CS263089B1 - Způsob nanášení vrstvy hliníku plenárním magnetronem - Google Patents
Způsob nanášení vrstvy hliníku plenárním magnetronem Download PDFInfo
- Publication number
- CS263089B1 CS263089B1 CS876794A CS679487A CS263089B1 CS 263089 B1 CS263089 B1 CS 263089B1 CS 876794 A CS876794 A CS 876794A CS 679487 A CS679487 A CS 679487A CS 263089 B1 CS263089 B1 CS 263089B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- cathode
- layer
- magnetron
- aluminum
- depositing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Způsob nanášení vrstvy hliníku ple nárním raagnetronem na podložku řeší vyt váření vodivé sítě zejména při výrobě in tegrovaných obvodů HC MOS technologií, kde se požaduje malý rozměr zrna, malé ne rovnosti povrchu a měrný odpor co nejnižší. Při nanášení se udržuje na katodě mngnetronu a měrný výkon 26 'H/om? B přesnosti i 3 ·,!> při tlaku argonu 2 až 5 · 10 -í - Pa. Teplota pod ložky nesmí přesáhnout 30 °C. Podložky prochá zejí pod katodou rychlostí 0,01 až 0,02_m/sec * a pak se aktivně ochlazují. Porot tesových cyklů závisí na požadované tlouštce nanášené vrstvy. Způsob nanášení vrstvy iiliníku je vhodný pro vytváření vodivých vrstev integ rovaných obvodů různými technologiemi.
Description
Způsob nanášení vrstvy hliníku plenárním magnetronem
Způsob nanášení vrstvy hliníku plenárním raagnetronem na podložku řeší vytváření vodivé sítě zejména při výrobě integrovaných obvodů HC MOS technologií, kde se požaduje malý rozměr zrna, malé nerovnosti povrchu a měrný odpor co nejnižší.
Při nanášení se udržuje na katodě mngnetronu a měrný výkon 26 'H/om? B přesnosti i 3 ·,!> při tlaku argonu 2 až 5 · 10-í- Pa. Teplota podložky nesmí přesáhnout 30 °C. Podložky procházejí pod katodou rychlostí 0,01 až 0,02_m/sec * a pak se aktivně ochlazují. Porot tesových cyklů závisí na požadované tlouštce nanášené vrstvy. Způsob nanášení vrstvy iiliníku je vhodný pro vytváření vodivých vrstev integrovaných obvodů různými technologiemi.
2ÓP009
- 1 263 089
Vynález se týká způsobu nanášení vrstvy hliníku plenárním magnetronem na podložku, zejména při výrobě integrovaných obvodů HC MOS technologií o
Při vytváření vodivé sítě je třeba zhotovit vodiče s rozměry nižšími než 5 ýem a propojení úrovní kanálem s rozměry 5x5 ^um. Tyto požadavky kladou vysoké nároky na vodivý materiál - hliník, který musí mít rozměr zrna menší než 50'nm, nerovnosti povrchu musí být nižší než 10 nm. Měrný odpor co nejnižší = 2,9 až 3 ^uiZcm, adheze co nejvyšší a dobrá svařitelnost.
Je známa technologie naparování hliníku elektronovým dělem s odklonem elektronů přídavným magnetickým polem. Při rychlosti napaření vrstvy 10 nm/sec a teplotě podložky 20 °C se tvoří zrna s rozměry okolo 100 nm a nerovnosti povrchu asi 30 nm. Přitom ale měrný odpor dosahuje hodnoty až 15 /ujQcm, adheze je nízká. Adheze je optimální při teplotě podložky 120 °C, kdy sice měrný odpor ý vyhovující, avšak rozměr zrna vzroste až na 300 nm a nerovnosti povrchu nad 80 nm. Jiná známá technologie je nanášení vrstev hliníku planárním magnetronem. Dosahuje se dobré adheze i povrchové svařitelnosti vodivé vrstvy v širokém rozsahu ostatních variabilních tecnnologických podmínek. Při tomto způsobu jsou používány vysoké rychlosti nanášení dosehující až 8 9 nm/sec. Vzhledem k této rychlosti je volen tlex argonu, *terý je v rozmezí 3 až
S narůstající tloušíkou vrstvy narůstá rychle tep8 tím je spojen rychlý růst rozměrů zrna i nerovSnížením výhonu na katodě lze sice dosármout snížení teploty podložky, avšak zvýší se zejména množství absorbo100 . 10 - Pa lota podložky ností povrchu váného pl^nu do vrstvy, vrstvy, snížení busto tylo má za následek zvýšení měrného odporu a zhoršení dlouhodobé stability.
