načež je scintilátor opláchnut od ulpívajících zbytků kyseliny fluorovodíkové a poté je scintilátor osušen.
- 2. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že teplota kyseliny v lázni je v rozmezí od 20 do 50 °C a doba leptání je od 10 do 20 h.
- 3. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že teplota kyseliny v lázni je v rozmezí od 50 do 80 °C a doba leptání je od 1 do 10 h.
- 4. Způsob podle některého z nároků 1 až 3, vyznačující se tím, že po osušení je monokrystalický scintilátor uložen do vakua, kde je povrch scintilátoru očištěn argonovými ionty·
- 5. Monokrystalický scintilátor s povrchem upraveným způsobem podle některého z nároků 1 až 4, vyznačující se tím, že jeho povrch je pravidelně členitý dle růstových proužků monokrystalu.
- 6. Monokrystalický scintilátor podle nároku 5, vyznačující se tím, že pravidelná členitost má vlnitý tvar s periodou v rozmezí od 10 do 20 pm o výšce vln od nej vyššího k nejnižšímu bodu v rozmezí od 1 do 5 pm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ2014-763A CZ305614B6 (cs) | 2014-11-07 | 2014-11-07 | Způsob úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru a monokrystalický scintilátor s povrchem upraveným podle tohoto způsobu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ2014-763A CZ305614B6 (cs) | 2014-11-07 | 2014-11-07 | Způsob úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru a monokrystalický scintilátor s povrchem upraveným podle tohoto způsobu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ2014763A3 CZ2014763A3 (cs) | 2016-01-06 |
| CZ305614B6 true CZ305614B6 (cs) | 2016-01-06 |
Family
ID=55080292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ2014-763A CZ305614B6 (cs) | 2014-11-07 | 2014-11-07 | Způsob úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru a monokrystalický scintilátor s povrchem upraveným podle tohoto způsobu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ305614B6 (cs) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CS230512B1 (cs) * | 1982-05-14 | 1984-08-13 | Zbynek Blecha | Způsob leštění povrchů safírových substrátů |
| CS253693B1 (cs) * | 1986-04-29 | 1987-12-17 | Juraj Sulovsky | Způsob leptání pevné látky, obsahující hlinité ionty |
| CS263772B1 (cs) * | 1987-04-22 | 1989-04-14 | Blazek Karel | Způsob úpravy povrchů monokrystalu hlinitoytriMho porovskitu a hlinitoytriMho granitu pro detekci nlzkoonorgotickáho bota zářeni |
| JPH03139593A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-13 | Tokin Corp | 酸化物単結晶電子線センサの製造方法 |
| JPH0977600A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-25 | Japan Energy Corp | ペロブスカイト型構造単結晶用処理液及びペロブスカイト型構造単結晶の処理方法 |
| US6156968A (en) * | 1997-04-23 | 2000-12-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solar cell, a method of producing the same and a semiconductor producing apparatus |
| CZ292090B6 (cs) * | 2002-03-14 | 2003-07-16 | Crytur, Spol. S R.O. | Způsob výroby kompaktních složených monokrystalů |
-
2014
- 2014-11-07 CZ CZ2014-763A patent/CZ305614B6/cs unknown
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CS230512B1 (cs) * | 1982-05-14 | 1984-08-13 | Zbynek Blecha | Způsob leštění povrchů safírových substrátů |
| CS253693B1 (cs) * | 1986-04-29 | 1987-12-17 | Juraj Sulovsky | Způsob leptání pevné látky, obsahující hlinité ionty |
| CS263772B1 (cs) * | 1987-04-22 | 1989-04-14 | Blazek Karel | Způsob úpravy povrchů monokrystalu hlinitoytriMho porovskitu a hlinitoytriMho granitu pro detekci nlzkoonorgotickáho bota zářeni |
| JPH03139593A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-13 | Tokin Corp | 酸化物単結晶電子線センサの製造方法 |
| JPH0977600A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-25 | Japan Energy Corp | ペロブスカイト型構造単結晶用処理液及びペロブスカイト型構造単結晶の処理方法 |
| US6156968A (en) * | 1997-04-23 | 2000-12-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solar cell, a method of producing the same and a semiconductor producing apparatus |
| CZ292090B6 (cs) * | 2002-03-14 | 2003-07-16 | Crytur, Spol. S R.O. | Způsob výroby kompaktních složených monokrystalů |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CZ2014763A3 (cs) | 2016-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105481259B (zh) | 提升熔石英光学元件损伤阈值的后处理方法 | |
| US6869898B2 (en) | Quartz glass jig for processing apparatus using plasma | |
| CN103449731A (zh) | 一种提升熔石英光学元件损伤阈值的方法 | |
| CN105195487B (zh) | 一种石英玻璃清洗方法 | |
| SG142270A1 (en) | Integrated method for removal of halogen residues from etched substrates by thermal process | |
| TWI651282B (zh) | 單面鏡面的合成石英玻璃基板之加工方法及合成石英玻璃基板的感應方法 | |
| CN102166790A (zh) | 一种去除蓝宝石基片表面粗糙以及伤痕的加工方法 | |
| RU2017110800A (ru) | Стеклянные изделия и способы повышения надежности стеклянных изделий | |
| CZ305614B6 (cs) | Způsob úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru a monokrystalický scintilátor s povrchem upraveným podle tohoto způsobu | |
| KR102192920B1 (ko) | 유리 힐링용 조성물 | |
| US9698289B2 (en) | Detachment of a self-supporting layer of silicon <100> | |
| CN103684311A (zh) | 石英晶体谐振器的制造方法 | |
| CN103684307A (zh) | 一种石英晶体谐振器的制造方法 | |
| CN117080122A (zh) | 一种异质键合结构制备方法、异质键合结构及半导体器件 | |
| JP6200273B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
| RU2395135C1 (ru) | Способ очистки поверхности сапфировых подложек | |
| KR20140130990A (ko) | 석영 재생 방법 | |
| RU2530469C1 (ru) | Способ ультразвуковой очистки материалов при производстве искусственных кристаллов | |
| CN106140660B (zh) | 陶瓷件上聚合物的清洗方法及装置 | |
| RU2376676C1 (ru) | Способ обработки кристаллов кремния | |
| RU2534388C2 (ru) | Способ очистки карбид-кремниевой трубы | |
| CN112635295A (zh) | 半导体的清洗方法 | |
| RU2377690C1 (ru) | Раствор для обработки карбид-кремниевой трубы | |
| JP2015104778A5 (ja) | 研磨用キャリアの製造方法、磁気ディスク用基板の製造方法、および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
| RU2013126847A (ru) | Способ изготовления структуры кремний-на-сапфире |