CS233010B1 - Způsob repase dilatačních elektrod polovodičových součástek - Google Patents
Způsob repase dilatačních elektrod polovodičových součástek Download PDFInfo
- Publication number
- CS233010B1 CS233010B1 CS650983A CS650983A CS233010B1 CS 233010 B1 CS233010 B1 CS 233010B1 CS 650983 A CS650983 A CS 650983A CS 650983 A CS650983 A CS 650983A CS 233010 B1 CS233010 B1 CS 233010B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- agge
- semiconductor devices
- alloy
- contact
- electrodes
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
Vynález se týká způsobu repase dilatačních elektrod polovodičových součástek s kontaktní slitinovou vrstvou AgGe. Podstata vynálezu spočívá v tom, že slitinová kontaktní vrstva AgGe je chemicky odstraněna rozpuštěním ve zředěné HNO-j a kovové stříbro je převedeno do roztoku ve formě AgNOj, Potom se Ag převede přídavkem nadstechiometrického množství HCl na AgCl, který se oddělí od GeCl^, dekantuje se a po promytí vodou se vyauší.
Description
Vynález se týká způsobu repase dilatačních elektrod výkonových polovodičových součástek s kontaktní slitinovou vrstvou AgGe.
Slitina AgGe je užívána jako kontaktní vrstva pro zajištění požadované nízké úrovně kontaktního odporu ve styku křemíkové desky s dalšími díly pouzdra a pro získání maximální stykové plochy kontaktu. Vrstva je pájitelná měkkými pájkami, které se používají pro připojení křemíkové destičky s PN přechody k elektrodě. V případě, že elektrické parametry polovodičového systému nesplňují požadovanou úroveň, případně je systém z jiných důvodů považován za zmetkový, je křemíková destička rozpájena nebo jinak mechanicky oddělena od dilatačních elektrod. Dilatační elektrody lze pak opět použít pro výrobu polovodičových součástek odpovídajícího průměru křemíkové desky. V případě, že je nutno průměr dilatační elektrody upravit, dochází k porušení povrchu kontaktní slitinové vrstvy AgGe, které pak nedovolí upravenou elektrodu znovu použít.
Z toho důvodu je nutné nejprve sejmout kontaktní vrstvu AgGe, poté upravit rozměr elektrody ze základního materiálu a elektrodu opětně pokovit.
Snímání kontaktní slitiny AgGe mechanickým způsobem nezaručuje pouhé její sejmutí, ale vede obvykle i ke změně tlouštky nákladního materiálu dilatační elektrody, většinou molybdenového kotouče. Současně tento způsob nedovoluje získat jednoduchým postupem drahý kov z brusných kalů a suspenzí.
Tyto nevýhody odstraňuje způsob repase dilatačních elektrod polovodičových součástek s kontaktní slitinovou vrstvou AgGe podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že slitina AgGe s maximálním obsahem 10% Ge se rozpustí v zředěné v poměru 1 : 1 s destilovanou nebo deionizovanou vodou při teplotě maximálně 45 °C, potom se Ag obsažené v roztoku převede přídavkem více než stechiometrického množství HC1 na AgCl, který se oddělí od GeCl^, dekantuje se a po promytí vodou se vysuší.
Popsaný způsob má výhody v minimální potřebě vybavení reakčními nádobami pro vlastní chemické převedení stříbra z roztoku na pevnou fázi. Lze jej provádět přímo ve skladovacích nádobách, s minimálními nároky na použité chemikálie, jak z hlediska použitého množství, tak z hlediska cenové dostupnosti. Významně se omezí manipulace s velkými objemy roztoků.
Příklad provedení
Molybdenové dilatační elektrody plátované kontaktní vrstvou ze slitiny AgGe 3 tlouštky 0,1 mm se odmastí běžným způsobem v alkalickém odmaglovači nebo v organickém rozpouštědle. Pak se vloží do roztoku kyseliny dusičné a destilované vody ředěné v poměru 1:1a zahřáté na teplotu 40 °C. K ředění kyseliny dusičné je možno použít též deionizované vody, nebo vody upravené tak, aby neobsahovala chloridové anionty, které by pasivovalv povrch slitiny AgGe 3 a zamezily tak jejímu homogennímu rozpouštění.
