CS240436B1 - Semiconductor memory element with two transistor controlled poles - Google Patents
Semiconductor memory element with two transistor controlled poles Download PDFInfo
- Publication number
- CS240436B1 CS240436B1 CS823144A CS314482A CS240436B1 CS 240436 B1 CS240436 B1 CS 240436B1 CS 823144 A CS823144 A CS 823144A CS 314482 A CS314482 A CS 314482A CS 240436 B1 CS240436 B1 CS 240436B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- transistor
- semiconductor memory
- memory element
- input
- ρθτθηηη
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- OYGZAERTQAIZGU-LURJTMIESA-N (2s)-2-amino-5-methylhex-5-enoic acid Chemical compound CC(=C)CC[C@H](N)C(O)=O OYGZAERTQAIZGU-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- 241000283986 Lepus Species 0.000 description 1
- 240000007313 Tilia cordata Species 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/403—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh
- G11C11/404—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh with one charge-transfer gate, e.g. MOS transistor, per cell
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Heat Sensitive Colour Forming Recording (AREA)
Description
OÓJiaCTL ΠρΗΜΘΗΘΗΗΗ Η3Ο0ρθΤΘΗΗΑ ikHHoe Η30όρθτθΗΠθ KacaeTCH no^ynpoBojijfflKOBoro 3anoMHHaiome-ΓΟ ΘΛΘΜΘΗΤΘ C £ByMA ΠΟΛΘΒϋΜΗ TpaH3HCT0paMH, KOTOpuS ΠρΗΜΘΗΑ-ΘΤΟΑ B ^aCTHOCTH B OÓJiaCTH BOJiynpOBOJtBZKOBHX 3anOMHBaWXyCipOflOTB Ha HHTerpaJLbHHX cxewax JSflSi 9ΛΘΚΤρ0ΗΗΗΧ ΒΙΓΠΙΟΛΗΤβΛΒ-hux ycTpoflcTB z αία βηίηολητθλβηηχ uamzH·
XapáKTapzcTHKa η3βθοτηηχ τθχηηηθοκηχ pemeHzfi
JlZHaMZHecKHe nojiynpoBOAHZKOBua 3anoMZHanqze ycTpoíícTBa o bh-COKOĚ ΟΤθΠΘΗΒΚ) HHTaipaUHH 3aiI0MHQaDT ZH$OpMaiWO B KaneCTBOsapasa Ha θμκοοτη. Τθκομ ochobhoS πρπΗΗΗπ omicaH b u.s.p.S338-4286. IIpaHMymeoTBO TaKofi 3anoMHHaxmeft hhqžkh oóochobh- .BaěTCA Haóojamofl 38Ηζμ8θμο& πίοπ»αμο π ηοπολβ30β8Ηηθμ tojibko ΟΑΗΟΓΟ ΠΟΛΘΒΟΓΟ TpaHSHCTOpa ΑΊΑ ρθθαΕΗ3ΘΙξΖΖ 3Τθ2 3βΠ0ΜΖΗ8ΧΧΙ«θ2ΑΗθδΚΗ. 240436 -3-
IfeBecTHH Taxse 3anoMHHaromne ot©2kh o 2 h 3 hojigbhmh TpaH3no—TopaMH, HanpHMep, 3anoMHHa»uiaa anežKa ο τρθΜΗ TpaH3HCTopaMHH 5 hjih 4 BBOjíaMH (W.M.Regitz h J.A.Karp ΤΕΕΞ Journ._Sl_5(IS70), οτρ. 181), a τθκκθ 3anoMHHaiaqaa aaežKa o £BýMa Tpan-3HCT0paMH H 4 HJIH 3 BB0fl3MH (ΠΘΤΘΗΤ DE-OS 2458 117 H DE-OS2516 551).
