CS231821B1 - Výkonový polovodičový modul - Google Patents

Výkonový polovodičový modul Download PDF

Info

Publication number
CS231821B1
CS231821B1 CS823639A CS363982A CS231821B1 CS 231821 B1 CS231821 B1 CS 231821B1 CS 823639 A CS823639 A CS 823639A CS 363982 A CS363982 A CS 363982A CS 231821 B1 CS231821 B1 CS 231821B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
power semiconductor
semiconductor module
base
electrically insulated
support
Prior art date
Application number
CS823639A
Other languages
English (en)
Other versions
CS363982A1 (en
Inventor
Bohumil Kolman
Vladimir Jirutka
Jiri Pliva
Original Assignee
Bohumil Kolman
Vladimir Jirutka
Jiri Pliva
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bohumil Kolman, Vladimir Jirutka, Jiri Pliva filed Critical Bohumil Kolman
Priority to CS823639A priority Critical patent/CS231821B1/cs
Publication of CS363982A1 publication Critical patent/CS363982A1/cs
Publication of CS231821B1 publication Critical patent/CS231821B1/cs

Links

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Abstract

Předmčtem vynálezu je výkonový polovodičový modul, Jehož podstata je, že v dutině pouzdra je umístčn jeden polovodičový systém a jedna podpora, dosedající na propojovací kontaktní plech, elektricky izolovaný od základny keramickou podložkou. Výkonový polovodičový modul podle vynálezu je vhodný k doplnční kompletních elektrických zapojení, sestavených z polovodičových modulů na jednom chladiči.

Description

Vynález se týká výkonového polovodičového modulu s alespoň jedním polovodičovým systémem, uspořádaným v dutině pouzdra tak, že je tepelně vodivě a elektricky izolovaně spojen se základnou.
Výkonová polovodičové moduly obsahují několik polovodičových systémů zpravidla zapouzdřených v plastu a slouží k usměrňování, regulaci e ovládání střídavého proudu podle toho jak jsou osazeny diodovými, tyristorovými nebo tranzistorovými systémy či jejich kombinacemi.
Při sestavování kompletních elektrických zapojení z polovodičových modulů ne jednom chladiči je někdy výhodné, aby ve stejném pouzdře byl zapouzdřen pouze jeden polovodičový prvek, který je v zapojení použit např, jako nulová dioda.
Tomuto požadavku vyhovuje výkonový polovodičový modul podle vynálezu, z kterého je v dutině pouzdra umístěna podpora, dosedající na propojovací kontaktní plech elektricky izolovaný od základny keramickou podložkou.
Výkonový polovodičový modul s jedním polovodičovým systémem je vhodný k doplnění kompletních elektrických zapojení např. jednofázového hybridního polořízeného můstku s nulovou diodou, sestaveného z polovodičových modulů na jednom chladiči.
Výkonový polovodičový modul podle vynálezu je v řezu znázorněn na přiloženém výkresu.
V dutině pouzdra 2. modulu, uzavřeného víkem £ je jeden polovodičový systém 2 v tomto případě dioda), umístěn na vývodní kontaktní plech £, který je přes keramickou podložku č, tepelně vodivě spojen se základnou X, ale elektricky je od ní izolován. Na horní kontakt 8 polovodičového systému 2 dosedá propojovací kontaktní plech £, ne kterém je umístěna elektricky izolační vložka χθ.
Déle je na propojovacím kontaktním plechu £ elektricky izolovaném od základny X keramickou podložkou 6, umístěna podpora 19 a na ni dosedá vývodní plech 2i na němž je umístěna elektricky izolační vložka 10. Vývodní plechy 2, 2 tvoří vnějěí kontakty modulu. Dokonalý elektrický a teplený kontakt zajišíuje přítlačná konstukce sestávající z centrálního ěroubu 11. na jehož dříku je nasazena talířová pružina 12, opírající se o tuhý příčník J2. který dosedá na elektricky izolační vložky 10.
Centrální šroub 11. je zašroubován do základny X, na jeho dříku mezi tuhým příčníkem 13 a základnou χ, je nasazena izolační trubička 14. Pro osazení modulu tyriatorovým systémem jsou v propojovacím kontaktním plechu 2, horním kontaktu 8, elektricky izolační vložce 22 a tuhém příčníku 13 vytvořeny otvory pro vyvedení kontaktu řídicí elektrody.
Velikost přítlačné síly se nestaví a zajistí utažením centrálního ěroubu 11. Přítlačná síla se přenáší tuhým příčníkem 13 na polovodičový systém 2· Po montáží modulu je dutině pouzdra X vyplněna izolační hmotou 18. nasazeno víko 2 a po vytvrzení plastu jsou ohnuty vývodní plechy 2> 2·

Claims (1)

  1. Výkonový polovodičový modul s alespoň jedním polovodičovým systémem uspořádaným v dutině pouzdra tak, že je tepelně, vodivě a elektricky izolovaně spojen se základnou, vyznačený tím, že v dutině pouzdra (1) je dále umístěna podpora (19), dosedající na propojovací kontaktní plech (4) elektricky izolovaný od základny (7) keramickou podložkou (6).
CS823639A 1982-05-18 1982-05-18 Výkonový polovodičový modul CS231821B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS823639A CS231821B1 (cs) 1982-05-18 1982-05-18 Výkonový polovodičový modul

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS823639A CS231821B1 (cs) 1982-05-18 1982-05-18 Výkonový polovodičový modul

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS363982A1 CS363982A1 (en) 1984-05-14
CS231821B1 true CS231821B1 (cs) 1984-12-14

Family

ID=5377010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS823639A CS231821B1 (cs) 1982-05-18 1982-05-18 Výkonový polovodičový modul

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS231821B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS363982A1 (en) 1984-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6522528B2 (en) Electric power distributor for use in motor vehicle
US4047197A (en) Housing and lead structure for a series connected semiconductor rectifier arrangement
US4700273A (en) Circuit assembly with semiconductor expansion matched thermal path
JP4669650B2 (ja) パワー半導体モジュール
US6278199B1 (en) Electronic single switch module
US6797880B2 (en) Plastic frame for the mounting of an electronic heavy-current control unit
US6369411B2 (en) Semiconductor device for controlling high-power electricity with improved heat dissipation
EP0138048B1 (en) Press-packed semiconductor device
RU2210837C2 (ru) Силовой полупроводниковый модуль с замкнутыми подмодулями
US6943293B1 (en) High power electronic package with enhanced cooling characteristics
SE521666C2 (sv) Monteringsstruktur för en effekttransistormodul med ett strålningskyldon
US20060138452A1 (en) Power semiconductor module
RU98111744A (ru) Силовой полупроводниковый модуль с замкнутыми подмодулями
US4538168A (en) High power semiconductor package
CN113708014A (zh) 具有多个电池单体的电池模块
US20020060371A1 (en) High-power semiconductor module, and use of such a high-power semiconductor module
US6295201B1 (en) Bus bar having embedded switching device
US5371647A (en) Surge protection circuit module and method for assembling same
GB1594141A (en) Semiconductor assemblies
EP4102555A1 (en) Power semiconductor module
CS231821B1 (cs) Výkonový polovodičový modul
US7042085B2 (en) Method for packaging electronic modules and multiple chip packaging
US20060018100A1 (en) Active plate-connector device with built-in semiconductor dies
US3476981A (en) Miniature power circuit assembly
US4443655A (en) Extruded semiconductor package and fabrication method