CS929284A2 - Microwave symmetrizer for mixers and modulators - Google Patents
Microwave symmetrizer for mixers and modulators Download PDFInfo
- Publication number
- CS929284A2 CS929284A2 CS849292A CS929284A CS929284A2 CS 929284 A2 CS929284 A2 CS 929284A2 CS 849292 A CS849292 A CS 849292A CS 929284 A CS929284 A CS 929284A CS 929284 A2 CS929284 A2 CS 929284A2
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- symmetrizer
- waveguides
- microwave
- output port
- waveguide
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0608—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
- H03D9/0633—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
- H03D2200/0023—Balun circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1408—Balanced arrangements with diodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Amplitude Modulation (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
- 7-
Vynález se týká mikrovlnného symetrizátoru pro směšovače a modulátory s vlnovody příčně elektromagnetických vln, sestá-vajícího ze dvou reaktančních sekcí druhého řádu o elektrickýchdélkách odpovídajících čtvrtině vlnové délky vysokofrekvenčníhosignálu a obsahujícího nesymetrický vstupní port a symetrickývýstupní port.
Symetrizátor je elektrický obvod přenášející signál Xyso- í kém kmitočtu z nesymetrického vstupu k symetrickému výstupu s mini-málními ztrátami, s požadavkem co nejšíršího přenosového pásmaa vysokoimpedanční transformace. Symetrizátor, používaný nejenpro symetrickou zátěž, ale i pro symetrizovaný pár nesymetrickýchvýstupů, na nichž mají vysokofrekvenční signály stejné amplitudy,ale opačné fáze, tvoří integrální část mikrovlnných symetrickýchsystémů, jako jsou směšovače, modulátory, zeslabovače, spínači?a jiné nebo se používá jako samostatná jednotka dodávající vysoko-frekvenční signál k symetrickým zátěžím či vstupům nebo výstupůmsymetrických systémů. Všechny tyto typy systémů jsou velmičasto vyráběny technikou mikropásků, což umožňuje jejich integracive formě hybridních nebo monolitických integrovaných obvodů. Toje důsledkem vlastnosti mikropásů spočívající v koncentraci poleelektromagnetické vlny v prostoru pod povrchem pásku při značnémzkrácení vlnové t(élky v dielektrickém podkladě a v udržení rovinnostistruktury se snadným přístupem k hornímu povrchu obvodu pro hyb-r-i dněpřipojené prvky, zatímco spodní strana tvoří základní desku.Odtudje žádoucí dodržovat stukturu mikropáskového typu obvodu ronejpřesněji. 2
Mezi dosud používanými symetrizátory je třeba si všimnout dvou, z nichž jeden je známý jako Marchandův symetrizátor adruhý jako Mouwův symetrizátor. a
Marchandův symetrizátor sestáyý ze dvou sekcí. Každá sekce je sestavena ze dvou koaxiálních vedení, přičemž jedna je umístě-na koaxiálně v druhé. Obě sekce jsou navzájem spojeny vnějšímivodiči vnějších vedení. Vnitřní vedení jsou ustavena dvoučtvrío-vými sekcemi vnitřních koaxiálních vedení, přičemž jejich vnitřnívodiče jsou navzájem spojeny ve středu a uvnitř symterizátorua jeden z jejich koncuje připojen ke vstupu vnějšího koaxiálníhovedeni, zatico druhý konec zůstává otevřený vůči zemi. Vnitřníkonce vnějších vodičů těchto vedení jsou spojeny se symetrickýmvnějším výstupním vedením vedoucím k symetrické zátěži obvodu,zatímco jejich vnější konce jsou zkratovány na zem. Marchandů»symetrizátor výtečně splňuje funkční požadavky jak pokud jdeo šířku pásma, tak pokud jde o impedanční transformaci. Jeho přenosové pásmo může přesáhnout dokonce tři oktávy na zátěžích, h zvolených v rozsahu od 50 ojmů do 200 ohmů. Je to jeden z nej-starších mirkovlnných obvodů tohoto typu, který se stále používáa stále zlepšuje. Je široce používán pro napájení širokopásmovýchsymetrických antén. Je nicméně neaplikovatelný v symetrickýchsystémech dříve zmíněných z důvodu struktury koaxiálního typua relativně velkých rozměrů, zvláště pokud se uvažuje průřez.
