CS257915B1 - Epoxidová zapouzdřovaoí hmota - Google Patents
Epoxidová zapouzdřovaoí hmota Download PDFInfo
- Publication number
- CS257915B1 CS257915B1 CS858376A CS837685A CS257915B1 CS 257915 B1 CS257915 B1 CS 257915B1 CS 858376 A CS858376 A CS 858376A CS 837685 A CS837685 A CS 837685A CS 257915 B1 CS257915 B1 CS 257915B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- epoxy
- encapsulating material
- hardener
- specific surface
- surface area
- Prior art date
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Účelem řečení Jé snížení velikosti polarlzačnloh proudu aniž Je významně snížena tekutost zápouzdřovaoí hmoty, zmenšení svodových proudů a zvýšení spolehlivosti polovodičové sbučástky. Uvedeného účelu se dosáhne epoxidovou zapouzdřovaoí hmotou sestávající z epoxidové pryskyřice, tvrdidla a práškového plniva,obsahující oxid-křemičitýa měrným povrchem 100 až 180 nr.g-l v hmotnostním množství 0,1 až 1 ji na obsah pryskyřioe.
Description
Vynález se týká epoxidové zapouzdřovací hmoty, zejména pro zapouzdřování polovodičových součástek.
Epoxidové zapouzdřovací hmoty se používají k opláštování elektronických součástek, například kondenzátorů a polovodičových součástek - diod, tyristorů,. tranzistorů, polovodičových modulů a pod. Používají se bu3 práškové lisovací hmoty zpracovávané přetlačováním (transfermolding), licí hmoty zpracovávané litím do forem, které se stávají nedílnou součástí výrobku (potting),nebo litím do separovaných fqrem, ze kterých se výrobek vyjímá (casting).
Epoxidovou zapouzdřovací hmotu tvoří pojivo (t.j. epoxidová pryskyřice a tvrdidlo), práškové plnivo - například mletý tavený křemen, mletý korund, síran barnatý apod,
Zapouzdřovací hmota zpracovávaná lisováním obsahuje oproti hmotě zalévačí navíc separátor - steaxan zinečnatý, stearan horečnatý a pod., sloužící k usmadnění vyjímání výlisků z formy.>Tvrdidly jsou obvykle aromatické diaminy, anhydridy dikarboxylových a polykarboxylových kyselin., a nízkomolekulární fenolické pryskyřice.
V technologii máčení se používají tixotropní hmoty, kde tixotropie je dosaženo přídavkem například 10 % hmotnostních oxidu křemičitého s co nejvyšším měrným 2 —1 povrchem, obvykle nad 180 m .g x. Nevýhodou těchto máčecích hmot je, že mají omezenou nebo nulovou tekutost a nejsou proto pro technologii zapouzdřování litím nebo lisování přetlačováním použitelné.
Jedním ze základních požadavků na vlastnosti zapouzdřovací hmoty je nízký obsah polarizovateIných a hydrolyzovatelných iontů a nereagovaných polárních skupin. Nejškodlivější je obsah iontů alkalických kovů a amoniové ionty; velmi kriticlcý je též obsah halogenidových iontů.Kontaminace zapouzdřovací hmoty těmito ionty působí spolu s vlivem teploty a předpětí nebo vlhkosti nežádoucí ovlivnění přechodu polovodiče a parametrů polovodičové součástky. V případě chloridových iontů vyvolává korozi kontaktů,a tím úplnou destrukci polovodičové součástky. Negativní vliv na závěrné vlastnosti výkonových polovodičových součástek mají železité ionty Pe^+ pocházející například z oxidu železitého Pe203, který.se často používá jako pigmentace zapouzdřovací hmoty.