Xoth npeiroiymecTBOM θτηχ 3anoMHnawcx aaeeK no cpaBHOHiro c I-TpaH3HCT0pH0U ΗΗΘΗΚΟβ XBJIHOTCH 0ΟΛΒΙΠΘΘ ΗΘΠρΗΚΘΗΗΘ ΟΗΗΤΗΒΘΗΗΗ,ho sto npeHMymecTBO ymraTOBaoTca 3Η3ήητθλβηο tíojiLineS noTped-hoctbk) b miomajíH. ,Ποθτομυ b nocjieHHee bpgmh Hamzm npHMeHGHHGraaBHHM 0Ópa30M 3anOMHHaWIO yCTpOŽCTBa o I-TpaH3HCTOpHOÍÍotghkož. Bo3pacTanno yMGHBmeHHH 3anoMHHawtx hhggk, Tpetíyio-mero C ΠΟΒΗΠΙΘΗΗΘΜ ΟΤΘΠθΗΗ HHTerpamm ΜΗΙφΟΘΗΘΚΤρΟΗΗΚΗ, npHHy-fíHTejiLHo odycaaBJíHBaoT yMGHLniGHHG η3κοπλθηηογο 3apaHa h b pe-3y jíl Ta τθ stopo - yMeHBmoHHo HanpasGHHH οηητηβθηηη. Ποθτομυ. Taioie 3anoMHHawie hhgííkh jma 3anoMHHawtx ycTpoScTB o μθκοη-MaJiBHoS gtghghld HHTerpamm Ha^nyT b dynymeM πρΗΜθΗθΗΗθ jnmn>b orpamraoHHoa Mapo, tsk κθκ οηη, θολή sto booóiuo bo3MOJXho,MOryT Hp0H3B0flHTi> TOJILKO MGflJIGHHOG ΟΗΗΤΗΒΘΗΗΘ Η OHGHL ΗΘΗ3—flOHHH B paóOTe.
HosTOMy jyia dyjiymax ποκολθηηη nojrynpoBO,nHHKOBHx 3anoMHHawixycTpožcTB TpeóyHzrca 3anoMHHaicinHe ηηθκκη, κοτορπβ πρη θκοτρθ-MaaLHOM yMeHLmeHmi caMH eme xopomo οήητηβθθμη η, hgcmotph nasto,' TpedyioT Hajnraao HedojiLinoii miomajíH. H3jiohghhg cymecTBa Η3ο0ρθτθΗΗΗ
Saflaaa H3odpGTGHna 3aiuwnaoTCH b 003flaHHH τθκογο nojiynpoBOfl-ΗΗΚΟΒΟΓΟ 3an0MHHaHm0r0 SJIGMGHTa O 2 ΠΟΛΘΒΗΜΗ TpaH3HCT0paMH,nocpejccTBOM κοτοροΓο HOBumaeTca HanpaseHiia ο^τηβθηηη h bpe3yaBTaTQ - ckopoctl οηητηββηηη no cpaBHGHHB ο h3bgcthhmhRQ CHX πορ pGJUGHHHMH ΠρΗ OflHOBpGMGHHOit HH3KO0 y£QJILHOH nOTpetí-hocth b naouiajua. 240436 -4-
CoiviacHo Η3ο<5ρθτθηη» 3Ta 3a«aHa peiuaoTCH τθμ, ητο θμκοοτιιÓ 2 H C OT 3aTB0pa ΤρθΗΟφθρΗΟΓΟ H 3apfmiioro TpaH3HCTOpOBnOJJKJnOHaiOTCH K ΠΙΗΗΘ ΠθρθΛΘΗΗ CJIOB. P03yjE,THpyiOHee ΠΟρΟΓΟΒΟΘΗθπροβΗΗθ 3apjj£Horo TpaH3HCTopa jigjkht Meayjy pe3yji£rapywi-MH ΠΟρΟΓΟΒΗΜΗ HanpBDKeHHHMH ΤρθΗΟφθρΗΟΓΟ TpaH3HCT0pa B COCTOH-hhh "I" ra "0". IlepBHií θΛθκτροΛ ynaoTKa otok/hotok TpaHcpep-ΗΟΓΟ TpaH3HCT0pa CBH3aH ΗΘΠΟΟΡΘΛΟΤΒΘΗΗΟ O pa3p£WHOÍÍ MHHOfi.Peajm3amia: otíeHx θμκοοτθμ C 2 h C 2^· npoH3BojjHTCH npn echoje»-30Bamm £Byx nojiEKpHCTaJuiHHecKHX κρθμηηθβηχ cjiosb. ΠρπΜθρ ocymeoTBJíaHHH η3ο<5ρθτθηηη
Hase npHBO£0TCH dojiee πο,προόΗοθ ποηοηθηηη ηθοτοηπιθγο H3oópe-ΤΘΗΕΗ Ha ΠρΗΜθρθ ΟΟ^ΘΟΤΒΛΘΗΗΗ Η300ΡΘΤΘΗΗΗ.
