CS226494B1 - Způsob leptání křemíkových součásti - Google Patents

Způsob leptání křemíkových součásti Download PDF

Info

Publication number
CS226494B1
CS226494B1 CS872882A CS872882A CS226494B1 CS 226494 B1 CS226494 B1 CS 226494B1 CS 872882 A CS872882 A CS 872882A CS 872882 A CS872882 A CS 872882A CS 226494 B1 CS226494 B1 CS 226494B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
bath
components
silicon
hydrogen fluoride
amount
Prior art date
Application number
CS872882A
Other languages
English (en)
Inventor
Stanislav Prom Chem Holcak
Original Assignee
Stanislav Prom Chem Holcak
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanislav Prom Chem Holcak filed Critical Stanislav Prom Chem Holcak
Priority to CS872882A priority Critical patent/CS226494B1/cs
Publication of CS226494B1 publication Critical patent/CS226494B1/cs

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Vynález se týká způsobu leptání křemíkových součástí, zejména součástí z monokrystalů -3 -1 křemíku o měrném odporu 10 J ež 10 ohm.cm.
Při leptání křemíkových součástí, např. desek, je značné rozSířeno použití kyselých lázní obsehujících jako hlavní složky kyselinu dusičnou e fluorovodík a jako vedlejší složky vodu, kyselinu octovou a delěí známé přísady. Reakci mezi křemíkem a hlavními složkami lázně je možno vyjádřit rovnicí:
Si + 4 HN03 + 6 HF = H2SiF6 + 4 N02 + 4 HgO
Fo dosažení požadovaného stupně reakce, daného váhovým množstvím odleptaného křemíku nebo tloušlkou odleptané vrstvy z křemíkových součástí, se tato reakce větěinou ukončí zalitím lázně velkým množstvím deionizované vody. Tento způsob ukončení reakce je při leptání některých speciálních druhů křemíku, např. monokrystalů křemíku o měrném odporu 10”^ až 10' ohm.cm, spojen s tvorbou viditelných, žlutých až černých skvrn na povrchu součástí.
Má se za to, že podstatou těchto skvrn jsou temně zbarvené, nerozpustné sloučeniny křemíku v oxidačním stavu +11, které vznikají na povrchu součástí po zředění lázně.
Tyto nevýhody odstraňuje způsob leptání křemíkových součástí, zejména součástí z monokrystalů křemíku o měrném odporu 10”^ až tO-1 ohm.cm, v lázních obsahujících 15 až 75 váhových % kyseliny dusičné a 0,1 až 25 váhových % fluorovodíku dle. vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že po rozpuštění 0,001 až 0,234 g křemíku vztaženého na 1 g fluorovodíku obsaženého v lázni na počátku procesu leptání se nezreagovaný fluorovodík nechá sloučit s oxidem křemičitým, který se do lázně přidá ve formě přáěku nebo hydroaolu v množství 0,5 až 1 g na 1 g nezreagovaného fluorovodíku. Po zplynutí doby 2 až 300 sekund po přidání '226494 oxidu křemičitého do lázně se součásti od lázně oddělí, opláchnou v deionizované vodě v množství 1 až 10 ml vody na 1 cm povrchu součástí, ponoří do kyseliny fluorovodíková o koncentraci 1 až 52 váhových procent po dobu 2 až 600 sekund, opláchnou v deionizované o vodě v množství 2 až 20 ml vody ne 1 cm povrchu součástí a osuSÍ.
Je známo, že barevné skvrny nevznikají při ponoření uvedených druhů křemíku do Zředěných lázní obsahujících pouze kyselinu dusičnou nebo pouze fluorovodík. Tyto lázně věek neleptají křemík. Tvorbu barevných skvrn tedy podmiňuje současná přítomnost obou tčehto složek ve zředěné leptací lázni. Néchá-li se věak před zředěním lázně volný fluorovodík zreagovat s oxidem křemičitým na kyselinu fluorokřemičitou, vymizí v lázni jedna ee dvou složek způsobujících tvorbu barevných skvrn e zředění lázně vodou pak proběhne bez rizika jejich tvorby.
Výhodou tohoto způsobu je vysoká reprodukovatelnost projevující se zanedbatelně malou četností leptaných desek s barevnými skvrnami. Tohoto Výsledku se dosáhne použitím materiálů běžných při zpracování polovodičových materiálů.
Způsob použití vynálezu je objasněn na příkladu:
V 1 200 ml lázně obsahující 910 g kyseliny dusičné a 115 g fluorovodíku se leptá 30 křemíkových desek 0 63,5 mm. Po odleptání tlouělky 60<um z každá desky, čemuž odpovídá celkem 13,2 g rozpuštěného křemíku e 56,4 g fluorovodíku vázaného ve formě kyseliny fluorokřemičité, zbývá v lázni 58,6 g fluorovodíku volného. Tento se sloučí s 29,3 g oxidu křemičitého, který se do lázně přidá ve formě hydroaolu. Po 30 sekundách se lázeň zředí 30 1 deionizované vody. Křemíkové desky se vyjmou ze zředěné lázně, opláchnou v deionizované vodě a pak ponoří do kyseliny fluorovodíkové o koncentraci 40 váhových % po dobu 10 sekund, opláchnou v proudící deionizované vodě a osuší.
Vynález lze využít v technologických procesech leptání křemíkových součástí, u nichž jsou kladeny vysoké nároky na čisěotu povrchu.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    Způsob leptání křemíkových součástí, zejména součástí z monokrystalů křemíku o měrném odporu 10-3 ež 10”1 ohm.cm, v lázních obsahujících 15 až 75 váhových % kyseliny dusičné a 0,1 až 25 váhových % fluorovodíku, vyznačený tím, že po rozpuštění 0,001 mž 0,234 g křemíku vztaženého ne 1 g fluorovodíku obsaženého v lázni ne počátku proceau leptání se nezreagovaný fluorovodík nechá sžoučit s oxidem křemičitým, který ae fo lázně přidá ve formě prášku nebo hydroaolu v množství 0,5 až 1 g na 1 g nezreagovaného fluorovodíku, načež po uplynuti doby 2 až 300 sekund po přidáni oxidu křemičitého do lázně- se součásti od lázně oddělí, opláchnou v deionizované vodě v množství 1 až'10 ml vody na 1 cm^ povrchu součástí, ponoří do kyseliny fluorovodíkové o koncentraci 1 až 52 váhových % po dobu 2 až 600 sekund, opláchnou v deionizované vodě v množství 2 až 20 ml vody na 1 cm2 povrchu součásti a osuSí.
CS872882A 1982-12-03 1982-12-03 Způsob leptání křemíkových součásti CS226494B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS872882A CS226494B1 (cs) 1982-12-03 1982-12-03 Způsob leptání křemíkových součásti

