CS271147B1 - Lustre forming admixture - Google Patents
Lustre forming admixture Download PDFInfo
- Publication number
- CS271147B1 CS271147B1 CS887061A CS706188A CS271147B1 CS 271147 B1 CS271147 B1 CS 271147B1 CS 887061 A CS887061 A CS 887061A CS 706188 A CS706188 A CS 706188A CS 271147 B1 CS271147 B1 CS 271147B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- hydrogen
- carbon
- acid
- general formula
- carbon atoms
- Prior art date
Links
- VQLYBLABXAHUDN-UHFFFAOYSA-N bis(4-fluorophenyl)-methyl-(1,2,4-triazol-1-ylmethyl)silane;methyl n-(1h-benzimidazol-2-yl)carbamate Chemical compound C1=CC=C2NC(NC(=O)OC)=NC2=C1.C=1C=C(F)C=CC=1[Si](C=1C=CC(F)=CC=1)(C)CN1C=NC=N1 VQLYBLABXAHUDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 5
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims abstract description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 3
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 claims abstract description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 13
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 6
- -1 nitro- Chemical class 0.000 claims description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical group C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 2
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 9
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 abstract description 2
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical group [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 abstract 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OLCLIWVKEDRSFW-UHFFFAOYSA-N 5-amino-5-oxopentane-1-sulfonic acid Chemical compound NC(=O)CCCCS(O)(=O)=O OLCLIWVKEDRSFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 2
- FSSPGSAQUIYDCN-UHFFFAOYSA-N 1,3-Propane sultone Chemical compound O=S1(=O)CCCO1 FSSPGSAQUIYDCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 4-nonylphenol Polymers CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Polymers NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N butane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCS(O)(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000711 cancerogenic effect Effects 0.000 description 1
- 231100000315 carcinogenic Toxicity 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N ethenamine Polymers NC=C UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003916 ethylene diamine group Polymers 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Polymers CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012224 working solution Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
Řešení se týká leskutvorné přísady do kyselých galvanických mědících lázní. Přísada sestává z dithioderivátů karbamoyl-4-butansulfonové kyseliny obecného vzorce R-(CH2)4S0ZMe+, kde Me je sodík, draslík nebo νοοίκ a R je zbytek obecného vzorce Ila nebo lib, kde R1 je o-disubstituované aromatické jádro s počtem atomů uhlíku 6 až 20 nebo heteroaromatické jádro s počtem uhlíků 3 až 10, sírou, dusíkem nebo kyslíkem obsahující případně halo-, nitro-, sulfo-, hydroxy-, amino- a/nebo merkaptoskuoiny,nebo alkylen o počtu uhlíků 2 až 20. Rza fr jsou stejné nebo různé alkylové zbytky nebo vodík. Přísada dále obsahuje tenzid s molekulovou hmotností 200 až 15 000 v hmotnostním poměru 100 ku 1 až 1 ku 50 000.
| (11) | ||
| (13) | B1 | |
| (51) | Int. | Cl.5 |
| C 25 | 0 3/38 | |
| C 07 | D 277/74 | |
| C 07 | C 333/20 |
Ila lib
CS 271 147 Bl
Vynález se týká leskutvorné přísady pro síranovou, silně kyselou galvanickou mědící lázeň s vysokou hloubkovou účinností, která je například vhodná pro pokovování otvorů při výrobě desek plošných spojů.
V současné době užívané pokovovací lázně vzhledem к vysokému obsahu kyseliny sírové (až 200 g/1) a nízkému obsahu mědi (17 až 30 g/1) nejsou schopny pracovat bez leskutvorné přísady. Je známa široká paleta leskutvorných přísad, z nichž některé nelze v daném prostředí použít, jiné mají úzký rozsah použitelných proudových hustot pro vyloučení lesklého povlaku a vhodné tažnosti vyloučené mědi. Tyto nedostatky odstraňuje použití sodné soli dimethyldithiokarbamoyl-l-propansulfonové kyseliny a příbuzných derivátů (US patent č. 3 725 220). Nevýhoda této látky spočívá v nutnosti použití vysoce karcinogenního 1,3propansultonu při její syntéze.