Ha npzjiaraeMOM πβρτθΗθ H30ÓpaseHu: Φηγ. I: CxeMa 3anoMHHaw2: ηηθ£κη o jipyMH πολθβημη TpaH-
3HCT0paMH ΦΗΓ. 2: ΠρΒΚΤΗΊΘΟΚΗΘ npHMepa (Layout) ΒΗΠΟΛΗΘΗΗΗ ΚρθΜ- ΗϋθΒΟϋ ΤΘΧΗΟΛΟΓΗΗ C η-ΠρθΒΟ£ίΠΙξΗΜΗ ΣΟΗΘΛβΜΕΪ C JÍBy-ΜΗ ΠΟΛΗΚρΕΟΤΘΛΠΗΗΘΟΚΗΜΗ ΚρθΜΗΗΘΒΗΜΗ WIOCKOCTBMH Ο ’ An$ŤyiWpoBaHHo2 pa3pa#Hoií hhiho2 (BapnaHT I). Φεγ. 3: Πρθκτηηθοκηθ πρπΜθρΗ βηποληθηπη (Layout) κρθΜΗΗθ— BOit ΤΘΧΗΟΛΟΓΗΗ Ο η -KaHaJiaMH Ο £ByMH EOJIHKpHCTaJI-JEa^eCKHMH ΚρβΜΗΗΘΒΗΜΗ IUIOCKOCTHME Ο ΜΘΤβΛΛΗΗΘΟΚΟΖpa3pwo2 imiHoft (BapaaHT 2). HOJiyUpOBOAHHKOBHÍi 3anOMHHaWlfi 3ΛΘΜΘΗΤ COCTOHT H3 jtByx HOJie-BHX ipaH3HCTOpOB, ΠΟΑΚΛΚΗΘΗΉΚΧ B ΟΟΟΤΒΘΤΟΤΒΗΗ C $ΗΓ. I K pa3-PHHHOfi ΙΠΗΗΘ flJIH BBO.ua H BHB0JI3 ΗΗφορΜΘΕζΗΗ, Κ ΙΠΗΗΘ JPIH ΠθρθίΗ-ΉΗ CJIOB jyiH HOAÓOpKH ΘΘΠΟΜΗΗβΠΙΙΘΓΟ ΘΛΘΜΘΗΤΘ JlflB. CHHTHBaHHH H3amicH η κ padoHOMy HairpHKeHHD. 240436
Pa3pímHaH iinma cnocotíHa πρηηημητβ λβοηηηηθ ypoBUH Hanpa-ΗΘΗΗΗ "BHCOKHfi " < w H "HH3KHŮ" < UBL > ’luHHa RJ1SÍ ΠθρθΛ3ΉΗ CJIOB ynpaBJIHQTCH ΠΟΟρθΛΟΤΒΟΜ ΤρθΧ ypOB-ΗΘ2 HanpWKQHHH. "HEBKÉM” ypOB6HB Η3ΠρΗ2ΚΘΗΗΗ (U^,. ΤΟoctl 3anoMHHaKUíBdS θλθμθητ ηθ cpatíoTaji), "cpeju-mž" ypoBGHBHanpasoHiia (nw , 3anoMHHawifi θλθμθητ λολββη óhtb tojilkoCHHTaH) , "BIÍCOKH2" ypOBQHB (U^, 3aH0MHHaEIHHfl 3JIQM6HT HO#-’Jie&HT 3anHCa, ΟΠΗΤΗΒΘΗΗΙΟ HJIH Β0300ΗΟΒΛΘΗΗίθ) . 3ΛΘΚΤΡΟΛ CTOÍK/HCTOK 3apfl«HOrO TpaH3HCTOpa TL ΟΟΘ,ΣξΗΗθΗ c3aiB0p0M ΤρβΗΟφθρΗΟΓΟ TpaH3HCT0pa T^. Otía TpaH3HCT0pa Tj, HTt iipiicoQflHHaHH κ pa3pHAHo2 πιηηθ, a θΛθΚτροβ ctok/hctokTpaH3HCTopa Tt noHKJimeH k patíoneMy HanpjEKemno.