. Uvedené nevýhody odstraňuje epoxidová zapouzdřovací hmota podle vynálezu,sestávající zejména z epoxidové pryskyřice, tvrdidla a práškového plniva, obsahující 2 —1 oxid křemičitý s měrným povrphem 100 až 180 m .g v hmotnostním mhožství 0,1 až 1,2 % na obsah pryskyřice. Výhodou této epoxidové zapouzdřovací hmoty je snížení velikosti polarizačních janudů , aniž je významně ovlivněna její tekutost a zpracovatelnost technologií litím nebo přetlačováním, zmenšení svodových proudů a snížení termálně stimulovaných proudů v dielektriku. Důležitou vlastností zapouzdřovací hmoty je, že neobsahuje kovové ionty, a proto neovlivňuje závěrné vlastnosti polovodičové součástky, což zlepšuje její parametry a spolehlivost.
Příklad provedení.
K epoxidové aalévací hmotě tvořené nízkomolekulární epoxidovou pryskyřicí, diaminodifenyl sulfonem jako tvrdidlem, mletým taveným křemenem jako plnivem o hmotnostním poměru 100:30:50 je přidán oxid křemičitý s měrným povrchem 160 m . g v hmotnostním množství 0,4% na obsah pryskyřice. V případě epoxidové hmoty lisovací je hmota tvořena středně molekulární epoxidovou pryskyřicí, dikyandiamidem jako tvrdidlem, mletým taveným křemenem :’ jako plnivem a stearanem zinečnatým jako eeparátořem o hmotnostním poměru 100:5:250:2 8 přídavkem oxidu křemičitého s měrným povrchem 115 m2. g”1 v hmotnostním množství 1% na obsah pryskyřice.
Epoxidové zapouzdřovací hmoty podle vynálezu je •V možno použít k opláštování všech elektrických součástek, zejména je vhodná pro zapouzdření polovodičových součástek
Claims (1)
- Epoxidová zapouzdřovací hmota, sestávající, zejména z epoxidové pryskyřice, tvrdidla a práškového plniva, zejména oxidu křemičitého,vyznačená tím, že obsahuje oxid křemičitý s měrným povrchem. 100 až 180 m2. g v hmotnostním množství 0,1 až 1% na obsah pryskyřice.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS858376A CS257915B1 (cs) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | Epoxidová zapouzdřovaoí hmota |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS858376A CS257915B1 (cs) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | Epoxidová zapouzdřovaoí hmota |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS837685A1 CS837685A1 (en) | 1987-11-12 |
| CS257915B1 true CS257915B1 (cs) | 1988-06-15 |
Family
ID=5434227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS858376A CS257915B1 (cs) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | Epoxidová zapouzdřovaoí hmota |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS257915B1 (cs) |
-
1985
- 1985-11-20 CS CS858376A patent/CS257915B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS837685A1 (en) | 1987-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5539218A (en) | Semiconductor device and resin for sealing a semiconductor device | |
| GB1175780A (en) | Improvements in or relating to Housings for Semiconductor Devices | |
| MY118368A (en) | Thermosetting encapsulants for electronics packaging | |
| CN1526162A (zh) | 多种材料在电子器件的气穴封装中的应用 | |
| JPH06102714B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| CS257915B1 (cs) | Epoxidová zapouzdřovaoí hmota | |
| US3377522A (en) | Glass molded type semiconductor device | |
| JP7338661B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂硬化物及び電子部品装置 | |
| Olberg | The effects of epoxy encapsulant composition on semiconductor device stability | |
| JPS6191243A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPS6377924A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS6217604B2 (cs) | ||
| US3533965A (en) | Low expansion material | |
| JPS60229945A (ja) | エポキシ樹脂系封止材料 | |
| JP2954412B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2004115747A (ja) | ヒートシンク形成用樹脂組成物および電子部品封止装置 | |
| JPS5463300A (en) | Manufacrure of electric device | |
| JPH0565392A (ja) | 一液性エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS6462369A (en) | Epoxy polymer composition for powder coating | |
| JPS5598848A (en) | Resin-sealed type semiconductor device | |
| JPH0680753B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| CS268140B1 (cs) | Elektroizolační ochranný plast pro polovodičové součástky | |
| JPS62246921A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
| JP2534296B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS55137153A (en) | Electrical insulating resin composition |