CZ299714B6 - Zarízení na rízení teploty povrchu zarízení vyvíjejícího teplo - Google Patents

Zarízení na rízení teploty povrchu zarízení vyvíjejícího teplo Download PDF

Info

Publication number
CZ299714B6
CZ299714B6 CZ0321099A CZ321099A CZ299714B6 CZ 299714 B6 CZ299714 B6 CZ 299714B6 CZ 0321099 A CZ0321099 A CZ 0321099A CZ 321099 A CZ321099 A CZ 321099A CZ 299714 B6 CZ299714 B6 CZ 299714B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
heat
temperature
endothermic
generating device
heat generating
Prior art date
Application number
CZ0321099A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ321099A3 (cs
Inventor
Hayes@Claude
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=22261559&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CZ299714(B6) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed filed Critical
Publication of CZ321099A3 publication Critical patent/CZ321099A3/cs
Publication of CZ299714B6 publication Critical patent/CZ299714B6/cs

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
    • H01L23/4275—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes by melting or evaporation of solids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01D—COMPOUNDS OF ALKALI METALS, i.e. LITHIUM, SODIUM, POTASSIUM, RUBIDIUM, CAESIUM, OR FRANCIUM
    • C01D1/00—Oxides or hydroxides of sodium, potassium or alkali metals in general
    • C01D1/04—Hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01D—COMPOUNDS OF ALKALI METALS, i.e. LITHIUM, SODIUM, POTASSIUM, RUBIDIUM, CAESIUM, OR FRANCIUM
    • C01D15/00—Lithium compounds
    • C01D15/02—Oxides; Hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01D—COMPOUNDS OF ALKALI METALS, i.e. LITHIUM, SODIUM, POTASSIUM, RUBIDIUM, CAESIUM, OR FRANCIUM
    • C01D15/00—Lithium compounds
    • C01D15/08—Carbonates; Bicarbonates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01D—COMPOUNDS OF ALKALI METALS, i.e. LITHIUM, SODIUM, POTASSIUM, RUBIDIUM, CAESIUM, OR FRANCIUM
    • C01D7/00—Carbonates of sodium, potassium or alkali metals in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00—Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/16—Materials undergoing chemical reactions when used
    • C09K5/18—Non-reversible chemical reactions
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24V—COLLECTION, PRODUCTION OR USE OF HEAT NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F24V30/00—Apparatus or devices using heat produced by exothermal chemical reactions other than combustion
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D20/00—Heat storage plants or apparatus in general; Regenerative heat-exchange apparatus not covered by groups F28D17/00 or F28D19/00
    • F28D20/02—Heat storage plants or apparatus in general; Regenerative heat-exchange apparatus not covered by groups F28D17/00 or F28D19/00 using latent heat
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/14—Thermal energy storage

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sorption Type Refrigeration Machines (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Mounting, Exchange, And Manufacturing Of Dies (AREA)
  • General Preparation And Processing Of Foods (AREA)
  • Thermotherapy And Cooling Therapy Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Devices That Are Associated With Refrigeration Equipment (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Refuse Collection And Transfer (AREA)
  • Vending Machines For Individual Products (AREA)
  • Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Abstract

Zarízení na rízení teploty povrchu zarízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveného teplu ze zarízení vyvíjejícího teplo, pokud je priloženo k tomuto povrchu. Obsahuje tepelnou jímku mající povrch na rízení teploty a endotermické cinidlousporádané k absorbování tepelné energie skrz povrch na rízení teploty endotermickou chemickou reakcí využívající latentní teplo z rozkladu nebo z dehydratace, pricemž endotermické cinidlo je vybránoze skupiny hydroxidu sestávající z hydroxidu hlinitého, hydroxidu vápenatého, hydroxidu sodného, hydroxidu draselného a hydroxidu lithného a jejich smesí.

