CS269118B1 - Výkonový polovodičový nodul - Google Patents

Výkonový polovodičový nodul Download PDF

Info

Publication number
CS269118B1
CS269118B1 CS88344A CS34488A CS269118B1 CS 269118 B1 CS269118 B1 CS 269118B1 CS 88344 A CS88344 A CS 88344A CS 34488 A CS34488 A CS 34488A CS 269118 B1 CS269118 B1 CS 269118B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
semiconductor
systems
module
cooling
cooling pin
Prior art date
Application number
CS88344A
Other languages
English (en)
Other versions
CS34488A1 (en
Inventor
Bohumil Ing Kolman
Jiri Ing Pliva
Jaroslav Rndr Zamastil
Vladimir Ing Jirutka
Jan Ing Makovicka
Original Assignee
Kolman Bohumil
Pliva Jiri
Zamastil Jaroslav
Jirutka Vladimir
Makovicka Jan
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kolman Bohumil, Pliva Jiri, Zamastil Jaroslav, Jirutka Vladimir, Makovicka Jan filed Critical Kolman Bohumil
Priority to CS88344A priority Critical patent/CS269118B1/cs
Publication of CS34488A1 publication Critical patent/CS34488A1/cs
Publication of CS269118B1 publication Critical patent/CS269118B1/cs

Links

Landscapes

  • Rectifiers (AREA)

Abstract

Účele· řeSeni je vytvoření výkonového polovodičového »©dulu vySSÍbo stupně integrace, který ie osazen větSí· počte· polovodičovycn systéeů. uvedené­ ho účelu se dosahuje uaistčnin polovodičových systémů nad sebou a přitlačovanýcn jednou přítlačnou konstrukci k propojovací· a vývodní· plecho· a k chladicí·! čepu.

Description

Vynález se týká výkonového polovodičového modulu vyššího stupně integrace, který Je osazen větším počte* výkonových polovodičových systémů.
Výkonové polovodičové Moduly slouží k řízeni, usměrňování, regulaci a ovládání střídavého proudu. Zpravidla jsou osazeny dvěma polovodičovými systémy, a to zejména diodovými, tyristorovými nebo tranzistorovými, popřípadě jejich kombinacemi.
U výkonového polovodičového modulu podle čs. autorského osvědčení č. 226 323 má každý polovodičový systém svůj chladicí čep ke kterému je přitlačován vlastní přítlačnou konstrukcí. Chladicí čep prochází noanou deskou a tvoří vnější dosedací plochu modulu. Od chladicího čepu je polovodičový systém elektricky izolován keramickou podložkou, vloženou mezi čep a vývodní plech, avšak tepelně je polovodičový aystém o chladicím čepem spojen. Přítlačná konstrukce je tvořena na izolační vložce nasazenými talířovými pružinami a příčníkem, šrouby, procházející příčníkem jsou zakotveny v nosné desce. Polovodičové systémy jsou spojeny vzájemně propojovacími, popřípadě vývodními plechy, které tvoří vnější přívody modulu.
Při vyšším otupni integrace, kdy je požadováno propojení více polovodičových systémů, musí být polovodičový modul osazen více chladicími, čepy, popřípadě musí být propojováno vzájemně několik polovodičových aodulů. Tato opatření vedou ke zvětšení rozměrů a hmotnosti modulů, popřípadě sestav modulů na chladiči.
Požadavku vyšší integrace vyhovuje výkonový polovodičový modul podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že na chladícím čepu jsou umístěny nad sebou nejméně dva polovodičové systémy, přičemž dosedají na propojovací a vývodní plechy, tvořící jednak vnitřní propojení a jednak vnější vývody modulu a k chladicímu čepu jsou polovodičové systémy přitlačovány přítlačnou konstrukcí přes kontakt vývodního plechu a horní kontakt, přiléhající k hornímu polovodičovému systému. Umístění polovodičových systémů na chladicím Čepu je provedeno tak, že systém blíže čepu mé stejný nebo větší průměr, než systém nad ním.
Konstrukce polovodičového modulu podle vynálezu zajišťuje vyšší stupeň integrace polovodičových modulů při zachování vnějších rozměrů a umožňuje realizaci složitějších vnitřních zapojení.
Příklad provedení výkonového polovodičového modulu podle vynálezu je na připojeném výkresu, kde je v řezu znázorněn polovodičový modul se dvěma chladicími čepy, kde na každém z nich jaou dva polovodičové systémy.
V pouzdře z plastu, které ae skládá z krytu .1 a víka 2^ jsou umístěny polovodičové systémy 3a, 3b, 3c, 3d. Tyriatorové ayatémy 3a, 3b jaou umístěny nad diodovými systémy 3c, 3d. systémy jsou tepelně spojeny s chladicími čepy 4, od kterých jsou elektricky izolovány keramickými podložkami 5. Polovodičové systémy 3a, 3b, 3c, 3d dosedají na vývodní plechy 6, 7, 8, které tvoří zároveň i vnitřní propojení modulu. Mezi vývodními plechy 6, 8 a tyriatorové systémy 3a, 3b jsou umístěny hornf kontakty 9, Každá sestava polovodičových systémů 3a, 3c, respektive 3b, 3d a vývodních plechů 6, 7, 8 je k chladicímu čepu 4 přitlačována vlastní přítlačnou konstrukcí, sestávající z talířových pružin 10, nasazených na izolační vložce 11 a příčníku 12. Příčníkem 12 prochází šrouby zakotvené v nosné desce 13. V izolační vložce 11, horním kontaktu 9 je otvor pro vyvedení řídicí elektrody. Řídicí elektroda tyristorového systému 3a, respektive 3b je vyvedena na konektor 14 umístěný ve víku 2. Dutina modulu je vyplněna plastem 15.
Dosedací plochu modulu tvoří chladicí čepy 4, v nosné desce 13 jsou otvory .16 pro připojení modulu na chladič.
Konstrukce výkonového polovodičového modulu umožňuje integraci polovodičových struktur, které jsou uloženy nad sebou a jejich vyšší počet minimálně zvětšuje prostor pro jejich uložení v modulu.
CS 269118 Bl
Výkonový polovodičový modul podle vynálezu lze využít v polovodičové technice, například v měničích, usměrňovačich a podobná. .

