CZ304998B6 - Anorganické scintilátory a luminofory na bázi ALnS2 (A = Na, K, Rb; Ln = La, Gd, Lu, Y) dopované Eu2+ s výjimkou KLuS2 a NaLaS2 - Google Patents

Anorganické scintilátory a luminofory na bázi ALnS2 (A = Na, K, Rb; Ln = La, Gd, Lu, Y) dopované Eu2+ s výjimkou KLuS2 a NaLaS2 Download PDF

Info

Publication number
CZ304998B6
CZ304998B6 CZ2013-393A CZ2013393A CZ304998B6 CZ 304998 B6 CZ304998 B6 CZ 304998B6 CZ 2013393 A CZ2013393 A CZ 2013393A CZ 304998 B6 CZ304998 B6 CZ 304998B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
doped
europium
sulfide
inorganic scintillator
inorganic
Prior art date
Application number
CZ2013-393A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ2013393A3 (cs
Inventor
Lubomír Havlák
Vítězslav Jarý
Martin Nikl
Jan Bárta
Original Assignee
Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i.
České Vysoké Učení Technické V Praze, Fakulta Jaderná A Fyzikálně Inženýrská
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i., České Vysoké Učení Technické V Praze, Fakulta Jaderná A Fyzikálně Inženýrská filed Critical Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i.
Priority to CZ2013-393A priority Critical patent/CZ304998B6/cs
Publication of CZ2013393A3 publication Critical patent/CZ2013393A3/cs
Publication of CZ304998B6 publication Critical patent/CZ304998B6/cs

Links

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

Jsou popsány sloučeniny NaGdS.sub.2.n., NaLuS.sub.2.n., NaYS.sub.2.n., KLaS.sub.2.n., KGdS.sub.2.n., KYS.sub.2.n., RbLaS.sub.2.n., RbGdS.sub.2.n., RbLuS.sub.2 .n.a RbYS.sub.2.n. dopované Eu.sup.2+.n., kde koncentrační rozmezí EU je 0,0001 až 3 % mol. Tyto sloučeniny při ozařování rentgenovým zářením emitují v oblasti vlnových délek 498 až 779 nm. Lze je použít pro detekci ionizujícího záření polovodičovými detektory. Tyto sloučeniny díky přítomnosti intenzivních excitačních pásů v blízké UV až modré oblasti spektra a emisi v širokém rozsahu vlnových délek 498 až 779 nm lze využít pro konstrukci LED zdrojů světla s použitím budicího zdroje 350 až 460 nm.

