CS238695B1 - Elektricky vodivý tmel pro mikroelektroniku - Google Patents

Elektricky vodivý tmel pro mikroelektroniku Download PDF

Info

Publication number
CS238695B1
CS238695B1 CS842100A CS210084A CS238695B1 CS 238695 B1 CS238695 B1 CS 238695B1 CS 842100 A CS842100 A CS 842100A CS 210084 A CS210084 A CS 210084A CS 238695 B1 CS238695 B1 CS 238695B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
weight
microelectronics
component
curing
electrically conductive
Prior art date
Application number
CS842100A
Other languages
English (en)
Other versions
CS210084A1 (en
Inventor
Vladimir Liska
Jiri Toms
Jozef Pollak
Miroslav Farsky
Original Assignee
Vladimir Liska
Jiri Toms
Jozef Pollak
Miroslav Farsky
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vladimir Liska, Jiri Toms, Jozef Pollak, Miroslav Farsky filed Critical Vladimir Liska
Priority to CS842100A priority Critical patent/CS238695B1/cs
Publication of CS210084A1 publication Critical patent/CS210084A1/cs
Publication of CS238695B1 publication Critical patent/CS238695B1/cs

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

Urychleni vytvrzovací reakce nízkomolekularních .epoxidových pryskyřic a aro.- matických polyeminů při reakčních teplotách 130 až 200 C. Současně a efektem urychlení vytvrzování projevuje ee i zlepšení elektrická vodivosti vytvrzeného tmelu. Jako urychlovače lze použít technicky Sistá sloučeniny, která obsahují hydroxyJ.ové skupiny na hydroaromatickem nebo aromatickém kruhu, tj. zejména karbocyklické terpenické alkoholy, jejich aromatické analogy,polyhydroxybenzeny či cykloalifatická alkoholy. Vynález lze použít i u elektricky nevodivých tmelů a kompozitů v mikroelektronice i v jiných oborech.

