CS266505B1 - Symetrická zpožďovací linka - Google Patents

Symetrická zpožďovací linka Download PDF

Info

Publication number
CS266505B1
CS266505B1 CS862018A CS201886A CS266505B1 CS 266505 B1 CS266505 B1 CS 266505B1 CS 862018 A CS862018 A CS 862018A CS 201886 A CS201886 A CS 201886A CS 266505 B1 CS266505 B1 CS 266505B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
electrically conductive
delay line
symmetrical
layers
dielectric
Prior art date
Application number
CS862018A
Other languages
English (en)
Other versions
CS201886A1 (en
Inventor
Petr Ing Suchyna
Original Assignee
Suchyna Petr
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suchyna Petr filed Critical Suchyna Petr
Priority to CS862018A priority Critical patent/CS266505B1/cs
Priority to BG7859587A priority patent/BG49365A1/xx
Priority to DD30019787A priority patent/DD281943A7/de
Publication of CS201886A1 publication Critical patent/CS201886A1/cs
Publication of CS266505B1 publication Critical patent/CS266505B1/cs

Links

Landscapes

  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)

Abstract

Řešení· se týká konstrukčního provedení symetrické zpoždovací linky, tvořené částečně diskrétními indukčnostmi a tištěnými kapacitami, částečně vedením s rozloženými parametry. Symetrická zpožďovací linka je sestavena tak, že mezi dvěma vnějšími elektricky vodivými vrstvami jsou vnější dielektrické vrstvy, mezi nimiž je základní část, jenž je složena z jádra složeného z nejméně dvou dielektrických vrstev, mezi nimiž jsou elektricky vodivé vrstvy, mezi kterými je substrát, přičemž kolem jádra je ovinuto vinutí, připojené svými odbočkami k elektricky vodivým ploškám. Symetrická zpoždovací linka může být použita ve všech elektrických zařízeních pro zpoždění signálu vedeného symetrickým vedením.

Description

Vynález se týká konstrukčního provedení symetrické zpožďovací linky tvořené částečně diskrétními indukčnostmi a tištěnými kapacitami, čátečně vedením s rozloženými parametry.
Při zpožďování signálu je Často nutné používat symetrické zpoždovací linky, které · se používají pro zpožďování signálu vedeného souměrným vedením. Konstrukce zpožďovacích linek na bázi toroidních jader neumožňovala svojí strukturou výrobu souměrných zpožďovacích linek v miniaturním provedení například provedení v pouzdru DIL. Symetrické zpoždovací linky byly konstruovány převážně souměrným vedením s rozloženými parametry. V takovém případě je ale nutné pro dosažení požadovaných zpoždění převážně použít vedení značných délek a tím větších rozměrů nevhodných pro použití v elektronických zařízeních. Jiným řešením je vytvoření symetrických zpoždovacích linek na základě symetrického vedení meandrovité natištěného na dielektrickém podkladu. Touto metodou jo možné dosáhnout zpoždění asi do 10 ns při rozměrech základních destiček 6x20 mm. '.’úkladní destičky je nutno propojit v pěti patrech a výsledná výška je přibližně 0 mm. Selu- můžeme použít páskové vedení ve tvaru tištěné cívky. Obě metody jsou náročné ne výrobní technologii. U tištěných pásků je kritická tolerance vrstvy nasazené na die^cktrický materiál, což se projevuje v toleranci charakteristické impedance a zpoždění. Dále se dosahuje vyšší reálný odpor v závislosti na použité paste. Rovněž se v male míře projeví tolerance rozměrů pásků provedených sítotiskem, tolerance dielektrika. Metoda pásku provedeného ve tvaru tištěné cívky je nevýhodná z hlediska propojení plošných tištěných cívek. Konstrukce takovýchto linek je náročná na počet vrstev provedených například sítotiskem na korundovém podkladu. Jednotlivé vývody je možné propojovat například drátky, nebo u dielektrického podkladu na bázi epoxydových pryskyřic vrtanými a propojenými otvory. Uvedená technologie svojí složitostí zvýhodňuje konstrukce linky bez odboček. V opačném případě může být použita nesouměrná zpoždovací linkčx, například v pouzdru DIL, a mezi souměrné vedení a ncsoumérnou zpoždovací linku se zapojí přizpůsobovací člen, tím však dojde k případným ztrátám energie.
Výhodnější je konstrukční uspořád?ni symetrické zpoždovec· í linky podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že mezi dvěma vnějšími elektricky vodivými vrstvami jsou vnější dielektrické vrstvy, mezi nimiž je základní část, jež je složena z jádra složeného z nejméně dvou dielektrických vrstev, mezi nimiž jsou elektricky vodivé vrstvy, mezi kterými je substrát, přičemž kolem jádra je ovinuto vinutí připojené svými odbočkami k elektricky vodivým ploškám.
Kondenzátory jsou utvořeny z elektricky vodivých plošek, z dielektrických vrstev a z elektricky vodivých vrstev. Krycí izolační hmota může být z dielektrického, adhezivního materiálu. Vinutí může být zalito adhezivní dielektrickou hmotou. Na vnějších deskách mohou být naneseny vnější elektricky vodivé vrstvy a vnější dielektrické vrstvy.
Na připojených výkresech je na obr. 1 nakreslen příklad uspořádání základní části zpožďovací linky podle vynálezu, na obr. 2 je příklad konstrukce symetrické zpožďovací linky. Mezi dvěma vnějšími elektricky vodivými vrstvami 41 jsou vnější dielektrické vrstvy 31, mezi nimiž je základní část ly jež je složena z jádra 2 složeného ze dvou dielektrických vrstev 3^ mezi nimiž jsou elektricky vodivé vrstvy 4, mezi kterými je substrát 5, přičemž kolem jádra 2 je ovinuto vinutí ,6, připojené svými odbočkami J k elektricky vodivým ploškám 8.
Funkce symetrické zpoždovací linky je následující:
Přes vinutí 6_ je veden signál, jehož zpoždění závisí na indukčnostech vinutí 6^, kapacitách tištěných kondenzátoru, vlastnostech symetrického vedení, to znamená na parametrech jádra 2_, vnějších dielektrických vrstev 31, vnějších elektricky vodivých vrstev 41 a adhezivní dielektrické krycí vrstvy. Symetrická zpoždovací linka může být použita ve všech elektrických zařízeních pro zpoždění signálu vedeného symetrickým vedením.