263 089
Účelem vynálezu je odstranit uvedené nevýhody. Podle podsta2 ty vynálezu se toho dosahuje tím, že při měrném výkonu 26 W/cm s přesností - 5 °h katody plenárního magnetronu a při tlaku argonu -2 .
až 5 o 10 Pa procházejí podložky, jejichž teplota nesmí přesáhnout 30 °C, pod katodou rychlostí 0,01 až 0,02 m/s s následným ochlazením. Podložky mohou procházet pod katodou s následným ochlazením v několika cyklech, jejichž počet závisí na požadované konečné tloušťce nanášené vrstvy.
Způsobem nanášení vrstvy hliníku podle vynálezu se snižuje sálání z povrchu katody i množství atomů dopadajících na podložku. Výsledná vrstva hliníku je nanášena postupně po několika velmi tenkých vrstvách. Jsou zaručeny požadované parametry elektrické i fyzikální.
Nanášení vrstvy hliníku způsobem podle vynálezu se děje při _2 sníženém tlaku argonu na 2 až 5 · 10 Pa a zvýšeném měrném výko2 + nu na katodě na 26 W/cm s přesností - 5 %,, To vede ke sníženému bombardování katody argonovými ionty, a tím se sníží sálání tepla z jejího povrchu. Současně se sníží množství atomů hliníku dopadajících no podložku, což vede ke snížení předávaného tepla. Přitom je ale energie dopadajících atomů vyseká, takže vzniká vysoce kvalitní vrstva hliníku, ťj. nízký měrný odpor ý = 2,9 až 3 cm rozměru zrna menším než 50 nm a s nerovností povrchu srovnatelnou s nerovností podložky. Teplota podložky nesmí přesáhnout 30 °C. Proto jsou po průchodu pod katodou podložky aktivně ochlazovány. Cyklováním, tj. postupným nanášením několika velmi tenkých vrstev s následným ochlazením,lze zaručit požadované parametry až do celkové vrstvy v tloušťce 1,5^. Rychlost posuvu v rozmezí 0,01 až 0,02 m/s a počet cyklů se volí podle požadované tloušťky vrstvy. Mezi jednotlivými cykly jsou podložky ochlazovány přímo v zařízení. Navržený způso.b nanášení hliníku zaručuje reprodukovetelnost výsledků při dodržení tolerancí všech parametrů, které jsou ve vzájemných vztazích.
Dále jsou uvedeny příklady nanášení vrstv^ hliníku podle vynálezu. Rychlost posuvu podložek pod katodou je ve všech příkladech 0,01 m/s. Při jediném průcnodu podložky pod katodou
263 089
- 3 a závěrečné době chlazení 180 s vznikla vrstva o tloušťce 200 nm. Při dvou cyklech vznikla vrstva o tloušťce 375 nm, doba chlazení mezi cykly byla 60 s, doba závěrečného chlazení 180 s. Při třech cyklech vznikla vrstva o tloušťce 620 nm, doba chlazení mezi cykly byla 180 s, doba závěrečného chlazení byla 300 so Při čtyřech cyklech vznikla vrstva o tloušťce 850 nm, doba chlazení mezi cykly byla 300 s, doba závěrečného chlazení 600 s„ Při pěti cyklech vznikla vrstva o tlouštce 960 nm, doba chlazení mezi jednotlivými cykly byla 480 s, doba závěrečného chlazení 900 s.
Způsob nanášení vrstvy hliníku je vhodný pro vytváření vodivých vrstev při výrobě integrovaných obvodů různými technologiemi.
Claims (2)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZŮ lo Způsob nanášení vrstvy hliníku plenárním magnetronem na podložku, vyznačený tím, že při měrném výkonu katody 26 W/cm2 s přesností - 5 % a tlaku argonu 2 až 5 . 10~2 Pa procházejí podložky, jejichž teplota nesmí přesáhnout 30 °C, pod katodou rychlostí 0o01 až 0,02 m/s s následným ochlazením.