Jeho aplikace si vynucuje použití vlnovodů koaxiálního typu prosystémy s ním přímo spolupracující, což není vždy akceptovatelnéa určitě to není slučitelné s požadavkem na integraci systému. - 3 -
Mouwův symetrizátor zlepšený Hallfordern je poměrně nedávnákonstrukce. Sestává ze tří vodivých symetrických páskových vedení,z nichž jedno, vstupní, je vytvořeno na horní straně dielektrickéhopodkladu a druhé dvě, výstupní, jsou umístěny pod ním a jsou vytvo-řeny na spodní straně nosného podkladu. Vnější konce výstupníchvedení jsou zkratovány se zemí, která je vytvořena metalizovanourovinou přiléhající ke spodní straně podkladu. Mouwův symetrizátormá více aplikací v symetrických systémech než Marahandova konstrukcesymetrizátoru. Částečně plní požadavky na rovinnost, čímž je poně-kud blíže struktuře mikropáskového typu. Ačkoliv jeho širokopásmo-vá a transformační vlastnosti nedosahují vlastností Marchalovykonstrukce, jsou dosti dobré pro potřeby konstrukce širokopásmovýchsystémů přesahujících jednu oktávu.
Jeho nevýhodou nicméně je nutnost použití vedení na obou stra-nách podložky, v důsledku čehož systém nemůže být na jedné straněpřipevněn k zemi. Poněvadž Mouwova konstrukce může nabídnout ome-zený výběr průřezových rozměrů a v důsledku toho získání požado-vané výkonnosti, může být použita prouze pro několik zvolených typů s symetrických Systémů.
Mezi dalšími příklady, které nebyly výše zmíněny, je zdeprstencový hybridní propojovací člen nazývaný také etoosmdesáti-rstupňový hybrid, který splňuje požadavky jak na strukturu mikro-páskového typu, tak na rovnoměrnou dělbu vysokofrekvenčních signálůdo dvou výstupů v opačných fázích, ale jeho kmitočtové pásmodosahuje pouze 20 až 30 procent kmitočtu středu pásma a možnostijeho přizpůsobení v širokém rozsahu zatěžovacích impedancí jsou malé 4
Navíc má nevýhodu nepohodlného uspořádání výstupních portů, které zabraňují jeho použití pro jednu symetrickou zátěž a jehoaplikace jsou omezeny na symetrický pár nesymetrických výstupů. Výše popsané příklady nevyčerpávají existující typy reali-zace konstrukcí symetrizátoru, ale ukazují již popsaný trendk význačným rozdílům mezi používanými vlnovody a požadovanýmivlnovody mikropásmového typu, například ne pouze při použitíkoaxiálních vedení ale také koplanárních vedení nebo závěsnýchvedení nebo štěrbinových vedení nebo žebrových vedení. Realizacísymetrických systémů v těchto technikách je mnoho, ale vyžadujíformování systému buň na obou stranách podložky nebo na jejíjedné straně, přičemž jsou vždy charakterizovány tím, že spodnístranu obvodu není možno upevnit na zem, poněvadž prostor zadielektrickou podložkou na jeho obou stranách, omezený krytem,je integrální částí vlnovodu. Takové systémy mají velkou praktickou důležitost pro konstrukce kombinované s technikou vlnovodů, alenejsou vhodné pro integraci.
Uvedené nevýhody dosavadních provedení odstraňuje a stu- pen integrace mikrovlnných obvodu zvyšuje symetrizator podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že každá sekce obsahujedva mikropáskové vlnovody; z nichž první vlnovod je uložen nahorní straně spodního vrstveného podkladu opatřeného metalizacíspodní strany, a druhý vlnovod je uspořádán souběžně s prvnímvlnovodem a je od něj oddělen horním vrstveným podkladem, párvstupních vlnovodů, vždy po jednom z každé sekce je vzájemněpropojen svými přilehlými konci, zatímco jeden ze zbývajících 5 konců je připojen ke vstupu a druhý konec je ukončen odrazovýmprvkem vysokofrekvenčního signálu, kdežto pár výstupních vlno-vodů vytváří svými dvěma konci, vždy po jednom z každé sekce,pár svorek výstupního portu pro připojení efektivně vyváženézátěže, kdežto oba zbývající konce výstupních vlnovodů jsouukončeny odrazovým prvkem vysokofrekvenčního signálu, přičemž fázeodrazových prvků výstupních vlnovodů jsou si vzájemně rovny a jsouopačné hodnoty než fáze odrazových prvků výstupních vlnovodůjsou si vzájemně rovny a jsou opačné hodnoty než fáze odrazovýchprvků vstupních vlnovodů.
Provedení symetrizátoru podle vynálezu má mnoho výhod. Svýmivlastnostmi přesně odpovídá obdobným prvkům s rovinnou struktu-rou mikropáskového typu. Splňuje požadavky na širokopásmovouvýkonnost až do tří oktáv včetně v širokém rozsahu transformační,impedance. Navíc má topologicky výhodné umístění svorek výstupníchportů, díky čemuž umožňuje jednoduché aplikace jak pro soustředě-nou symetrickou zátěž, tak pro symetrický pár nesymetrickýchvýstupních portů. Umožňuje také komplementární provedení nahraze-ním konců zkratovaných se zemí zapojenými naprázdno a konce zapo-jené naprázdno konci zkratovanými se zemí, což jest důiežité prokooperaci s různými aplikačními systémy. Je geometricky kompaktnía prostorově úsporné konstrukce, v důsledku čehož minimalizujehodnoty parazitických reaktančních prvků.