Claims (6)

  1. P R E D M É T VYNÁLEZU
    1. Symetrická zpoždovací linka, vyznačující se tím, že mezi dvěma vnějšími elektricky vodivými vrstvami (41) jsou vnější dielektrické vrstvy (31>r mezi nimiž je základní část (1), jež je složena z jádra (2) složeného z nejméně dvou dielektrických vrstev (3), mezi nimiž jsou elektricky vodivé vrstvy (4), mezi kterými je substrát (5), přičemž kolem jádra (2) je ovinuto vinutí (6), připojené svými odbočkami (7) k elektricky vodivým ploškám (8).
  2. 2. Symetrická zpoždovací linka podle bodů 1, vyznačující se tím, že kondenzátory jsou utvořeny z elektricky vodivých plošek (8) z dielektrických vrstev (3) a elektricky vodivých vrstev (4).
  3. 3. Symetrická zpoždovací linka podle bodů 1 a 2, vyznačující se tím, že je zakryta krycí izolační hmotou.
  4. 4. Symetrická zpoždovací linka podle bodů 1 až 3, vyznačující se tím, že krycí izolační hmota je z dielektrického materiálu.
  5. 5. Symetrická zpoždovací linka podle bodů 1 až 4, vyznačující se tím, že vinutí (6) je zalito adhezivní dielektrickou hmotou.
  6. 6. Symetrická zpoždovací linka podle bodů 1 až 5, vyznačující se tím, že na vnějších deskách (9) jsou naneseny vnější dielektrické vrstvy (31) a vnější elektricky vodivé vrstvy (41), přičemž jsou rozměrově souměrné a ze stejného materiálu, k dielektrickým vrstvám (3) a k elektricky vodivým vrstvám (4).
CS862018A 1985-10-31 1986-03-21 Symetrická zpožďovací linka CS266505B1 (cs)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS862018A CS266505B1 (cs) 1985-10-31 1986-03-21 Symetrická zpožďovací linka
BG7859587A BG49365A1 (en) 1986-03-21 1987-02-23 Symmetric decelatory line
DD30019787A DD281943A7 (de) 1986-03-21 1987-02-25 Symmetrische verzoegerungsleitung

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS780685 1985-10-31
CS862018A CS266505B1 (cs) 1985-10-31 1986-03-21 Symetrická zpožďovací linka

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS201886A1 CS201886A1 (en) 1989-05-12
CS266505B1 true CS266505B1 (cs) 1990-01-12

Family

ID=5427859

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS861116A CS265151B1 (cs) 1985-10-31 1986-02-18 Zpožďovací linka
CS862018A CS266505B1 (cs) 1985-10-31 1986-03-21 Symetrická zpožďovací linka

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS861116A CS265151B1 (cs) 1985-10-31 1986-02-18 Zpožďovací linka

Country Status (1)

Country Link
CS (2) CS265151B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS201886A1 (en) 1989-05-12
CS265151B1 (cs) 1989-10-13
CS111686A1 (en) 1988-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5760669A (en) Low profile inductor/transformer component
US4103267A (en) Hybrid transformer device
US4547961A (en) Method of manufacture of miniaturized transformer
US5724016A (en) Power magnetic device employing a compression-mounted lead to a printed circuit board
US6877211B2 (en) Method of manufacturing an improved microelectronic package
US5345670A (en) Method of making a surface-mount power magnetic device
US5565837A (en) Low profile printed circuit board
US6353379B1 (en) Magnetic device employing a winding structure spanning multiple boards and method of manufacture thereof
US5351167A (en) Self-leaded surface mounted rod inductor
US6239683B1 (en) Post-mountable planar magnetic device and method of manufacture thereof
CA2062710A1 (en) Transformer for monolithic microwave integrated circuit
US3590480A (en) Method of manufacturing a pulse transformer package
US4475143A (en) Decoupling capacitor and method of manufacture thereof
US6661326B2 (en) Wire-winding structure and method for a transformer
GB2087656A (en) Miniaturized transformer construction
US20040113739A1 (en) Low profile transformer
CS266505B1 (cs) Symetrická zpožďovací linka
US5262745A (en) Surface mounted multi-section bobbin
US5694104A (en) Low profile high power surface mount transformer
JPH10303039A (ja) 変成器
JPH1154345A (ja) トランス
US20010006364A1 (en) Low profile transformer
US6362715B1 (en) Transformer with high coupling efficiency
US5203077A (en) Method for mounting large discrete electronic components
JPH1154335A (ja) インダクタンス素子