CS226076B1 - Způsob výroby elektricky izolované polovodičové součástky přítlačného typu - Google Patents
Způsob výroby elektricky izolované polovodičové součástky přítlačného typu Download PDFInfo
- Publication number
- CS226076B1 CS226076B1 CS287682A CS287682A CS226076B1 CS 226076 B1 CS226076 B1 CS 226076B1 CS 287682 A CS287682 A CS 287682A CS 287682 A CS287682 A CS 287682A CS 226076 B1 CS226076 B1 CS 226076B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- hours
- cured
- semiconductor
- assembly
- component
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims 3
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 2
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 claims 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 claims 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004590 silicone sealant Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu výroby elektricky izolované polovodičové součástky například můstkového polovodičového obvodu neboli polovodičového modulu.
Můstkové polovodičové obvody jsou tvořeny obvykle dvěma nebo více propojenými prvky (diodami, tyristory nebo jejich kombinacemi), které jsou elektricky izolovány od, základny. Základna, která slouží k odvodu ztrátového tepla do chladiče a k připojení na chladič, je od polovodičových prvků elektricky izolována. K tomu slouží tepelně vodivé, ale elektricky nevodivé, zpravidla keramické destičky, např. ná bázi korundu, nitridu boritého nebo kysličníku berylnatého. Sestava můstkového obvodu je zapouzdřena do plastu, např. do epoxidové nebo silikonové pryskyřice, ' zpravidla tak, že do předem vylisovaného pláště pouzdra z lisovací hmoty spojeného’ tmelem nebo lepidlem s kovovou základnou, na níž jsou osazeny * polovodičové prvky, se nalije a vytvrdí zalévací í pryskyřice. Můstkové obvody jsou opatřeny vývoI dy, které umocňují propojení modulů do vícefázových můstků nebo regulátorů střídavého proudu. Díky elektricky izolované základně lze tyto sestavy několika modulů osazovat na jeden chladič, a tím ušetřit prostor i materiál.
Z konstrukčního hlediska lze polovodičové moduly — stejně jako výkonové polovodičové prvky
- rozdělit-na dva typy: pájené moduly a moduly s přítlakem. V prvním případě jsou kontakty vytvořeny pájením, zpravidla měkkými pájkami olovo—cín, ú druhého typu je kontaktů dosahováno kluzným uložením vhodnou přítlačnou konstrukcí. Moduly přítlačné konstrukce jsou z technologického hlediska jednodušší — nevyžadují pokovení keramiky a z technického hlediska výhodnější - konstrukce lépe odolává proudovým resp. teplotním rázům.
Jedna z nejdůležitějších veličin polovodičové součástky je tepelný odpor a je žádoucí, aby byl co i nejnižší. Proto se vyrábějí i součástky’ kde styk < součástky s chladičem je zprostředkován přímo/ keramikou zapuštěnou v pouzdře z plastu a bež > kovové základny. Obvykle se-postupuje tak, že/ keramická destička je zapuštěna v pouzdře pra zalévání nebo zalisování do plastu a v pouzdře z plastu zůstává zalita i přítlačná konstrukce. Tento způsob výroby je však technologicky .komplikovaný a pracný.
Tuto nevýhodu odstraňuje způsob výroby elek-< . tričky izolované polovodičové součástky přítlačného typu podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že tepelně vodivý substrát, na němž je umístěna sestava polovodičové součástky opatřená vývody se spojí s vnějším pláštěm pouzdra plošným lepeným spojem vytvořeným reaktoplastovým ne226076 bo elastomemím lepidlem a po vytvrzení lepidla se sestava polovodičové součástky přitlačí vnější přítlačnou konstrukcí umístěnou vně součástky. Potom se prostor mezi pláštěm pouzdra a elektroizolačním tepelně vodivým substrátem zalije reaktoplastovou pryskyřicí a po vytvrzení pryskyřice se vnější přítlak odstraní.
Výhodou způsobu výroby elektricky izolované polovodičové součástky podle vynálezu je technologická jednoduchost, materiálová nenáročnost a nízká pracnost výroby modulů s tepelně vodivým elektricky izolujícím substrátem, umožňujícím přímý styk s chladičem.
Na přiloženém výkresu je v řezu schematicky znázorněna elektricky izolovaná polovodičová součástka přítlačného typu, vyrobená způsobem podle vynálezu.
Na elektroizolačním tepelně vodivém substrátu je umístěna sestava polovodičové součástky 5 s vývody 4 a 6. Elektroizoláční tepelně vodivý substrát 1 je spojen plošným lepeným spojem s vnějším pláštěm 3 pouzdra.
Po vytvrzení lepidla se sestava polovodičové součástky přitlačí vnější přítlačnou konstrukcí - na obr. naznačen přítlak ve směru šipek F.
Celá sestava polovodičově součástky se zalije do pryskyřice a po jejím vytvrzení se vnější přítlak odstraní.