Description

Oblast techniky
Předmět vynálezu se týká anorganických scintilátorů a luminoforů do LED zdrojů na bázi sulfidů obecného vzorce ALnS2 (A = Na, K, Rb; Ln = La, Gd, Lu, Y) dopovaných Eu2+ s výjimkou KLuS2 a NaLaS2.
Dosavadní stav techniky
Scintilátory jsou látky organické či anorganické povahy používané k detekci a spektrometrii (měření energie) různých forem ionizujícího záření, jako je např. rentgenové nebo gama záření, beta záření nebo urychlené elektrony apod. Absorpce ionizujícího záření v libovolném prostředí produkuje excitované a ionizované stavy atomů, molekul nebo iontů. Ty sloučeniny nebo krystaly, které energii uloženou v těchto stavech rychle, účinně a reprodukovatelně převedou na viditelné světlo, případně ultrafialové záření, se nazývají scintilátory. Připojený detekční systém určí množství těchto emitovaných fotonů nejčastěji pomocí fotonásobiče, obsahujícího tzv., fotokatodu, obsahující látku, z níž se po dopadu světla uvolní elektron. Systém elektrod, tzv. dynod, pak řádově znásobí počet elektronů a na výstupu zaznamenáme proudový impulz. Účinnost uvolnění elektronu z fotokatody závisí na materiálu fotokatody a na vlnové délce fotonů, emitovaných scintilátorem. Nejběžnější jsou směsi alkalických kovů nebo různé polovodivé materiály, jejichž maximum účinnosti leží v oblasti 200 až 600 nm (Blasse a Grabmaier: Luminescent Materials (1994), Springer-Verlag, Berlin).
Jako anorganické scintilátory, které mají většinou vysoká efektivní atomová čísla a tudíž silnou brzdnou schopnost pro ionizující záření, se velice často používají halogenidy jako např. silně hygroskopický jodid sodný dopovaný thaliem NaI:Tl či jodid česný CsI:Tl nebo oxidy, často dopované ionty lanthanoidů (tzv. prvků vzácných zemin), které slouží jako emisní centra scintilátoru. Pro kvantitativní porovnání scintilační účinnosti nových materiálů při vývoji a výzkumu scintilátorů se často používá paralelní měření scintilačního standardu Bi4Ge30i2 (BGO) za identických podmínek a následné porovnání ploch pod emisními spektry, případně intenzit maxima. Mezi výhody scintilačního standardu BGO patří jeho široké použití, dobře definovaný a stálý světelný výtěžek, nízká hodnota afterglow, dlouhodobá mechanická a chemická stabilita v práškové formě a malé fluktuace scintilačních charakteristik (materiálová kvalita) v případě různého původu (od různých výrobců).
Ve srovnání s oxidy mají sulfídické materiály menší šířku zakázaného pásu mezi valenčním avodivostním pásem, tudíž mohou teoreticky vykazovat vyšší scintilační účinnost než oxidy (Robbins: J. Electrochem. Soc. 127 (1980) 2694 až 2702). Mezi používané binární sulfidy s dotací Eu2+ patří především CaS a SrS (Nazarov a kol.: J. Solid. State Chem. 179 (2006) 2529 až 2533), které jsou připravovány reakcemi v pevné fázi ve formě polykrystalických prášků. Při excitaci modrou diodou (420 až 480 nm) SrS:Eu emituje u 600 nm a CaS:Eu u 650 mm. Z temárních systémů s dotací Eu2+ byl popsán SrGa2S4 (Chartier a kol. J. of Lumin. 111 (2005) 147 až 158), který byl stejně jako CaS:Eu a SrS:Eu připraven ve formě polykrystalického prášku. SrGa2S4:Eu při buzení fialovým světlem (420nm) emituje u 535 nm. Všechny tyto materiály jsou hygroskopické.
Často studované sulfidy typu AB2S4, kde A11 = (Ca / Sr / Ba) a B111 = (Al / Ga) nejsou příliš ideální matricí pro ionty vzácných zemin, neboť strukturní pozice B je příliš malá pro lanthanoidy. Z tohoto důvodu jsme se zaměřili na sulfidy, které již v samotné matrici obsahují atomy lanthanoidů (pokud možno opticky neaktivních, jako např. La, Lu) a tudíž obsahují strukturní pozici vhodnou pro další vzácné zeminy.
- 1 CZ 304998 B6
V současnosti jsou na poli vývoje nových zdrojů osvětlení hledány a zkoumány různé strategie pro konstrukci tzv. „white LED“, zdroje vyváženého bílého světla na bázi diod emitujících světlo (LED), případně bílého světla s laditelnou teplotou světla, a tedy spektrálním složením (S. Ye a kol.: Mater. Sci. Eng., R: Reports 71 (2010) 1 až 34). Jedním z přístupů je pokrytí povrchu modré LED diody vrstvou vhodného luminoforu, který část procházejícího záření absorbuje a opět vyzáří ve formě delších vlnových délek, nejlépe ve žlutozelené až červené oblasti spektra. Emisní spektrum luminoforu doplněné o zbytkové modré světlo, které prošlo vrstvou luminoforu, pak ideálně vytvoří vyvážené bílé světlo. Hlavními podmínkami jsou vysoká účinnost luminiscence, barevná stabilita, vhodná pozice emitovaného záření a její tepelná odolnost až do cca 200 °C. S rostoucí teplotou, které může být v LED zdrojích snadno dosaženo, totiž nastává tepelné zhášení luminiscence, snižující intenzitu záření luminoforu nezářivými (termickými) procesy - dalším projevem zhášení je zkracování doby života luminiscence.
Temámí sulfidy typu ALnS2, kde A je alkalický kov a Ln kation vzácné zeminy, byly popsány ze strukturního hlediska v několika článcích. W. Broner a kol. popsal systémy RbLnS2 a CsLnS2 (Bronger a kol.: Journal of Alloys and Compounds, 200 (1993) 205 až 210), Sáto a kol. popsal systém NaLnS2 (Sáto a kol.: Mat. Res. Bull., Vol. 19 (1984) 1215 až 1220). V mnoha dalších publikacích je popsána struktura materiálů s různými monovalentními kationty (K, Rb, Cs, Tl, Cu, Ag), např. W. Bronger a kol. (Bronger a kol.: Rev. Chim. Min. 10, 147 (1973)), S. Kabré a kol. (Kabré a kol.: Bull. Soc. Chim. 9 až 10, 1881 (1974)), R. Ballestracci a kol. (Ballestracci a kol.: Comptes Rend. Set. C 262, 1253 (1966)), M. Julien-Pouzola a kol. (Julien-Pouzol a kol.: Ann. Chim. 8, 139(1973)).