Description

Zařízení na řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo
Oblast techniky
Tento vynález se týká zařízení na řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveného teplu ze zařízení vyvíjejícího teplo, pokud je přiloženo k tomuto povrchu.
Dosavadní stav techniky
Aktivní chlazení elektronických komponent, zejména choulostivých TR modulů, IMPATT diod, zařízení na záznam dat apod. není často proveditelné a do konce i když je proveditelné, tak vyžaduje trvalé energeticky náročné chlazení, které klade požadavky na další připojené technické systémy jako jsou typické systémy v řízených střelách, letadlech á příbuzných bojových systémech.
Endotermická zařízení obecně používají materiálové směsi, které mění svoji fázi (PCM, tj. Phase Change Materials). Konvenční materiály PCM jsou většinou tuhé nebo fluidní povahy, např.
kapalné, kvazikapalné nebo tuhé, např. vosky nebo jiné tavitelné směsi. Během doby se ukázalo, že konvenční materiály PCM trpí řadou technických problémů a rovněž problémy při jejich použití a aplikaci. Tyto problémy zahrnují poměrně nízké latentní (skupenské) teplo tavení, neschopnost řízení tvaru a formy takovýchto fluidních materiálů PCM a rovněž rovnocennost ohřevu a chlazení. Dalšími problémy jsou potřeba zajistit bezpečné uložení a důraz kladený na uložení, které má za následek časté lomy a vylití materiálu PCM; ohrožení životů a majetku následkem vysokého obsahu tepla v materiálech PCM a jeho zápalnosti, a konečně nerovnoměrná hystereze ohřevu nebo chlazení. Z těchto a dalších kritických důvodů mají materiály PCM jako teplená . akumulační média dlouhou historii selhání a nepoužívání v komerčních a vojenských aplikacích.
Ve svém patentu US 4 446 916 uvedl přihlašovatel materiál, který nazývá kompozitní vláknitý endotermický materiál CFEM (CFEM-Composite Fabric Endothermic Materiál), poskytující prostředky zejména vhodné jako tepelné jímky pro kosmonautiku a vojenské použití. Patentovaný materiál CFEM poskytuje zlepšenou tepelnou jímku, která pohlcuje teplo při teplotách tavení sloučeniny uložené ve vláknité síťovině nebo matrici. Materiál CFEM výhodně obsahuje fázi měnící materiál, který je držen působením kapilárních sil a chemickou přilnavostí k vláknům matrice. Výsledkem je zisk značně zvětšené povrchové plochy pro přenos tepla.
Normální materiály PCM mohou vystříknout horké kapaliny na lidskou pokožku a způsobit vážné popáleniny třetího stupně následkem lepkavé povahy mnoha horkých voskových a plasto40 vých fázi měnících materiálů a vysokého obsahu tepla a lepivé přilnavosti k pokožce. Porušené disky, které nejsou typu CFEM nebo zkapalněné voskové PCM disky vylévají svůj obsah a způsobují požáry, která se rozšiřují, když materiál PCM během zahřívání v pecích vytéká. Voskem plněné disky jsou náchylné k požárům, které se mohou rozšiřovat a vytékat z pecí.; avšak tkanina materiálu CFEM pohlcuje a zadržuje kapalný materiál PCM a tak znesnadňuje jeho vznícení.
Nyní bylo zjištěno, že ačkoliv patentovaný materiál CFEM je vhodný pro použití v potravinářských a vojenských aplikacích, rámec jeho vhodnosti pro další komerční a civilní aplikace je omezený a zvláště není vhodný pro vysokoteplotní aplikace, letové zapisovače a čidla do pecí.
V patentu US 5 709 914 je podrobněji dále vyslovena potřeba zlepšeného materiálu CFEM pro použití v mnoha komerčních a civilních aplikacích, zejména pro potravinářství, domácí a komerční obalové operace. V této aplikaci byly zlepšené materiály CFEM schopny použití v řadě komerčních aplikací, například v potravinářském průmyslu, kde vznikla potřeba teplo uchovávajících nebo tepelně izolujících kontejnerů, obalů a tepelných akumulačních zařízení.
-1 CZ 299714 B6
Endotermická činidla, tzn. teplo pohlcující činidla, uvedená v patentu US 5 709 914, dosáhla určité ochrany před vysokými teplotami prostřednictvím fyzikálního fenoménu pohlcování latentního (skupenského) tepla tavení, kde příslušná krystalická látka pohlcuje určité množství tepla na roztavení bez vzestupu teploty do jejího okolí. Fenomén pohlcování latentního (skupenského) tepla tavení je vratný a bude poskytovat ochranu, jestliže tvorba tepla nastane při aplikaci více než jedenkrát.
Patent US 4 585 834 popisuje polymerační způsob, který má v tepelné jímce částicovitý materiál, který prochází endotermickou změnou fáze, aby se absorbovala tepelná energie.
io
Nyní bylo zjištěno, že při použití takovýchto pohlcujících činidel, které byly popsány shora, existuje mnoho vnitřních problémů. Na základě skutečnosti, že fenomén předchozí aplikace musí být reverzibilní, aby k pohlcování tepla došlo více než jednou, pracují v poměrně nízkém teplotním rozmezí. Jinak vyjádřeno, jsou schopny pohlcovat nikoli více než 837,5 J/g (200 cal/g). Proto mohou odstraňovat teplo jenom po krátkou dobu a jenom při teplotách nepřekračujících 163 °C (326 ŮF). Následkem toho nejsou efektivní pro aplikace vyžadující chlazení při velmi vysokých teplotách a po dlouhou dobu, jak by bylo třeba například při leteckých haváriích, v elektronice řízených střel, kosmických zařízeních, zdrojích energie, zařízeních na záznam dat používaných jako letecké komponenty a v bojových zařízeních a v komerčním použití jako čidla v pecích, protipožární stěny a automobilové výfukové systémy.