Uvedenou nevýhodu odstraňuje leskutvorná přísada kyselých mědících lázní podle vynálezu. Jeho podstata spočívá v tom, že se skládá z dithioderivátů karbamoyl-4-butansulfonové kyseliny obecného vzorce I
R-(CH2)4S0jMe+(I), kde Me je sodík, draslík nebo vodík a R je zbytek obecného vzorce /SR \ \ II·
R< ,C-S- (Ila) ^N-C-S- (lib),
R^ ve kterém je o-disubstituované aromatické nebo heteroaromatické jádro, obsahující případně halo-, nitro-, sulfo-, hydroxy-, amino- a/nebo merkaptoskupiny nebo alkylen o počtu atomů uhlíku 2 až 20, R , R jsou stejné nebo různé alkylové zbytky o počtu uhlíků 1 až 6 nebo vodík, a z tenzidu na bázi etoxylovaného aminu, alkoholu, thiolu nebo fosfátu s molekulovou hmotností 200 až 15 000 v hmotnostním poměru 100 ; 1 až 1 : 50 000. Přítomnost uvedeného typu tenzidu zlepšuje účinnost přísady, zejména zvýšením lesku vyloučené vrstvy mědi. Samotný tenzid jako leskutvorná přísada nepůsobí.
Koncentrace soli uvedené butansulfonové kyseliny v pracovním roztoku je účinná v rozmezí 0,1 až 100 mg/1, u tenzidu na bázi polyethoxylované sloučeniny v rozmezí 1 až 5 000 mg/1.
Jako základní galvanická lázeň se používá vodný roztok síranu měďnatého a kyseliny sírové s přísadou chloridových iontů do 80 mh/1.
Leskutvorná přísada se používá jednak pro nasazení galvanické mědící lázně, jednak i pro její údržbu podle vzhledu povlaku nebo prošlých ampérhodin. Přísada není citlivá na předávkování. Vyloučená měď je tažná, při aplikaci na plošných spojích nedochází při teplotě 260 °.C po dobu 20 sekund к porušení vrstvy. Hloubková účinnost v otvorech je 90 až
100 % při průměru otvoru 0,8 mm a tloušťce materiálu 1,5 mm. Teplota lázně se může pohybovat od 0 do 35 °C, rozsah použitelných proudových hustot je 0,5 až 5 A/dm2.
Příklad 1
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující sodnou sůl N,N-dimethyldithiokarbamoyl-4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 1 mg/1 a polyethylenglykol o molekulové hmotnosti 1 300 v koncentraci 50 mg/1.
Pro galvanické mědění se připraví lázeň rozpuštěním 117 g síranu měďnatého, 190 g kyseliny sírové, 50 mg chloridových iontů s leskutvornou přísadou vil vody. Mědění probíhá při pokojové teplotě a napětí 1,5 až 2 A/dm poměaované plochy. Vzhledem ke 100 % proudové účinnosti je vyloučená vrstva mědi úměrná době a proudové hustotě. Vyloučená měď tvoří rovnoměrnou vrstvu, která je hladká a tažná.
CS 271 147 B1
Příklad 2
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující hyl-dithiokarbamoyl-4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 1 mg/1 molekulovou hmotností 6 000 v koncentraci 100 mg/1.
sodnou sůl N,N-dimeta polyethylenglykol s
Příklad 3
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující
2-merkaptobenthiazolyl-4-butansulfonovou kyselinu v koncentraci 10 mg/1 a polyethoxylovaný nonylfenol s 10 molekulami oxiranu v koncentraci 25 mg/1.
Příklad 4
Leskutvorná přísada kyselých galvanických lázní obsahující draselnou sůl N,N-dimethyldithiokarbamoyl-4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 50 mg/1 a polyethoxylovaný ethylenamin se 2 až 10 molekulami oxiranu v koncentraci 25 mg/1.
Příklad 5
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující sodnou sůl N,N-dimethyldlthiokarbaaoyl -4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 20 mg/1 a polyethylenglykol s molekulovou hmotností 1 500 v koncentraci 1 000 mg/1.
