CS223311B1 - Zařízení pro pěstování krystalických profilových těles z taveniny - Google Patents

Zařízení pro pěstování krystalických profilových těles z taveniny Download PDF

Info

Publication number
CS223311B1
CS223311B1 CS492781A CS492781A CS223311B1 CS 223311 B1 CS223311 B1 CS 223311B1 CS 492781 A CS492781 A CS 492781A CS 492781 A CS492781 A CS 492781A CS 223311 B1 CS223311 B1 CS 223311B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
crucible
support plate
melt
members
profile bodies
Prior art date
Application number
CS492781A
Other languages
English (en)
Inventor
Josef Jindra
Josef Filip
Original Assignee
Josef Jindra
Josef Filip
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Josef Jindra, Josef Filip filed Critical Josef Jindra
Priority to CS492781A priority Critical patent/CS223311B1/cs
Publication of CS223311B1 publication Critical patent/CS223311B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Zařízení pro pěstování krystalických profilových těles z taveniny, které využívá odporového ohřevu a kde potřebných teplotních podmínek Je dosaženo nosnou deskou, v níž jsou upraveny tvarovací členy, které přesahuje okraj kelímku neupravená na nem nebo nad ním a odporový topný systém vyhřívá nosnou desku zespodu a obklopuje kelímek