Latentním (skupenským) teplem se tavící činidla (materiály PCM) mají sklon při poměrně vysokých teplotách hořet a zvyšovat celkový obsah tepla v systému. Kromě toho řeverzibilita fenoménu je ve skutečnosti zárukou, že tato činidla budou rovněž přenášet teplo do okolí, jakmile okolí má nižší teplotu než jsou příslušné teploty činidel. Následkem toho pracují tato činidla nejenom jako teplo pohlcujíc činidla, ale mohou rovněž působit jako teplo přenášející činidla a způsobovat vážná poškození elektronických součástí, která tato činidla měla především chránit.
Německý popis DE-OS 2233107 se týká endotermních činidel na chlazení horkých plynů použí30 váných na nafukování nafukovatelných konstrukcí. Endotermní činidla jsou částicovitá a umístěná v porézních kontejnerech na průchod plynů skrz ně.
Dále je úkolem tohoto vynálezu poskytnutí zlepšeného chladicího média, schopného použití v různých aplikacích, například při leteckých haváriích, v elektronice řízených střel, zařízeních kosmických lodí, zdrojích energie, zařízeních na záznam dat používaných jako součásti letadel a v bojových zařízeních a rovněž v komerčním použití jako například čidla v pecích apod.
Zejména je úkolem tohoto vynálezu poskytnutí teplo pohlcujících činidel; schopných pohlcovat teplo při teplotách nad 300 °F (149 °C).
Dalším úkolem tohoto vynálezu je poskytnutí endotermických mechanismů, které využívají chemickou reakci latentního tepla tvorby nebo rozkladu.
Podstata vynálezu
Zařízení na řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveného teplu ze zařízení vyvíjejícího teplo, pokud je přiloženo k tomuto povrchu, podle vynálezu spočívá podle vynálezu v tom, že obsahuje tepelnou jímku mající povrch na řízení teploty a endotermické činidlo uspořádané k absorbování tepelné energie skrz povrch na řízení teploty endotermickou chemickou reakcí využívající latentní teplo z rozkladu nebo z dehydratace, přičemž endotermické činidlo je vybráno ze skupiny hydroxidů sestávající z hydroxidu hlinitého, hydroxidu vápenatého, hydroxidu sodného, hydroxidu draselného a hydroxidu lithného a jejich směsi.
-2CZ 299714 Bó
Zařízení na řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveného teplu ze zařízení vyvíjejícího teplo, pokud je přiloženo k tomuto povrchu, také spočívá podle vynálezu v tom, že obsahuje tepelnou jímku mající povrch na řízení teploty a endotermické činidlo uspořádané k absorbování tepelné energie skrz povrch na řízení teploty endotermickou chemickou reakcí využívající latentní teplo z rozkladu nebo z dehydratace, přičemž endotermické činidlo sestává z kyseliny s nízkou molekulovou hmotností, která se endotermicky rozkládá na vodu a oxidy. Přitom je s výhodou kyselinou s nízkou molekulovou hmotností kyselina boritá.
Zařízení na řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveného teplu ze zařízení vyvíjejícího teplo, pokud je přiloženo k tomuto povrchu, také spočívá v tom, že obsahuje tepelnou jímku mající povrch ha řízení teploty a endotermické činidlo uspořádané k absorbování tepelné energie skrz povrch na řízení teploty endotermickou chemickou reakcí využívající latentní teplo z rozkladu nebo z dehydratace, přičemž endotermické činidlo je vybráno ze skupiny organických sloučenin sestávající z paraldehydu, paraformaldehydu a trioxanu a jejich směsí.
Zařízení na řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveného teplu ze zařízení vyvíjejícího teplo, pokud je přiloženo k tomuto povrchu, také spočívá v tom, že obsahuje tepelnou jímku mající povrch na řízení teploty a endotermické činidlo uspořádané k absorbování tepelné energie skrz povrch na řízení teploty endotermickou chemickou reakcí využívající latentní teplo z rozkladu nebo z dehydratace, přičemž endotermické činidlo je vybráno ze skupiny solí sestávající z formiátu lithného, acetátu lithného, uhličitanu lithného, uhličitanu vápenatého, uhličitanu křemičitého, uhličitanu horečnatého, hydrogenuhličitanu sodného, solí kyseliny octové, solí kyseliny borité a jejich směsí.
Zařízení na řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveného teplu ze zařízení vyvíjejícího teplo, pokud je přiloženo k tomuto povrchu, také spočívá v tom, že obsahuje tepelnou jímku mající povrch na řízení teploty a endotermické činidlo uspořádané k absorbování tepelné energie skrz povrch na řízení teploty endotermickou chemickou reakcí využívající latentní teplou z rozkladu nebo z dehydratace, přičemž endotermické činidlo je vybráno ze skupiny hydrátových solí sestávající ztrihydrátu chloridu lithného, trihydrátu nitrátu lithného, dekahydrátu uhličitanu sodného, dekahydrátu boritanu sodného, hexahydrátu nitrátu 1 horečnatého, tetrahydrátu síranu berylnatého, dodekahydrátu fosforečnanu sodného, hexahydrátu chloridu vápenatého a heptahydrátu síranu zinečnatého, hexahydrátu chloridu horečnatého, deka35 hydrátu síranu sodného, trihydrátu oxidu hlinitého, dekaoktahydrátu síranu hlinitého, trihydrátu fluoridu hlinitého, nonahydrátu dusičnanu hlinitého a jejich směsí.