Struktura těchto materiálů je tedy velice dobře popsána, jsou k dispozici databázové listy umožňující identifikaci struktury těchto materiálů z práškových difraktogramů. Rovněž je k většině systémů možné snadno vyhledat mřížkové parametry elementární buňky. Na druhou stranu není prakticky pro tyto systémy k dispozici popis jejich fyzikálních vlastností. Výjimkou je popis magnetických vlastností NaCeS2 v publikaci H. Lueken a kol. (Lueken a kol.: Journal of the Less-Common Metals, 65 (1979) 79 až 88).
Popis optických vlastností těchto materiálů v literatuře prvně zachycují nedávno vyšlé publikace
L. Havlák a kol. (Havlák a kol.: Acta Mater. 59, 6219 až 6227 (2011)), kde je popsán sytém RbLaS2:RE, V. Jarý a kol. (Jarý a kol.: Phys. Status Solidi 6, 95 až 97 (2012)), která přináší popis systému RbLuS2:RE, a V. Jatý a kol. (Jarý a kol.: Opt. Mater. (2013), http://dx.doi.Org/10.1016/i.optmat.2013.01.028), kde jsou už detailněji popsané teplotní a koncentrační závislosti emisních charakteristik Ce3+ a Pr3+ v matrici RbGdS2.
V případě systému RbLaS2 byly jako dopanty použity vzácné zeminy Ce, Fu, Pr, Sn a Tb o koncentraci 1 % mol. Absorpční hrana těchto sloučenin je u cca 320 nm. Přenos náboje mezi S2“ a Eu3+ byl navržen na základě absorpčních spekter s příslušejícími píky u 390 nm a 446 nm. Emise Eu3+ excitována rentgenovým zářením je v matrici RbLaS2 pro obsah 1 % molámí Eu téměř zcela zhášena, její intenzita dosahuje velmi nízké úrovně cca 1 % scintilačního standardu BGO. Dopanty Pr3+, Sm3+ a Tb3+ poskytují charakteristické 4f-4f čárové emise v uvedených intervalech vlnových délek: 480 až 750 nm (Pr3+), 540 až 750 nm (Sm3+) a 380 až 630 nm (Tb3+)· Doby dosvitu jsou pro 506 nm (Pr3+), 565 nm (Sm3+) a 547 nm (Tb3+) následující: 68 ps, 3,9 ms a 2,8 ms. Emisnímu spektru RbLaS2:Ce s excitací rentgenovým zářením dominuje široký emisní pás Ce odpovídající přechodu 5dj - 4f s maximem u vlnové délky 695 nm, intenzita emise dosahuje cca 20% intenzity emise scintilačního standardu BGO.
V případě systému RbLuS2 byly jako dopanty použity Ce, Pr, Sm a Tb. Absorpční hrana materiálu je u 310 nm. Absorpční pás Ce3+ příslušející přechodu 4f-5di má maximum u vlnové délky 490 nm. Pr3+, Sm3+ a Tb3+ vykazují charakteristické linie 4f-4f přechodů podobně jako v případě matrice RbLaS2. V emisním spektru RbLuS2:Ce dominuje pás s maximem u 578 nm odpovídající přechodu 5di-4f, který dosahuje 180 % intenzity maxima scintilačního standardu BGO. Dopová-2CZ 304998 B6 ní matrice RbLuS2 ionty europia dosud nebylo popsáno. Práce týkající se systému RbGdS2 pak popisuje detailněji koncentrační a teplotní závislosti dvou vybraných dopantů, a to Ce a Pr. Absorpční hrana RbGdS2 leží u 332 nm, absorpční pás Ce3+ při pokojové teplotě pak u 490 nm, přechod spojený s přenosem náboje S2“ - Pr3+ pak u 365 nm. Teplotní závislost dob života Ce3+ emise je popsána v rámci jednoduchého modelu a je prokázána teplotně indukována ionizace excitovaného stavu Ce3+ v RbGdS2 matrici. Dopování matrice RbGdS2 ionty europia dosud nebylo popsáno.
V září roku 2012 byla podána přihláška vynálezu PV 2012-666: Anorganický scintilátor na bázi sulfidu draselno-lutecitého dopovaného europiem, jejímž předmětem je sloučenina KLuS2:Eu2+, kde koncentrační rozmezí dopantu je 0,0001 až 3 % mol. Sloučenina KLuS2:Eu2+ byla připravena chemickou reakcí výchozích látek K2CO3, Lu2O3 a Eu2O3 pod proudem sirovodíku. Fázová čistota byla potvrzena měřením a vyhodnocením difrakčních spekter. Látka KLuS2:Eu při ozařování rentgenovým zářením vykazuje intenzivní emisi v oblasti 520 nm, a lze ji s výhodou použít pro detekci ionizujícího záření polovodičovými detektory. KLuS2:Eu2+ díky přítomnosti intenzivních excitačních pásů v blízké UV až modré oblasti spektra a vlastní emisi v širokém pásu s maximem u 520 nm lze využít při konstrukci zdrojů bílého osvětlení buzených LED diodou ve fialovomodré oblasti spektra 400 až 440 nm.
V září téhož roku byla rovněž podána přihláška vynálezu a PV 2012-667: Anorganický scintilátor na bázi sulfidu draselno-lutecitého dopovaného cerem, jehož předmětem je sloučenina KLuS2:Ce, kde koncentrační rozmezí dopantu je 0,0001 až 20 % mol. Sloučenina KLuS2:Ce byla připravena chemickou reakcí výchozích látek K2CO3, Lu2O3 a CeO2 pod proudem sirovodíku. Fázová čistota byla potvrzena měřením a vyhodnocením difrakčních spekter. Látka KLuS2:Ce při ozařování rentgenovým zářením vykazuje intenzivní emisi v oblasti 580 nm, a dá se tedy s výhodou použít pro detekci ionizujícího záření polovodičovými detektory.
Podstata vynálezu