Příklad 6
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní, obsahující sodnou sůl N,N-dibutyldithiokarbaEioyl-4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 30 mg/1 a polyethoxylovaný ethylendiamin s molekulovou hmotností 12 000 v koncentraci 100 mg/1.
PŘEDMĚT VYNÁLEZU
Claims (1)
- Leskutvorná přísada do kyséLých galvanických mědících lázní, vyznačená tím, skládá z dithíoderivátů karbamoyl-4-butansulfonové kyseliny obecného vzorce I R-(CH2)4S0'Me+ kde Me je sodík, draslík nebo vodík a R je zbytek obecného vzorceHa nebo lib že se (I).SR C-S\Z (Ila) (Ha), ve kterém R^ je o-disubstituované aromatické jádro s počtem atomů teroaromatické jádro s počtem uhlíků 3 až 10, sírou, dusíkem nebo případně hale-, nitro-, počtu atomů uhlíku 2 až 20, Rz, R^ jsou stejné nebo různé alkylové zbytky o počtu atomů uhlíku jedna až šest nebo vodík, a z tenzidu na bázi etoxylovaného aminu, alkoholu, thiolu nebo fosfáru s molekulovou hmotností 200 až 15 000 v hmotnostním poměru 100 : 1 až 1 : 50 000.nebo heuhlíku 6 až 20 kyslíkem, obsahující sulfo-, hydroxy-, amino- a/nebo merkaptoskupiny nebo alkylen o
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS887061A CS271147B1 (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | Lustre forming admixture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS887061A CS271147B1 (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | Lustre forming admixture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS706188A1 CS706188A1 (en) | 1990-01-12 |
| CS271147B1 true CS271147B1 (en) | 1990-08-14 |
Family
ID=5419036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS887061A CS271147B1 (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | Lustre forming admixture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS271147B1 (cs) |
-
1988
- 1988-10-20 CS CS887061A patent/CS271147B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS706188A1 (en) | 1990-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4948474A (en) | Copper electroplating solutions and methods | |
| US3725220A (en) | Electrodeposition of copper from acidic baths | |
| US3770598A (en) | Electrodeposition of copper from acid baths | |
| US20040187731A1 (en) | Acid copper electroplating solutions | |
| ATE26312T1 (de) | Saure glanzmittel und einebnungsmittel enthaltende baeder zum elektrolytischen aufbringen von kupfer. | |
| AU2004239226B2 (en) | High purity electrolytic sulfonic acid solutions | |
| GB2159539A (en) | High speed copper electroplating process | |
| US4490220A (en) | Electrolytic copper plating solutions | |
| JPH0220714B2 (cs) | ||
| KR20010040084A (ko) | 알칸설포네이트 전해질로부터의 구리의 전기도금 | |
| US3862019A (en) | Composition of electroplating bath for the electrodeposition of bright nickel | |
| CS271147B1 (en) | Lustre forming admixture | |
| US5024736A (en) | Process for electroplating utilizing disubstituted ethane sulfonic compounds as electroplating auxiliaries and electroplating auxiliaries containing same | |
| ES476909A1 (es) | Un procedimiento para la preparacion de un bano acuoso de galvanizado, no cianurado. | |
| GB884035A (en) | Process for the production of electrolytic copper platings | |
| TWI659131B (zh) | 含有胺與聚丙烯醯胺之反應產物的化合物的銅電鍍浴 | |
| KR102125240B1 (ko) | 아민과 폴리아크릴아미드와 설톤의 반응 생성물의 화합물을 함유하는 구리 전기도금욕 | |
| US2994648A (en) | Nickel plating additives | |
| CN103451691A (zh) | 电解铜镀液以及电镀铜方法 | |
| US3400059A (en) | Acidic copper electroplating baths and method | |
| BR112019026518A2 (pt) | banho de galvanoplastia, e, método para depositar eletroliticamente um revestimento de cobre sobre um substrato. | |
| CS267515B1 (cs) | Leskutvorná přísada | |
| KR20180048988A (ko) | 아민과 퀴논의 반응 생성물의 화합물을 함유하는 구리 전기도금욕 | |
| US3219559A (en) | Additive for level nickel plating | |
| US3386897A (en) | Electroplasting bright nickel |