CS248306B1 - Polopouzdřené mikrovlnné tranzistory se stejnosměrným oddělením uzemněné elektrody - Google Patents
Polopouzdřené mikrovlnné tranzistory se stejnosměrným oddělením uzemněné elektrody Download PDFInfo
- Publication number
- CS248306B1 CS248306B1 CS848840A CS884084A CS248306B1 CS 248306 B1 CS248306 B1 CS 248306B1 CS 848840 A CS848840 A CS 848840A CS 884084 A CS884084 A CS 884084A CS 248306 B1 CS248306 B1 CS 248306B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- semi
- encapsulated
- transistor
- chip
- microwave transistors
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H10W72/5363—
-
- H10W72/5438—
-
- H10W72/5475—
-
- H10W90/753—
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Do otvoru v substrátu hybridního integrovaného obvodu jsou vloženy polopouzdřené mikrovlnné tranzistory. Zejména elektroda čipu tranzistoru spolu s čipem blokového kondenzátoru I.IIS je připojena zlatým kontaktov^cím páskem nebo drátkem na kontaktní plošku polopouzdra. Ke kontaktním ploškám jsou připojeny jen napájecí obvody.
Description
Vynález se’ týká polopousdřenýeh mikrovlnnýeh transistorů se stejnosměrným oddělením uzemněné elektrody, pomocí kterého se dosáhne maximálního využití parametrů tranzistoru.
Za účele* jednoduché stabilizace pracovního hodu tranzistoru je třeba v zapojení se společným emitor*» uzemnit emitorovou elektrodu přes blokovací kondensátor· Nevýhodou tohoto řeěemí je, le blokovací kondenzátor je umístěn mimo polopusdro transistoru a indukčnost přívodů mezi čipem, blokovacím kondensátorem a semnieí rovinou způsobuje zvláětě na vyěěích frekvencích pokles dosažitelného výkonového zesíleni a nestabilitu tranzistoru, popřípadě zcela znemožní použiti uvedeného spůsobu stabi lisace pracovního bodu· Kromě toho způsobuje toto řeěemí spoustu technologických problémů při umístění blokovacího kondensátoru· Výěe uvedené nedostatky odstraňuje stejnosměrné oddělení zemněné elektrody polopousdřenýeh mikrovlnných tranzistorů podle vynálezu·
Předmětem vynálezu jsou polopoigdřeně mikrovlnné transistory se stejnosměrným oddělením uzemněné elektrody, vyznačující se tím, že na montážním koliku je vedle čipu tranzistoru nasazen Čip blokovacího kondensátoru, který je připojen na zemněnou elektrodu
248 306 čipu tranzistoru a na kontaktní plošku umístěnou na izolační* dílu·
Vyšší účinek polopoindřených mikrovlnných tranzistorů podle vynálezu ve srovnání s dosavadní technologií spočívá v tom, že po usazení mikrovlnného tranzistoru do otvoru polopouzdra v substrátu hybridního integrovaného obvodu se ke kontaktní plošce uzemněné elektrody tranzistoru připojí již pouze stejnosměrné napájecí obvody*
Polopouzdřené mikrovlnné tranzistory provedené podle vynálezu budou dále popsány se zřetelem k připojeným výirostfíW) kde na obr· 1 je řez polopouzdrem s vloženými čipy a na obr. 2 půdorys tohoto uspořádání·
Do válcového isolačního dílu 2 s kontaktními ploškami na čelní ploěe je uložen montážní kolík 6, na kterém kromě čipu mikrovlnného tranzistoru 1. je usazen čip blokovacího kondenzátoru MIS 2. Zemněná elektroda čipu tranzistoru J. spolu s čipem 2 blokovacího kondenzátoru MIS je připojena zlatým kontaktovaeím páskem nebo drátkem J na kontaktní plošku která je umístěna na izolačním dílu 2·
Při takto vytvořené jednoduché stabilizaci pracovního bodu tranzistoru pak uvedené řešení podle vynálezu zajišíuje maximální využití parametrů tranzistoru a minimální technologické nároky při výrobě eložitějěníeh hybridních integrovaných obvodů· Polopouzdřené mikrovlnné tranzistory se stejnosměrným oddělením uzemněné elektrody jsou využitelné ve všech mikrovlnných zesilovačích, v kterých je použito jak nízkoěumovýeh^ tak výkonových tranzistorů·