Kovové stříbro je převedeno do roztoku ve formě dusičnanu stříbrného AgNOj. Roztok současně obsahuje rozpouštěné germanium a stopy molybdenu z dilatační elektrody. Stříbro je z roztoku vysráženo přidáním kyseliny chlorovodíkové HC1 ve více než stechiometriekém množství ve formě chloridu stříbrného AgCl. Germanium zůstává v roztoku ve formě kapalného chloridu germaničitého GeCl^. Z roztoku se dekantací oddělí sedimentovaný chlorid stříbrný, který se promyje vodou, vysuší a redukčním postupem při vyšších teplotách převede na kovovou formu.
Získané molybdenové elektrody lze po úpravě opět použít pro nové polovodičové součástky.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob repase dilatačních elektrod polovodičových součástek s kontaktní slitinovou vrstvou AgGe, vyznačený tím, že slitiny AgGe s maximálním obsahem 10 % Ge se rozpustí v kyselině dusičné, zředěné v poměru 1 : 1 s destilovanou nebo deionizovanou vodou při teplotě maximálně 45 UC, potom se Ag obsažené v roztoku převede přídavkem nadstechio• metrického množství kyseliny solné na chlorid stříbrný, který se oddělí od chloridu germaničitého, dekantuje se a po promytí vodou se vysuší.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS650983A CS233010B1 (cs) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | Způsob repase dilatačních elektrod polovodičových součástek |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS650983A CS233010B1 (cs) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | Způsob repase dilatačních elektrod polovodičových součástek |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS233010B1 true CS233010B1 (cs) | 1985-02-14 |
Family
ID=5412296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS650983A CS233010B1 (cs) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | Způsob repase dilatačních elektrod polovodičových součástek |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS233010B1 (cs) |
-
1983
- 1983-09-07 CS CS650983A patent/CS233010B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11129282B2 (en) | Method for manufacturing ceramic circuit board | |
| WO1990010518A1 (en) | A fluxless soldering process | |
| BR0214575B1 (pt) | método eletroquìmico para processamento de materiais sólidos em sal fundido. | |
| US4078980A (en) | Electrolytic chromium etching of chromium-layered semiconductor | |
| JPH11195628A5 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2533431B2 (ja) | はんだ付のため電子部品を準備する方法 | |
| JP4899113B2 (ja) | はんだ付け回路基板、その処理方法、およびはんだ層・バンプの形成方法 | |
| KR0157251B1 (ko) | 반도체 기판의 세정 방법 | |
| JPH0813166A (ja) | TiNおよびTiのエッチング液 | |
| CS233010B1 (cs) | Způsob repase dilatačních elektrod polovodičových součástek | |
| US4332343A (en) | Process for in-situ modification of solder comopsition | |
| US3042593A (en) | Electrochemical method for cleansing semiconductive devices | |
| JPH05220595A (ja) | 無洗浄フラックス | |
| JPH07204884A (ja) | 耐疲労はんだのための表面処理方法 | |
| US3562039A (en) | Method of improving the solderability of conductor plates | |
| JPH03232227A (ja) | メサ型半導体素子の洗浄方法 | |
| USH715H (en) | Recovery of mercury from acid waste residues | |
| KR100710481B1 (ko) | 주석 박리 조성물 및 그를 이용한 주석 박리 방법 | |
| KR100515099B1 (ko) | 반도체패키지용 도금 장치 및 그 방법 | |
| JP2023105934A (ja) | Snを含むはんだの回収方法 | |
| WO2002048430A2 (en) | Oxide-reducing agent composition, system and process | |
| KR20030027414A (ko) | 리드 프레임 상의 도금층을 제거하는 방법 | |
| SU790379A1 (ru) | Раствор дл удалени фоторезиста | |
| KR100202243B1 (ko) | 땜납용탕의 구리성분의 제거방법 | |
| CN120838818A (zh) | 适用于废旧光伏层压件的硅、贵金属的湿法提纯工艺 |