Výše uvedené zařízení dále s výhodou spočívá v tom, že tepelná jímka obsahuje uchyčovací matříci, obal, pouzdro nebo konstrukci vytvářející povrch řídicí teplotu.
Způsob řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveného teplu ze zařízení vyvíjejícího teplo, dále podle vynálezu spočívá v tom, že se výše uvedené zařízení s povrchem na řízení teploty jeho tepelné jímky umístí do tepelného styku s povrchem zařízení vyvíjejícího teplo nebo s povrchem objektu, a že se absorbuje tepelná energie v tepelné jímce skrz povrch na řízení teploty endotermickým rozkladem nebo hydratací endotermického činidla. Tyto předměty a rovněž další budou podrobněji uvedeny v následujícím.
Tento vynález využívá nerecyklovatelné, nevratné, endotermické chemické reakce, což je využití latentního tepla rozkladných a dehydrataěních reakcí pro poskytnutí nových, zlepšených a zejména účinných endotermických chladicích systémů.
Tyto nerecyklovatelné, nevratné, endotermické chemické reakce činí zvláště vhodnými to, že mají reakční teploty vhodně v mezích používaných v konstrukci letových datových zapisovačů, elektronických a příbuzných zařízeních, tzn. konstrukce tepelné jímky musí být schopna udržet
-3CZ 299714 B6 vnitřní teplotu mezi 100 a 300 °C během Činností v rozmezí vnější teploty 600 až 1100°C a působit jenom jako tepelná jímka a nikoli jako generátor tepla.
Sloučeniny vyvinuté podle tohoto vynálezu, poskytující endotermické chemické reakce, jsou 5 mimořádně stabilní v různých prostředích, mají dlouhou dobu skladovatelnosti a vysoká latentní reakční tepla. Ke sloučeninám používaným podle tohoto vynálezu patří kyselina boritá a některé boritany, soli kyseliny octové a kyseliny mravenčí, hydroxidy lithia, vápníku, hliníku a sodíku, uhličitany hořčíku, lithia a křemíku, paraldehyd a paraformaldehyd, a rovněž trioxan a hydratované soli.
Konkrétně k endotermíckým činidlům, která jsou předmětem Zájmu, patří ta, která se tepelně rozkládají na cokoliv z následujícího:
1. Hydratované soli, které se endotermicky rozkládají na vodu a sůl,
2. Paraldehyd, trioxan a paraformaldehyd, které se endotermicky rozkládají na formaldehyd,
3. Kyseliny s nízkou molekulovou hmotností, které se endotermicky rozkládají na vodu a oxidy,
4. Uhličitany, které se rozkládají na oxid uhličitý a oxid.
Příklady provedení vynálezu
I. Následující text popisuje endotermickou reakci a absorbování tepla shora zmíněnými hydroxidy, když jsou vystaveny reakční teplotě pod 1100 °C. '
Hydroxid lithný (LiOH):
LiOH se taví při 450 °C.
2LiOH se rozkládá na -> Li2O + 2H2O při 1000 °C za absorbování 2872 J/g (686 cal/g).
Hydroxid sodný (NaOH):
2NaOH se rozkládá na -> Na2O + 2H2O při 1000 °C 30 za absorbování 1357 J/g (324 cal/g) během rozkladu.
Hydroxid hlinitý (A1(OH)3);
2A1(OH)3 se rozkládá na -> A12O3 + 3H2O při 1000 °C za absorbování '1432 J/g (342 cal/g).
Z předchozího je patrné, že se popsané hydroxidy rozkládají při svých specifických reakčních. teplotách a tvoří oxidy kovů, přičemž absorbují velká množství latentního reakčního tepla. U některých reakcí se absorbuje větší množství latentního tepla při tavení výchozích hydroxidů a tavení vzniklých oxidů.
Π. Následující text popisuje endotermickou reakci a absorbování tepla u shora uvedených solí, když jsou vystaveny reakční teplotě pod 1100 °C.
Uhličitan vápenatý (CaCO3):
CaCO3 se rozkládá na -» CaO + CO2 při 840 °C za absorbování 1782 J/g (425,6 cal/g).
Uhličitan křemičitý (SiCO3):
SiCO3 se rozkládá na -> SiO + CO2 při 1100 °C za absorbování 1591 J/g (380 cal/g).
Uhličitan horečnatý (MgCO3):
.4CZ 299714 B6
POZNÁMKA: Výchozí endotermický materiál se skládá z uhličitanu hořečnatého (MgCO3), Mg(OH)2 a H2O, tj.: n MgCO3: n Mg(OH): n H2O n MgCO3: n Mg(OH)2: n H2O se rozkládá na -> n MgO + CO2 a n H2O při 300 °C za absorbování 1193 J/g (285 cal/g)
5.
Uhličitan lithný (Li2CO3):
Li2CO3 se rozkládá na -»Li2O + CO2 při 1310 °C za absorbování 1675 J/g (400 cal/g).
ίο III. Tato reakce bude poskytovat endotermické chlazení elektronických zařízení a dalších povrchů a konstrukcí tepelným rozkladem hydrogenuhličitanu sodného, absorbujícím více než 1465,4 J/g (350 cal/g) v rozmezí 120 až 310 °C.
2NáHCO3 -> Na2CQ3 + Ή2Ό + CO-g.
T ~ 270 °C .
ΔΗ° ~ 1520 J/g (363 .cal/g )
IV. Tato reakce bude poskytovat endotermické chlazení elektronických zařízení a dalších povrchů a konstrukcí tepelným rozkladem uhličitanu sodného, absorbujícím více než 1340 J/g (320 cal/g) v rozmezí 200 až 375 °C.
Molekulová hmotnost = 84,00
2Na2CO3 -> 2NaO2 + 2CO2 ÁH° = 1,27-105 j/raol (30,45 Kcal/mol) . ΔΗ£°: -'226,5 -102 -94,05