Příklad 1
Polovodičový modul přítlačného typu u něhož je elektroizoláční tepelně vodivý substrát, tvořený destičkou z korundové keramiky, připojen k vněj-
Claims (1)
- PŘEDMĚTZpůsob výroby elektricky izolované polovodičové součástky přítlačného typu vyznačený tím, že elektroizoláční tepelně vodivý substrát, na němž je umístěna sestava polovodičové součástky opatřená vývody, se spojí s vnějším pláštěm pouzdra lepeným plošným spojem, vytvořeným reaktoplastovým nebo elastomerním lepidlem a po vytvrzeníŠímu plášti součástky, předem vylisovanému ze silikonové lisovací hmoty, plošným lepeným spojem ze silikonové lisovací hmoty, plošným lepeným spojem ze silikonového tmelu vulkanizujícího vzdušnou vlhkostí 24 hodin při 20 °C a potom je na korundovou destičku vložena sestava polovodičové součástky, obsahující dva antiparalelně zapojené tyristory, která se stlačí přítlakem 3 MPa vyvozeným vně součástky přiloženou přítlačnou konstrukcí a sestava se zalije nízkomolekulární epoxidovou pryskyřicí plněnou 100 hmotnostními díly křemenné moučky a vytvrzované 16 hmotnostními díly m-fenylendiaminu 2 hodiny při 80 °C a 3 hodiny při 150 °C. Po vytvrzení zalévací hmoty se vnější přítlačná konstrukce odstraní.Příklad 2Polovodičový modul přítlačného typu, u něhož je elektroizolačňě vodivý substrát, tvořený destičkou z -berylnaté keramiky, připojen k vnějšímu plášti součástky, předem vylisovanému z epoxidové lisovací hmoty, plošným lepeným spojem z epoxidové pryskyřice vytvrzované dikyadiomidem po dobu 1,5 hodiny při 150 °C, potom je na elektroizoláční destičku vložena sestava polovodičové součástky, obsahující dva do série zapojené diodové polovodičové systémy, stlačí se přítlakem 3 MPa vyvozeným vně součástky přiloženou vnější přítlačnou konstrukcí a sestava se zalije nízkomolekulární epoxidovou pryskyřicí vytvrzenou 30 hmotnostními díly methylendianilinu 2 hodiny při 80 °C + 4 hodiny při 150 °C. Po vytvrzení zalévací hmoty se vnější přítlačná konstrukce odstraní.VYNÁLEZU lepidla se sestava polovodičové součástky přitlačí vnější přítlačnou konstrukcí umístěnou vně součástky, potom se prostor mezi pláštěm pouzdra á elektroizolačním tepelně vodivým substrátem zalije reaktoplastovou pryskyřicí a po vytvrzení pryskyřice se vnější přítlak odstraní.1 výkres www
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS287682A CS226076B1 (cs) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | Způsob výroby elektricky izolované polovodičové součástky přítlačného typu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS287682A CS226076B1 (cs) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | Způsob výroby elektricky izolované polovodičové součástky přítlačného typu |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS226076B1 true CS226076B1 (cs) | 1984-03-19 |
Family
ID=5367153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS287682A CS226076B1 (cs) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | Způsob výroby elektricky izolované polovodičové součástky přítlačného typu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS226076B1 (cs) |
-
1982
- 1982-04-22 CS CS287682A patent/CS226076B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1040747A (en) | Integrated circuit package utilizing novel heat sink structure | |
| US9287187B2 (en) | Power semiconductor module | |
| CN105612613B (zh) | 半导体装置 | |
| JP5350804B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| US20100170706A1 (en) | Electronic module and method for manufacturing an electronic module | |
| CN102405523A (zh) | 用于具有吸收层的衬底的封装电路装置及其制造方法 | |
| CN104157622A (zh) | 功率电子开关装置和具有该功率电子开关装置的布置结构 | |
| US8995142B2 (en) | Power module and method for manufacturing the same | |
| CN101521167A (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
| US20110278706A1 (en) | Power Electronic Device Package | |
| CN108604589B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| KR950010035A (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| CN108735614B (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
| JP2023541621A (ja) | パワーモジュール及びその製造方法、コンバータ、並びに電子機器 | |
| WO2022021094A1 (zh) | 一种功率模块及制备模具、设备 | |
| KR950028085A (ko) | 반도체 패키지의 제조방법과 반도체의 실장방법 및 반도체 실장장치 | |
| US4012768A (en) | Semiconductor package | |
| US20190214340A1 (en) | Power module | |
| CN120600643A (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
| CN103824821B (zh) | 一种塑料密闭封装的开关电源模块及其制备方法 | |
| US20090035896A1 (en) | High power mcm package with improved planarity and heat dissipation | |
| EP4102555A1 (en) | Power semiconductor module | |
| KR20010072328A (ko) | 평형 반도체 장치, 그 제법 및 이것을 이용한 변환기 | |
| US4740868A (en) | Rail bonded multi-chip leadframe, method and package | |
| CN110970372B (zh) | 包括具有嵌入式半导体管芯的间隔件的半导体器件组件 |