CS227475B1 - Alkalická lázeň pro leptání polovodičových materiálů - Google Patents
Alkalická lázeň pro leptání polovodičových materiálů Download PDFInfo
- Publication number
- CS227475B1 CS227475B1 CS454382A CS454382A CS227475B1 CS 227475 B1 CS227475 B1 CS 227475B1 CS 454382 A CS454382 A CS 454382A CS 454382 A CS454382 A CS 454382A CS 227475 B1 CS227475 B1 CS 227475B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- etching
- semiconductor materials
- bath
- alkaline
- carbohydrates
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 claims description 8
- 235000014633 carbohydrates Nutrition 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 claims description 3
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 3
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005185 salting out Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- -1 starch Chemical class 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Description
Vynález se týká alkalická lázně pro leptání polovodičových materiálů, například desek z monokrystalického křemíku používaných pro výrobu polovodičových součásti.
Při zpracování polovodičových materiálů, např. křemíkových desek, je třeba v určitých fázích technologického procesu odleptat definovanou povrchovou vrstvu materiálu. To se uskutečňuje v kapalných leptacích směsích neboli lázních, jež můžeme rozdělit do dvou skupin: kyselé leptecí lázně obsahující jako účinné složky kyselinu fluorovodíkovou, kyselinu dusičnou a kyselinu octovou a alkalické leptací lázně obsahující většinou ve vodě rozpuštěné silné hydroxidy.
Volba použití je závislá ns požadovaném konečném stavu povrchu. Kyselé leptací lázně dovolují leptat do větších hloubek při dosažení velmi jemného finálního povrchu, avšak na úkor rovinnosti. leptaného povrchu. Tam, kde je prvořadým požadavkem rovinnost a jemný leptaný povrch, je nutno volit použití alkalické lázně.
Nepříznivým jevem při použití obou typů lázní je tvorba bělavých skvrn vznikajících za podmínek hromadného leptání součástí. Při leptání v kyselých lázních se tomuto jevu čelí přísadou vhodného tenzidu, např. Syntaponu CP, který se v lázni dokonale rozpustí díky tomu, že koncentrované kyseliny mají vlastnosti bezvodých rozpouštědel. Podobně byla ověřena řada tenzidů i u alkalických lázní, avšak bez znatelného účinku. Vysvětlení tohoto jevu je možno hledat ve vysolovacím efektu koncentrovaných roztoků hydroxidů, které nedovolí molekulám tenzidu spojit se s vodou v lázni a přejít do stavu homogenní směsi.
Uvedené nedostatky odstraňuje alkalická lázeň pro leptání polovodičových materiálů obsahující hydroxidy rozpuštěné v deionizované vodě, zejména hydroxid draselný a vyrovná227475 vací přísadu podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že vyrovnávací přísadu tvoří sacharidy v koncentraci 0,0t až 2,5 hmotnostních procent. Vyrovnávací přísada může obsahovat vedle sacharidů peroxid vodíku v koncentraci 0,05 až 3 hmotnostní procenta.
Sacharidy jsou výborně rozpustné v koncentrovaných alkalických lázních a projevuji se patrným vyrovnávacím účinkem. Jeětě vyššího vyrovnávacího účinku se dosáhne, je-li vedle sacharidů v lázni přítomno omezené množství peroxidu vodíku. Tento účinek je vysvětlen tím, že některé sacharidy, např. škrob, nejsou chemicky jednotné e vedle dobře rozpustných složek obsahují aložky méně rozpustné.
Peroxid vodíku přidaný do lázně před jejím použitím tyto méně rozpustné složky chemicky naruěí a tím zabráni jejich ulpění na povrchu a jeho zpětnému znečistění. Ukázalo se tedy, že sacharidy v kombinaci s peroxidem vodíku působí jako vynikající vyrovnávací přísada do alkalických lázní pro leptání polovodičových materiálů, např. křemíku.
Vynález je blíže vysvětlen na příkladech alkalické lázně pro leptání polovodičových materiálů.