Claims (2)

  1. P Ř E 0 M ř T VYNÁLEZU
    1. Výkonový polovodičový oodul, alespoň se třeni polovodičovými systémy, uloženými v uzavřeném pouzdře, se základnou tvořenou nosnou deskou, kterou prochází dva chladicí čepy, se kterými jsou tepelné spojeny polovodičové systémy, avSak elektricky jsou od nich izolovány keramickými deskami, přiléhajícími ke chledicím čepům, přičemž ke každému chladicímu čepu přísluěí přítlačná konstrukce, tvořená na izolační vložce nasazenými talířovými pružinami a příčníkem, kterým procházejí Šrouby zakotvené v nosné desce, vyznačující se tím, že na chladicím čepu (4) jsou umístěny nad sebou nejméně dva polovodičové systémy (3a, 3cj 3b, 3d), přičemž dosedají na propojovací a vývodní plechy (6, 7, 8), tvořící jednak vnitřní propojení a jednak vnější vývody modulu, zatímco k chladicímu čepu (4) jsou polovodičové systémy (3) přitlačovány přítlačnou konstrukcí přes kontakt vývodního plechu (6, 8), a horní kontakt (9), přiléhající k hornímu polovodičovému systému (3a, 3b).
  2. 2. Výkonový polovodičový modul podle bodu 1, vyznačující se tím, že polovodičový systém (3c, 3d) umístěný blíže chladicímu čepu (4) má stejný nebo větěí průměr než polovodičový systém (3a, 3b), umístěný nad polovodičovým systémem (3c, 3d).
CS88344A 1988-01-19 1988-01-19 Výkonový polovodičový nodul CS269118B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS88344A CS269118B1 (cs) 1988-01-19 1988-01-19 Výkonový polovodičový nodul

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS88344A CS269118B1 (cs) 1988-01-19 1988-01-19 Výkonový polovodičový nodul

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS34488A1 CS34488A1 (en) 1989-09-12
CS269118B1 true CS269118B1 (cs) 1990-04-11

Family

ID=5335376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS88344A CS269118B1 (cs) 1988-01-19 1988-01-19 Výkonový polovodičový nodul

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS269118B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS34488A1 (en) 1989-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4047197A (en) Housing and lead structure for a series connected semiconductor rectifier arrangement
EP0555659B1 (en) Multi-chip Module
EP1393373B1 (en) High power semiconductor module
JP4669650B2 (ja) パワー半導体モジュール
US7050303B2 (en) Semiconductor module with vertically mounted semiconductor chip packages
US20180040538A1 (en) Power electronics module
US7307845B2 (en) Multiple integrated circuit package module
MY106696A (en) Electrically isolated heatsink for single-in-line package
US5432681A (en) Density improvement for planar hybrid wafer scale integration
US20250192382A1 (en) Electronics assembly
US20030122261A1 (en) Power semiconductor submodule, and a power semiconductor module
JPWO2023062972A5 (cs)
US20180213676A1 (en) Stacked power module with integrated thermal management
US20060286717A1 (en) Stacked microelectronic assemblies having basal compliant layers
CS269118B1 (cs) Výkonový polovodičový nodul
US11901837B2 (en) Power control unit
JP7014871B1 (ja) 電力変換装置
US10658268B2 (en) Semiconductor device
US7649253B2 (en) Semiconductor device
US10770420B2 (en) Semiconductor device
CZ6760U1 (cs) Výkonový polovodičový modul
EP4012759B1 (en) Power semiconductor module, power semiconductor assembly and method for producing a power semiconductor module
CN220754789U (zh) 多芯片单跳片多触臂式光伏旁路模块及应用其的接线盒
CN220754788U (zh) 单芯片单跳片多触臂式光伏旁路模块及应用其的接线盒
KR0173177B1 (ko) 두 개의 다이오드가 직렬 연결된 전력용 다이오드 모듈