V. Zejména bylo zjištěno, že při rozkladu absorbuje velká množství tepla kyselina boritá, protože kyselina boritá se rozkládá postupně v rozmezí teplot za vzniku oxidu boru a vody za absorbová25 ní téměř 1675 J/g (400 cal/g). Podobně účinně co do absorbování tepla reagují soli kyseliny borité.
Následující text popisuje reakce kyseliny borité při absorbování příslušných skupenských reakčních tepel:
Tato reakce poskytne endotermické chlazení elektronických zařízení a dalších povrchů a konstrukcí tepelným rozkladem kyseliny borité absorbováním více než 1675 J/g (400 cal/g) v rozmezí, 120 až 350 °C.
Molekulová hmotnost = 62 35
169 0 c 3Ó0 °C •2H3B0‘3 -> (2HBO2, + 2H2O) -> B2G3 +. 3H2O ;-260 teplota, tavení = 236, ÓC -302. -57,8 ΔΗ° = 2,,24-105 J (53,6. Kcalj/2 mo.l Κ,ΒΟ,
ΔΗ = [2,24xl05- J (53,6 Kcal)/2 mgl). (.2 (62) g/2 mol) > 18.08 J/g (432 cal/g)
-5CZ 299714 B6
VI. Následující text ilustruje endotermickou reakci a absorbování tepla u hydratovaných solí když jsou vystaveny reakční teplotě pod 1100 °C.
Následující hydráty solí poskytují účinné endotermické chlazení od 60 do 200 °C:
LÍCÍ 3H2O LÍCI + 3-H2Ó (-313,5) (-97) (-173)
ΔΗ. = 1,78-lC·5 J/r-.ol (42,4 Kcal/mc'.!
Molekulová, hmotnost - 96,39 [1,78-105 J./mói (42,4 Kcal/mol)]/96, 39
MgČl2 · 6H2O -> MgOl2 + 6H2iO (-454) (-266) (346,8)
Δ·ί. jé záporné,
MgSO, . 7H2O. . -» MgSO4 + 7H2Ó (-808,7) (-305,5) (-404,6)
Molekulová hmotnost = 246,3 7 [4,13-105 J/mol (98,6 Kcal/mol)] / 246,37 = 1675 J/g (400,2 cal/g)
Na2SO4 . lOHzŮ -> Na2SO4 + 10H20 (-1033,48) (-330,9) (-578)
ΔΗ, jé 5,22-105 J ./mol (124,58 Kcal /mol)
Molekulová hmotnost = 354,12 ,. , .. .
[5,22 x ÍÓ5 J/mol (124,58 Kcaí?mol)]/354,12 = 1473 J/g (351,8 cal/g)
A12O3 3H2O -> AI2O3 + '3H2O (-6.13, 7) (-384,84) (-173,4)
ΛΚ. je 2,32-lC5 J/mol (55,46 Kcal /mol)
Molekulová hmotnost = 155,96 [2,32 · 105 J/mol (55,46 Kcal/mol)] / 155,96 = 1490 J/g (355,6 cal/g)
A12(SO4)3 · 18H2O -> A12(HO4)3 < 18H.-0 .(-21:18,5). (-820., 98,). (1040,4)
AHt je 1, 08.-.105 J/mol (257,12 Kcal /mol)
Molekulová hmotnost = 666,14
-6CZ 299714 B6 [1,08 · 105 J/mol (257,12 Kcal/mol)] / 666,14 = 1616 J/g (385,98 cal/g)
A1F3 3H2O -> AlFj + 3H2O (-349, 1) (-311) (173,4)
ΔΗγ = 2,71-105 J/mol. (64,7 Keal. /mol)
Molekulová hmotnost = 137,98 [2,71 105 J/mol (64,7 Kcal/mol)] / 137,98 = 1963 J/g (468,9 cal/g)
AlNCk 9H2O -> AlSOj +' 9H2O (-897,34) (-273, 65)(-520,2)
ΔΗΓ =·· 4,33-105 J/mol (.103,49 Kcal/moi)
Molekulová hmotnost = 375,01 [4,33 · 105 J/mol (103,49 Kcal/mol)] / 375,01 = 1155 J/g (275,98 cal/g)
Tato reakce poskytne endotermické chlazení elektronických zařízení a jiných povrchů a konstrukcí tepelným rozkladem trihydrátu chloridu lithného absorbováním více než 1842 J/g (440 cal/g) v rozmezí 90 až 150 °C.
Molekulová hmotnost = 96,4 °G
LIČI . 3H2O Li-Cl. + 3H2O ΔΗο: -313,5 -97,7 -57,8
ΔΗ° = 1,78 x 105 J/mol (42,4 Kcal/mol)
ΔΗ3 = 1842,2 J/g (440 cal/g)'
Tato reakce poskytne endotermické chlazení elektronických zařízení a jiných povrchů a konstrukcí tepelným rozkladem trihydrátu dusičnanu lithného absorbováním více než 1340 J/g (3201 cal/g) v rozmezí 50 áž 120 °C.
Molekulová hmotnost =123 při 61 °'C
L1NO3 - 3H.2O -4 ϊιΝόϊ + 3h2O
,ΔΗ°: -328,6 -115,3 -57,8
Δ'Η° = 1,67 x 105 J/mol (39,9-.Kcal/mol)
ΔΗ° = 1357 J/g (324 eal/g)
Tato reakce poskytne endotermické chlazení elektronických zařízení a jiných povrchů a konstrukcí tepelným rozkladem dekahydrátu uhličitanu sodného absorbováním více než 1340 J/g (320 cal/g) v rozmezí 20 až 80 °C.
Molekulová hmotnost = 266
-7CZ 299714 B6 ztrácí vodu při 34 °C‘
Na2,CO3 . 10H2O —> NJ2CG3 (;S) + 10H20
ΔΗ/: -97.5,6· -270 -5.7', 8
Wa2COj stabilní
ΔΗ° = 5,34 J/mol (127,6 Kcal/mol)
ΔΗ° = 2:010' J/g (480 cai/g)
Tato reakce poskytne endotermické chlazení elektronických zařízení a jiných povrchů a konstrukcí tepelným rozkladem dekahydrátu borítanu sodného absorbováním více než 1465 J/g (350 cal/g) v rozmezí 200 až 375 °C.
Molekulová hmotnost‘= 382
3.20 °C
Na.2.B407 · 1.0H20 —> + 10H2Q
ΔΗ?: . -1497 -777,7 -57,8
ΔΗ° - 5,92 x 105 J/ir.ol (141,3 Kcal/mol)
ΔΗ° - 1 550 J/g (370. cal/g)
Tato reakce poskytne endotermické chlazení elektronických zařízení a jiných povrchů a konstrukcí tepelným rozkladem hydrátu síranu horečnatého absorbováním více než 1465 J/g (350 cal/g) v rozmezí 120 až 250 °C.
Molekulová hmotnost = 246,5 épsomit
-6 H20. 150 °C _ -7 H20 20Ό 6C. ... ..MgSO4 7H2o MgSO4 + 7H2Ó -808,7 -305,5 .-58,7
ΔΗ° = 3., 86 x 105 J/mcil (32,3 feal/mol)
ΔΗ0, = 1566 J/g (374 ca,l/g)
Následující reakce poskytnou endotermické chlazení elektronických zařízení a jiných povrchů a 20 konstrukcí tepelným rozkladem hydrátu síranu beryllnatého absorbováním více než 1256 J/g (300 cal/g) v rozmezí 90 až 450 °C.
Molekulová hmotnost = 177,1
100 °c
BeSO4 . 4H2O BeSO4 - 2H2O. + 2H2O
-8CZ 299714 B6
-576,3 -433,2 -57,8
BeSO4 . 2H2Q —> BéSO’4 + 2H2O ΔΉ° - 3’lj. 6
-433,2 -286,0 -57,8 ΔΗθ = 31,6
ΔΗθ = 1400 J/g :(334 cal/g) (celkem);