Emkocth C 2 h C 2*. κοτορκθ peajiH3ymTCH προοτο Meawy jcByMHnojimcpHCTajuÍHHecKHMH κρθΜΗΗθΒΗΜΗ cjiohmh, iipejiHa3HaHeHn jyiHperyjmpoBKH noporoBta 3Η8ηθηηη jym bkjiiohqhhh TpaH3ncTopoB TLH Tt H JWLH raJILBaHUHeCKOň H30JUmHH ββΠΟΜΗΗΘΙΟΠΙΘΓΟ 38TB0paΤρθΗΟφθρΗΟΓΟ TpaH3HCT0pa. IIOJiyiipOBOJIHHKOBHS 3anOMHHaKimiÉ 3JIQ-ΜΘΗΤ HHT9rp«py0TOH B ΜΘΤρΗΗΘ RUSÍ ΗΗΤΘΓρθΛΒΗΗΧ, ΧΗΗΘΜΗΉΘΟΚΗΧ3anHCHBaWDt H CHHTUBaidUHX 3anOMHHaWK yCTpoSCTB CO CBOtíOJt-HHM OÓpaiUOHljtQM. ΗΗΗΘ HOHCÍUDOTCH $yHKI#HÍ HOJiyiipOBOJIHHKOBOro3anOMHHaOHe])O ΘΛΘΜΘΗΤΘ. íyHKwaa 3anicn aKTHBupyeTca corjiacHO $nr. I 3a choť bucokotoypoBHH HanpjjDseHiw Ha ιπηηθ rusí napělaήη cjiob, b pe3yjiL- Τ3ΤΘ ΗΘΓΟ ΒΧΠΙ0ΗΘΗ 3apB£HHfl TpaHSHCTOp H 3aH0MHHaWlH 33T30pTpaHctJepHorp TpaH3ncTopa , b οοοτβθτοτβηη c ypoBueM pa3-ΡΗβΗΟδ Π1ΗΗΗ' 3apoaeTCH tíOJILIUHM 3apO0M Q1 (npa BHCOKOM ypOBΗΘ Ha pa3pfl,ÚH0Ž ΠΙΗΗθ) HJIH ΗθόΟΛΒΠΙΗΜ 3apfl£OM Οθ (ΐφΗ HH3K0MypoBHe Ha p^3pa#Ho2 ιπηηθ) . . lípu cHiriHBabiB: pa3pjmHaa mHHa cHanajia pa3pHacaeTCH ηηθκογοypoBHH HanpHscaHHH UBI(. Ba πιηηθ nepe^ana cjiob npn οηητηβθηηη 240436 ηθχολητοη cpojumfl ypoBQHB ηθπρηκθηηλ uVH, b pe3yjiLTaTe ήθγο3apjwHH2 TpaH3HCTop tl οοτθθτοη aanepTHM.
OflHaKO TpaBC$epHUfl TpaH3HCTOp I ΒΚΛΒΗΘΘΤΟΗ, ΘΟΛΗ K ΘΓΟ 3aT-Bopy npn 3anncH nocTynaeT dojiBuiožt 3apjm q1 , ho, ηθπροτηβ, OH OCTaaTCH 0ΚΛΒΉΘΗΗΗΜ, ΘΟΛΗ OH ΗΗΚΟΠΗΛ ΗΘ0ΟΛΒΠΙθ8 3ap«HB COOTOHHHH 3anOMHHaiflmorO ycrpOŽCTBa "I” Ηθρθ3 ΟΤΚΛΒΗΘΗΗΐώτρβΗ3Ηθτορ Tt ojuia nacTB padonoro HanpoeHtTg UB nepeHocnT-ca Ha pa3pHHByD many, b pθ3yΛBτaτθ ήθγο τθμ Β03ΗΗκθθτ bhcokhAypOBOHB ΗΘΠρΗΗΘΗΗΗ ΟΗΗΤΗΒΘΗΗΗ Ugg.
