CS247009B1 - Sposob pasivácie polovodičových prvkov - Google Patents
Sposob pasivácie polovodičových prvkov Download PDFInfo
- Publication number
- CS247009B1 CS247009B1 CS847501A CS750184A CS247009B1 CS 247009 B1 CS247009 B1 CS 247009B1 CS 847501 A CS847501 A CS 847501A CS 750184 A CS750184 A CS 750184A CS 247009 B1 CS247009 B1 CS 247009B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- passivation
- diffusion
- implanted
- transition
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
Riešenie sa týká pasivácie PN prechodiov polovodičových prvkov. Podstatou riešenia je, že na vytvořený PN přechod sa před nanesením metalickej vrstvy ohmického kontaktu narastie dotovaná vrstva polykryštalického alebo amorfného kremíka súhlasnéhto typu vodivosti ako difúzna připadne implantovaná vrstva vytvárajúca PN přechod, pričom vrstva polykryštalického alebo amorfného kremíka prekrýva základnu pasivačnú vrstvu až za difúzne alebo implantované vrstvy vytvárajúce PN přechod.
247009 247 3
Vynález sa lýka pasivácie PN prechodov polovodičových prvkov. U doposial' známých PN prechodov polovodičových prvkov sa používajú pri ich výrobě známe spůsoby pasivácie, napr. kysličník křemičitý, nitrid kremíka, sklená pasivácia a iné.
Nevýhodou takto pasivovaných polovodičových prvkov, hlavně s velkou plochou PN přechodu je nedostatočná pasivácia, čo sa prejavuje zvýšenou hodnotou zbytkových prúdov, připadne nestabilitou vyrobených polovodičových prvkov.
Hoře uvedené nedostatky odstraňuje sposob pasivácie polovodičových prvkov podl'a vynálezu, ktorého podstatou je, že na kremíkovom substráte s epitaxnou vrstvou sa cez základnú pasivačnú vrstvu vytvoří PN přechod. Tento je možné vytvořil difúznymi alebo implantovanými vrstvami. Na takto vytvořený PN přechod sa před nanesením metalickej vrstvy ohnr.ckého kontaktu narastie dotovaná vrstva polykryštalickélr; alebo; amorfného kremíka. Táto vrstva musí byí súhlasneho typu vodivosti ako difúzna alebo- implantovaná vrstva vytvárajúca PN přechod. Polykryštalická alebo amorfná křemíková vrstva musí přitom překrývat' základnú pasivačnú vrstvu až za difúzne 009 4 alebo implantované vrstvy vytvárajúce PN přechod. Výhodou sposobu pasivácie podía vynálezu je zvýšenie reprodukovatelno-sti výroby a zlepšenie charakteristických paramettov prejavujúcich sa v menších zbytkových prúdoch, vyššej stability a tiež možnosti vytvárania plytkých difúznych alebo implantovaných PN prechodov.
Obr. znázorňuje rez polovodičovým; prvkom charakterizujúcim sposob pasivácie podlá vynálezu.
Planárny polovodičový prvok podía vynálezu sa zhotoví tak, že na vyleštenom kremíkovom substráte· 1 typu vodivosti N, narastieme epitaxnú vrstvu 2 súhlasného typu vodivosti, na ktorej vytvoříme základnú pasivačnú vrstvu 3. Fotolitograifiekoiu cestou a odleptáním vytvoříme otvor pře súhlasne vodivostnú difúznu vrstvu 4. Po jej vytvoření urobíme difúznu vrstvu 5 typu vodivosti P, čím je vytvořený PN přechod a narastieme vrstvu polykryštalického, alebo amorfného kremíka 7, rovnakého typu vodivosti, na ktorý vytvoříme metalickú vrstvu ohmického kontaktu 6.
Rozčlenenie systémov, montáž a puzdrenie robíme známým, doposial1 používaným spůsobom.
Claims (1)
- PREDMET Sposob pasivácie polovodičových prvkov, kde na kremíkovom substráte s epitaxnou vrstvou sa cez základnú pasivačnú vrstvu vytvoří difúznymi připadne implantovanými vrstvami PN přechod, vyznačujúci sa tým, že před vytvořením metalickej vrstvy ohmického- kontaktu (6) sa narastie dotova- VYNALEZU ná vrstva polykryštalického připadne amorfného kremíka (7) súhlasného typu vodivosti s difúznou připadne implantovanou vrstvou (5), pričom prekrýva základnú pasivačnú vrstvu (3) až za difúznu připadne implantovanú vrstvu (4). 1 list výkresov 247009 i
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS847501A CS247009B1 (sk) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | Sposob pasivácie polovodičových prvkov |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS847501A CS247009B1 (sk) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | Sposob pasivácie polovodičových prvkov |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS750184A1 CS750184A1 (en) | 1985-07-16 |
| CS247009B1 true CS247009B1 (sk) | 1986-11-13 |
Family
ID=5424268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS847501A CS247009B1 (sk) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | Sposob pasivácie polovodičových prvkov |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS247009B1 (cs) |
-
1984
- 1984-10-04 CS CS847501A patent/CS247009B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS750184A1 (en) | 1985-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3847687A (en) | Methods of forming self aligned transistor structure having polycrystalline contacts | |
| US3025589A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices | |
| US4264382A (en) | Method for making a lateral PNP or NPN with a high gain utilizing reactive ion etching of buried high conductivity regions | |
| US3293087A (en) | Method of making isolated epitaxial field-effect device | |
| US4607270A (en) | Schottky barrier diode with guard ring | |
| US4375717A (en) | Process for producing a field-effect transistor | |
| GB1219986A (en) | Improvements in or relating to the production of semiconductor bodies | |
| US4899199A (en) | Schottky diode with titanium or like layer contacting the dielectric layer | |
| GB2030002A (en) | Semiconductor devices and methods of manufacturing them | |
| IE34131B1 (en) | Semiconductor wafers and pellets | |
| US4191595A (en) | Method of manufacturing PN junctions in a semiconductor region to reach an isolation layer without exposing the semiconductor region surface | |
| US4358891A (en) | Method of forming a metal semiconductor field effect transistor | |
| SE316221B (cs) | ||
| US3338758A (en) | Surface gradient protected high breakdown junctions | |
| US4780426A (en) | Method for manufacturing high-breakdown voltage semiconductor device | |
| JP2605030B2 (ja) | 直交バイポーラ−トランジスタ | |
| US3436279A (en) | Process of making a transistor with an inverted structure | |
| US4224631A (en) | Semiconductor voltage reference device | |
| US5098862A (en) | Method of making ohmic electrical contact to a matrix of semiconductor material | |
| GB1362345A (en) | Semiconductor device manufacture | |
| JPH02186675A (ja) | 高耐圧プレーナ型半導体素子およびその製造方法 | |
| US6396084B1 (en) | Structure of semiconductor rectifier | |
| JPH04287978A (ja) | バラクタダイオード | |
| JPH02178973A (ja) | 横型ショットキーダイオードの製造方法 | |
| KR960011182B1 (ko) | 바이폴라 소자의 제조방법 |