Popsaná konstrukce symetrizátoru je zvláště výhodná provýrobu jak při použití technologie tenkých vrstev, tak mono-litické technologie a navíc má relativně malé rozměry a zabírá - 6 - malý prostor, v důsledku čehož vytváří nové možnosti velmidobrého stupně integrace složitých symetrických mikrovlnnýchsystémů, zvláště směšovačů a modulátorů. Předmět vynálezu bude dále podrobněji popsán pomocí přilo-žených výkresů na nichž na obr. 1 je znázorněn příklad provedenísymetrizátoru podle vynálezu, na obr. 2 je alternativní provedenís vnějšími konci výstupních vlnovodů zkratovajřmi vůči zemi,na obr. 3 je znázorněno další alternativní provedení s vnějšímikonci výstupních vlnovodů připojenými na zem přes kondenzátory,obr. 4 představuje provedení symetrizátoru s párem výstupníchvlnovodů zkratovaných vůči zemi a s rozpojenými výstupnímivlnovody, obr. 5 ukazuje směšovač sestávající ze dvou symetrizá-torů spojených navzájem pomocí diod, a obr. 6 znázorňuje obdobnýsměšovač jako na obr. 5» ale s konci vstupních vlnovodů opačnýchvstupu galvanicky zkratovanými vůči zemi a s konci výstupníchvlnovodů vůči zemi rozpojenými. Předmětný symetrizátor sestává ze dvou reaktančních sekcí I a II druhého řádu o elektrických délkách odpovídajících
čtvrtině vlnové délky vysokofrekvenčního signálu. První sekce I a druhá sekce II obsahuje dva mikropáskové vlnovody, horní a dolní, z nichž dolní vlnovod je umístěn na horní straně metalizo- vaného, dolního vrstveného podkladu 3. Druhý vlnovod, horní, je od dolního oddělen materiálem horního vrstvenného podkladu 4. Pár vlnovodů umístěný na horní straně dolního podkladu, tvořící pár vstupních vlnovodů 1, 2 je vzájemně propojen svými vnitřními konci 12, 21. Vnější konec 11 prvního vstupního vlnovodu 1 jea/ pomocí přenosového vedení 2 ° chírakteristické impedanci Ζθ 7 připojen ke vstupnímu portu 10.
Vnější konec 22 druhého vstupního vlnovodu ,2 je otevřený. Pár horních, výstupních vlnovodů lf 2* vytváří svými opačnýmivnitřními konci 12 ' 21 ' symetrické svorky 20 výstupního portu.Konstrukce symetrizátoru je ralizována alternativně v závislostina zvoleném způsobu ukončení vnějších konců 11 ,* 22 * výstupníchvlnovodů l', 2 * a vnější konce 22 druhého vstupního vlnovodu 2.Ukončení jsou zde obecně v opačné fázi, jako například zkrato-vání na zem a zapojení naprázdno vůči zemi. Jak uvedeno na obr. 1,vnější konce 11' 22' páru výstupních vlnovodů jsou oba prostejnosměrný proud a pro vysokofrekvenční signál přímo zkratoványna zem, zatímco vnější konec 22 druhého vstupního vlnovocLi2,opačný vůči vstupnímu portu 10 je rozpojen. V dalším případějako na obrázku 2, vnější konce 11 ', 22* páru výstupních vlnovodůjsou zkratovány vůči zemi pouze pro vysokofrekvenční signálprostřednictvím čřvrtvlnných segmentů vedení rozpojených nakoncích v bodech 111 *, 222 *. V ještě dalším příkladu, jako naobrázku 3, jsou vnější konce 11 ,* 22 * páru výstupních vlnovodů
L zkratovány se zemlí pro vysokofrekvenční signál prostřenictvímdostatečně velkých, kapacit j., 5.· Ve výše zmíněných příkladechje konec 22 druhého vstupního vlnovodu, opačný vůči vnějšímukonci 11 prvního vstupního vlnovodu 1 spojenému se vstupnímportem 10, pro vysokofrekvenční signál rozpojen. Příkladné provedení symetrizátoru na obr. 4 je předsta-vováno obvodem s párem výstupních vlnovodů zkratovaných vůčizemi v bodě 11 a s rozpojenými vnějšími konci li*, 22* 8 páru výstupních vlnovodů. Volbou transformace symetrizátorulze dosíci výkonnosti dipólové antény, když místo symetrickézátěže 2 se uvažuje otevřený prostor. Ve všech příkladechje symetrizátor zatížen zátěží o impedanci buá ve forměsoustředěné symetrické zátěže nebo ve formě páru nesymetrickýchzátěží o impedanci . Příkladné použití symetrizátoru pro konstrukci dvojitěvyváženého směšovače je znázorněno na obr. 5· Tento směsovačsestává ze dvou symetrizátoru spojených navzájem s páry symetrickýchsvorek 2s výstupů prostřednictvím Čtveřice diod 30 takovým