Podstatou vynálezu je skupina anorganických scintilátorů a luminoforů do LED zdrojů na bázi temámích sulfidů dopovaných europiem obecného vzorce ALnS2, kde A značí jeden z následujících alkalických kovů: Na, K, Rb a Ln značí jeden z následujících kovů vzácných zemin: La, Gd, Lu, Y s výjimkou KLuS2 a NaLaS2, kteiý nevykazuje emisi Eu2+. Vynález se tedy týká následujících deseti sulfidů dopovaných europiem: NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2. Europium je do těchto materiálů dopováno selektivní, ekvimolámí náhradou Eu za Ln (La, Gd, Lu, Y), charakterizovanou parametrem 0 < x < 1. Úroveň dotace můžeme též charakterizovat výrazem p% Eu, kde p = 100.x, tj. 0% < p < 100%. Složení patentovaných materiálů lze tedy vyjádřit obecným vzorcem ALnixEuxS2_y s vyloučením KLu|.xEuxS2 y a NaLai_xEuxS2_y nebo následujícími vzorci konkrétních patentovaných materiálů: NaGDi_xEuxS2-y, NaLui_xEuxS2_y, NaY| _xEuxS2 y, KLad _xEuxS2_y, KGd|_xEuxS2y, KYi-xEuxS2-y, RbLai_xEuxS2_y, RbGdi xEuxS2_y, RbLui_xEuxS2-y a RbY| xEuxS2_y, kde parametr y > 0 odráží skutečnost, že významná část iontů Eu je ve stavu Eu2+ (tudíž y < x/2; rovnost platí, pokud jsou všechny ionty Eu dvojmocné). Vynález se týká složení s x = 10“6 až 0,03 (0,001% až 3% Eu).
Hlavní výhodou těchto materiálů oproti stávajícímu stavu techniky v oblasti scintilátorů jsou optimální pozice emisních maxim Eu2+ emise při excitaci ionizujícím zářením, konkrétní hodnoty jsou uvedeny v závorkách za konkrétními sloučeninami s dotací Eu: NaGdS2 (779 nm), RbLaS2 (555 nm), RbGdS2 (514 nm), RbLuS2 (498 nm) a RbYS2 (500 nm) a možnost zvolit polohu emisního maxima Eu2+ volbou matrice, tj. výběrem konkrétní sloučeniny z výše uvedených. NaGdS2, NaLuS2, NaYS2 KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2 s dotací Eu jsou vhodné i pro použití ve scintilačních detekčních systémech, které pro registraci scintilačního záření používají polovodičové diody.
-3 CZ 304998 B6
Hlavní výhodou těchto materiálů oproti stávajícímu stavu techniky v oblasti luminoforů je přítomnost velmi intenzivního pásu v excitačním spektru následujících sloučenin s dotací Eu: NaGdS2 (430 nm), NaLuS2 (429 nm), NaYS2 (437 nm), KLaS2 (394 nm), KGdS2 (394 nm), KYS2 (393 nm), RbLaS2 (390 nm), RbGdS2 (391 nm), RbLuS2 (389 nm) a RbYS2 (393 nm) s maximem excitačního pásu uvedeným v závorce za konkrétní sloučeninou (souhrnně tab. 1 v kapitole Příklad provedení vynálezu) s možností excitace až do cca 480 nm (obr. 2). Pás v excitačním spektru přísluší přechodu 4/- 5d centra Eu2+. Toto je s velkou výhodou využitelné pro excitaci ve fíalovo-modré oblasti spektra LED diodou, čímž lze vybudit intenzivní 5d - 4f emisi Eu2+ sjiž uvedenými maximy mezi 498 až 779 nm. Aby byla excitace efektivní, musí NaGdS2, NaLuS2, NaYS2m KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2 s dotacemi Eu dostatečně silně absorbovat ve fíalovo-modré oblasti světla. Absorpce světla roste se zvyšujícím se obsahem Eu vNaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2, ale použití těchto systémů jako scintilátorů i luminoforů je limitováno koncentračním zhášením emise Eu2+ vNaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS, RbLuS2 a RbYS2, které nastává okolo x = 0,02 (2% Eu). Použití NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2 s dotacemi Eu jako luminoforů je výhodné pro vyšší úrovně dotace než v případě scintilátorů, tj. cca od x = 0,001 (0,1% Eu) do x = 0,01 (1% Eu).
Podstatou vynálezu je možnost měnit polohu emisního pásu Eu2+ volbou příslušné matrice NaGdS2 (779 nm), NaLuS2 (641 nm), NaYS2 (683 nm), KLaS2 (613 nm), KGdS2 (567 nm), KYS2 (535 nm), RbLaS2 (555 nm), RbGdS2 (514 nm), RbLuS2 (498 nm) a RbYS2 (500 nm). Polohy maxim emise jsou uvedené v závorkách a souhrnně v tab. 1. Při buzení v oblasti 350 až 460 nm lze sloučeninami NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2 s dotacemi Eu pokrýt celou viditelnou oblast světla. RbLuS2:Eu emituje modré světlo s maximem u vlnové délky 498 nm. RbYS2:Eu emituje světlo azurové barvy s maximem u vlnové délky 500 nm. RbGdS2:Eu emituje rovněž azurové (tyrkysové) světlo s maximální emisí u 514 nm. RbLaS2:Eu (555 nm) a KYS2:Eu (535 nm) svojí emisí pokrývají oblast zeleného světla. KGdS2:Eu emituje žluté světlo (567 nm); KLaS2:Eu oranžové (613 nm). Sloučeniny NaLuS2:Eu, NaYS2:Eu a NaGdS2:Eu pokrývají svou emisí červenou oblast světla (emise 641, 683 a 779 nm).
Vzhledem k tomu, že lidské oko obsahuje receptory (čípky) citlivé pouze na tři základní barvy (modrou, zelenou a červenou), lze kombinací sloučenin NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2 s dotacemi Eu vytvořit světelný zdroj emitující teplé bílé světlo.
Objasnění výkresů
Obr. 1: Radioluminiscenční spektra látek NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2 s dotací Eu.
Na obr. 1 jsou emisní spektra látek NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2 s dotací Eu 0,05 % mol. vybuzená rentgenovým zářením (U= 40 kV). Intenzivní emisní pásy (pozice a intenzity viz tab. 1 v kapitole Příklad provedení vynálezu) jsou dány přechodem elektronu v Eu2+ iontu ze stavu 5ddo stavu 4f.
Obr. 2: Excitační spektra látek NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2 s dotací Eu
Na obr. 2 jsou fotoluminiscenění excitační spektra látek NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2 s dotací Eu 0,05 % mol. a to pro emisní vlnové délky odpovídající pozicím maxim emisí Eu2+ v radioluminiscenčních spektrech (viz tab. 1). Excitační pásy s maximy v intervalu 300 až 335 nm (maxima uvedena v tab. 1 jako
-4CZ 304998 B6 pozice absorpční hrany v nm) jsou přisouzeny absorpční hraně materiálů NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2, zatímco velmi intenzivní široké pásy v blízké UV až modré oblasti od 350 do 460 nm (maxima uvedena v tab. 1 jako maxima excitačního Eu2+ pásu) mají původ v přechodu elektronů ze stavu 4/ do stavu 5d centra Eu2+.