Tato reakce poskytne endotermické chlazení elektronických zařízení a jiných povrchů a konstrukcí tepelným rozkladem hydratovaného fosforečnanu sodného absorbováním více než 1256 J/g (300 cal/g) v rozmezí 80 až 150 °C.
Molekulová hmotnost = 377
Na3PO4 12H20 Ná3POi + 12Ή2Ο
ΔΗ,3: -1309 -460 -57,8
ΔΗ° = [6,5 x Í05 J/mol (156,4 Kcál./mól]/ (377 g/mol) - 1725 J/g (412 cal/g)
Tato reakce poskytne endotermické chlazení elektronických zařízení a jiných povrchů a konstrukcí tepelným rozkladem hexahydrátu chloridu vápenatého absorbováním více než 1256 J/g (300 cal/g) v rozmezí 220 až 350 °C.
Molekulová hmotnost = 219 200 °G
CaCl·^ · 6.H‘2,Of -A ČáGlž 6H2.O
AHf°i -623,2 -190; -57,8.
ΛΗ° = 3,6 χ. 105 J/mol (. 86., 4 Kč al /mol)
ΔΗ° = 1654 J/g (395 cal/g.)
Tato reakce poskytne endotermické chlazení elektronických zařízení a jiných ploch a konstrukcí tepelným rozkladem hěpťahydrátu síranu zinečnatého absorbováním více než 1256 J/g.(300' cal/g) v rozmezí 220 až 350 °C.
Molekulová hmotnost = 288
2.80 ŮČ
ZnSO4 · 7H2O -> ZnŠO4 + 7'H2Ó Λ·-/: -735,1 -233,8 -57,8
ΔΗ° = 4,05 x 105 J/mol (96,7 Kcal/mol)
ΔΗ° .=. 1406 J/g (336 cal/g}
Další reakce zahrnují rozklad paraldehydu a paraformaldehydu, které podobně vedou v poměrně velké míře k endotermické reakci. Rovněž mohou být použity některé z reakčních produktů z kombinace shora zmíněných materiálů, např. octan a mravencan lithný.
-9CZ 299714 B6
Rovněž bylo zjištěno, že soli kyseliny octové a kyseliny mravenčí dávají silně endotermické reakce a pohlcují velká množství tepla.
Sloučeniny podle tohoto vynálezu mohou být použity v kompozitních vláknitých nosičích nebo matricích typu diskutovaného v přihlašovatelových vpředu zmíněných aplikacích nebo v dříve zaregistrovaném patentu. Při testování těchto sloučenin byly zapisovače letových dat umístěny v kontejneru tvořícím konstrukci tepelné jímky. Plátkovité koláče vytvořené z kyseliny borité byly umístěny do kovových pouzder uvnitř konstrukce tepelné jímky. Plátky kyseliny borité byly slisováním vytvarovány do obdélníkových destiček a koláčů, které přesně zapadly do kovových pouzder konstrukce tepelné jímky. Konstrukce tepelné jímky potom byla propojena s obvodovou deskou paměťového řídicího systému. Tímto způsobem může být přirozený vzestup teploty běžné známé tepelné jímky vojenského letového zapisovače srovnáván s tepelným chováním stejného letového zapisovače s endotermickou tepelnou jímkou s kyselinou boritou, vytvořenou podle tohoto vynálezu.
Použití hydratované soli (MgSO4 7H2O), pokud se použije u letového zapisovače, dává silný chladicí účinek.
Zařízení s hydroxidem hlinitým (Al(OH)3) pracují nejlépe jako vysokoteplotní endotermické činidlo pro řízení teploty. Při rozkládání zanechává Al(OH)3 silnou tepelně izolující vrstvu zA12O3, která dále snižuje vzestup teploty šířící se produktem rozkladu do zařízení tepelné jímky. Další aplikace tohoto vynálezu, uvedené jako nevymezující příklady, zahrnují povlaky pro řízení teploty, obaly a výstelky, jakož i tepelnou ochranu pro kovové a plastové konstrukce, chlazení pro elektroniku, pecní čidla, pláště řízených střel, výfuková potrubí, tepelnou ochranu v závodních automobilech, protipožární stěny a příbuzná zařízení.
Na rozdíl od hydrátů solí, které byly probírány výše, hydroxidy nebo uhličitany mohou být skladovány téměř nekonečně za předpokladu, že nejsou vystaveny teplotám blízko reakční teploty nebo nad ní. Jsou—li vystaveny sníženému tlaku a určitému teplu, mají hydráty sklon ztrácet H2O, což je činí v některých leteckých aplikacích méně pravděpodobnými jako plně efektivní jako chladicí činidla, pokud nejsou řádně hermeticky uzavřeny, s umožněním odvětrání vodní páry při reakční teplotě.
Průmyslová využitelnost
Sloučeniny jsou komerčně dostupné a jsou laciné. Mohou být snadno zabudovány do materiálu CFEM a integrovány s materiálem CFEM, kovovými síťovými matricemi, silikonovými nebo uhlíkovými vlákny nebo mikrozapouzdřeny a makrozapouzdřeny do pórovitého oxidu křemičitého nebo pórovitých uhlíkových těles. Činidla mohou být tvarována do formy pouzder, štěpin nebo koláčů, které mohou být začleněny do tvarovaných těles a tak mohou být tvarovány do požadovaných tvarů a velikostí. V některých aplikacích mohou být Činidla tvarována do gelů a past.
Speciální sloučeniny podle tohoto vynálezu poskytují nečekaný, kritický přínos tím, že snadno pohlcují velká množství tepla v jednosměrné reakci. A jakmile bylo teplo takto jednou pohlceno, nedochází k zpětnému přesunu tepla a proto nemohou působit jako generátor tepla. Proto je ochrana citlivých zařízení absolutní.
Navíc všechny tyto sloučeniny produkují během rozkládání výpary, které jsou pro životní prostředí neškodné, a to dokonce i při zvýšených teplotách.
-10CZ 299714 B6
V tomto dokumentu byly uvedeny různá provedení a změny a další, které jsou v rozsahu přiložených nároků, budou odborníkům v oboru zřejmé. Proto musí být tento popis chápán jen jako ilustrativní, a nějako vymezující tento vynález.

