CS226324B1 - Oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul - Google Patents

Oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul Download PDF

Info

Publication number
CS226324B1
CS226324B1 CS519682A CS519682A CS226324B1 CS 226324 B1 CS226324 B1 CS 226324B1 CS 519682 A CS519682 A CS 519682A CS 519682 A CS519682 A CS 519682A CS 226324 B1 CS226324 B1 CS 226324B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
module
power semiconductor
cooled
cooling pins
semiconductor
Prior art date
Application number
CS519682A
Other languages
English (en)
Inventor
Bohumil Ing Kolman
Vladimir Ing Jirutka
Jiri Ing Pliva
Jan Ing Makovicka
Original Assignee
Kolman Bohumil
Jirutka Vladimir
Pliva Jiri
Makovicka Jan
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kolman Bohumil, Jirutka Vladimir, Pliva Jiri, Makovicka Jan filed Critical Kolman Bohumil
Priority to CS519682A priority Critical patent/CS226324B1/cs
Publication of CS226324B1 publication Critical patent/CS226324B1/cs

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

Vynález se týká oboustranně chlazeného výkonového polovodičového modulu alespoň s jedním polovodičovým systémem a s elektricky izolovanými dosedacimi plochami.
Výkonové polovodičové moduly slouží k řízení, ovlódéní a usměrňovóní střídavého proudu. Jsou osazeny zpravidla několika polovodičovými systémy a to diodami, tyristory, tranzistory nebo jejich kombinacemi. Polovodičové moduly jsou obvykle zapouzdřeny v plastu.
Jsou znémy dva základní typy a to jednak moduly pájené, jednak moduly s přítlačnou konstrukcí. V obou případech se však jedné o moduly chlazené jednostranně.
Z ekonomického hlediska jsou zejména pro větší průměry polovodičových systémů výhodné polovodičové moduly s přítlačnou konstrukcí. Tyto moduly se skládají z většího počtu jednoduchých dílů, vyráběných ekonomicky výhodnými metodami.
Dosud vyráběné jednostranně chlazené výkonové polovodičové moduly se skládají z polovodičových systémů, umístěných ve vybrání pouzdra nebo kovového dna modulu, které jsou přitlačovény na kontaktní pésky a jsou vzájemně propojeny propojovacími pásky. Kontektní pásky jsou se dnem spojeny tepelně, avšak elektricky jsou od něj izolovány vloženou keramickou destičkou. Na horní plochu systému dosedá horní kontakt a na něj kontaktní resp. propojovací pésky. Tyto pésky jsou keramickým izolačníp členem elektricky odizolovány od přítlačné konstrukce tvořené např. listovou pružinou staženou šroubem upevněným ve dně modulu. Kontakt ní pésky tvoří vnější vývody, které jsou umístěny ve víku mpdulu.
Odvod ztrátového tepla z polovodičového systému je u těchto modulů pouze z jedné strany, což omezuje jejich proudovou zatížitelnost, nebol může docházet vlivem nedostatečného odvodu tepla k jejich přehřívání.
Tento nedostatek řeší oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul podle vynálezu, jehož pods.tata spočívá v tom, že každý polovodičový systém je umístěn mezi vývodní členy, které tvoří zároveň vnější vývody modulu a které jsou od svých chladicích čepů Izolovány keramickými deskami. Alespoň na jednom z chladicích čepů, příslušejících vždy jednomu polovodičovému systému je nasazena alespoň jedna talířové pružina a déle chladicí čepy procházejí nosnými deskami a tvoří vnější dosedací plochy modulu. Vzájemná poloha nosných desek je zajištěna mechanicky. Alespoň v jednom z vývodních členů, příslušejících vždy jednomu polovodičovému systému, je vytvořeno vybrání pro vyvedení kontaktu řídicí elektrody. Alternativně je ve vybrání vývodního členu umístěn přítlačný systém kontaktu řídioí elektrody a chladicí čepy tvoří tepelné trubice.
Oboustranným chlazením výkonového polovodičového modulu se značná zlepší obvod ztrátového tepla z polovodičového systému a tím se výrazně zvýší jeho proudová zatížitelnost.
Dva příklady provedení oboustranně chlazeného výkonového polovodičového modulu podle vynálezu jsou vyobrazeny na přiloženém výkresu, kde na obr. 1 je znázorněn diodový a na obr. 2 tyristorový modul.
Polovodičové systémy 1 (na obr. 1 diody), jsou sevřeny mezi vývodní členy 2, které jsou od chladicích čepů j elektricky odděleny keramickými deskami 4. Chladicí čepy J procházejí nosnými deskami % a tvoří vnější dosedací plochy 6 modulu.
Přítlačná síla je vyvinuta stlačením talířových pružin 2, které jsou navlečeny vždy na jednom z chladicích čepů J příslušejících jednomu polovodičovému systému 1, a je zajištěna šrouby 8, zakotvenými v nosné desce 2· Rutina modulu je vyplněna zapouzdřovaoí hmotou 2 a polovodičové systémy 1 jsou od ní odděleny kroužkem 10. Podle požadovaného elektrického zapojeni jsou vývodní členy 2. propojeny vnějším propojem 11.
Uspořádání oboustranně chlazeného polovodičového modulu osazeného tyristory podle obr. 2 je obdobné jako na obr. 1, pouze s tím rozdílem, že talířové pružiny 2 jsou navlečeny na obou chladicích čepech příslušejících jednomu polovodičovému systému £. Přítlačná sila je zajištěna v tomto případě nýty 12. zakotvenými v nosných deskách 2· Vždy v jednom z kontaktních členů 2, příslušejících jednomu polovodičovému systému 1 je vytvořeno vybrání pro vyvedení kontaktu řídicí elektrody 13. který je spojen s konektorem 14. umístěným v krytu 15 modulu. Vývodní kontaktní členy 2 tvoří vnější kontakty modulu, jsou vyvedeny na delší straně modulu a podle požadovaného elektrického zapojení jsou propojeny vnitřním propojem 2a. Dutina modulu je vyplněna zapouzdřovaoí hmotou 2·
Oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul podle vynálezu je vhodný zejména pro velkoplošné polovodičové systémy s velkým proudovým zatížením.