Příklad uskutečnění vynálezu
Nejprve byly připraveny oxidy La2O3, Gd2O3, Lu2O3 a Y2O3 s dotací Eu ve formě Eu2O3. V třecí misce bylo smícháno 9,9946 g La2O3 a 0,0054 g Eu2O3; 9,9951 g Gd2O3 a 0,0049 g Eu2O3; 9,9956 g Lu2O3 a 0,0044 g Eu2O3; 9,9922 g Y2O3 a 0,0078 g Eu2O3. Takto byly připraveny výchozí oxidy La2O3:Eu, Gd2O3:Eu, Lu2O3:Eu a Y2O3:Eu s dotací Eu 0,05 % molámího. Pro přípravu NaGdS2:Eu bylo smícháno a rozetřeno v třecí misce 3,19 g Na2S a 0,371 g Gd2O3:Eu. Pro přípravu NaLuS2:Eu bylo smícháno a rozetřeno v třecí misce 3,00 g Na2S a 0,388 g Lu2O3:Eu. Pro přípravu NaYS2:Eu bylo smícháno a rozetřeno v třecí misce 3,00 g Na2S a 0,218 g Y2O3:Eu. Pro přípravu KLaS2:Eu bylo smícháno a rozetřeno v třecí misce 10,00 g K2CO3 a 0,295 g La2O3:Eu. Pro přípravu KGdS2:Eu bylo smícháno a rozetřeno v třecí misce 10,00 g K2CO3 a 0,328 g Gd2O3:Eu. Pro přípravu KYS2:Eu bylo smícháno a rozetřeno v třecí misce 10,00 g K2CO3 a 0,204 g Y2O3:Eu. Pro přípravu RbLaS2:Eu bylo smícháno a rozetřeno v třecí misce 10,00 g Rb2CO3 a 0,176 g La2O3:Eu. Pro přípravu RbGdS2:Eu bylo smícháno a rozetřeno v třecí misce 10,00 g Rb2CO3 a 0,196 g Gd2O3:Eu. Pro přípravu RbLuS2:Eu bylo smícháno rozetřeno v třecí misce 10,00 g Rb2CO3 a 0,215 g Lu2O3:Eu. Pro přípravu RbYS2:Eu bylo smícháno a rozetřeno v třecí misce 10,00 g Rb2CO3 a 0,125 g Y2O3:Eu.
Takto připravené směsi byly umístěny do korundové lodičky a vloženy do korundové trubice, která byla umístěna v elektrické odporové trubkové peci. Jedna sloučenina NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2 s dotací Eu byla vždy připravována jednou zde popsanou reakcí. Následoval ohřev směsi pod tokem argonu po dobu
1.5 hodiny, během této doby trubicí o vnitřním objemu 1 dm3 proteklo 15 dm3 Ar o čistotě 99,999 %. Po dosažení teploty 1025 °C ± 25 °C, byl do trubice vpouštěn sirovodík o čistotě
99.5 % po dobu 2 h. Po tuto dobu byla teplota udržována na stejné hodnotě. Celkové množství použitého sirovodíku bylo 30 dm3 pro přípravy KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2 s dotací Eu a 10 dm3 pro přípravy NaGdS2, NaLuS2, NaYS2 s dotací Eu. Po uplynutí dvou hodin trubicí protékal argon a směs chladla rychlostí 1 °C / min na laboratorní teplotu. Objem použitého argonu na propláchnutí trubice během chladnutí byl cca 10 dm3. Korundová lodička byla z trubice vytažena při laboratorní teplotě a její obsah byl do kádinky vypláchnut destilovanou vodou, ve které se rozpustily sulfidy alkalického kovu, a požadovaný produkt se usadil na dně nádoby. Kapalný podíl byl opatrně odlit a na pevný podíl byla opětovně nalita destilovaná voda, která byla po sedimentaci pevného podílu opět opatrně odlita. Tento proces byl nakonec proveden s etanolem z důvodu rychlejšího sušení produktu, které probíhalo volně na vzduchu. Množství vzniklých produktů bylo 0,50 g NaLuS2:Eu; 0,34 g NaYS2:Eu; 0,44 g KLaS2:Eu; 0,47 g KGdS2:Eu; 0,35 g KYS2:Eu, 0,44 g RbLaS2:Eu, 0,33 g RbGdS2:Eu; 0,35 g RbLuS2:Eu a 0,26 g RbYS2:Eu. Podle rentgenové difrakční analýzy byly v produktech potvrzeny čisté fáze NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGds2, RbLuS2 a RbYS2 strukturního typu «-NaFeO2. Vzorky byly naneseny na podložky z černého papíru s fixační vrstvou kaučukového lepidla a na takto připravených vzorcích bylo provedeno:
1) měření jejich scintilační účinnosti - Vzorky byly excitovány rentgenovým zářením (rentgenka s molybdenovou anodou, napětí 40 kV) a byla změřena jejich radioluminiscenční (RL) spektra. Scintilační účinnost měřených vzorků byla odvozena ze srovnání výšek jejich emisních pásů s výškou maxima RL spektra vzorku standardního scintilátoru germaničitanu bizmutitého, Bi4Ge30i2 (BGO).
2) měření jejich fotoluminiscenčních spekter a dosvitu.
-5CZ 304998 B6
Naměřená spektra byla korigována na spektrální závislost detekční části aparatury.
Optické vlastnosti sloučenin NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, 5 RbLuS2 a RbYS2 s dotací Eu jsou souhrnně uvedeny v tab. 1.
Tab. 1: Tabulka optických vlastností látek NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2 s dotací Eu
Pozice emisního maxima Eu2+ v nm % BGO při pokojové teplotě Pozice absorpční hrany v nm Doba života emise při pokojové teplotě v ns Maximum excitačního Eu2+ pásu v nm
RbLuS2 498 102 310 553,2 389
RbYS2 500 72 307 514,1 393
RbGdS2 514 26 321 453,1 391
KYS2 535 614 309 496,3 393
RbLaS2 555 18 323 513,1 390
KGdS2 567 531 330 437,8 394
KLaS2 613 126 325 689,4 394
NaLuS2 641 774 304 488 429
NaYS2 683 119 309 511 437
NaGdS2 779 25 330 531,3 -430
Průmyslová využitelnost 15
Látky NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuSj a RbYS2 dopované Eu lze výhodně využít jako scintilační materiály v detektorech ionizujícího záření v zařízeních, která pro registraci výstupního signálu používají polovodičové detektory, např. ve formě práškových stínítek při plošném monitorování rozložení intenzity rentgenového záření v aplika20 cích ve výzkumu, průmyslu a zdravotnictví.
Látky NaGdS2, NaLuS2, NaYS2, KLaS2, KGdS2, KYS2, RbLaS2, RbGdS2, RbLuS2 a RbYS2 dopované Eu lze použít jako luminofory ke konstrukci laditelného zdroje bílého záření, tzv. „white LED light sources“, u kterých lze volbou konkrétní sloučeniny měnit emisní vlnovou délku (viz pozice emisních maxim v tab. 1).

