CS239872B1 - Způsob umožňující opakované použiti křemenného kelímku při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou - Google Patents

Způsob umožňující opakované použiti křemenného kelímku při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou Download PDF

Info

Publication number
CS239872B1
CS239872B1 CS84720A CS72084A CS239872B1 CS 239872 B1 CS239872 B1 CS 239872B1 CS 84720 A CS84720 A CS 84720A CS 72084 A CS72084 A CS 72084A CS 239872 B1 CS239872 B1 CS 239872B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
quartz crucible
single crystal
production
melt
silicon single
Prior art date
Application number
CS84720A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiri Kadanka
Jiri Riha
Original Assignee
Jiri Kadanka
Jiri Riha
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiri Kadanka, Jiri Riha filed Critical Jiri Kadanka
Priority to CS84720A priority Critical patent/CS239872B1/cs
Publication of CS239872B1 publication Critical patent/CS239872B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Účelem vynálezu je zabránit roztržení křemenného kelímku použitého při výrobě monokrystalu, což umožní jeho opakované použití při dalším procesu výroby monokrystalu křemíku. Tohoto účelu se dosáhne podle vynálezu tím, že se do zbytku taveniny v křemenném kelímku zavede pórovitá látka, například pěnový grafit, dřevěné uhlí, grafitová plsí nebo skelné vlna, která zbytek taveniny vysaje.

Description

Vynález se týká způsobu umožňujícího opakované použití křemenného kelímku při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou.
Při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou zůstává po skončení procesu výroby v křemenném kelímku zbytek taveniny v množství 5 - 10 % výchozího množství křemíku. Při tuhnutí se tento zbytek pevně spojuje s křemenným kelímkem. V důsledku rozdílné teplotní roztažnosti křemene a tuhého křemíku dojde při dal ším chládnutí zatuhlého zbytku křemíku k roztržení křemenného kelímku. V současné době se proto křemenný kelímek může použit pouze pro jeden proces výroby monokrystalu křemíku.
Výše uvedený nedostatek je odstraněn způsobem umožňujícím opakované použití křemenného kelímku při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou podle vynálezu. Podstata vynálezu spočívá v tom, že se do zbytku taveniny v křemenném kelímku zavede pórovitá látka, například pěnový grafit, dřevěné uhlí, grafitová plsť nebo skelná vlna, která zbytek taveniny vysaje.
Využitím uvedeného způsobu se zabrání roztržení křemenného kelímku, takže je ho možné použít při výrobě dalšího monokrystalu křemíku·
Na připojeném výkresu na obr. 1 je znázorněno schematické uspořádání vynálezu, kde na manipulátoru 1., který může vykonávat rotační i posuvný pohyb, je na závěsu 2 upevněna pórovitá látka 3 kterou je potřeba zavést do zbytku taveniny 4 v křemenném kelímku χ. V průběhu procesu výroby monokrystalu křemíku je pórovitá látka 2. umístěna mimo kelímek χ. Teprve po ukončení tohoto procesu se zavede pomocí manipulátoru 1_ do zbytku taveniny 4.
Příklad
239 872
Odstranění zbytku taveniny z křemenného kelímku se provede odsátím pórovitou látkou, jako je například pěnový grafit, dřevěné uhlí, grafitová plsť nebo skelná vlna. Nejvhodnější je grafitová plst, která je již tepelně zpracována a neovlivňuje vlastní proces tažení monokrystalu, nebot je součástí teplotního uzlu tažičky. Při přípravě každé tavby se umístí do prostoru komory svitek grafitové plsti, odpovídající cca 15 % objemu vsádky. Svitek je zavěšen na manipulační tyčce, zavedené do komory přes vakuové těsnění. Po skončení tažení monokrystalu, bez vypnutí elektrického příkonu za zvýšeného tlaku argonu cca 5 000 Pa, zasune se připravený svitek grafitové plsti do zbývající taveniny. V rozmezí 1 až 2 minut dojde k reakci mezi grafitovou plstí a taveninou, což se projeví zvýšením teploty na rozhraní grafit - křemík a vysátím veškeré taveniny do svitku grafitové plsti, který se pak vyzdvižením oddálí ode dna kelímku. Dále následuje běžný postup chlazení a čištění zařízení.
Odstraněním zbytku taveniny z křemenného kelímku nedojde k jeho poškození a kelímek po očištění běžným postupem je možné znovu použít a to bučí ve stavu, v jakém je po předchozím tažení, t. j. vložením do grafitového kelímku o průměru 4 - 5 mm větším než kelímek pro první tavbu, nebo po sklářské úpravě rozměrů, do kelímku stejného druhu jako pro první tavbu.

