CS227619B1 - Způsob výroby vícevrstvých polovodičových součástek rozčleněním z velkoplošné křemíkové desky - Google Patents
Způsob výroby vícevrstvých polovodičových součástek rozčleněním z velkoplošné křemíkové desky Download PDFInfo
- Publication number
- CS227619B1 CS227619B1 CS188182A CS188182A CS227619B1 CS 227619 B1 CS227619 B1 CS 227619B1 CS 188182 A CS188182 A CS 188182A CS 188182 A CS188182 A CS 188182A CS 227619 B1 CS227619 B1 CS 227619B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- silicon wafer
- semiconductor elements
- large silicon
- multilayered semiconductor
- manufacturing multilayered
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004826 seaming Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu výroby vícevrstvých polovodičových součástek rozčleněním z velkoplošné křemíkové desky·
Stávající způsoby dělení křemíkových desek s polovodičovými vrstvami na více součástek využívají převážně mechanických způsobů. Křemíková deska se člení pomocí ultrazvukového vykružovacího nástroje s použitím vodní suspenze brusivá. Brusným nástrojem obvykle bývá měděná trubka s požadovaným průměrem. Jiným příkladem stávajícího provedení je tryskové broušení, nazývané pískování, jímž se člení křemíkové desky pomocí směsi tlakového vzduchu a brusivá vedené přes speciální trysky na broušený materiál. Jiné způsoby mechanického členění křemíkových desek jsou - odvrtání pomocí vrtaček se speciálními hroty, řezání pilou s diamantovým listem atd. V poslední době ee pre členění křemíkových desek využívá laserových paprsků.
227 619
Nevýhodou stávajících způsobů mechanického dělení desek s vytvořenými polovodičovými vrstvami je poměrně velká nepřesnost nastavení rozčleňovacího nástroje. Orientace s křemíkovou deskou se provádí pomocí justačních značek, které však jsou pod rozčleňovacím nástrojem obtížně viditelné. Další nevýhodou vylcružování ultrazvukem je pracná příprava k upevnění desek ve vykružovacím nástroji. Většinou se používá metody lepení voskem nebo míchaným tmelem na skleněnou podložku. Po rozčlenění je nutné tmely rozpustit a provést odmaštění a praní destiček.
Další podstatnou nevýhodou mechanických způsobů je velká spotřeba elektrické energie a značné procento zmetků vznikajících vždy při mechanickém zpracování. Pro další uvedené mechanické a optické metody, pískování, vrtání, členění laserovým paprskem a pod. přistupuje kromě výše uvedených nevýhod ještě vysoká cena potřebných zařízení.
U výkonových polovodičových součástek následuje po rozčlenění velkoplošné desky na jednotlivé systémy ještě operace vytvoření povrchového zkosení tzv. fázky u každého jednotlivého systému broušením nebo pískováním.
Výše uvedené nevýhody odstraňuje způsob výroby .vícevr stvých výkonových polovodičových součástek rozčleněním z velkoplošné křemíkové desky podle vynálezu, při kterém se křemíková deska s vytvořenými polovodičovými vrstvami proleptá troj složkovým lsptadlem, jehož složení je v trojúhelníkovém trojsložkovém diagramu vymezeno čarou 0,5 objemových dílů kyseliny dusičné, 2 objemových dílů kyseliny fluorovodíkové a 0 až 2 objemových dílů kyseliny octové, při teplotě 25°C po dobu 4 až 20 minut přes fotoresistovou maskující vrstvu vytvořenou fotolitografickým postupem.
Způsobem výroby vícevrstvých výkonových polovodičových součástek podle vynálezu je dosaženo o řád vyšší přesnosti než při používaných mechanických způsobech členění součástek. Nedochází k excentricitě oproti předchozím fotolitografickým maskám, čímž je dosaženo vyšší parametrové výtěžnosti.
227 619
Ha obr, 1 je znázorněno rozčlenění křemíkové desky způsobem podle vynálezu. Křemíková deska 1 s vytvořenými polovodičovými vrstvami je opatřena z jedná strany fotoresistovou maskující vxštvou 2 a z druhé strany celoplošně maskující fotoresistovou vrstvou 2· Proleptaná část křemíkové desky je označena 4· Pxoleptáním křemíkové desky se vytvoří leptací hrana na obvodu součástky, která svírá s ' rovinou křemíkové desky úhel oC menší než 75°·
Přesné složení leptadla se volí podle celkové tlouštky křemí kove desky s polovodičovými vrstvami a podle požadovaného úhlu leptání.
