CS248345B1 - Výkonová polovodičová součástka - Google Patents

Výkonová polovodičová součástka Download PDF

Info

Publication number
CS248345B1
CS248345B1 CS217285A CS217285A CS248345B1 CS 248345 B1 CS248345 B1 CS 248345B1 CS 217285 A CS217285 A CS 217285A CS 217285 A CS217285 A CS 217285A CS 248345 B1 CS248345 B1 CS 248345B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
semiconductor
metal
silicon structure
power semiconductor
semiconductor device
Prior art date
Application number
CS217285A
Other languages
English (en)
Inventor
Bohumil Pina
Jaroslav Satek
Libor Kalenda
Jaroslav Homola
Jaroslav Zamastil
Original Assignee
Bohumil Pina
Jaroslav Satek
Libor Kalenda
Jaroslav Homola
Jaroslav Zamastil
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bohumil Pina, Jaroslav Satek, Libor Kalenda, Jaroslav Homola, Jaroslav Zamastil filed Critical Bohumil Pina
Priority to CS217285A priority Critical patent/CS248345B1/cs
Publication of CS248345B1 publication Critical patent/CS248345B1/cs

Links

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Abstract

Očelem řešení je odstranění dilatací ve výkonové polovodičové součástce, vyplývajících z rozdílných koeficientů lineární tepelné roztaznosti polovodičové křemíkové struktury a wolframové nebo molybdenové dilatační elektrody. Uvedeného účelu se dosáhne tim, ze wolframová nebo molybdenová dilatační elektroda je nahrazena dilatační elektrodou z polovodičového materiálu s vodivostí blízké vodivosti kovu, která je s polovodičovou křemíkovou strukturou spojena měkkým nebo tvrdým spojem. Tato sestava je opatřena kovovými kontakty a kluzně vložena mezi hlavní elektrody pouzdra polovodičové součástky.

Description

Vynález se týká výkonové polovodičové součástky pro vysoká proudová přetížení.
Konstrukce výkonových polovodičových součástek se dosud řešila měkkým nebo tvrdým spojením polovodičové křemíkové struktury s molybdenovou nebo wolframovou dilatační elektrodou»
Nevýhodou této konstrukce» vyplývající z rozdílných koeficientů lineární tepelné roztažnosti křemíku a molybdenu nebo wolframu» je vznik dilatací. Dilatace vedou k prohnutí soustavy, ke kontrakci křemíkové desky a jsou příčinou různých typů poruch a snížené výtěžnosti.
Výše uvedené nevýhody odstraňuje výkonová polovodičová součástka podle vynálezu, sestávající z polovodičové křemíkové struktury, pevně spojené vodivým spojem s dilatačními elektrodami, kde polovodičová křemíková struktura je nejméně na jedné straně spojena tvrdým nebo měkkým spojem s dilatační elektrodou z polovodičového materiálu s vodivostí blízké vodivosti kovu. Sestava polovodičové křemíkové struktury a dilatační elektrody z polovodičového materiálu je na vnějších plochách opatřena kovovými kontakty a je kluzně uložena mezi hlavní elektrody pouzdra polovodičové součástky. Mezi kovovými kontakty a hlavními elektrodami může být umístěna nejméně na jedné straně kovová mezi2
248 345 vrstva, např* molybdenová nebo wolframová, případně další mezivrstva z měkkého kovu, nejméně na jedné ploše profilovaná*
Výhodou výkonové polovodičové součástky podle vynálezu je odstranění dilatací, způsobených rozdílnými koeficienty tepelné roztažnosti, polovodičová soustava nekontrahuje, neohýbá se a po připojení dilatační elektrody z polovodičového materiálu lze aplikovat běžné litografické postupy pro vytváření kontaktů*
Výroba výkonových polovodičových součástek s velkým průměrem křemíkové desky je ekonomicky výhodnější proti stávající konstrukci těchto součástek*
Na připojeném výkresu je na obr* 1 znázorněna polovodičová křemíková struktura výkonové polovodičové součástky podle vynálezu s vloženými kovovými mezivrstvami v řezu a na obr* 2 polovodičová křemíková struktura s další profilovanou mezivrstvou z měkkého kovu*
Příklad
Na obr* 1 je tyristorová struktura 1 o průměru 25 mm spojena tvrdým slitinovým spojem 2 s dilatační elektrodou £ v® tvaru podložky, vyrobené z křemíku vysoce dotovaného borem* Tento celek je opatřen hliníkovými kontakty 4 a £ a kluzně vložen mezi hlavní elektrody 6 a £ pouzdra polovodičové součástky. Mezi hlavními elektrodami 6 a£ pouzdra polovodičové součástky a hliníkovými kontakty 4 a fa jsou umístěny mezivrstvy 8 a £ vyrobené z molybdenového plechu tlouštky 0,2 mm*
Na obr* 2 je polovodičová diodová struktura 12 o průměru 25 mm. spojena tvrdým spojem 2 po obou stranách s dilatačními elektrodami 10 a 11* vyrobenými z křemíku vysoce dotovaného borem, opatřena hliníkovými kontakty 4 a5, které jsou odděleny mezivrstvami 8 a £ z molybdenového plechu tlouštky 0,2 mm od hlavních elektrod 6 a £ pouzdra polovodičové součástky, mezi které je celá sestava vložena* Mezi mezivrstvou 2 a hlavní elektrodou χ pouzdra polovodičové součástky je umístěna mezivrstva 13* vyrobená z na jedné ploše profilované stříbrné folie o výšce profilu 200 jim*
Náhradou molybdenové nebo wolframové dilatační elektrody dilatační elektrodou 2 z vysoce dotovaného křemíku je odstraněna dilatace, která byla způsobena rozdílnými koeficienty tepelné roztažnosti křemíku a wolframu nebo molybdenu* Mezivrstvy 8 a 2 z tenkého molybdenového plechu jsou použity pro odstranění dila3
248 345 tací při velkých průměrech polovodičových struktur. DalSí vrstva 13 z profilované stříbrné félie slouží k eliminování, nerovností hlavních elektrod 6 a J pouzdra polovodičové sou» částky.