Claims (8)

1, Zařízení na řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveného teplu ze zařízení vyvíjej ícího teplo, pokud je přiloženo k tomuto povrchu, vyznačující se t í m, že obsahuje tepelnou jímku mající povrch na řízení teploty a endotermické činidlo uspořádané k absorbování tepelné energie skrz povrch na řízení teploty endotermickou chemic15 kou reakcí využívající latentní teplo z rozkladu nebo z dehydratace, přičemž endotermické činidlo je vybráno ze skupiny hydroxidů sestávající z hydroxidu hlinitého, hydroxidu vápenatého, hydroxidu sodného, hydroxidu draselného a hydroxidu lithného a jejich směsí.
2. Zařízení na řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveno ného teplu ze zařízení vyvíjejícího teplo, pokud je přiloženo k tomuto povrchu, vyznačující se t í m , že obsahuje tepelnou jímku mající povrch na řízení teploty a endotermické činidlo uspořádané k absorbování tepelné energie skrz povrch na řízení teploty endotermickou chemickou reakcí využívající latentní teplo z rozkladu nebo z dehydratace, přičemž endotermické činidlo sestává z kyseliny s nízkou molekulovou hmotností, která se endotermicky rozkládá na vodu a
25 oxidy.
3. Zařízení podle nároku 2, ve kterém je kyselinou s nízkou molekulovou hmotností kyselina boritá.
30
4. Zařízení na řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveného teplu ze zařízení vyvíjejícího teplo, pokud je přiloženo k tomuto povrchu, vyznačující se t í m , že obsahuje tepelnou jímku mající povrch na řízení teploty a endotermické činidlo uspořádané k absorbování tepelné energie skrz povrch na řízení teploty endotermickou chemickou reakcí využívající latentní teplo z rozkladu nebo z dehydratace, přičemž endotermické činid35 loje vybráno ze skupiny organických sloučenin sestávající z paraldehydu, paraformaldehydu a trioxanu a jejich směsí.
5. Zařízení na řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveného teplu ze zařízení vyvíjejícího teplo, pokud je přiloženo k tomuto povrchu, vyznačuj í40 c í s e t í m , že obsahuje tepelnou jímku mající povrch na řízení teploty a endotermické činidlo uspořádané k absorbování tepelné energie skrz povrch na řízení teploty endotermickou chemickou reakcí využívající latentní teplo z rozkladu nebo z dehydratace, přičemž endotermické činidlo je vybráno ze skupiny solí sestávající z formiátu lithného, acetátu lithného, uhličitanu lithného, uhličitanu vápenatého, uhličitanu křemičitého, uhličitanu hořečnatého, hydrogenuhličitanu
45 sodného, solí kyseliny octové, solí kyseliny borité a jejich směsí.
6. Zařízení na řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveného teplu ze zařízení vyvíjejícího teplo, pokud je přiloženo k tomuto povrchu, vyznačující se t í m, že obsahuje tepelnou jímku mající povrch na řízení teploty a endotermické činidlo
50 uspořádané k absorbování tepelné energie skrz povrch na řízení teploty endotermickou chemickou reakcí využívající latentní teplo z rozkladu nebo z dehydratace, přičemž endotermické činidlo je vybráno ze skupiny hydrátových solí sestávající ztrihydrátu chloridu lithného, trihydrátu nitrátu lithného, dekahydrátu uhličitanu sodného, dekahydrátu boritanu sodného, hexahydrátu nitrátu hořečnatého, tetrahydrátu síranu berylnatého, dodekahydrátu fosforečnanu sodného,
55 hexahydrátu chloridu vápenatého a heptahydrátu síranu zineěnatého, hexahydrátu chloridu hořeě-11 CZ 299714 B6 natého, dekahydrátu síranu sodného, trihydrátu oxidu hlinitého, dekaoktahydrátu síranu hlinitého, trihydrátu fluoridu hlinitého, nonahydrátu dusičnanu hlinitého a jejich směsí.
7. Zařízení podle některého z nároků 1 až 6, v y z n a č u j í c í se t í m , že tepelná jímka 5 obsahuje uchycovací matrici, obal, pouzdro nebo konstrukci vytvářející povrch řídicí teplotu.
8. Způsob řízení teploty povrchu zařízení vyvíjejícího teplo nebo povrchu objektu vystaveného teplu ze zařízení vyvíjejícího teplo, vyznačující se tím, že se zařízení podle nároků 1 až 7 s povrchem na řízení teploty jeho tepelné jímky umístí do tepelného styku s povrchem zářilo zení vyvíjejícího teplo nebo s povrchem objektu, a že· se absorbuje tepelná energie v tepelné jímce skrz povrch na řízení teploty endotermickým rozkladem nebo hydratací endotermického činidla.
CZ0321099A 1997-09-04 1997-09-04 Zarízení na rízení teploty povrchu zarízení vyvíjejícího teplo CZ299714B6 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US1997/015577 WO1999011455A1 (en) 1997-09-04 1997-09-04 A thermal storage and transfer device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ321099A3 CZ321099A3 (cs) 2000-03-15
CZ299714B6 true CZ299714B6 (cs) 2008-10-29

