CS274525B1 - Method of silicon target making by means of currentless chemical plating - Google Patents
Method of silicon target making by means of currentless chemical plating Download PDFInfo
- Publication number
- CS274525B1 CS274525B1 CS901688A CS901688A CS274525B1 CS 274525 B1 CS274525 B1 CS 274525B1 CS 901688 A CS901688 A CS 901688A CS 901688 A CS901688 A CS 901688A CS 274525 B1 CS274525 B1 CS 274525B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- silicon
- isles
- ammonium
- layer
- silicon target
- Prior art date
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 17
- 238000007747 plating Methods 0.000 title abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims abstract description 8
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- XXSPKSHUSWQAIZ-UHFFFAOYSA-L 36026-88-7 Chemical compound [Ni+2].[O-]P=O.[O-]P=O XXSPKSHUSWQAIZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 4
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 4
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- -1 ammonium chloride Chemical compound 0.000 abstract description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910018614 Ni(H2PO2)2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- GOZCEKPKECLKNO-RKQHYHRCSA-N Picein Chemical compound C1=CC(C(=O)C)=CC=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 GOZCEKPKECLKNO-RKQHYHRCSA-N 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu zhotovení křemíkového terčíku bezproudým chemickým pokovením, opatřeného z jedné strany systémem fotodiod, překrytých mozaikou vzájemně odizolovaných ostrovků polovodivé vrstvy, vytvořených zpravidla z polykrystalického křemíku.
Nynější způsob zhotovení křemíkového vidikonu s větší citlivostí dosahované technikou systému fotodiodpřekrytých polovodivými nebo vodivými ostrůvky, používá několika provedení těchto ostrůvků. V příslušné literatuře, například podle čsl. autorského osvědčení č. 241 850, S. 243 414, č. 243 413, jsou některá dřívější provedení'popsána a některá nově navrhována. Jde zde například o plazmatické vyleptávání mozaiky ostrůvků v souvislé polovodivé vrstvě naneseného polykrystalického křemíku. Nově navrhované způsoby zhotovení, například ve výše uvedených vynálezech, se týkají například výhodných způsobů leptání i používaných leptadel. Dále jsou navrhovány některé optimální materiály pro vytváření ostrůvků, případně kombinace materiálů, z nichž jsou ostrůvky sestaveny, například překrytím polovodivého ostrůvku vodivou vrstvou.
Existují rovněž různé způsoby bezproudového pokovení, z nichž některé lze použít též k pokovení povrchu křemíku. Uvedeny jsou například v následujících spisech: DOS 31 27 156, EP 00 84 517, EP 00 4 711, DE 28 03 147, DE 1201 651, US 4 474 838. Žádný z uvedených způsobů pokovení však nezaručuje požadavek zachování následné vysoké čistoty povrchu, zvláště pokud jde o nepřípustnou kontaminaci povrchu křemíku cizími ionty, například ionty alkalických kovů. Uvedené způsoby pokovení rovněž nesledují nároky na geometrii nanesené vrstvy niklu.
US 4 472 458 popisuje pokovování na zcela jiném principu. Pokovování se zde děje pomocí redukce organokovových sloučenin. Tento způsob rovněž nezaručuje zachování požadované čistoty povrchu křemíku, ani požadavek geometrie vrstvy. Totéž platí o způsobu popsaném v patentovém spisu US 4 927 393, kde redukce zprostředkující pokovení probíhá navíc nepřijatelným způsobem, za součinnosti křemíku, který se oxiduje na Si02·
Dosud užívané způsoby zhotovení mají ovšem své nevýhody, spočívající například v obtížně nastavitelném specifickém odporů ostrůvků, pokud jsou ostrůvky zhotoveny z některých polovodivých materiálů, třeba polykrystalického či amorfního křemíku. Tuto nevýhodu lze odstranit tím, že ostrůvky se zhotoví z vodivého materiálu, nebo kombinací materiálu vodivého a polovodivého. Zde je ovšem technologicky dost náročné, pomocí vhodné kombinace nanášení materiálů, maskování a leptání, docílit požadované geometrie ostrůvků, mezer a podleptání v mezerách.
Shora uvedené nedostatky odstraňuje způsob zhotovení křemíkového terčíku bezproudovým chemickým pokovením, kdy se křemíková deska opatří z jedné strany systémem fotodiod překrytých křemíkovou vrstvou vzájemně odisolovaných ostrůvků jednotlivých fotodiod, dále se křemíková testva ostrůvků překryje kovovou vrstvou, jehož podstatou je, že kovová vrstva Ni ostrůvků se nanese bezproudovým chemickým pokovením v lázni, obsahující 38 g/1 Ni(H2P02)2 . 6H20, tj. fosfornan nikelnatý, g/1 NH^Cl, tj. chlorid amonný, g/1 (NH^) ^ε^Η^Ο^, tj. citran amonný, g/1 02Η2Ν2(0Η2000Η)4, tj. etylendiamin-tetraoctovou kyselinu a ml/1 25% NH^OH, tj. 25 % vodní roztok hydroxidu amonného, doplněné do 1 litru destilovanou vodou.
Vyšší účinek způsobu zhotovení křemíkového terčíku podle vynálezu, ve srovnání s náročným zpňsnbnm používajícím maskování, je spatřován jednak v jeho technologické jednoduchosti, jednak v možnosti přesného nastavení požadované energie. Navíc lze vhodným nastavením tloušťky vrstvičky kovu docílit jak požadovanou vodivost, tak zároveň i důležitou nejužší velikost mezer mezi ostrůvky i geometrii zaoblení stěny ostrůvků.