Potolitografický postup vytvoření maskujících vrstev zajistí, že rozčleněné destičky se po proleptání nerozplavou v leptací lázni, ale drží pohromadě celoplošnou maskující vrstvou.
Příklad
Na křemíkové monokrystalické desce o průměru 40 mm a tlcuštce 540/um s vytvořenými polovodičovými vrstvami difúzí Al, Ga, B a P, opatřené kontakty se z jedné strany vytvoří vrstva foteresistu. Tato vrstva se vysuší, exponuje, vyvolá a znovu vysuší. Emulsní maska pro expozici obsahuje 14 maloplošných součástek o průměru 8,5 mm, Z druhé strany křemíkové desky se vytvoří fotoresistová vrstva na celé ploše a rovněž se vysuší. Takto chráněná křemíková deska se proleptá roztokem o složen?' ' 3 objemové díly kyseliny dusičné, 6 objemových dílů kyseliny fluorovodíkové a 1 objemový díl kyseliny octové, při teplotě 25°C po dobu 8 minut s úhlem leptání 58°. Všech 14 elementů zůstane dočasně spojených spodní resistovou vrstvou až do jejího rozpuštění.
Vynález dojde uplatnění u všech výkonových polovodičových součástek vyráběných rozčleněním z velkoplošné křemíkové desky.
Claims (1)
- Předmět vynálezu227 819Způsob výroby vícevrstvých výkonových polovodičových součástek rozčleněním z velkoplošné křemíkové desky vyznačený tím , že křemíková deska s vytvořenými polovodičovými vrstvami se proleptá trojsložkovým leptadlem, jehož složení je v trojúhelníkovém trojsložkovém diagramu vymezeno čarou 0,5 objemových dílů kyseliny dusičné 2 objemových dílů kyseliny fluorovodíkové a 0 až 2 objemových dílů kyseliny octové, při teplotě 25°C po dobu 4 až 20 minut přes fotoresistovou maskující vrstvu vytvořenou fotolitograflckým postupem.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS188182A CS227619B1 (cs) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | Způsob výroby vícevrstvých polovodičových součástek rozčleněním z velkoplošné křemíkové desky |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS188182A CS227619B1 (cs) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | Způsob výroby vícevrstvých polovodičových součástek rozčleněním z velkoplošné křemíkové desky |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS227619B1 true CS227619B1 (cs) | 1984-04-16 |
Family
ID=5354296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS188182A CS227619B1 (cs) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | Způsob výroby vícevrstvých polovodičových součástek rozčleněním z velkoplošné křemíkové desky |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS227619B1 (cs) |
-
1982
- 1982-03-18 CS CS188182A patent/CS227619B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100588412B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 분할방법 | |
| US5866281A (en) | Alignment method for multi-level deep x-ray lithography utilizing alignment holes and posts | |
| EP0818818B1 (en) | Method of separating wafers into individual die | |
| CN101734613B (zh) | 基于soi晶圆的mems结构制作及划片方法 | |
| EP0212219A2 (en) | Visibility enhancement of first order alignment marks | |
| US3963489A (en) | Method of precisely aligning pattern-defining masks | |
| JPH09213620A (ja) | 転写マスクの製造方法 | |
| JPH08250456A (ja) | 半導体基板上における高密度集積回路の製造方法 | |
| US9704748B2 (en) | Method of dicing a wafer | |
| WO2013115351A1 (ja) | 単結晶加工部材およびその製造方法 | |
| CN1201548A (zh) | 用于加工读/写磁头的工具及其相关方法 | |
| JPS63261851A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| US6828217B2 (en) | Dicing process for GAAS/INP and other semiconductor materials | |
| CS227619B1 (cs) | Způsob výroby vícevrstvých polovodičových součástek rozčleněním z velkoplošné křemíkové desky | |
| KR20020060686A (ko) | 전사마스크용 기판, 전사마스크 및 전사마스크의 제조방법 | |
| US20210193482A1 (en) | Workpiece processing method | |
| JPH03270156A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7256106B2 (en) | Method of dividing a substrate into a plurality of individual chip parts | |
| JP2002118055A (ja) | アライメントマーク、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP3309620B2 (ja) | ドライエッチングによる部品の製造方法 | |
| CN113921390A (zh) | 一种晶圆级芯片的加工工艺方法及晶圆结构 | |
| JPS6214440A (ja) | 半導体ウエハ及びその分割方法 | |
| JPS55121643A (en) | Fabricating method of semiconductor element | |
| US4389280A (en) | Method of manufacturing very thin semiconductor chips | |
| JPH05285937A (ja) | 半導体基板の分割方法 |