CS230512B1 - Způsob leštění povrchů safírových substrátů - Google Patents
Způsob leštění povrchů safírových substrátů Download PDFInfo
- Publication number
- CS230512B1 CS230512B1 CS350282A CS350282A CS230512B1 CS 230512 B1 CS230512 B1 CS 230512B1 CS 350282 A CS350282 A CS 350282A CS 350282 A CS350282 A CS 350282A CS 230512 B1 CS230512 B1 CS 230512B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- polished
- polishing
- sapphire
- sapphire substrate
- polishing process
- Prior art date
Links
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims description 12
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid group Chemical class S(O)(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 claims description 3
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004753 textile Substances 0.000 claims description 3
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
(54) Způsob leštění povrchů safírových substrátů
Vynález se týká způsobu leštění povrchů safírových substrátů s monokrystalickým charakterem povrchu, vhodných zejména pro epitaxiální růst křemíkových vrstev.
Příprava rovinných leštěných destiěek nebo jiných typů elementů z monokrystalů safíru spočívá v různých postupech broušení a leštění. Všechny operace broušení používají volné nebo vázané brusivo k získání povrchů s předepsanou drsností. Leštěná plocha se získává pomocí leštících prostředků, hlavně diamantu. Leštěný povrch, získaný tímto postupem není monokrystalický, ale vykazuje na svém rentgenogramu difuzní pásy, svědčící o porušené, amorfní povrchové vrstvě. Tato vrstva je tvořena zbytky leštiv, chladicích médií, odleštěného vlastního materiálu i leštící podložky. Takový povrch nevyhovuje při mnoha aplikacích safírových krystalů, zvláště pro epitaxní růst křemíkových vrstev a podobně.
Uvedené nedostatky odstraňuje a umožňuje získat monokrystalický povrch naprosto vhodný pro růst epitaxních vrstev způsob leštění povrchů safírových substrátů chemickomechanickým leštěním podle vynéilezu, jehož podstata spočívá v tom, že jemně vybroušené safírové destičky se nejprve lepteijí směsí koncentrované kyseliny fosforečné a sírové v poměru 1:3 až 3:1 při teplotě 280 °C a poté se lešti suspenzí, tvořenou koloidným gelem kysličníku křemičitého ve vodě, jejíž pH je upraven na hodnotu 10 až 12,5 anorganickou nebo organickou zásadou, jako je například hydroxid amonný nebo etyléndiamin, na iešticí podložce z textilního materiálu z přírodních nebo syntetických vláken.
Příklad 1
Safírová destička jemně broušená, byla podrobena leptáni ve směsi koncentrovaných kyselin fosforečné a sírové v poměru 1:3 při teplotě 280 °C a po opláchnutí leštěna leštící suspenzí tvořenou koloidním gelem kysličníku křemičitého ve vodě; pH suspenze bylo upraveno na hodnotu 11 přídavkem hydroxidu amonného. Leštění proběhlo na běžném optickém stroji s recirkulací leětiva a jako leštící podložky bylo použito textilní podložky ze syntetických vláken. Během tři hodin byla destička vyleštěna, povrch byl monokrystalický a nevykazoval škráby ani bodové defekty.
Příklad 2
Soubor safírových destiček, jemně vybroušených, byl leptán podobně jako v přikladu 1 a poté leštěn suspenzí z jemného kysličníku křemičitého v destilované vodě, kde pH suspenze bylo upraveno etyléndiaminem na hodnotu 12,5. Leštěno bylo obdobně jako v příkladu 1 a výsledek byl obdobný.
Příklad 3
Soubor safírových destiček, jemně vybroušených, byl leptán podobně jako v předchozích příkladech, s tím rozdílem, že poměr kyseliny fosforečné a sírové byl 1:1. Dále pak bylo leštěno jako v příkladu 2 se stejným výsledkem.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob leštění povrchů safírových substrátů, vyznačený tím, že jemně vybroušené safírové destičky se nejprve leptají směsi koncentrovaných kyselin fosforečné a sírové v poměru 1:3 až 3:1 při teplotě 260 °C a poté se leští suspenzí tvořenou koloidním gelem kysličníku křemičitého ve vodě, jejíž pH je zpraveno na hodnotu 10 až 12,5 anorganickou nebo organickou zásadou, jako je například hydroxid amonný nebo etyléndiamin, na lešticí podložce z textilního materiálu z přírodních nebo syntetických vláken.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS350282A CS230512B1 (cs) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | Způsob leštění povrchů safírových substrátů |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS350282A CS230512B1 (cs) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | Způsob leštění povrchů safírových substrátů |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS230512B1 true CS230512B1 (cs) | 1984-08-13 |
Family
ID=5375302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS350282A CS230512B1 (cs) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | Způsob leštění povrchů safírových substrátů |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS230512B1 (cs) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CZ305614B6 (cs) * | 2014-11-07 | 2016-01-06 | Crytur, Spol.S R.O. | Způsob úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru a monokrystalický scintilátor s povrchem upraveným podle tohoto způsobu |
-
1982
- 1982-05-14 CS CS350282A patent/CS230512B1/cs unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CZ305614B6 (cs) * | 2014-11-07 | 2016-01-06 | Crytur, Spol.S R.O. | Způsob úpravy povrchu monokrystalického scintilátoru a monokrystalický scintilátor s povrchem upraveným podle tohoto způsobu |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0690772B1 (en) | Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces | |
| CN100465356C (zh) | 高表面质量的GaN晶片及其生产方法 | |
| KR101715024B1 (ko) | 사파이어 기판 | |
| US5571373A (en) | Method of rough polishing semiconductor wafers to reduce surface roughness | |
| US4994139A (en) | Method of manufacturing a light-conducting device | |
| JP6273281B2 (ja) | サファイア表面を研磨する方法 | |
| US20140335308A1 (en) | Sapphire substrate | |
| CA2672146C (en) | Methods for machining inorganic, non-metallic workpieces | |
| CN1833816A (zh) | 蓝宝石晶片纳米级超光滑加工工艺 | |
| US4117093A (en) | Method of making an amorphous silicon dioxide free of metal ions | |
| TW200411754A (en) | A method of polishing a wafer of material | |
| GB2329601A (en) | Methods and apparatus for the chemical mechanical planarization of electronic devices | |
| KR101097178B1 (ko) | 나노 다이아몬드를 포함하는 표면 연마제 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 연마제, 그리고 이 연마제를 이용한 연마 방법 | |
| CS230512B1 (cs) | Způsob leštění povrchů safírových substrátů | |
| CN102233541A (zh) | 大功率led用蓝宝石基片超精密加工技术 | |
| JPH05154760A (ja) | シリコンウエーハの研磨用組成物及び研磨方法 | |
| EP0103085B1 (en) | A method for polishing semiconductor wafers with montmorillonite slurry | |
| JPS61103778A (ja) | 研磨砥石 | |
| US7367865B2 (en) | Methods for making wafers with low-defect surfaces, wafers obtained thereby and electronic components made from the wafers | |
| JP2003117806A (ja) | 多結晶セラミックスの鏡面研磨方法 | |
| JPS6442823A (en) | Flattening of semiconductor device surface | |
| JP2007109777A (ja) | ＧａＮ化合物半導体基板のメカノケミカル研磨方法及び研磨装置 | |
| CN106808322A (zh) | 机械加工工件的方法 | |
| CN109986413A (zh) | 机械加工工件的方法 | |
| JPS5640246A (en) | Surface treatment of silicon wafer |