Ha $nr. 2 H &ΗΓ. 3 H30ČpaH8HH £Ba ΤΘΧΗΟΛΟΓΗΗΘΟΚΗΧ ΠρΗΜθρβpeajffl3ano ΤΙθΧΗΟΛΟΓΗΗ ΚρθΜΗΗΘΒΗΧ 3aŤB0p0B. SaTBOpH TpaH3HCTQ—ΡΟΒ Tt H TLpópa3yK)T0H Β I-08 ΠΟΛΗΚρθΜΗΗθΒΟΑ ΠΛΟΟΚΟΟΤΗ. £ΒΘθμκοοτη C 2 ta C 2X βοβηηκθβτ 3a οηθτ nepeKpemHBaHHH 2-o2ΠΟΛΗΚρθΜΗΗΘΒίοΑ ΠΛΟΟΚΟΟΤΗ Ο I-OŽ ΠΟΛΗΚρθΜΗΗΘΒΟβ ΠΛΟΟΚΟΟΤΒΙΟ. 3a οηθτ nojtfopa τολιιιηηη οκηολοβ η nepeKpHBawft ποβθρχηοοτηΟόθΟΠΘΗΗΒβθΤΟΗ ΗΘΟόχΟΛΗΜβΗ ΓΗ0ΚΟΟΤΒ jyiH ρβΟΉΘΤΘ 3ΤΗΧ ΘΜΚΟΟΤΘΖ.Βτορθπ ΠΟΛΗΙφθΜΗΗΘΒβΛ ΠΛΟΟΚΟΟΤΗ ΟΛΗΟΒρθΜΘΗΗΟ 0Ópa3yGT UIHHyjyiA nepejta^H: ολοβ.
Pa3p3KHaa εηηθ βηποληηθτοη ηλη κθκ ληΦΦ^ηληροβθηηθη 30Ha(φΗΓ. 2) ΗΛΠ Κ8Κ ΜΘΤΘΛΛΗΗΘΟΚΠΒ ΟΛΟϋ (φΗΓ. 3). 240436 -7-
ΦΟΡΜΙ H30EPETEHMS Σ. DOJiynpOBOJUIHXOBÍíS 3anOMHHaWH& 3ΛΘΜΘΗΤ C AByMHΠΟΛΘΒΗΜΗ TpaH3HCT0paMH, y ΚΟΤΟρΟΓΟ ΗΜΘΘΤΟΗ ΟΟΘβΗΗΘΗΗΘ 33TB0—pa TpaHc$epHoro TpaH3HOTopa c 3oho2 ctok/hotok 3apHJCHOrOTpaH3HCTopa, oda TpaHc$op.\raTopa cbohmh θλθκτρολθμη ctok/hotokιιοΛΚΛΒΊβΗκ x paapxHHoB amHa, a aTopaa a o Ha qtok/hctok tpqhg—φθρΗΟΓΟ TpaH3HCTopa coeflHHQHa c ληηηθΕ paóonero ηθπρηκθηηη,ΟΤΛΙΠΘΚϋΙΗ^ΟΗ ΤΘΜ, HTO ΘΜΚΟΟΤΗ C 2 H C 2^ 3ΘΤΒ0ρ0Β ΤρθΗΟφβρΗΟ-ΓΟ H 3apa&H0rO TpaH3HCTOpOB ΟΟθΑΒΗΘΗΗ C ΙΠΗΗΟΖ JíflS. Πθρθ,ΠΒΗΗcjiob, hto pe3yjiBTnpywe noporoBoe HanpHsaHHe 3apajmoro TpaH-32CT0pa JIQSHT MeSJQf pQ3yjIBTiipyWXM2 ΠΟρΟΓΟΒΗΜΗ HanpaseiiHaMHΤρθΗΟφθρΗΟΓΟ TpaH3HCT0pa B COOTOKHHH "I" HJIH ”0” Η ΉΤΟ ΠθρΒίώ3ΛΘΚΤρ0Λ-0Τ0Χ-HOTOK ΤρβΗΟφθρΗΟΓΟ Tp8H3HCT0p8 COQKHHQH ΗΘΠΟ-Ορθ,ζΟΤΒΘΗΗΟ C pa3pfljmo2 IHHHO2. . 2, ϋο^προΒΟΛΗΗΚΟΒίώ aanoMHHannHB 3λθμθητ no nyHKTy I,OTjnraawE&c.a tou, hto peajmaamxx flByx θμκοοτθΑ C 2 h C 2* ocy-mecTBJwaToa npa homoiuh jipyx πολκκρηοτηλληηθοκηχ κρθμηηθβηχΟΛΟΘΒ. 240436 -8-
AHHOTAW
HacToamee η3ο<5ρθτθηιιθ KacaeTca nojiynpoBOjuuiKOBoro 3anoMHHaio-mero ΘΛΘΜΘΗΤβ O JtByMH ΠΟΛΘΒΗΜΗ TpaH3HCTOpaMH, ΠρΗΜΘΗΘΗΙίΘ KO-τορϋχ Β HaCTHOCTH Πρ0Η3Β0ΛΗΤ<3Η Β OČJiaCTH ΠΟΛγπρΟΒΟΛΗΗΚΟΒΗΧ3anoMHBaKm: ycTpoficTB Ha ηητθγρθλβηηχ cxeMax jyia θλθκτροη-HHX BHHKCJIHTQJIBHHX yOTpOflCTB H PflR ΒΗΉΗΟΛΗΤΘΛΒΗΗΧ MaifflSH.
