CS248477B1 - Sposob výroby negativných litografických masiek - Google Patents

Description

Vynález sa lýka sposobu výroby negativných biografických masiek elektronovou litografiou pre integrované obvody s mikrometrovými a submikrometrovými rozmermi struktur.

Doteraz sa pri výrobě negativných biografických masiek exponovaných elektronovým zvazkom, používajú negativné elektrónovocitlivé rezisty. Tieto rezisty majú vo všeobecnosti v porovnaní s pozitívnymi rezistami menšíu rozbšovaciu schopnosť, vyššiu cenu a nie sú dostupné v potrebnej kvalitě, preto z biografického a technologického hladiska v mnohých prípadoeh nevyhovujú. Negativné masky sa robia tiež překopírováním cez pozitivně masky, čím však dochádza k nežiaducemu skresleniu štruktúr v porovnaní s originálom.

Uvedené nevýhody v podstatnej miere odstraňuje sposob výroby negativných biografických masiek podlá vynálezu, ktorého podstata spočívá v tom, že na sklenenú podložku opatrenú pozitívnym elektrónovocitbvým rezistom o hrúbke 0,1 až 0,7 («m sa nanesie hliníková vrstva o hrúbke 8 až 54 um a táto sa exponuje elektronovým zvazkom v pozitívnom móde, pričom sa před samotným chemickým spracovaním exponovanej rezistovej vrstvy odstráni hliníková vrstva vo vodnom roztoku 1 až 5 % hmot. hydroxidov alkalických kovov, výhodné hydroxidu sodného a/alebo hydroxidu draselného, potom sa napraší o hrúbke 80 až 120 nm vrstva v.ysokotavitelného kovou, výhodné z niobu a napokon sa kovová vrstva ležiaca na pozitívnom reziste odstráni lift off technikou.

Hlavnou přednostou vynálezu je, že umožňuje realizovat negativné masku bez drahého a technologicky často nevyhovujúceho negativného rezistu a tiež bez drahých skle- nených podložiek pokrytých bezdefektnou chrómovou vrstvou. Negativny sposob výroby biografických masiek je nahradený pozitívnym spracovaním, čo v podstatnej miere zjednodušuje výrobu negativných biografických masiek. Skosený profl štruktúr v pozitívnom reziste umožňuje realizovat biografické masky so štruktúrami až 0,2 ,αητ, ktoré sú vhodné aj pre rontgenovú a hlbokú ultrafialovú btografiu.

Na pripojenom výkrese, a to na obr. 1 je znázorněný profil sklenenej podložky 1, ktorá je ovrstvená pozitívnym rezistom 2 a pokrytá tenkou hliníkovou vrstvou 3, na obr. 2 je znázorněný pohlad na exponovaná a vyvolaná štruktúru masky s naprášenou vrstvou vysokotavitelného kovu 4 a na obr. 3 je znázorněná konečná štruktúra litografie kej masky. Příklad

Na sklenenú podložku 1 sa nanesie elektronový pozitivny rezist 2 typu polymetylnietakrylát o hrúbke 0,5 μπι a napaří sa 30 nm hrubá hliníková vrstva. Po expozícli v elektrónovom biografe sa hliníková vrstva odstráni v 3 % hmot. roztoku hydroxidu sodného a opláchne destilovanou vodou. Exponovaná vrstva sa vyvolá v zmesi metylizobutylketónu a izopropylalkoholu. Na takto pripravenú štruktúru sa napráži o hrúbke 100 nm niobová vrstva. Skleněná podložka 1 so štruktúrou sa potom vloží do trichlóretylénu a po ultrazvukovom dočištění sa btografická maska osuší.

Vynález može nájsť široké priemyslené využitie pri výrobě biografických masiek vhodných pre reabzáciu integrovaných obvodov typu SSI, LSI a VLSI.

Claims (2)

1. PREDMET Sposob výroby negativných litografických masiek, vyznačujúci sa tým, že na sklenenú podložku opatrenú pozitívnym elektrónovocitbvým rezistom hrubým 0,1 až 0,7 ^m sa nanesie hliníková vrstva o hrúbke 8 až 54 nm a exponuje elektronovým zvazkom v pozitívnom móde, pričom sa před samotným chemickým spracovaním exponovanej rezistovej vrstvy odstráni hliníková vrstva vo vodnom roztoku s 1 až 5 '% hmot. hydroxidov alkalických kovov, výhodné hydroxidu sodného, potom sa napraší 80 až 120 nm hrubá vrstva vysokotavitelného kovu, výhodné z niobu a napokon sa kovová vrstva ležiaca na pozitívnom reziste odstráni lift off technikou. 1 list výkresov 248477

   Obr. 1 4

   Obr.
2. 2 Obr. 3