Claims (5)

1. Oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul alespoň s jedním polovodičovým systémem, vyznačený tím, že každý polovodičový systém (1) je umístěn mezi vývodní členy (2), které tvoří zároveň vnější vývody modulu a které jsou od svých chladicích čepů (3) izolovány keramickými deskami (4), přičemž alespoň na jednom z chladicích čepů (3), příslušejících vždy jednomu polovodičovému systému (1) je nasazena alespoň jedna talířová pružina (7) a déle chladicí čepy (3) procházejí nožnými deskami (5) a tvoří vnější dosedací plochy (6) modulu.
2. Oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul podle bodu 1, vyznačený tím, že vzájemné poloha nosných desek (5) je zajištěna mechanicky.
3. Oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul podle bodů 1 a 2, vyznačený tim, že alespoň v jednom z vývodních členů (2), přísluSejíeich vždy jednomu polovodičovému systému (1) je vytvořeno vybrání pro vyvedení kontaktu řídicí elektrody (13).
4. Oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul podle bodů ,, 2 a 3, vyznačený tím, že ve vybróní vývodního členu (2) je umístěn přítlačný systém kontaktu řídicí elektrody (13)
5. Oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul podle bodu 1, vyznačený tím, že chladicí čepy (3) tvoří tepelné trubice.
CS519682A 1982-07-07 1982-07-07 Oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul CS226324B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS519682A CS226324B1 (cs) 1982-07-07 1982-07-07 Oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS519682A CS226324B1 (cs) 1982-07-07 1982-07-07 Oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS226324B1 true CS226324B1 (cs) 1984-03-19

Family

ID=5396392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS519682A CS226324B1 (cs) 1982-07-07 1982-07-07 Oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS226324B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4849803A (en) Molded resin semiconductor device
US4498120A (en) Electrical sub-assembly having a lead frame to be compressed between a circuit board and heat sink
US4694322A (en) Press-packed semiconductor device
US6278199B1 (en) Electronic single switch module
WO2004008532A3 (en) High power mcm package
MY106696A (en) Electrically isolated heatsink for single-in-line package
US20040179339A1 (en) Multiple integrated circuit package module
JPH1174454A (ja) 封じられたサブモジュールを備える電力用半導体モジュール
US6560167B1 (en) Thermoelectric generation unit and portable electronic device using the unit
US4638404A (en) Clamping device for plate-shaped semiconductor components
CN107180806A (zh) 具有壳体的功率半导体模块
US20020060371A1 (en) High-power semiconductor module, and use of such a high-power semiconductor module
US2981873A (en) Semiconductor device
US20220399259A1 (en) Power Semiconductor Module
US6836005B2 (en) Semiconductor device
CS226324B1 (cs) Oboustranně chlazený výkonový polovodičový modul
JP2917216B1 (ja) 熱発電ユニット並びに該ユニットを用いた熱発電時計
EP0064383A3 (en) A semi-conductor package
US3280390A (en) Electrical semiconductor device
US3800191A (en) Expandible pressure mounted semiconductor assembly
US3375415A (en) High current rectifier
CS214034B1 (en) Semiconductor modulus
JP7720918B2 (ja) 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法
US3491271A (en) Housing for electrically conductive heat-dissipating devices
CN214477408U (zh) 一种功率模块的散热结构