Description

Vynález se týká akcelerace výSeteplotního vytvrzování epoxidových, elektricky vodivých tmelů pro mikroelektroniku.
Při montáži hybridních integrovaných obvodů, ale i v dalžích odvětvích mikroelektroniky, se používá elektricky vodivých tmelů. Do těchto tmelů, naneSených na vhodný podklad sítotiskem, razítkem, injekční stříkačkou Či prostě jen tyčinkou, se vsazují různé čipy nebo piezokrystaly, které se po vytvrzení tmelu kontaktují zlatým drátkem nebo jinak finiěují. Pojivém v tmelech pro mikroelektroniku bývá nejčastěji epoxidové pryskyřice vytvrzovaná aromatickými polyaminovými tvrdidly při zvýšených vytvrzovacích teplotách (Tc). Takovýto výšeteplotní systém má lepSÍ chemické a tepelné odolnosti než systém nízkoteplotní, tj. systém, obsahující zpravidla alifatické polyaminy. Reakce epoxidové skupiny s aromatickým aminem je pomalejší než reakce s alifatickým polyaminem, a to vzhledem k nižší bezicitě a ke sterickým zábranám aromatického kruhu. Ja proto doporučováno používat pro tyto výšeteplotní epoxidové systémy kyselých urychlovačů vytvrzovací reakce. Jsko akcelerátory slouží např. fenoly, komplexy BFj, některé alkoholy, karboxyiové kyseliny, sulfonová kyseliny, dále pak anhydridy karboxylových kyselin, amidy a některá monoelkylderiváty. Plnivem elektricky vodivých tmelů je nejčaatěji kovové stříbro ve tvaru lístkových částic (tzv. vločkové stříbro). Z praktických důvodů zvýšení životnosti se tmely pro mikroelektroniku formulují převážně jako dvoukomponentní, přičemž ve složce A je obsaženo hlavně pojivo, ve složce B tvrdidlo a další přísady.
Předložený vynález řeší otázku akcelerace vytvrzování epoxidových tmelů pro mikroelektroniku.
Jako urychlovač reakce nízkomolekulární epoxidové pryskyřice o epoxidovém ekvivalentu od 35 da 315 g.nol-1 a aromatickým polyaminem, jako je kupř. 1,2- nebo 1,3-benzendiamin, či bia (4-eminofenyl) methan, je použit jedno- nebo dvojfunkční alkohol za skupiny karbocyklických terpenů, jejich aromatických analogů, nebo z podstatně jednodušších cykloalifetických alkoholů a polyhydroxybenzenů, jako je menthol, kervomenthol, terpineol, terpin, thymol, karvakrol, cyklohexanol, methylcyklohexanol, resorcin aj. Pokud je tento urychlovač krystalickou látkou je nutná použít neutrální rozpouštědlo, kupř. dibutyl-ftalát (IEF).
Toto známá změkčovadlo rozpustí krystalický urychlovač včetně krystalického tvrdidla a spolu s kovovým stříbrem vytvoří pastózní směs, obvykle označovanou jako komponenta B. Pokud je urychlující látke kapalná (terpineol, methylcyklohexanol aj.), působí sama jako změkčovadlo a vshikulum tuhých součástí v komponentě B.
Složení jednotlivých komponent dvojaložkováho tmelu ae pohybuje v těchto mezích: Komponenta A obsahuje 50 - 80 ha.% vločkového stříbra a 50 - 20 hm.% výěauvedané nízkomolekulární epoxidová pryakyřice. Komponenta B sa skládá s <5 - 80 hm.% vločkového stříbra, 3 24 hm.% aromatického polyamlnu, 17-24 hm.% urychlovače a z 0 - 9,25 hm.% dibutylftalátu.
Komponenty A a B po smíchání v potřebném poměru dají pastu, která má vhodnou viskositu pro daný způsob nanášení. Vytvrzování, která probíhá při teplotách od 130 do 200 °C, lze průběžně sledovat registračním sařísením - ohmaetrea. Je-li nanesená směs jeětě kapalná, pak nevede proud, má elektrický odpor B « oo a pisátko zapisovače je v pravá krajní poloze. V čase ta, měřeném od okamžiku vložení skouěenáho vzorku na topnou desku, vzniká zárodek prostorová struktury epoxidová matrice, v níž částice lístkového stříbra ae dostávají do vzájemného styku a vsorek sačlná vodit elektrický proud (po čase t* se začne pisátko zapisovače prudce pohybovat směrem doleva. Vznikající trojrozměrná sl! (gel) ae během prvních desítek sekund zdokonaluje tak, že po 5 - 10 minutách od začátku vytvrzování je dalěí pokles elektrického odporu již nepatrný.
Předmětem vynálezu jo dále doložen příklady provedení, jimž ae věak jeho rozsah nijak neomezuje.
Příklad 1
Komponenta A je připravena dispergaci 75 dílů vločkového stříbro ve 25 dílech licí epoxldové pryskyřice, získané alkalickou kondensací dianu s epiehlorhydrinea (obsah epoxidových skupin je 192 g.mol-1). Komponenta B je složena ze 75 dílů vločkového stříbra, z 6,75 dílů techn. bis- (4-aminofenyl)methenu (methylendianilinu - MDA) a z 18,25 dílů butyl*· ftalétu (IBF). Po smíchání obou komponent v hmotovém poměru 1 : 1 je sítem nanesen obdélníkový obrazec 2 x 20 mm (t. j. 10 čtverců) na keramický podklad; teplota topné desky: T =150-2 °C.
Výsledky měření (průměr pěti vzorků):
t# = ,60 e Rj = 25 Ω/10Π (tg je doba startu pohybu pišátky, je odpor po 5 minutách)
Příklad 2
Komponenta A - viz př. ', komponenta B: polovina množství EBF (v př. < ) je nehre2ene mentholem; podmínky stejné jako ad 1:
tg = 64 s 1(5 = 13,7Ω/100
Přiklad 3
Podmínky a komponenta A viz př. 1, komponenta B: místo IBF (v př. 1) je technický terpineol:
ts - 6s 85 = 3.5Ω/10Π
Příkled 4
Podmínky a komponenta A víz př.. 1, komponenta B: polovina DBF (v př. 1) je nahrežena terplneolem:
tg = 42 s Rj = 7.9Ω/10Π
Příklad 5
Podmínky a komponenta A víz př. ’, komponente B: dvě třetiny obsahu IBF z př. 1 je nehreženo techn. terplneolem:
tg = 26 s 1(5 = 6,βΩ/ιθΠ
Příkled 6
Podmínky a složení obou komponent jako v př. 1, pouze IBF je nehrožen citronellolem:
te e R5 neměřitelné, směs neukázala změnu odporu (z B = 00) do 60 minut)
Příkled 7
Komponente A - viz př. 1, komponente B jako ad 1, jen místo IBF je naváženo stejné množství techn. čistého thymolu. Po roztavení směsi thymolu (b.t. 49,7 °C) a MDA a po dispergaci vločkového stříbro v této tevenině vznikle pasta vhodné viakozity pro sítotisk. Nicméně do druhého dne zvýělle komponenta B avou viskositu natolik, že bylo nutné ji zředit 10 hm.% IBF a pro sítotisk pak nevažovet na 1 díl komponenty A 1,1 dílu komponenty
Tc =150+2 °C :
te = 15 a H- = 4,óSJ /lOD
Příklad 8
Podmínky a složení jako v př. 1, ale místo IBF je použita technická směs aethylcyklohe4 xanolu:
Z uvedených příkladů vyplývá, že vytvrsuja-li se tmel bas přítomnosti hydroxylovou skupinu obsahující urychlovače, pak startovací doba t# je dvacet at čtyřicetkrát větěí a odpor pět až sedmkrát větší, než když ve tmelu je přítomný urychlovač (vyjma elifetického terpen-alkoholu-citronellolu).
Primárně vsnlklá struktura trojrozměrné sítě, např. a nískou hodnotou elektrické vodivosti podle příkladu ', nemůže být delším vytvrzováním ani vyšší teplotou podatatnš vylepšena, t. j. výrazně zvýšena elektrická vodivost vzorku. Je proto nutné vždy použít vhodný typ urychlovače, aby bylo doacženo žádaných elektrických vlestností vytvrzeného tmelu.