Claims (3)

1. Výkonová polovodičová součástka sestávající z polovodičové, křemíkové struktury pevně spojené vodivým spojem s dilatačními elektrodami, vyznačená tím , že polovodičová křemíková struktura /1/ je nejméně na jedné straně spojena tvrdým nebo měkkým spojem s dilatační elektrodou /3/ z polovodičového materiálu s vodivostí blízké vodivosti kovů, přičemž sestava dilatační elektrody /3/ z polovodičového materiálu a polovodičové křemíkové struktury /1/ je na vnějších plochách opatřena kovovými kontakty /4/ a /5/ a je kluzně uložena mezi hlavní elektrody /6/ a /7/ pouzdra polovodičové součástky.
2. Výkonová polovodičová součástka podle bodu 1, vyznačená tím , že mezi kovovými kontakty /4/ a /5/ a hlavními elektrodami /6/ a /7/ pouzdra polovodičové součástky je umístěna nejméně na jedné straně kovová mezivrst* va /8/ a /9/, například wolframová nebo molybdenová.
3. Výkonová polovodičová součástka podle bodu 1 a 2P vyznačená tím , že mezi kovovými kontakty /4/ a /5/ a hlavními elektrodami /6/ a /1/ pouzdra polovodičové součástky nebo kovovými mezivrstvami /8/ a /9/ je volně vložena mezivrstva /13/ z měkkého kovu, nejméně na jedné ploše profilovaná.
CS217285A 1985-03-26 1985-03-26 Výkonová polovodičová součástka CS248345B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS217285A CS248345B1 (cs) 1985-03-26 1985-03-26 Výkonová polovodičová součástka

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS217285A CS248345B1 (cs) 1985-03-26 1985-03-26 Výkonová polovodičová součástka

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS248345B1 true CS248345B1 (cs) 1987-02-12

Family

ID=5358078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS217285A CS248345B1 (cs) 1985-03-26 1985-03-26 Výkonová polovodičová součástka

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS248345B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900003615B1 (ko) 정전 처크
KR900001240B1 (ko) 반도체 장치용 기판(基板) 구조체
JP3519299B2 (ja) 半導体装置
KR870007565A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
US6331730B1 (en) Push-in type semiconductor device including heat spreader
US20210359190A1 (en) Thermoelectric conversion substrate and thermoelectric conversion module
KR890004468B1 (ko) 반도체 장치
US3736474A (en) Solderless semiconductor devices
US4671593A (en) Microconnector with high contact density
CS248345B1 (cs) Výkonová polovodičová součástka
JP2005268555A (ja) 熱電素子とその製造方法
JP2000323647A (ja) モジュール型半導体装置及びその製造方法
KR20200095557A (ko) 시료 유지구
US3457474A (en) Semiconductor rectifier structure having semiconductor element assembly screwed into place on support base
JPS61198658A (ja) 樹脂封止型半導体装置
EP1421617A2 (de) Leistungselektronikeinheit
JPS6339968Y2 (cs)
JP2667027B2 (ja) 圧接型半導体装置
JPH0715906B2 (ja) 半導体回路素子の接触装置
JPH0666463B2 (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタ装置
KR920007021B1 (ko) 세라믹-금속복합기판
JPH0558569B2 (cs)
JP2019186411A (ja) 抵抗器およびその製造方法
JP5940939B2 (ja) 熱電モジュール
JP2005183637A (ja) 半導体装置及び半導体装置に用いられる電極部材