Claims (12)

1. Anorganický scintilátor nebo luminofor na bázi sulfidu obecného vzorce ALnt xEuxS2_y, kde A označuje jeden z následujících alkalických kovů: Na, K, Rb a Ln označuje jeden z následujících kovů vzácných zemin: La, Gd, Lu, Y s výjimkou KLuS2 a NaLaS2, přičemž x = 10“6 až 0,03; y = 0 až x/2.
2. Anorganický scintilátor nebo luminofor podle nároku 1, vyznačující se tím, že A = Na a Ln = Gd, tj. sulfid sodno-gadolinitý dopovaný europiem, vzorce NaGd]_xEuxS2 y, přičemž x = 10”6 až 0,03, výhodně 0,001 až 0,03 a y = 0 až x/2.
3. Anorganický scintilátor nebo luminofor podle nároku 1, vyznačující se tím, že A = Na a Ln = Lu, tj. sulfid sodno-lutecitý dopovaný europiem, obecného vzorce NaLui xEuxS2 y, přičemž x = 10^ až 0,03, výhodně 0,001 až 0,03 a y = 0 až x/2.
4. Anorganický scintilátor nebo luminofor podle nároku 1, vyznačující se tím, že A = Na a Ln = Y, tj. sulfid sodno-yttritý dopovaný europiem, obecného vzorce NaY] xEuxS2 y, přičemž x = 10~* až 0,03, výhodně 0,001 až 0,03 a y = 0 až x/2.
5. Anorganický scintilátor nebo luminofor podle nároku 1, vyznačující se tím, že A = K a Ln = La, tj. sulfid draselno-lanthanitý dopovaný europiem, obecného vzorce KLai.xEuxS2_y, přičemž x = 10 ’6 až 0,03, výhodně 0,001 až 0,03 a y = 0 až x/2.
6. Anorganický scintilátor nebo luminofor podle nároku 1, vyznačující se tím, že A = K a Ln = Gd, tj. sulfid draselno-gadolinitý dopovaný europiem, obecného vzorce KGdi.xEuxS2.y, přičemž x = 10 6 až 0,03, výhodně 0,001 až 0,03 a y = 0 až x/2.
7. Anorganický scintilátor nebo luminofor podle nároku 1, vyznačující se tím, že A = K a Ln = Y, tj. sulfid draselno-yttritý dopovaný europiem, obecného vzorce KYi_xEuxS2_y, přičemž x = 10“6 až 0,03, výhodně 0,001 až 0,03 a y = 0 až x/2.
8. Anorganický scintilátor nebo luminofor podle nároku 1, vyznačující se tím, že A = Rb a Ln = La, tj. sulfid rubidno-lanthanitý dopovaný europiem, obecného vzorce RbLai-xEuxS2 y, přičemž x = 10“6 až 0,03, výhodně 0,001 až 0,03 a y = 0 až x/2.
9. Anorganický scintilátor nebo luminofor podle nároku 1, vyznačující se tím, že A = Rb a Ln = Gd, tj. sulfid rubidno-gadolinitý dopovaný europiem, obecného vzorce RbGdi.xEuxS2 y, přičemž x = 10“6 až 0,03, výhodně 0,001 až 0,03 a y = 0 až x/2.
10. Anorganický scintilátor nebo luminofor podle nároku 1, vyznačující se tím, že A = Rb a Ln = Lu, tj. sulfid rubidno-lutecitý dopovaný europiem, obecného vzorce RbLui_xEuxS2y, přičemž x = 10“6 až 0,03, výhodně 0,001 až 0,03 a y = 0 až x/2.
11. Anorganický scintilátor nebo luminofor podle nároku 1, vyznačující se tím, že A = Rb a Ln = Y, tj. sulfid rubidno-yttritý dopovaný europiem, obecného vzorce RbYi_xEuxS2_y, přičemž x = 10“6 až 0,03, výhodně 0,001 až 0,03 a y = 0 až x/2.
12. Použití anorganických scintilátorů podle nároků 1 až 11 ve scintilačních detekčních systémech, které pro registraci scintilačního záření používají polovodičové diody a použití anorganických luminoforů podle nároků 1 až 11 v LED světelných zdrojích, kde je výhodně vlnová délka budicího světla z LED zdroje 350 až 460 nm.
CZ2013-393A 2013-05-28 2013-05-28 Anorganické scintilátory a luminofory na bázi ALnS2 (A = Na, K, Rb; Ln = La, Gd, Lu, Y) dopované Eu2+ s výjimkou KLuS2 a NaLaS2 CZ304998B6 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ2013-393A CZ304998B6 (cs) 2013-05-28 2013-05-28 Anorganické scintilátory a luminofory na bázi ALnS2 (A = Na, K, Rb; Ln = La, Gd, Lu, Y) dopované Eu2+ s výjimkou KLuS2 a NaLaS2