způ-sobem, že každý ze symetrizátorů je připojen k odlišné ze dvoudiagonál kruhu diod vytvářejících čtveřici diod 30. Jeden zesymetrizátorů slouží pro přivádění vysokofrekvenční energiez nesymetrického vstupu 101 ke čtveřici a druhý pro přiváděnívysokofrekvenční energie heterodynu z nesymetrického vstupu 102.Vnější konce 22 párů druhých vstupních vlnovodů 2 obou symetri-zátorů, opačné ke vstupům, jsou vůči zemi rozpojeny. Vnější konce11', 22' párů výstupních vlnovodů lf 2' obou symetrizátorů jsouna druhé straně vůči zemi zkratovány pro vysokofrekvenční signál,zatímco pro jeden z nich jsou konce zkratovány galvanickya pro další jsou konce zkratovány prostřednictvím segmentůpřenosových vedení rozpojených na koncích 111', 222 * pro sní-mání mezifrekvenčního výtěžku ze čtveřice diod 30 k symetrickémumezifrekvenčnímu výstupnímu portu 40, Mezifrekvenční výstupníport ůO je připojen ke svorkám 20 výstupu symetrizátoru signáluprostřednictvím sériových induktancí 6, 6, k teré spolu s konden-zátory 5, 2. neb° čtvrtvlnnými segmenty otevřených vlnovodů 9 vytvářejí dolní propusti 36, 5^♦ Tyto filtry určuji širokopásmovévlastnosti mezifrekvence směšovače. Tyto meze jsou značně slabšípro případ směšovače na obrá«k« 6. Tento směšovač se liší od před-cházejícího tím, že zkratování signálu symetrizátoru jsou nahra-ženy rozpojením obvodu a rozpojené obvody jsou nahrazeny zkratovánímvůči zemi a takto konec 221 páru vstupních vlnovodů, opačný vůčivstupu 101, je galvanicky zkratován vůči zemi a konce 111 a 221páru výstupních vlnovodů jsou vůči zemi rozpojeny. Dolní propustpoužitá v tomto směšovači může mít širší mezifrekvenční pásmonež v předcházejícím směšovači. Kromě toho tento směšovač splňujeněkdy žádoucí podmínku, aby případné nežádoucí vstupní signályv mezifrekvenčním pásmu byly zkratovány na signálním vstupním powtu smesovace.
Diskutované příklady nevyčerpávají výhodné možnosti vytvá-ření dalších systémů ze směšovačů s použitím symetrizátoru podlevynálezu, ale ozřejmují jejich aplikační pružnosts způsobenoujak jejich topologickými charakteristikami, tak vzájemně komplementářnimi realizacemi. Činnost symetrizátoru sestává v dodávání plnévysokofrekvenční energie z nesymetrického vstupního portu majícíhovstupní impedanci 8 rovnou Ζθ k symetrickému výstupnímu portu mají-címu výstupní impedanci blížící se nebo páru nesymetrickýchvýstupních portů majících výstupní impedanci blížící se R^se stejnými amplitudami a opačnými fázemi v co možno širokém přeno-sovém pásmu a s co možno nejlepšími přizpůsobením vstupnícha výstupních portů.
Například konstrukce symetrizátoru je prováděna s použitímtechnologie tenkých vrstev, která •vyhovuje integrovaným mikrovlnným 10 hybridním obvodům na aluminovém podkladě 3 A120^ o tloušíceod 0,50 do 1,30 mm. Bielektrická vrstva horního podkladu 4,oddělující vlnovod symetrizátoru je vyrobena z dielektrického materiálu, jehož dielektrická konstanta se blíží dielektrickékonstantě spodního podkladu 3 a tloušíka se rovná asi jednépětině tloušíky spodního podkladu 3. Tlouštka horního podkladu 4závisí na požadovaném kompenzačním poměru rozptylových vlastností vlnovodů. V další konstrukci je symetrizátor vyráběn za použitímonolitické technologie vhodné pro monolitické integrovanéobvody na podkladu 3 polovodivého galiumarsenidu GaAs o tloušícemenší než 0,50 mm. Dielektrická vrstva horního podkladu 4, oddělu jící vlnovody, je vyrobena ze silikonnitridu Si„N, o tloušrce3 4 rovné asi jedné pětině tloušíky dolního podkladu 4. Takové pro-vedení symetrizátoru je zvláště vhodné pro mikrovlnná pásmanad 8 gigaherzů.
Rozměry průřezu obecně odlišné pro každhu sekci vlnovodů a odličné pro dané segmenty každé sekce a závislé na požadovanýrdi
širokopásmových vlastnostech pro typicky oředpokládané impedance,A jako například 50 o^raů vstup a 100 ohmů zátěž, ukazují plnouproveditelnost konstrukce symetrizátoru a jeho značné tolerancevůči nepřesnosti technologického zpracování.