UeJlBIO Η300ΡΘΤΘΗΗΗ ΗΒΛΗΘΤΟΗ 003ΛΘΗΗΘ ΠΟ^ΠρΟΒΟβΗΗΚΟΒΟΓΟ 33Π0-MHHaromaro ycTpoScTBa, κοτοριώ πρκ ηθ0ολβπιο2 yjxejiBHoa ποτρθΰ-HOCTH Β ΠΑΟηΟΑΚ θϋξθ ΧΟρΟΠΙΟ ΟΗΗΤΗΒΘΘΜ Η ΙφΗ #3ΛΒΗΘ&ΠΘΜ yMQHL-ΙΙΙΘΗΗΗ.
Sahana Η3θόρθΤθΗζα ββκπηπθθτοΗ β οοθλθηηη noaynpoBonHHKOBoro3anOMHHaKUierO ΘΛΘΜΘΗΤΘ Ο 2 ΠΟΛΘΒΗΜΗ TpaH3HCT0paMH, nocpencT-βομ κοτοροΓο ποβηπιθθτολ ηθπρηκθηιιθ οηητηβθηπη η τθκημ odpa-30Μ CKOpOCTB ΟΗΗΤΗΒΘΗΗΗ ΠρΗ Ο^ΗΟΒρθΜΘΗΗΟ HH3K0fl yj^eJILHOŽ HO-TpedHOCTH b miomajiři.
Sahana coraacHo H3odpQT0HHio pemaeTca τθμ, ητο θμκοοτη C 2 ηC 2X 3aTBopa TpaHc$epHoro h 3apanHoro TpaH3HCTopoB nojcKJnoqe-HH K ΒΙΗΗΘ ΠθρθΛΘΉΗ CJIOB. PG3yjILTHpyiOffle0 ΠΟρΟΓΟΒΟΘ ΗΘΠρΟΘΗΗΘ.3apjWHor<x TpaH3ncTopa λθηητ Mejiwy pe3yjii>THpyiouiHMH πορογοβημηHanpjBKeHHHMH ΤρθΗΟφβρΗΟΓΟ TpaH3HCT0pa B COCTOHHHH "I** EDÍK"O". HepBHŽ ΘΛθΚΤρΟΛ CTOK/HCTOK ΤρθΗΟφθρΗΟΓΟ TpaH3HCTOpa CBH-' 33H ΗΘΠΟΟρΘΛΟΤΒΘΗΗΟ C pa3pfl£H02 fflHHOfl. 240436
Claims (2)
- 9 240436 P S E 1) Μ ϊ I VYNÁLEZU1. Polovodičový paměíový prvek se dvěma tranzistory řízenými polem, u něhož je spojenípřevodního tranzistoru s pásmem vstup/výstup' nabíjecího tranzistoru, oba transistory svými elektrodami vstup/výstup jsou připojeny k vybíjecímu vodiči a druhé pásmo vstup/vý-stup převodního tranzistoru je spojeno s úrovní pracovního napětí, vyznačující sě tím,že kondensátory C2 a C2 obou tranzistorů jsou spojeny vodičem pro předávání slov, takževýsledné prahové napětí nabíjecího tranzistoru leží mezi výslednými prahovými napětímipřevodního tranzistoru ve stavu "1" nebo "0" a ža první elektroda vstup/výstup převodní-ho tranzistoru je spojena přímo s vybíjecím vodičem,
- 2. Polovodičový pamělový prvek podle bodu 1, vyznačující se tím, že oba kondenzátoryC2 a C2 ás°u opatřeny polykrystalickými křemíkovými vrstvami. Uznáno vynálezem na základě výsledků expertizy, provedené úřadem pro vynélezectví a patentnictví, Berlín, DD. 2 výkresy
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD81230022A DD160601A3 (de) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | Halbleiterspeicherelement mit 2 feldeffekttransistoren |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS240436B1 true CS240436B1 (en) | 1986-02-13 |
Family
ID=5530961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS823144A CS240436B1 (en) | 1981-05-18 | 1982-05-03 | Semiconductor memory element with two transistor controlled poles |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828866A (cs) |
| CS (1) | CS240436B1 (cs) |
| DD (1) | DD160601A3 (cs) |
| DE (1) | DE3212945A1 (cs) |
| HU (1) | HU185711B (cs) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6025269A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-08 | Hitachi Ltd | 半導体記憶素子 |
