CS231821B1 - Výkonový polovodičový modul - Google Patents
Výkonový polovodičový modul Download PDFInfo
- Publication number
- CS231821B1 CS231821B1 CS823639A CS363982A CS231821B1 CS 231821 B1 CS231821 B1 CS 231821B1 CS 823639 A CS823639 A CS 823639A CS 363982 A CS363982 A CS 363982A CS 231821 B1 CS231821 B1 CS 231821B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- power semiconductor
- semiconductor module
- base
- electrically insulated
- support
- Prior art date
Links
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
Předmčtem vynálezu je výkonový polovodičový modul, Jehož podstata je, že v dutině pouzdra je umístčn jeden polovodičový systém a jedna podpora, dosedající na propojovací kontaktní plech, elektricky izolovaný od základny keramickou podložkou. Výkonový polovodičový modul podle vynálezu je vhodný k doplnční kompletních elektrických zapojení, sestavených z polovodičových modulů na jednom chladiči.
Description
Vynález se týká výkonového polovodičového modulu s alespoň jedním polovodičovým systémem, uspořádaným v dutině pouzdra tak, že je tepelně vodivě a elektricky izolovaně spojen se základnou.
Výkonová polovodičové moduly obsahují několik polovodičových systémů zpravidla zapouzdřených v plastu a slouží k usměrňování, regulaci e ovládání střídavého proudu podle toho jak jsou osazeny diodovými, tyristorovými nebo tranzistorovými systémy či jejich kombinacemi.
Při sestavování kompletních elektrických zapojení z polovodičových modulů ne jednom chladiči je někdy výhodné, aby ve stejném pouzdře byl zapouzdřen pouze jeden polovodičový prvek, který je v zapojení použit např, jako nulová dioda.
Tomuto požadavku vyhovuje výkonový polovodičový modul podle vynálezu, z kterého je v dutině pouzdra umístěna podpora, dosedající na propojovací kontaktní plech elektricky izolovaný od základny keramickou podložkou.
Výkonový polovodičový modul s jedním polovodičovým systémem je vhodný k doplnění kompletních elektrických zapojení např. jednofázového hybridního polořízeného můstku s nulovou diodou, sestaveného z polovodičových modulů na jednom chladiči.
Výkonový polovodičový modul podle vynálezu je v řezu znázorněn na přiloženém výkresu.
V dutině pouzdra 2. modulu, uzavřeného víkem £ je jeden polovodičový systém 2 v tomto případě dioda), umístěn na vývodní kontaktní plech £, který je přes keramickou podložku č, tepelně vodivě spojen se základnou X, ale elektricky je od ní izolován. Na horní kontakt 8 polovodičového systému 2 dosedá propojovací kontaktní plech £, ne kterém je umístěna elektricky izolační vložka χθ.
Déle je na propojovacím kontaktním plechu £ elektricky izolovaném od základny X keramickou podložkou 6, umístěna podpora 19 a na ni dosedá vývodní plech 2i na němž je umístěna elektricky izolační vložka 10. Vývodní plechy 2, 2 tvoří vnějěí kontakty modulu. Dokonalý elektrický a teplený kontakt zajišíuje přítlačná konstukce sestávající z centrálního ěroubu 11. na jehož dříku je nasazena talířová pružina 12, opírající se o tuhý příčník J2. který dosedá na elektricky izolační vložky 10.
Centrální šroub 11. je zašroubován do základny X, na jeho dříku mezi tuhým příčníkem 13 a základnou χ, je nasazena izolační trubička 14. Pro osazení modulu tyriatorovým systémem jsou v propojovacím kontaktním plechu 2, horním kontaktu 8, elektricky izolační vložce 22 a tuhém příčníku 13 vytvořeny otvory pro vyvedení kontaktu řídicí elektrody.
Velikost přítlačné síly se nestaví a zajistí utažením centrálního ěroubu 11. Přítlačná síla se přenáší tuhým příčníkem 13 na polovodičový systém 2· Po montáží modulu je dutině pouzdra X vyplněna izolační hmotou 18. nasazeno víko 2 a po vytvrzení plastu jsou ohnuty vývodní plechy 2> 2·
Claims (1)
- Výkonový polovodičový modul s alespoň jedním polovodičovým systémem uspořádaným v dutině pouzdra tak, že je tepelně, vodivě a elektricky izolovaně spojen se základnou, vyznačený tím, že v dutině pouzdra (1) je dále umístěna podpora (19), dosedající na propojovací kontaktní plech (4) elektricky izolovaný od základny (7) keramickou podložkou (6).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS823639A CS231821B1 (cs) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | Výkonový polovodičový modul |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS823639A CS231821B1 (cs) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | Výkonový polovodičový modul |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS363982A1 CS363982A1 (en) | 1984-05-14 |
| CS231821B1 true CS231821B1 (cs) | 1984-12-14 |
Family
ID=5377010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS823639A CS231821B1 (cs) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | Výkonový polovodičový modul |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS231821B1 (cs) |
-
1982
- 1982-05-18 CS CS823639A patent/CS231821B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS363982A1 (en) | 1984-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6522528B2 (en) | Electric power distributor for use in motor vehicle | |
| US4047197A (en) | Housing and lead structure for a series connected semiconductor rectifier arrangement | |
| US4700273A (en) | Circuit assembly with semiconductor expansion matched thermal path | |
| JP4669650B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
| US6278199B1 (en) | Electronic single switch module | |
| US6797880B2 (en) | Plastic frame for the mounting of an electronic heavy-current control unit | |
| US6369411B2 (en) | Semiconductor device for controlling high-power electricity with improved heat dissipation | |
| EP0138048B1 (en) | Press-packed semiconductor device | |
| RU2210837C2 (ru) | Силовой полупроводниковый модуль с замкнутыми подмодулями | |
| US6943293B1 (en) | High power electronic package with enhanced cooling characteristics | |
| SE521666C2 (sv) | Monteringsstruktur för en effekttransistormodul med ett strålningskyldon | |
| US20060138452A1 (en) | Power semiconductor module | |
| RU98111744A (ru) | Силовой полупроводниковый модуль с замкнутыми подмодулями | |
| US4538168A (en) | High power semiconductor package | |
| CN113708014A (zh) | 具有多个电池单体的电池模块 | |
| US20020060371A1 (en) | High-power semiconductor module, and use of such a high-power semiconductor module | |
| US6295201B1 (en) | Bus bar having embedded switching device | |
| US5371647A (en) | Surge protection circuit module and method for assembling same | |
| GB1594141A (en) | Semiconductor assemblies | |
| EP4102555A1 (en) | Power semiconductor module | |
| CS231821B1 (cs) | Výkonový polovodičový modul | |
| US7042085B2 (en) | Method for packaging electronic modules and multiple chip packaging | |
| US20060018100A1 (en) | Active plate-connector device with built-in semiconductor dies | |
| US3476981A (en) | Miniature power circuit assembly | |
| US4443655A (en) | Extruded semiconductor package and fabrication method |