Zaznamenáníhodný je fakt, že proveditelnost konstrukcesymetrizátoru nemá omezení ve volbě rozměrní průřezu sekcí, kterése objevily v jiných konstrukcích symetrizátoru, přičemž je zdeurčitý stupen volnosti ve volbě jak materiálu}, tak tloušíky 11 horní podložky, což umožňuje dosažení žádoucí kompenzace oče-kávaného poměru fázové rychlosti pro vlny vybuzené v lichéma sudém režimu až do jejich plné kompenzace včetně. Odtud získá-vá konstrukce symetrizátoru dobrou technologickou proveditelnostv důsledku eleiminace operací korigujících poměr rychlosti.
Konstrukce symetrizátoru podle vynálezu je aplikovatelnázvláště jako dělič energie l80 stupňů < ve spolupráci s druhýmsymetrizátorem a sekcí polovodivých diod jako dvojitě vyváženýsměšovač nebo modulátor. Výše popsaýá aplikace nevyčerpajívšechny možnosti vytvářené symetrizátorem podle vynálezu. Majívelmi výhodné charakteristiky ve formě širokopásmových Vlastností,které mohou přesáhnout dokonce tři oktávy. Kromě toho stojí zapovšimnutí výhodná vrstvová struktura konstrukce symetrizátorus udržováním neporušené spodní raetalizované zemní roviny vhodnéjak pro technologii teníkých vrstev založených na aluminiovémpodkladu Al^O^ stejně jako pro monolitickou technologii použí-vající polovodivý galiumarsenid GaAs a vrstvu silikonnitriduSi^N^. Monolitické provedení vytváří také možnost vytvářeníselektivní epitaxní nebo iontové implantace na polovodivýchpřechodech přímo z materiálu podkladu použitého symetrizátoru,například pro konstrukci směšovače monolitickou technologií.
Konstrukce symetrizátoru podle vynálezu je vhodná pro i použití ve frekvenčním rozsahu od jednoho do 18 GHz, to je$řť v rozsahu charakteristickém pro široké použití mikropáskovýchvedení. V rozsahu kmitočtu nižších od pásma S je vůči symetrizá-torům používajícím feritová jádra méně výhodný, zatímco pro 12 kmitočty nad 18 GHz je horší než syraetrizátory používajícížebrová vedení a štěrbinová vedení, které ho překonávají vzhledem ke svému snadnějšímu kombinování s vlnovodnou technikou.
Claims (6)
- - 13 - PATENTOVÉ NÁROKY1. Mikrovlnný symetrizátor pro směšovače a modulátory s vlnovodypříčných elektromagnetických vln, sestávající ze dvoureaktančních sekcí druhého řádu o elektrických délkáchodpovídajících čtvrtině vlnové délky vysokofrekvenčníhosignálu, obsahující nesymetrický vstupní port a symetrickývýstupní port, vyznačující se tím, žekaždá sekce (i, II)obsahuje dva mikropáskové vlnovody z nichž první vlnovod (l) je uložen na horní straně spodního vrstveného podkladu (3)opatřeného metalizací (o) spodní strany, a druhý vlnovod (2)je uspořádán souběžně s prvním vlnovodem (l) a je od něj oddě-len horním vrstveným podkladem (4), pár vstupních vlnovodů,vždy po jednom z každé sekce (i, li) je vzájemně propojensvými přilehlými konci (l2, 2l), zatímco jeden ze zbývajícíchkonců (ll) je připojen ke vstupu (lO) a druhý konec (22) jeukončen odrazovým prvkem vysokofrekvenčního signálu, kdežto párvýstupních vlnovodů (lf 2*) vytváří svými dvěma konci, vždypo jednom z každé sekce, pár svorek výstupního portu propřipojení efektivně vyvážené zátěže, kdežto oba zbývajícíkonce (ll* 22*) výstupních vlnovodů (l*, 2*) jsou ukončenyodrazovým prvkem vysokofrekvenčního signálu, přičemž fázeodrazových prvků výstupních vlnovodů (l*, 2*) jsou si vzájemeněrovny a jsou opačné hodnoty než fáze odrazových prvků vstupníchvlnovodů (l, 2). τ XI > O o < o00 5 i— 2 m - O O o sr to o - 14
- 2. Mikrovlnný symetrizátor podle bodu 1, vyznačující se tím,že na svorky -výstupního portu jsou připojeny dva vodivéprvky umístěné mimo vlnovody.
- 3. Mikrovlnný symetrizátor podle bodu 2, vyznačující se tím,že výstupní port je opatřen zemnící spojkou pro připojenípáru nesymetrických zátěží. Mikrovlnný symetrizátor podle bodu 2, vyznačující se tím, žek vodivým prvkům je připojena sít elektronicky řízených prvků.