Claims (1)

  1. Elektricky vodivý tmel pro mikroelektroniku, vytvrzovaný při teplotách od 130 do 200 °C, obsahující 10 až 25 hmot* nízkomolekulární epoxidové pryskyřice o epoxidovém ekvivalentu od 35 do 315 e.mol’, 57,5 ež 80·hmot* vločkového stříbra, 1,5 až 12 hmot* aromatického polyaminu svoleného se skupiny sahmující 1,2-bensendiamin, 1,3-bensendianln nebo bis (4-eminofenyl)methen a 0 ež 4,6 hmot* dibutylftalátu, vyznačující se tím, že jako urychlovač vytvrsování obsahuje 8,5 ež '2 hmot* sloučeniny ze skupiny kerbocyklických terpenických alkoholů nebo jejich eromatických analogů či cykloalifatických alkoholů případně polyhydroxybenzenů, zahrnujících menthol,kervomenthol, terplneol, terpln, thymol, karvekrol, cyklohexanol, methylcyklohexenol, retorcin.
CS842100A 1984-03-23 1984-03-23 Elektricky vodivý tmel pro mikroelektroniku CS238695B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS842100A CS238695B1 (cs) 1984-03-23 1984-03-23 Elektricky vodivý tmel pro mikroelektroniku

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS842100A CS238695B1 (cs) 1984-03-23 1984-03-23 Elektricky vodivý tmel pro mikroelektroniku

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS210084A1 CS210084A1 (en) 1985-04-16
CS238695B1 true CS238695B1 (cs) 1985-12-16

Family

ID=5357128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS842100A CS238695B1 (cs) 1984-03-23 1984-03-23 Elektricky vodivý tmel pro mikroelektroniku

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS238695B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS210084A1 (en) 1985-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4803543A (en) Semiconductor device and process for producing the same
CN1197893C (zh) 用作充填密封材料的热固性树脂组合物
KR19990044940A (ko) 에폭시수지조성물 및 이것을 사용한 반도체 장치
EP0182066B1 (de) Vergussmasse für elektrische und elektonische Bauelemente und -gruppen
CN105960709A (zh) 导热片和半导体装置
EP2240006A1 (en) Ambient-curable anisotropic conductive adhesive
US4356505A (en) Conductive adhesive system including a conductivity enhancer
CS238695B1 (cs) Elektricky vodivý tmel pro mikroelektroniku
Liong et al. Adhesion improvement of thermoplastic isotropically conductive adhesive
CN106663664B (zh) 导热片和半导体装置
EP0181337A1 (en) AROMATIC AMINE ENCAPSULATION AGENTS OF THERMOPOLYMERIZABLE POLYGLICIDYLES.
JP2000319622A (ja) 導電性接着剤及びそれを部品接続材料として用いた回路基板
US4277534A (en) Electrical insulating composition comprising an epoxy resin, a phenolic resin and a polyvinyl acetal resin in combination
KR20060010768A (ko) 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
CA1141528A (en) Conductive adhesive system including a conductivity enhancer
KR960015971B1 (ko) 에폭시 수지 분말상 피복 조성물
US4304880A (en) Insulating coating for transformer wires
WO2021015446A1 (ko) 에폭시 수지 조성물
JPH0567672B2 (cs)
JP2869077B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2001107020A (ja) 導電性接着剤
KR100366284B1 (ko) 인쇄회로기판의 관통구멍 충진용 은동 페이스트 조성물
JPS62246921A (ja) 封止用樹脂組成物
KR100358228B1 (ko) 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물
JPH11166103A (ja) 封止用樹脂組成物および半導体封止装置