Family

ID=22261559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ0321099A CZ299714B6 (cs) 1997-09-04 1997-09-04 Zarízení na rízení teploty povrchu zarízení vyvíjejícího teplo

Country Status (10)

Country Link
EP (1) EP0969964B2 (cs)
AT (1) ATE277755T1 (cs)
AU (1) AU763447B2 (cs)
BR (1) BR9714822A (cs)
CA (1) CA2302751C (cs)
CZ (1) CZ299714B6 (cs)
DE (1) DE69730997T9 (cs)
DK (1) DK0969964T4 (cs)
ES (1) ES2225984T5 (cs)
WO (1) WO1999011455A1 (cs)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6241909B1 (en) * 1995-09-07 2001-06-05 Claude Q. C. Hayes Heat absorbing temperature control devices and method
US6224784B1 (en) * 1995-09-07 2001-05-01 Claude Q. C. Hayes Heat absorbing temperature control devices and method
WO2001005581A1 (en) * 1999-07-14 2001-01-25 Hayes Claude Q C Thermal control composite
US7045077B2 (en) 2004-06-18 2006-05-16 Biolab, Inc. Calcium hypochlorite compositions
CN101643222B (zh) * 2008-08-07 2012-03-21 友发化工股份有限公司 将富含硅杂质的氢氧化钾水溶液纯化的方法
ES2362518B1 (es) * 2009-06-16 2012-02-02 Abengoa Solar New Technologies S.A. Material compuesto para almacenamiento de energia termica a alta temperatura.
US8951487B2 (en) 2010-10-25 2015-02-10 ADA-ES, Inc. Hot-side method and system
US8496894B2 (en) 2010-02-04 2013-07-30 ADA-ES, Inc. Method and system for controlling mercury emissions from coal-fired thermal processes
US8845986B2 (en) 2011-05-13 2014-09-30 ADA-ES, Inc. Process to reduce emissions of nitrogen oxides and mercury from coal-fired boilers
US8883099B2 (en) 2012-04-11 2014-11-11 ADA-ES, Inc. Control of wet scrubber oxidation inhibitor and byproduct recovery
DE102012210238B4 (de) * 2012-06-18 2017-01-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Latentwärmespeichermaterialien auf der Basis von Aluminiumsulfat-Hydraten und deren Verwendung
US9957454B2 (en) 2012-08-10 2018-05-01 ADA-ES, Inc. Method and additive for controlling nitrogen oxide emissions
US9889451B2 (en) 2013-08-16 2018-02-13 ADA-ES, Inc. Method to reduce mercury, acid gas, and particulate emissions
ES2877524T3 (es) * 2015-04-20 2021-11-17 Snstech Llc Sistema de cierre para recipientes
RU2634927C1 (ru) * 2016-05-20 2017-11-08 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" Устройство для отвода теплоты от элементов рэа, работающих в режиме повторно-кратковременных тепловыделений
KR102697677B1 (ko) * 2018-02-16 2024-08-23 다테호 가가쿠 고교 가부시키가이샤 화학 축열재 및 그의 제조방법
FR3139381B1 (fr) * 2022-09-05 2024-08-09 Univ Bordeaux Dispositif de stockage d’energie thermique a base de l’hydroxyde de lithium
GB202318488D0 (en) 2023-12-04 2024-01-17 Univ Edinburgh Heat-absorbing materials

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2233107A1 (de) * 1972-07-06 1974-01-24 Thiokol Chemical Corp Kuehlmittel fuer gasgeneratoren
US3871684A (en) * 1971-08-02 1975-03-18 Dow Chemical Co Gas generator
DE3006733A1 (de) * 1980-02-22 1981-09-24 Georg Prof.Dr. 8000 München Alefeld Verfahren und einrichtung zum nutzbarmachen von waerme
US4446916A (en) * 1981-08-13 1984-05-08 Hayes Claude Q C Heat-absorbing heat sink
US4585843A (en) * 1983-04-20 1986-04-29 Allied Colloids, Ltd. Exothermic reactions

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1879128A (en) † 1929-10-16 1932-09-27 Ernest W Desper Cigarette
US4001126A (en) † 1972-05-17 1977-01-04 Universal Propulsion Co. Heat protective material and method of making the material
US3973397A (en) † 1973-08-14 1976-08-10 Imperial Metal Industries (Kynoch) Limited Rocket motor with ablative insulating casing liner
US4600634A (en) † 1983-07-21 1986-07-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Flexible fibrous endothermic sheet material for fire protection
GB2302994B (en) † 1995-07-01 1999-06-09 British Aerospace Thermal and shock resistant data recorder assembly

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3871684A (en) * 1971-08-02 1975-03-18 Dow Chemical Co Gas generator
DE2233107A1 (de) * 1972-07-06 1974-01-24 Thiokol Chemical Corp Kuehlmittel fuer gasgeneratoren
DE3006733A1 (de) * 1980-02-22 1981-09-24 Georg Prof.Dr. 8000 München Alefeld Verfahren und einrichtung zum nutzbarmachen von waerme
US4446916A (en) * 1981-08-13 1984-05-08 Hayes Claude Q C Heat-absorbing heat sink
US4585843A (en) * 1983-04-20 1986-04-29 Allied Colloids, Ltd. Exothermic reactions

Also Published As

Publication number Publication date
CA2302751C (en) 2004-10-12
DE69730997T9 (de) 2012-08-30
EP0969964A4 (en) 2002-08-14
ATE277755T1 (de) 2004-10-15
ES2225984T5 (es) 2011-06-02
DK0969964T4 (da) 2011-05-09
AU4250297A (en) 1999-03-22
AU763447B2 (en) 2003-07-24
DE69730997T3 (de) 2011-07-21
EP0969964B1 (en) 2004-09-29
CZ321099A3 (cs) 2000-03-15
EP0969964A1 (en) 2000-01-12
ES2225984T3 (es) 2005-03-16
DK0969964T3 (da) 2005-01-10
BR9714822A (pt) 2000-08-22
CA2302751A1 (en) 1999-03-11
DE69730997D1 (de) 2004-11-04
EP0969964B2 (en) 2011-01-19
DE69730997T2 (de) 2005-11-17
WO1999011455A1 (en) 1999-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6261475B1 (en) Heat absorbing temperature control devices and methods
CZ299714B6 (cs) Zarízení na rízení teploty povrchu zarízení vyvíjejícího teplo
US6793844B2 (en) Heat absorbing temperature control devices and method
US6224784B1 (en) Heat absorbing temperature control devices and method
CA2707364C (en) Endotherm systems and methods utilizing carbohydrate in non-oxidizing environment
JPS617379A (ja) 蓄熱エレメントの製造方法
GB2281373A (en) Heat shield
JPS62200093A (ja) 耐火断熱材構造
JPH0453913B2 (cs)

Legal Events

Date Code Title Description
PD00 Pending as of 2000-06-30 in czech republic
MK4A Patent expired

Effective date: 20170904