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS872882A CS226494B1 (cs) 1982-12-03 1982-12-03 Způsob leptání křemíkových součásti

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS226494B1 true CS226494B1 (cs) 1984-03-19

Family

ID=5438257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS872882A CS226494B1 (cs) 1982-12-03 1982-12-03 Způsob leptání křemíkových součásti

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS226494B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3972133B2 (ja) ウエハ処理液及びその製造方法
US5320709A (en) Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution
US5290361A (en) Surface treating cleaning method
KR100248113B1 (ko) 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물
KR101894603B1 (ko) 수성 알칼리 에칭 및 세정 조성물 및 실리콘 기판 표면을 처리하는 방법
US20080203060A1 (en) Etching method and etching composition useful for the method
US5310457A (en) Method of integrated circuit fabrication including selective etching of silicon and silicon compounds
US3859222A (en) Silicon nitride-silicon oxide etchant
EP0962964A1 (en) Detergent for processes for producing semiconductor devices or producing liquid crystal devices
EP0107240A1 (en) Method of photolithographically treating a substrate
CS226494B1 (cs) Způsob leptání křemíkových součásti
KR100197339B1 (ko) 실리콘웨이퍼로부터 손상된 결정영역을 제거시키는방법
US6394114B1 (en) Method for stripping copper in damascene interconnects
US3811974A (en) Silicon nitride-silicon oxide etchant
JP2700778B2 (ja) 酸含有液による半導体材料処理方法
KR20010112292A (ko) 에칭액, 에칭방법 및 반도체 실리콘 웨이퍼
JP2000160367A (ja) エッチレートが高速化されたエッチング液
JP3689871B2 (ja) 半導体基板用アルカリ性洗浄液
JPH11162953A (ja) シリコンウェーハのエッチング方法
JP2010109064A (ja) エッチング方法
JPH05166777A (ja) 半導体ウェーハの洗浄方法
JPH07161672A (ja) 基体の表面洗浄方法及び表面洗浄剤
JP2569574B2 (ja) 半導体処理剤
US3669775A (en) Removal of boron and phosphorous-containing glasses from silicon surfaces
EP1082271A1 (en) Wet processing methods for the manufacture of electronic components using liquids of varying temperature