- 2O Způsob nanášení vrstvy hliníku planárním magnetronem na podložku podle bodu 1, vyznačený tím, že podložky procházejí pod katodou a jsou následně ochlazovány v několika cyklech, jejichž počet závisí na požadované; konečné tloušťce nanášené vrstvyo
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS876794A CS263089B1 (cs) | 1987-09-21 | 1987-09-21 | Způsob nanášení vrstvy hliníku plenárním magnetronem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS876794A CS263089B1 (cs) | 1987-09-21 | 1987-09-21 | Způsob nanášení vrstvy hliníku plenárním magnetronem |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS679487A1 CS679487A1 (en) | 1988-08-16 |
| CS263089B1 true CS263089B1 (cs) | 1989-04-14 |
Family
ID=5415799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS876794A CS263089B1 (cs) | 1987-09-21 | 1987-09-21 | Způsob nanášení vrstvy hliníku plenárním magnetronem |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS263089B1 (cs) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CZ307110B6 (cs) * | 2016-06-27 | 2018-01-17 | Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. | Metoda přípravy vrstev černého hliníku, charakterizovaných vysokou optickou hustotou a nízkou odrazivostí, pomocí magnetronového naprašování, využití povlaku drahého kovu pro ochranu a vylepšení vlastností těchto vrstev a jejich aplikace pro tepelně absorpční pokrytí anod |
-
1987
- 1987-09-21 CS CS876794A patent/CS263089B1/cs unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CZ307110B6 (cs) * | 2016-06-27 | 2018-01-17 | Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. | Metoda přípravy vrstev černého hliníku, charakterizovaných vysokou optickou hustotou a nízkou odrazivostí, pomocí magnetronového naprašování, využití povlaku drahého kovu pro ochranu a vylepšení vlastností těchto vrstev a jejich aplikace pro tepelně absorpční pokrytí anod |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS679487A1 (en) | 1988-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4720401A (en) | Enhanced adhesion between metals and polymers | |
| JPH0750699B2 (ja) | 高密度集積回路におけるチタン・窒化チタン二重層の製造方法 | |
| KR960026261A (ko) | 재 도입형 콘택 홀을 피복시키거나 또는 충진시키기 위한 방법 및 장치 | |
| EP0144229A3 (en) | Improvements in or relating to coating apparatus | |
| US4865711A (en) | Surface treatment of polymers | |
| US3540926A (en) | Nitride insulating films deposited by reactive evaporation | |
| US5298288A (en) | Coating a heat curable liquid dielectric on a substrate | |
| CA1276088C (en) | Enhanced adhesion between metals and polymers | |
| CS263089B1 (cs) | Způsob nanášení vrstvy hliníku plenárním magnetronem | |
| CN114242897A (zh) | 一种钙钛矿光电器件的封装的方法 | |
| US4913762A (en) | Surface treatment of polymers for bonding by applying a carbon layer with sputtering | |
| US3401055A (en) | Vapor depositing solder | |
| US6248958B1 (en) | Resistivity control of CIC material | |
| JPS5919190B2 (ja) | 鉛皮膜の製造方法 | |
| JP2967784B2 (ja) | 堆積膜形成方法及びその装置 | |
| US5840366A (en) | Method of forming thin film | |
| JP3639453B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造装置およびこれを用いた化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| GB2111085A (en) | Asymmetrically contouring the thickness of sputter coated layers e g prior to etching | |
| JPH03263316A (ja) | 硫化亜鉛層をデポジットする方法と装置 | |
| EP0564693B1 (en) | Method of manufacturing a film carrier type substrate | |
| JPS6153717A (ja) | 薄膜形成方法および形成装置 | |
| TWI882941B (zh) | 用以在絕緣基板之高深寬比通孔壁上形成附著緩衝層之方法 | |
| WO2002103386A2 (en) | Systems for detection, imaging and absorption of radiation using a special substrate | |
| JPS6142435B2 (cs) | ||
| CN114450807A (zh) | 沉积薄膜高质量吸收层的方法 |