- 5. Mikrovlnný symetrizátor podle bodu 4, vyznačující se tím, že síí elektronicky řízených prvků je tvořena polovodičovýmipřechody uloženými přímo ve spodním vrstveném podkladě (3)v sousedství svorek výstupního portu. ó.cMikrovlnný symetrizátor podle bodu 1, vyznačující se tím,že na symetrický výstupní port je prostřednictvím vodivýchelementů připojen symetrický výstupní port dalšího symetrizátoru obdobné konstrukce. 7· Mikrovlnný symetrizátor podle bodu ó, vyznačující se tím, ževodivými elementy jsou elektronicky řízené prvky.
- 8. Mikrovlnný symetrizátor podle bodu 1, vyznačující se tím,že odrazové prvky na vnějších koncích (li*, 21 ') výstupníchvlnovodů (l , 2') jsou tvořeny dvěma elektronicky řízenými obvody - 15 -
- 9. Mikrovlnný symetrizátor podle bodu 1, vyznačující se tím,že odrazové prvky na vnějších koncích (ll*, 21') výstupníchvlnovodů (l\ 2*) jsou tvořeny dvěma polovodičovými přechodyuloženými přímo ve spodním vrstveném podkladě (3) v sousedstvísvorek výstupního portu.ΖΓ 2309 24.5.1990
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL1983245000A PL141094B1 (en) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | Microwave balun transformer,especially for mixers and modulators |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS929284A2 true CS929284A2 (en) | 1991-02-12 |
Family
ID=20019531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS849292A CS929284A2 (en) | 1983-12-09 | 1984-12-03 | Microwave symmetrizer for mixers and modulators |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4755775A (cs) |
| EP (1) | EP0146086A3 (cs) |
| JP (1) | JPS6121601A (cs) |
| CS (1) | CS929284A2 (cs) |
| HU (1) | HU192180B (cs) |
| PL (1) | PL141094B1 (cs) |
| SU (1) | SU1510726A3 (cs) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8521727D0 (en) * | 1985-08-31 | 1985-10-02 | Plessey Co Plc | Balun circuits |
| US4876744A (en) * | 1987-01-16 | 1989-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mixer with rat race circuit |
| US5025232A (en) * | 1989-10-31 | 1991-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Monolithic multilayer planar transmission line |
| US5280647A (en) * | 1990-06-14 | 1994-01-18 | Taisei Co., Ltd. | Double-balanced mixer with triple-layer film transformers |
| US5125111A (en) * | 1990-09-04 | 1992-06-23 | Rockwell International Corporation | Resistive planar ring double-balanced mixer |
| US5565881A (en) * | 1994-03-11 | 1996-10-15 | Motorola, Inc. | Balun apparatus including impedance transformer having transformation length |
| DE4438809B4 (de) * | 1994-10-31 | 2004-11-04 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Dipolspeiseanordnung |
| US5534830A (en) * | 1995-01-03 | 1996-07-09 | R F Prime Corporation | Thick film balanced line structure, and microwave baluns, resonators, mixers, splitters, and filters constructed therefrom |
| US5745017A (en) * | 1995-01-03 | 1998-04-28 | Rf Prime Corporation | Thick film construct for quadrature translation of RF signals |
| US5774801A (en) * | 1995-08-23 | 1998-06-30 | Ericsson Inc. | High dynamic range mixer having low conversion loss, low local oscillator input power, and high dynamic range and a method for designing the same |
| US5819169A (en) * | 1996-05-10 | 1998-10-06 | Northrop Grumman Corporation | High performance mixer structures for monolithic microwave integrated circuits |
| US5781078A (en) * | 1996-12-05 | 1998-07-14 | Glenayre Electronics, Inc. | Filter enhancement using input-to-output ground isolation and shielding |
| KR100223375B1 (ko) * | 1997-06-11 | 1999-10-15 | 윤종용 | 마이크로웨이브 시스템에 사용하기 위한 주파수변환기 |
| US6201439B1 (en) * | 1997-09-17 | 2001-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Power splitter/ combiner circuit, high power amplifier and balun circuit |
| US5970353A (en) * | 1998-03-30 | 1999-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reduced channel length lightly doped drain transistor using a sub-amorphous large tilt angle implant to provide enhanced lateral diffusion |
| US6094570A (en) * | 1998-05-06 | 2000-07-25 | Northrop Grumman | Double-balanced monolithic microwave integrated circuit mixer |
| US6294965B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-09-25 | Anaren Microwave, Inc. | Stripline balun |
| US6133806A (en) * | 1999-03-25 | 2000-10-17 | Industrial Technology Research Institute | Miniaturized balun transformer |