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ2013-393A CZ304998B6 (cs) 2013-05-28 2013-05-28 Anorganické scintilátory a luminofory na bázi ALnS2 (A = Na, K, Rb; Ln = La, Gd, Lu, Y) dopované Eu2+ s výjimkou KLuS2 a NaLaS2

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ2013393A3 CZ2013393A3 (cs) 2015-03-18
CZ304998B6 true CZ304998B6 (cs) 2015-03-18

Family

ID=52705821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ2013-393A CZ304998B6 (cs) 2013-05-28 2013-05-28 Anorganické scintilátory a luminofory na bázi ALnS2 (A = Na, K, Rb; Ln = La, Gd, Lu, Y) dopované Eu2+ s výjimkou KLuS2 a NaLaS2

Country Status (1)

Country Link
CZ (1) CZ304998B6 (cs)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112852424B (zh) * 2021-01-18 2022-08-19 福建师范大学 一种碱金属-稀土三元硫化物纳米发光材料及其制备方法和应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050002490A1 (en) * 2003-06-30 2005-01-06 Bergh Rudy Van Den Rare earth activated lutetium oxyorthosilicate phosphor for direct X-ray detection
EP2133449A1 (en) * 2007-02-07 2009-12-16 Sakai Chemical Industry Co., Ltd. Iodide single crystal, method for production the iodide single crystal, and scintillator comprising the iodide single crystal
CZ302205B6 (cs) * 2009-02-18 2010-12-15 Fyzikální ústav AV CR, v.v.i. Anorganický scintilátor
CZ302443B6 (cs) * 2009-11-11 2011-05-18 Ceské vysoké ucení technické v Praze Fakulta jaderná a fyzikálne inženýrská Zpusob prípravy nanocásticového scintilátoru na bázi oxidu zinecnatého s vysoce intenzivní luminiscencí
CZ302687B6 (cs) * 2010-08-31 2011-08-31 Fyzikální ústav AV CR, v. v. i. Anorganický scintilátor na bázi hafnicitanu strontnatého s nadbytkem hafnia nebo zirkonicitanu strontnatého s nadbytkem zirkonu
CZ2012666A3 (cs) * 2012-09-27 2014-05-14 České Vysoké Učení Technické V Praze, Fakulta Jaderná A Fyzikálně Inženýrská Anorganický scintilátor nebo luminofor na bázi sulfidu draselno-lutecitého dopovaného europiem (KLuS2:Eu)