| JPH01133357A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-25 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| KR100229961B1 (ko) * | 1991-01-09 | 1999-11-15 | 피터 토마스 | 메모리셀 장치 및 동작방법 |
-
1981
- 1981-05-18 DD DD81230022A patent/DD160601A3/de not_active IP Right Cessation
-
1982
- 1982-04-07 DE DE19823212945 patent/DE3212945A1/de not_active Withdrawn
- 1982-05-03 CS CS823144A patent/CS240436B1/cs unknown
- 1982-05-18 JP JP57082534A patent/JPS5828866A/ja active Pending
- 1982-05-18 HU HU821577A patent/HU185711B/hu unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DD160601A3 (de) | 1983-11-16 |
| HU185711B (en) | 1985-03-28 |
| JPS5828866A (ja) | 1983-02-19 |
| DE3212945A1 (de) | 1982-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR890008849A (ko) | 퓨우즈 상태 검출회로 | |
| ES388720A1 (es) | Dispositivo semiconductor para transferir carga en forma secuencial. | |
| AT290692B (de) | Elektrischer Stapel- bzw. Schichtkondensator | |
| CS240436B1 (en) | Semiconductor memory element with two transistor controlled poles | |
| AT266955B (de) | Elektrische Akkumulatorzelle | |
| IT8023204A0 (it) | Livello vocale. circuito di conferenza multiterminali con somma multiquadri e codificazione del | |
| US4118642A (en) | Higher density insulated gate field effect circuit | |
| JPS55117293A (en) | Piezoelectric vibrating unit | |
| ATE29795T1 (de) | Statische speicherzelle. | |
| BE765891A (fr) | Electrode de batterie d'accumulateurs | |
| FR1387956A (fr) | électrode à arc | |
| JPS5927420A (ja) | キ−ボ−ドのキ− | |
| JPS5713819A (en) | Output interface circuit | |
| FR1400731A (fr) | Circuit inverseur à deux niveaux | |
| FR1300934A (fr) | Montage perfectionné de batterie amorçable à l'eau de mer | |
| NL144408B (nl) | Spanningsstabilisatieschakeling. | |
| KR900012418A (ko) | 전류미러회로 | |
| GB1077916A (en) | Barrier-layer capacitors | |
| REISS | Elementary proof of the uniqueness of von karman equation solutions for axisymmetrical bending in circular plates | |
| BR7410163A (pt) | Disposicao de circuito aperfeicoada para a comutacao entre varios valores de correntes;com auxilio de chaves mecanicas ou eletronicas | |
| FR1405362A (fr) | Compositions améliorées à base de polychlorure de vinyle chloré et leurs emplois | |
| JPS58187017A (ja) | 方形波発生回路 | |
| FR1353927A (fr) | Indicateur de la capacité résiduelle d'une batterie de piles alimentant un circuit à transistors | |
| FR1416451A (fr) | Indicateur à transistors de l'état de charge d'une batterie d'accumulateurs | |
| ATE163832T1 (de) | Elektrische metallkabine ohne schritt- oder kontaktspannung |