CS233937B1 - Způsob č istění křemenných aparatur - Google Patents
Způsob č istění křemenných aparatur Download PDFInfo
- Publication number
- CS233937B1 CS233937B1 CS684783A CS684783A CS233937B1 CS 233937 B1 CS233937 B1 CS 233937B1 CS 684783 A CS684783 A CS 684783A CS 684783 A CS684783 A CS 684783A CS 233937 B1 CS233937 B1 CS 233937B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- temperature
- quartz
- quartz apparatus
- cleaning
- water vapor
- Prior art date
Links
Abstract
Vynález se týká způsobu čistění křemenných aparatur pro vysokoteplotní technologické operace v polovodičové výrobě. Podstata tohoto způsobu spočívá v tom, že se křemenná aparatura ohřeje na teplotu o 5 až 100° k vyšší než je teplota technologické operace v této aparatuře prováděné, načež se aparatura proplachuje proudem dusíku polovodičové čistoty o průtoku 2 až 5 litrů/min., nebo proudem vodní páry po dobu 10 hodin. Potom se křemenná aparatura ochladí na výchozí teplotu.
Description
Vynález se týká způsobu čistění křemenných aparatur pro vysokoteplotní technologické operace v polovodičové výrobě,
V průběhu vysokoteplotních operací v polovodičové technologii se používané křemenné aparatury, tj, např, difuzní trubka, nosná konstrukce se zdrojem difuzantu, nosník a pod,, postupně znečisťují nežádoucími příměsemi, především těžkými kovy, které se na nich usazují. Z tohoto důvodu se postupně zhoršují parametry zpracovávaného polovodičového materiálu např, doba života minoritních nositelů v Si destičkách, závěrné proudy PN přechodů za tepla a pod. Při dosažení krajní únosné meze bylo dosud třeba celou křemennou aparaturu vyměnit.
Nevýhody dosavadního řešení odstraňuje způsob čistění křemenných aparatur podle vynálezu, jehož podstatou je, že se křemenná aparatura ©hřeje na teplotu © 5 až 100°K vyšší, než je teplota technologické operace v této aparatuře prováděné, načež se aparatura proplachuje proudem dusíku polovodičové čistoty o průtoku 2 až 5 litrů/min,, nebo proudem vodní páry po dobu 10 až 15 hodin a poté se křemenná aparatura ochladí na výchozí teplotu.
Tento způsob čistění křemenných aparatur umožňuje podstatně prodloužit jejich životnost a tím snížit materiálové náklady v polovodičové technologii a snížit prostoje difuzních pecí*
Příklad provedení 233937
Křemenná aparatura pro difúzi Al z nanesené vrstvy alkoholového roztoku Al /NO3/3 se ohřeje na teplotu 1528°Kř přičemž so po dobu nárůstu teploty a po dobu čistění vhání do difuzního prostoru vodní pára o průtoku 2 litry/min.
Po deseti hodinách se teplota v difuzním prostoru opět sníží na hodnotu 998Í298°K a vodní pára so přestane do difuzního pros·* toru křemenné aparatury vhánět.
Claims (1)
- Způsob čistění křemenných aparatur pro vysokoteplotní technologické operace v polovodičové výrobě/ vyznačený tím , že se křemenná aparatura ohřeje na teplotu o 5 až 100®K vyšší než je teplota technologiké operace v této aparatuře prováděné· načež se aparatura pro* plachuje proudem dusíku polovodičové čistoty o průtoku 2 až 5 litrů/rain», neb© proudem vodní páry po dobu 10 až 15 hodin a poté se křemenná aparatura ©chladí na výchozí teplotu»
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS684783A CS233937B1 (cs) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | Způsob č istění křemenných aparatur |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS684783A CS233937B1 (cs) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | Způsob č istění křemenných aparatur |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS233937B1 true CS233937B1 (cs) | 1985-03-14 |
Family
ID=5416430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS684783A CS233937B1 (cs) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | Způsob č istění křemenných aparatur |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS233937B1 (cs) |
-
1983
- 1983-09-20 CS CS684783A patent/CS233937B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6001175A (en) | Crystal producing method and apparatus therefor | |
| KR850001943B1 (ko) | 실리콘 결정체의 연속적 제조방법 | |
| CN1018111B (zh) | 对半导体材料进行热处理的设备及其使用方法 | |
| US20160329216A1 (en) | Heat-treatment furnace | |
| KR850001942B1 (ko) | 반도체재료의 연속 제조방법 | |
| JP7130962B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| KR101731410B1 (ko) | 다결정 실리콘의 증착 방법 | |
| JPH0520895B2 (cs) | ||
| CS233937B1 (cs) | Způsob č istění křemenných aparatur | |
| US6395203B1 (en) | Process for producing low impurity level ceramic | |
| CN109530365A (zh) | 分子束外延用氮化硼坩埚清洗方法 | |
| US3233984A (en) | Support assembly for materials processing and method | |
| KR20220017413A (ko) | 용광로 내 가스에 대한 실리콘 리본의 노출 | |
| JPS63242339A (ja) | 半導体材料の製造方法 | |
| EP0309272A2 (en) | Apparatus and method for sample holders and wafer cages fabricated from silicon carbide for processing semiconductor materials | |
| JP3134250B2 (ja) | ウエハ保持装置 | |
| JPH05217910A (ja) | 化合物半導体の気相成長装置及び気相成長方法 | |
| US3223493A (en) | Method of crucible-free zone-melting of semiconductor material | |
| KR100423754B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 고온 열처리 방법 | |
| JP2976036B2 (ja) | 炭化けい素−金属けい素複合材及びその製造方法 | |
| EP0725978A1 (en) | Quartz glass jig for the heat treatment of silicon wafers and method and device for producing same | |
| JPH03159117A (ja) | 半導体ウエハの熱処理方法および装置 | |
| JPS5939029A (ja) | 半導体製造装置の清浄化方法 | |
| Tarneja et al. | Investigation of liquid dopants for the production of high efficiency solar cells from dendritic web silicon | |
| Schmid et al. | Heat exchanger method-ingot casting fixed abrasive method-multi-wire slicing. Phase II. Silicon sheet growth development for the Large Area Sheet Task of the Low Cost Solar Array Project. Quarterly progress report No. 4 for July 1--September 30, 1978 |