Přikladl
V 1 000 ml deionizované vody se rozpustí 300 g hydroxidu draselného. K této lázni zahřáté ne teplotu 90 až 100 °C se přidá 50 ml roztoku obsahujícího 5,5 g škrobu rozpustného p. a.
Příklad 2
400 g hydroxidu draselného se rozpustí v 1 000 ml deionizované vody a zahřívá k varu. Ve 100 ml vody se rozmíchá esi 6. g škrobu a suspenze se neleje do leptací lázně. Po dosažení varu se k lázni přidá 25 ml peroxidu vodíku 30% a ihned se leptá.
Použití elkelické leptecí lázně podle vynálezu umožňuje dosáhnout kvalitní leptané povrchy polovodičových materiálů s vysokou výtěžností. Delší předností vynálezu je snadná dostupnost účinných složek navržené alkalické leptací lázně.
Claims (2)
1. Alkalická lázeň pro leptání polovodičových materiálů, obsahující hydroxidy rozpuštěné v deionizované vodě, zejména hydroxid draselný e vyrovnávací přísadu, vyznačená tím, že vyrovnávací přísadu tvoří sacharidy v koncentraci 0,01 až 2,5 hmotnostních procent.
2. Alkalická lázeň pro leptání polovodičových meteriálů podle bodu 1, vyznačená tím, že vyrovnávací přísada obsahuje vedle sacharidů peroxid vodíku v koncentraci 0,05 až 3 hmotnostní procenta.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS454382A CS227475B1 (cs) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | Alkalická lázeň pro leptání polovodičových materiálů |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS454382A CS227475B1 (cs) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | Alkalická lázeň pro leptání polovodičových materiálů |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS227475B1 true CS227475B1 (cs) | 1984-04-16 |
Family
ID=5388440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS454382A CS227475B1 (cs) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | Alkalická lázeň pro leptání polovodičových materiálů |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS227475B1 (cs) |
-
1982
- 1982-06-18 CS CS454382A patent/CS227475B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100248113B1 (ko) | 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물 | |
| KR100269013B1 (ko) | 웨이퍼 처리액 및 그 제조방법 | |
| US6284721B1 (en) | Cleaning and etching compositions | |
| US7396806B2 (en) | Semiconductor cleaner comprising a reducing agent, dispersant, and phosphonic acid-based chelant | |
| KR100322392B1 (ko) | 세정처리제 | |
| US4230522A (en) | PNAF Etchant for aluminum and silicon | |
| CN103038311B (zh) | 含水碱性蚀刻和清洁组合物以及处理硅基材表面的方法 | |
| JPWO1997018582A1 (ja) | ウエハ処理液及びその製造方法 | |
| JPS6039176A (ja) | エッチング剤組成物 | |
| CN102428547A (zh) | 微细加工处理剂及微细加工处理方法 | |
| JP5400528B2 (ja) | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 | |
| US3813311A (en) | Process for etching silicon wafers | |
| WO1998027579A1 (en) | Etchants | |
| JP2894717B2 (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| JPS63274149A (ja) | 半導体処理剤 | |
| JPH07183288A (ja) | 半導体ウェーハ処理剤 | |
| US3272748A (en) | Etching of silicon and germanium | |
| CS227475B1 (cs) | Alkalická lázeň pro leptání polovodičových materiálů | |
| JPH11162953A (ja) | シリコンウェーハのエッチング方法 | |
| CN100483641C (zh) | 微细加工处理剂以及使用其的微细加工处理方法 | |
| JP2700778B2 (ja) | 酸含有液による半導体材料処理方法 | |
| US3024148A (en) | Methods of chemically polishing germanium | |
| JP2000160367A (ja) | エッチレートが高速化されたエッチング液 | |
| JP2569574B2 (ja) | 半導体処理剤 | |
| CN111320982A (zh) | 一种晶圆硅片表面微蚀刻粗糙处理剂及其处理方法 |