| US6351192B1 (en) | 1999-03-25 | 2002-02-26 | Industrial Technology Research Institute | Miniaturized balun transformer with a plurality of interconnecting bondwires |
| US6278340B1 (en) | 1999-05-11 | 2001-08-21 | Industrial Technology Research Institute | Miniaturized broadband balun transformer having broadside coupled lines |
| JP3840957B2 (ja) * | 2001-01-24 | 2006-11-01 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子及び通信装置 |
| US6529090B2 (en) | 2001-05-15 | 2003-03-04 | Lockheed Martin Corporation | Two-sided printed circuit anti-symmetric balun |
| KR100715861B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-05-11 | 삼성전자주식회사 | 발룬 |
| JP5249508B2 (ja) | 2006-11-06 | 2013-07-31 | 三菱重工業株式会社 | 軌道系交通システム |
| TWI351784B (en) * | 2008-05-29 | 2011-11-01 | Cyntec Co Ltd | Balun |
| EP2348572A4 (en) * | 2008-11-14 | 2013-04-17 | Fujikura Ltd | DEVICE MULTIPLE RESIN LAYERS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US8354892B2 (en) * | 2009-11-03 | 2013-01-15 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Marchand balun device for forming parallel and vertical capacitance |
| JP5427702B2 (ja) * | 2010-06-11 | 2014-02-26 | パナソニック株式会社 | 不平衡平衡変換器 |
| FR2965112B1 (fr) * | 2010-09-21 | 2013-06-07 | Thales Sa | Symetriseur large bande sur circuit multicouche pour antenne reseau |
| US8868021B1 (en) | 2013-04-05 | 2014-10-21 | National Instruments Corporation | Ultra-broadband planar millimeter-wave mixer with multi-octave IF bandwidth |
| CN103474734B (zh) * | 2013-08-20 | 2016-08-10 | 京信通信技术(广州)有限公司 | 电桥 |
| US9583841B2 (en) | 2013-12-19 | 2017-02-28 | Saab Ab | Balun |
| US9692387B2 (en) * | 2015-07-24 | 2017-06-27 | Nxp Usa, Inc. | Balun transformer |
| US12199585B2 (en) * | 2020-12-10 | 2025-01-14 | Skyworks Solutions, Inc. | Baluns with integrated matching networks |
| CN113098451B (zh) * | 2021-03-02 | 2022-11-04 | 电子科技大学 | 一种基于双平衡结构的宽带微波窄脉冲调制器 |
| US11876278B2 (en) | 2021-03-29 | 2024-01-16 | Raytheon Company | Balun comprising stepped transitions between balance and unbalance connections, where the stepped transitions include ground rings of differing lengths connected by caged vias |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2597853A (en) * | 1945-01-03 | 1952-05-27 | Us Sec War | Unbalanced to balanced line transformer |
| US2606964A (en) * | 1948-02-07 | 1952-08-12 | Rca Corp | Radio frequency transmission line circuits |
| US3222621A (en) * | 1961-01-28 | 1965-12-07 | Nippon Electric Co | Coupling device |
| US3497832A (en) * | 1967-08-24 | 1970-02-24 | Emerson Electric Co | Radio frequency transmission line tee hybrid |
| US3656071A (en) * | 1970-06-25 | 1972-04-11 | Rca Corp | Wide band balun |
| US3757342A (en) * | 1972-06-28 | 1973-09-04 | Cutler Hammer Inc | Sheet array antenna structure |
| US3818385A (en) * | 1972-09-21 | 1974-06-18 | Aertech | Hybrid junction and mixer or modulator |
| US3845490A (en) * | 1973-05-03 | 1974-10-29 | Gen Electric | Stripline slotted balun dipole antenna |
| JPS51135351A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Frequency converter |
| US3991390A (en) * | 1975-07-31 | 1976-11-09 | Motorola, Inc. | Series connected stripline balun |
| US4052785A (en) * | 1975-11-28 | 1977-10-11 | Dana Corporation | Method of making a transformer assembly |
| US4032850A (en) * | 1976-01-12 | 1977-06-28 | Varian Associates | Coaxial balun with doubly balanced heterodyne converter |
| JPS5423447A (en) * | 1977-07-25 | 1979-02-22 | Toshiba Corp | Strip line coupling circuit |
| JPS5857001B2 (ja) * | 1977-12-23 | 1983-12-17 | 三菱電機株式会社 | プッシュプル変換回路 |
| US4186352A (en) * | 1978-03-23 | 1980-01-29 | Rockwell International Corporation | Signal converter apparatus |
| US4193048A (en) * | 1978-06-22 | 1980-03-11 | Rockwell International Corporation | Balun transformer |
| US4288762A (en) * | 1978-09-26 | 1981-09-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Wideband 180° hybrid junctions |
| US4276521A (en) * | 1978-12-18 | 1981-06-30 | Trw Inc. | Quadriphase integrated high-speed microwave modulator |
| US4245356A (en) * | 1979-04-27 | 1981-01-13 | Rockwell International Corporation | Frequency translator |
| DE2929522A1 (de) * | 1979-07-20 | 1981-01-29 | Siemens Ag | Symmetrieruebertrager fuer den mikrowellenbereich |