Claims (1)

  1. Způsob umožňující opakované použití křemenného kelímku při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou, vyznačený tím, že se do zbytku taveniny v křemenném kelímku zavede pórovitá látka, například pěnový grafit, dřevěné uhlí, grafitová plši nebo skelná vlna, která zbytek taveniny vysaje.
CS84720A 1983-03-21 1984-03-21 Způsob umožňující opakované použiti křemenného kelímku při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou CS239872B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS84720A CS239872B1 (cs) 1983-03-21 1984-03-21 Způsob umožňující opakované použiti křemenného kelímku při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS831903A CS239522B1 (cs) 1983-03-21 1983-03-21 Způsob umožňujíci opakované použití křemenného kelímku při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou
CS84720A CS239872B1 (cs) 1983-03-21 1984-03-21 Způsob umožňující opakované použiti křemenného kelímku při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS239872B1 true CS239872B1 (cs) 1986-01-16

Family

ID=5354538

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS831903A CS239522B1 (cs) 1983-03-21 1983-03-21 Způsob umožňujíci opakované použití křemenného kelímku při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou
CS84720A CS239872B1 (cs) 1983-03-21 1984-03-21 Způsob umožňující opakované použiti křemenného kelímku při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS831903A CS239522B1 (cs) 1983-03-21 1983-03-21 Způsob umožňujíci opakované použití křemenného kelímku při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou

Country Status (1)

Country Link
CS (2) CS239522B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS239522B1 (cs) 1986-01-16
CS190383A1 (en) 1985-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3261676A (en) Method for forming silica articles
US20020166341A1 (en) Technique for quartz crucible fabrication having reduced bubble content in the wall
MY101038A (en) Method and apparatus for melting and refining glass material
KR101474043B1 (ko) 실리콘 단결정 인상용 석영유리 도가니 및 그 제조방법
GB191463A (en) Improvements in and relating to methods of and apparatus for working quartz
WO1999046433A1 (fr) Appareil auxiliaire destine a faire fondre une matiere premiere monocristalline et procede de fusion de cette matiere premiere monocristalline
KR20010020315A (ko) 단결성 원료 보조 용해장치 및 단결정 원료 용해방법
JP4548682B2 (ja) 石英ガラスるつぼの製造方法
CS239872B1 (cs) Způsob umožňující opakované použiti křemenného kelímku při výrobě monokrystalu křemíku Czochralského metodou
JPH02188489A (ja) シリコン単結晶引上げ用石英ルツボの再生方法
JPS6041625B2 (ja) 石英ガラス製の平らな透明物体の製造方法及び装置
JPH0585515B2 (cs)
JPH11255593A (ja) 原料溶解補助装置
KR20140027147A (ko) 석영 유리 도가니 및 그 제조방법, 그리고 실리콘 단결정의 제조방법
US4028137A (en) Process for the quantitative removal of residual melts from crucibles
JPS60231421A (ja) 石英ガラスを製造する方法及び装置
US3041133A (en) Method and apparatus for preventing breakage of liners
JP3872233B2 (ja) シリコン鋳造方法
JP2024528341A (ja) 単結晶シリコンロッドの製造デバイスおよび製造方法
JPS6392419A (ja) 合成樹脂中空体の成形方法
CN120309155B (zh) 一种石英坩埚及其制备方法与应用
CN110282628A (zh) 二次硅料回收再利用工艺
JP3699778B2 (ja) 石英ガラスるつぼの製造方法
JP3719452B2 (ja) 単結晶銅の製造方法
JP2000247781A (ja) 黒鉛るつぼ