Přednosti lázně podle vynálezu před ostatními lázněmi je především její schopnost realizace požadované geometrie niklové vrstvičky překrývající rovnoměrně ostrůvky poloCS 274 525 BX vodivé vrstvy a dále to, že lázeň obsahuje kromě nikelnatých kationtů výhradně neškodné amonné kationty, čímž je vyloučena nepřípustná kontaminace povrchu křemíku.
Příkladem způsobu zhotovení křemíkového terčíku typu vidikon podle vynálezu může být způsob užívající k překrytí křemíkové vrstvy polovodíkových ostrůvků kovovou vrstvou niklovací lázně tohoto složení:
g/1 Ni(H2P02)2 . 6H20, tj. fosfornan nikelnatý, g/1 NH^Cl, tj. chlorid amonný, g/1 (ΝΗΡχΟ^Η^Ογ, tj. citran amonný, g/1 C2H2N2(CH2C00H)4, tj. etylendiamin-tetraoctová kyselina a ml/1 25% NH^OH, tj. 25% vodní roztok hydroxidu amonného, doplněno do 1 litru destilovanou vodou.
Křemíkový terčík se před pokovením ponoří na dobu 1 minuty do 0,02% roztoku chloridu paladnatého a po oplachu destilovanou vodou se v niklovací lázni o teplotě 95 °C pokovuje po dobu 4 minut při rychlosti nárůstu vrstvy 12 um/hod. Po vyjmutí z lázně a oplachu destilovanou vodou se terčík ze strany fotodiod překryje piceinem a odleptá se případný nikl z odvrácené strany terčíku.
Vynálezu lze použít při výrobě vidikonů zhotovených epitážní technologií.
Claims (1)
- Způsob zhotovení křemíkového terčíku bezproudovým chemickým pokovením, kdy se křemíková deska opatří z jedné strany systémem fotódiod překrytých křemíkovou vrstvou vzájemně odizolovaných ostrůvků jednotlivých fotodiod, dále se křemíková vrstva ostrůvků překryje kovovou vrstvou, vyznačený tím, že kovová vrstva Ni ostrůvků se nanese bezproudovým chemickým pokovením v lázni, obsahující38 g/1 Ni(H2P02)2 . 6H20, tj. fosfornan nikelnatý,50 g/1 NH^Cl, tj. chlorid amonný,65 g/1 (NH^ijCgHjOy, tj. citran amonný,6 g/1 C2H2N2(CH2C00H)4, etylendiamin-tetraoctovou kyselinu a40 ml/1 25% NH^OH, tj. 25% vodní roztok hydroxidu amonného, doplněné do 1 litru destilovanou vodou.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS901688A CS274525B1 (en) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | Method of silicon target making by means of currentless chemical plating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS901688A CS274525B1 (en) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | Method of silicon target making by means of currentless chemical plating |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS901688A1 CS901688A1 (en) | 1990-07-12 |
| CS274525B1 true CS274525B1 (en) | 1991-04-11 |
Family
ID=5441468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS901688A CS274525B1 (en) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | Method of silicon target making by means of currentless chemical plating |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS274525B1 (cs) |
-
1988
- 1988-12-29 CS CS901688A patent/CS274525B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS901688A1 (en) | 1990-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0035626B1 (en) | Improved electroless plating process for glass or ceramic bodies | |
| US4557037A (en) | Method of fabricating solar cells | |
| JP2002305311A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 | |
| FR2578272B1 (fr) | Procede de formation sur un substrat d'une couche de siliciure de tungstene, utilisable notamment pour la realisation de couches d'interconnexion des circuits integres. | |
| RU2374359C2 (ru) | Составы для обесточенного осаждения тройных материалов для промышленности полупроводников | |
| KR930008971A (ko) | 반도체 장치의 층간 절연막 형성방법 | |
| US5017516A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| US3798056A (en) | Electroless plating process | |
| US4695489A (en) | Electroless nickel plating composition and method | |
| CS274525B1 (en) | Method of silicon target making by means of currentless chemical plating | |
| US3841881A (en) | Method for electroless deposition of metal using improved colloidal catalyzing solution | |
| US3130072A (en) | Silver-palladium immersion plating composition and process | |
| GB2133046A (en) | Electroless direct deposition of gold in metallized ceramics | |
| KR100859259B1 (ko) | 캡층 형성을 위한 코발트 계열 합금 무전해 도금 용액 및이를 이용하는 무전해 도금 방법 | |
| EP0221359B1 (en) | A process for accelerating pd/sn seeds for electroless copper plating | |
| JPS5985855A (ja) | 金めつき浴 | |
| US3982054A (en) | Method for electrolessly depositing metals using improved sensitizer composition | |
| JPS6141774A (ja) | 水性・無電解ニツケル改良浴及び方法 | |
| Okinaka | Electroless plating of gold and gold alloys | |
| Shahidin et al. | Effect of etching as pre-treatment for electroless copper plating on silicon wafer | |
| JP3086762B2 (ja) | 無電解銅メッキ液および該メッキ液を用いた銅薄膜の形成方法 | |
| JP3554349B2 (ja) | セラミックスの金属化方法 | |
| JPS57115864A (en) | Compound semiconductor device | |
| US8062969B2 (en) | Methods of selectively growing nickel-containing materials | |
| US3432337A (en) | Process for the currentless deposition of copper-tin layers |