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050002490A1 (en) * 2003-06-30 2005-01-06 Bergh Rudy Van Den Rare earth activated lutetium oxyorthosilicate phosphor for direct X-ray detection
JP2005049337A (ja) * 2003-06-30 2005-02-24 Agfa Gevaert Nv 直接x線検出のための希土類活性化希土類活性化オキシサルファイド燐光体
EP2133449A1 (en) * 2007-02-07 2009-12-16 Sakai Chemical Industry Co., Ltd. Iodide single crystal, method for production the iodide single crystal, and scintillator comprising the iodide single crystal
CZ302205B6 (cs) * 2009-02-18 2010-12-15 Fyzikální ústav AV CR, v.v.i. Anorganický scintilátor
CZ302443B6 (cs) * 2009-11-11 2011-05-18 Ceské vysoké ucení technické v Praze Fakulta jaderná a fyzikálne inženýrská Zpusob prípravy nanocásticového scintilátoru na bázi oxidu zinecnatého s vysoce intenzivní luminiscencí
CZ302687B6 (cs) * 2010-08-31 2011-08-31 Fyzikální ústav AV CR, v. v. i. Anorganický scintilátor na bázi hafnicitanu strontnatého s nadbytkem hafnia nebo zirkonicitanu strontnatého s nadbytkem zirkonu
CZ2012666A3 (cs) * 2012-09-27 2014-05-14 České Vysoké Učení Technické V Praze, Fakulta Jaderná A Fyzikálně Inženýrská Anorganický scintilátor nebo luminofor na bázi sulfidu draselno-lutecitého dopovaného europiem (KLuS2:Eu)

Also Published As

Publication number Publication date
CZ2013393A3 (cs) 2015-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kang et al. Controlling the energy transfer via multi luminescent centers to achieve white light/tunable emissions in a single-phased X2-type Y2SiO5: Eu3+, Bi3+ phosphor for ultraviolet converted LEDs
Guo et al. Cyan emissive super-persistent luminescence and thermoluminescence in BaZrSi 3 O 9: Eu 2+, Pr 3+ phosphors
Xia et al. Ca 2 Al 3 O 6 F: Eu 2+: a green-emitting oxyfluoride phosphor for white light-emitting diodes
Xiong et al. Recent advances in ultraviolet persistent phosphors
Zhang et al. High efficiency and broadband blue-emitting NaCaBO3: Ce3+ phosphor for NUV light-emitting diodes
Kshatri et al. Characterization and optical properties of Dy3+ doped nanocrystalline SrAl2O4: Eu2+ phosphor
Kadam et al. Synthesis and luminescence study of Eu3+‐doped SrYAl3O7 phosphor
Li et al. A strategy for developing thermal-quenching-resistant emission and super-long persistent luminescence in BaGa 2 O 4: Bi 3+
Sahu The role of europium and dysprosium in the bluish-green long lasting Sr 2 Al 2 SiO 7: Eu 2+, Dy 3+ phosphor by solid state reaction method
Montes et al. Mechanisms of radioluminescence of rare earths doped SrAl2O4 and Ca12Al14O33 excited by X-ray
Noto et al. Luminescent dynamics of Pr3+ in MTaO4 hosts (M= Y, La or Gd)
Li et al. Luminescence properties of a new green afterglow phosphor NaBaScSi 2 O 7: Eu 2+
Nayar et al. Synthesis and Luminescence Characterization of LaBO 3: Dy 3+ Phosphor for Stress Sensing Application
US9334444B1 (en) Sorohalide scintillators, phosphors, and uses thereof
Zhang et al. A novel white light-emitting diode (w-LED) fabricated with Sr 6 BP 5 O 20: Eu 2+ phosphor
CN102517013B (zh) 一种光子转换材料及其制备方法
Pawade et al. Synthesis and optical studies of novel Eu2+ and Ce3+ doped BaMg8Al18Si18O72 phosphors
CZ304458B6 (cs) Anorganický scintilátor nebo luminofor na bázi sulfidu draselno-lutecitého dopovaného europiem (KLuS2:Eu)
Tu et al. Influence of H3BO3 addition on mechanoluminescence property of SrAl2O4: Eu2+
Guo et al. The persistent energy transfer of Eu 2+ and Dy 3+ and luminescence properties of a new cyan afterglow phosphor α-Ca 3 (PO 4) 2: Eu 2+, Dy 3+
Rangari et al. Synthesis and photoluminescence characteristics of (Y, Gd) BO3: RE (RE= Eu3+, Ce3+, Dy3+ and Tb3+) phosphors for blue chip and near‐UV white LEDs
Sahu et al. Retracted: Studies on the luminescence properties of cerium co‐doping on Ca2MgSi2O7: Eu2+ phosphor by solid‐state reaction method
Yang et al. Efficient emission in copper-doped Cs 3 ZnX 5 (X= Cl, I) for white LEDs and X-ray scintillators
CZ304998B6 (cs) Anorganické scintilátory a luminofory na bázi ALnS2 (A = Na, K, Rb; Ln = La, Gd, Lu, Y) dopované Eu2+ s výjimkou KLuS2 a NaLaS2
Pustovarov et al. Impurity, host and defect-related luminescence of CsLaSiS4 thiosilicate crystals doped with Ce3+ ions