| JPS5635507A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-08 | Nec Corp | Double balanced frequency transducer |
| US4260963A (en) * | 1979-10-18 | 1981-04-07 | Rockwell International Corporation | 4:1 Balun |
| US4288759A (en) * | 1980-01-28 | 1981-09-08 | Stover Harry L | Microwave transformer |
| GB2089135B (en) * | 1980-11-28 | 1984-08-01 | Marconi Co Ltd | Improvements in or relating to baluns |
| US4330868A (en) * | 1980-12-15 | 1982-05-18 | Rockwell International Corp. | Balun coupled microwave frequency converter |
| US4371982A (en) * | 1981-03-13 | 1983-02-01 | Rockwell International Corporation | Microwave frequency converter with economical coupling |
| US4375699A (en) * | 1981-03-13 | 1983-03-01 | Rockwell International Corporation | Microwave frequency converter with dual balun port |
| US4392250A (en) * | 1981-05-19 | 1983-07-05 | Rockwell International Corporation | Symmetric microwave mixer |
| US4359782A (en) * | 1981-05-19 | 1982-11-16 | Rockwell International Corporation | Microwave mixer with linking juxtaposed balun port |
| US4380831A (en) * | 1981-07-24 | 1983-04-19 | Rockwell International Corporation | Symmetric microwave mixer with improved isolation |
| US4392251A (en) * | 1981-07-24 | 1983-07-05 | Rockwell International Corporation | Symmetric microwave mixer with coplanar diode connection |
| US4399562A (en) * | 1981-07-24 | 1983-08-16 | Rockwell International Corporation | Full balun mixer |
-
1983
- 1983-12-09 PL PL1983245000A patent/PL141094B1/pl unknown
-
1984
- 1984-11-28 SU SU843817577A patent/SU1510726A3/ru active
- 1984-12-03 CS CS849292A patent/CS929284A2/cs unknown
- 1984-12-04 US US06/677,847 patent/US4755775A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-12-06 HU HU844542A patent/HU192180B/hu not_active IP Right Cessation
- 1984-12-07 EP EP84114890A patent/EP0146086A3/en not_active Withdrawn
- 1984-12-10 JP JP59261681A patent/JPS6121601A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HU192180B (en) | 1987-05-28 |
| HUT37691A (en) | 1986-01-23 |
| PL245000A1 (en) | 1985-07-02 |
| PL141094B1 (en) | 1987-06-30 |
| JPS6121601A (ja) | 1986-01-30 |
| EP0146086A2 (en) | 1985-06-26 |
| EP0146086A3 (en) | 1987-08-26 |
| US4755775A (en) | 1988-07-05 |
| SU1510726A3 (ru) | 1989-09-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CS929284A2 (en) | Microwave symmetrizer for mixers and modulators | |
| US5265266A (en) | Resistive planar star double-balanced mixer | |
| US4607394A (en) | Single balanced planar mixer | |
| US5628057A (en) | Multi-port radio frequency signal transformation network | |
| US6407647B1 (en) | Integrated broadside coupled transmission line element | |
| Tsai et al. | A generalized model for coupled lines and its applications to two-layer planar circuits | |
| US6069587A (en) | Multiband millimeterwave reconfigurable antenna using RF mem switches | |
| US8179304B2 (en) | Direct-current blocking circuit, hybrid circuit device, transmitter, receiver, transmitter-receiver, and radar device | |
| US5125111A (en) | Resistive planar ring double-balanced mixer | |
| US5303419A (en) | Aperture-coupled line Magic-Tee and mixer formed therefrom | |
| US4032849A (en) | Planar balanced mixer/converter for broadband applications | |
| Hettak et al. | Compact MMIC CPW and asymmetric CPS branch-line couplers and Wilkinson dividers using shunt and series stub loading | |
| US20150303547A1 (en) | Vaisman baluns and microwave devices employing the same | |
| EP3846284B1 (en) | Device for mixing or multiplying frequency | |
| KR20090056626A (ko) | 광대역 마이크로스트립 밸룬 및 그 제조방법 | |
| JP2004535131A (ja) | 2個の放射要素を備えるリアクティブ結合アンテナ | |
| US4543545A (en) | Microwave radio frequency power divider/combiner | |
| Hettak et al. | New miniature broadband CPW-to-slotline transitions | |
| US4430758A (en) | Suspended-substrate co-planar stripline mixer | |
| US4291415A (en) | Microwave integrated circuit double balanced mixer | |
| US20030098759A1 (en) | Wideband 180 microwave phase switch | |
| US4661997A (en) | Mixer for use in a microwave system | |
| Lin et al. | Tunable balanced power dividers: An overview of recently developed balanced power dividers and couplers with fixed and tunable functions | |
| US20020149440A1 (en) | Broadband millimeter wave microstrip balun | |
| US4749969A (en) | 180° hybrid tee |