Podstata vynálezu spočívá v tom, že do polopouzdra tranzistoru složeného z montážního kolíku 6 a válcového izolačního dílu 2 s kontaktními ploškami 4 je vedle čipu tranzistoru 2 usazen čip blokovacího kondenzátoru MIS 2, k němuž se připojí zamněnd elektroda čipu tranzistoru í spolu a kontaktní ploškou f polopouzdra ultrazvukovým svárem pomocí zlatého kontaktovacího pásku 2 či drátku·
Claims (1)
- Polopouzdřoné mikrovlnné tranzistory so stejnosměrným od děláním zemněné elektrody vyznačující se tím, že na montážním kolíku (6) je vadle čipu tranzistoru (1) usazen čip blokovací ko kondenzátoru (2), ktorý jo připojen na změněnou elektrodu čipu tranzistoru (1) a na kontaktní ploěku (4) umístěnou na izolačním dílu (5)·1 výkres248 308
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS848840A CS248306B1 (cs) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Polopouzdřené mikrovlnné tranzistory se stejnosměrným oddělením uzemněné elektrody |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS848840A CS248306B1 (cs) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Polopouzdřené mikrovlnné tranzistory se stejnosměrným oddělením uzemněné elektrody |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS248306B1 true CS248306B1 (cs) | 1987-02-12 |
Family
ID=5439514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS848840A CS248306B1 (cs) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Polopouzdřené mikrovlnné tranzistory se stejnosměrným oddělením uzemněné elektrody |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS248306B1 (cs) |
-
1984
- 1984-11-19 CS CS848840A patent/CS248306B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5949140A (en) | Microwave semiconductor device with via holes and associated structure | |
| US3986196A (en) | Through-substrate source contact for microwave FET | |
| US3784883A (en) | Transistor package | |
| US6919643B2 (en) | Multi-chip module semiconductor devices | |
| US3646409A (en) | Heat-sinking package for semiconductor integrated circuit | |
| CA2139266A1 (en) | Semiconductor Package | |
| DE69133468D1 (de) | Halbleiterchipanordnungen, Herstellungsmethoden und Komponenten für dieselbe | |
| KR950015757A (ko) | 저 열 임피던스 집적 회로 및 그 제조 방법 | |
| EP0712160A3 (en) | Improvements in or relating to semiconductor devices | |
| MY125167A (en) | Method/structure for creating aluminum wirebond pad on copper beol | |
| EP0838855A3 (en) | Semiconductor module | |
| FR2020723A1 (cs) | ||
| US4359754A (en) | Semiconductor device | |
| GB2137807B (en) | A semiconductor component and method of manufacture | |
| US6087721A (en) | Semiconductor device with a high-frequency bipolar transistor on an insulating substrate | |
| KR940008061A (ko) | 기판상의 칩 어셈블리 및 이의 제조 방법 | |
| US6953981B1 (en) | Semiconductor device with deep substrates contacts | |
| JPH0774278A (ja) | セラミック・パッケージ組立部品 | |
| GB1147469A (en) | Semiconductor devices, integrated circuits and methods for making same | |
| CS248306B1 (cs) | Polopouzdřené mikrovlnné tranzistory se stejnosměrným oddělením uzemněné elektrody | |
| US6776663B2 (en) | Electronic component with isolation barriers between the terminal pins | |
| KR100312467B1 (ko) | 반도체집적회로장치 | |
| GB8515479D0 (en) | Providing electrical connections to planar semiconductor devices | |
| CN222126513U (zh) | 功率半导体器件封装结构 | |
| KR100447460B1 (ko) | 고주파 바이폴라 트랜지스터 |