Description

Vynález se týká zařízení pro pěstování krystalických těles s předem určeným příčným průřezem tažení na zárodku přes tvarovací člen.
Princip tažení příčně profilovaných krystalických těles přes form tvarovací člen je sám o sobě znám již řadu let; zásadními objevnými pracemi v této oblasti jsou práce A. V. Štěpánova [Z. Tech. Fyz., 29, 382, (1959)] a práce Η. E. La Bellab [Mat. Res. Bull., B, 581, (1971)]. Poznané a z hlediska priority stále diskutované prihcipy [J. Cryst. Gr., 50, 3—17, (1980)] se staly základem konstrukce příslušných zařízení pro aplikaci v oblasti individuální i hromadné přípravy profilovaných krystalů oxidů s vysokým bodem tání, jmenovitě kysličníku hlinitého,uváděných například v brit. patentu č. 1 205 544, US patentech číslo 3 870 477,
961 905, 3 953 174, 4 028 059, a také v konstrukci zařízení pro jednotlivou i hromadnou přípravu páskových krystalů polovodičů, zejména křemíku, uváděných například v US patentech č. 4 075 055, 4 116 641,
121 965, 3 954 551.
Téměř zpravidla se jedná o soustavu: kelímek s taveninou — tvarovací člen, kde tavenina tvarovací člen smáčí, kapilární elavací v dávkovacím systému vystoupí do úrovně horního povrchu tvarovacího členu, odkud je potom zárodečným krástalem tažena a v příhodném teplotním poli krystaluje do tvaru určeného tvarovacím členem, přesněji geometrií jeho svrchní části. Pokud obrysy taženého tělesa určuje horní povrch tvarovacího členu, po kterém se tavenina rozlévá, je způsob tažení označován jako metoda EFG. Pokud obrys taženého tělesa odpovídá tvaru sloupce stoupající taveniny a tvarovací člen je ostře zakončen, bývá tažení označováno různě, nejčastěji jako metoda SFT.
Aplikace všech těchto způsobů pěstování profilových krystalů, zvláště v hromadné výrobě, vyžaduje především vytvoření reprodukovatelného a dostatečně velkého teplotního gradientu na horním povrchu tvarovacího členu, tak, aby výška vrstvy taveniny mezi tvarovacím členem a rostoucím krystalem byla co nejmenší, zhruba kolem 0,1 milimetru, neboť jen tak průřez taženého tělesa dostatečně přesně odpovídá rozměrům tvarovacího členu. Dále je nutná dostatečná stabilita tohoto teplotního pole, protože změna teploty na fázovém rozhraní o + 10 °C znamená například při tažení safírové trubice změnu jejího vnějšího průměru o + 0,025 mm. Vytvořené gradientově teplotní pole musí být homogenní v celém prostoru tvarovacího členu nebo i celé soustavy těchto členů a případné drobné změny tvaru gradientového pole v průběhu tažení, zvláště na počátku, musí být na všech vrcholech tvarovacích členů stejné. V průběhu pěstování totiž zákonitě dochází ke změně tepelných podmínek, neboť spolu s tažením krystalů do chladnější zóny se mění podmínka odvádění krystalizačního tepla.
Ke splnění všech uvedených náročných podmínek, kladených na vytvoření teplotního pole, se dosud téměř výlučně užívá indukční ohřev, který speciálně u kruhového rozmístění tvarovacích členů má jednoduché uplatnění. Navíc dochází i k Indukčnímu ohřevu vrchní části tvarovacích členů, což příznivě ovlivňuje teplotní gradient ha povrchu tvarovacího členu, jakož i rozložení teploty podél soustavy kelímek — tvarovací člen. Není totiž žádoucí přílišné přehřívání taveniny v kelímku.
Kelímek je zpravidla značně masivní a je obklopen stejně masivním rozdělovačem — rozváděčem tepla. Při pěstování nekruhových těles (pásků) o větších rozměrech vznikají potíže, které se musí řešit složitými mechanickými úpravami tvarovacího členu, ofukováním jeho přehřátých částí plynem a podobně. Aplikace jednoduchého a levného odporového ohřevu naráží na obtížnost zajištění rovnoměrnosti podmínek ohřevu, takže je běžně nutné používat navíc minimálně jeden samostatný topný element pro ohřev vrchní části tvarovacích členů. Potenciální možnost nekruhového provedení je však pro odporové topení výhodou v případů tažení páskových krystalických těles.
Uváděné funkční nevýhody odporového ohřevu odstraňuje zařízení pro pěstování krystalických profilových těles z taveniny podle vynálezu, které navíc umožňuje vyšší využití vytápěného prostoru, snížení potřebného příkonu energie na jednotku produkce a vytvoření homogenního teplotního pole i pro tažení výrazně nekruhových profilů, sestávaje! z pece, obsahující kelímek a topný odporový systém, jehož podstata spočívá v tom, že na nebo nad' kelímkem s taveninou je upravena nosná deska pro tvarovací členy, přečnívající okraj kelímku, přičemž odporový topný přestavitelný systém zespodu vyhřívá nosnou desku a tvarovací členy jsou v nosné desce upraveny tak, že se nacházejí v oblasti kolmého průmětu obrysu — kelímku do nosné desky nebo i vně této oblasti a tvarovací členy jsou s taveninou spojeny svislým kapilárním dávkovacím systémem přímo, nebo nepřímo vnitřními rozvodovými cestami, jimiž je nosná deska opatřena a na desce je upravena soustava stínících plechů.
Základní součásti zařízení podle vynálezu je masivní nosná deska tvarovacích členů, která spočívá na kelímku, nebo je upevněna nad kelímkem, přečnívá okraje kelímku a zde je zespodu vyhřívána odporovou topnou soustavou, která je přestavitelná za účelem vytvoření právě potřebného tepelného účinku na nosnou desku, která rozvání teplo k jednotlivým tvarovacím členům a vytváří kolem nich homogenní teplotní pole. Topná soustava slouží zároveň k ohřevu taveniny v kelímku. Na nosné desce spočívá soustava
S několika stínících plechů, které napomáhají vytvářet potřebné gradientově tepelné pole kolem vrchních částí tvarovacích členů.
Ve stínící soustavě jsou otvory odpovídající poloze, tvaru a velikosti tvarovacích členů, které jsou v nosné desce upraveny buďto přímo nad prostorem kelímku (v oblasti průmětu obrysu kelímku na desku) nebo částečně či úplně mimo tuto oblast. V prvním případě jsou tvarovací členy spojeny s taveninou v kelímku přímým dávkovacím kapilárním systémem, v druhém případě je spojení s taveninou zajištěno pomocí v podstatě vodorovného rozvodového systému v nosné desce. Z výrobních a montážních důvodů může být nosná deska zhotovena z více částí, případně i z různého materiálu, vzájemně pevně spojených tak, aby spoje nepropouštěly taveninu, například slisováním, svářením, sesintrováním.
Nosná deska může mít podle potřeby tvar kruhový, ale i tvar pravoúhelníku, protáhlého obdélníku, mnohoúhelníku a podobně, její tloušťka může být různá, nejčastěji 4 až 10 mm. Je zhotovena z materiálu fyzikálně a chemicky vhodného pro tu kterou pěstovanou látku, například pro tažení safíru je vhodný wolfram nebo molybden, pro tažení křemíku grafit, pro tažení lithiumniobátu se uplatní i deska keramická s obložením platinovou' fólií a podobně. Zásadní je též hmotnost desky, schopnost akumulovat a dobře rozvádět teplo a stabilizovat okolní tepelné pole.
V dalším, s přihlédnutím k připojeným výkresům, je vynález blíže popsán, nebo přesněji, jsou uvedena některá konkrétní možná provedení zařízení podle vynálezu.
Na obr. 1 je schematicky znázorněno ve svislém řezu uspořádání s nosnou deskou ležící na kelímku a tvarovací členy, uspořádanými v nosné desce v oblasti průmětu kelímku do desky.
Je zde znázorněn kelímek 1 s taveninou, upravený na nosiči 2, nosná deska 3 ležící na kelímku 1, v ní upravené tvarovací členy 4, přestavitelná topná sestava 5, tvořená v tomto případě broušenými wolframovými tyčemi, upravenými do tvaru písmene „U“ nebo rozevřeného „M“. Dále je zakreslena soustava odrážecích plechů 6, dávkovači trubice 7 pro šaržovité nebo kontinuální dávkování suroviny do kelímku 1 a dále jsou znázorněny zárodky, respektive tažená profilová krystalová tělesa 8.
Na obr. 2 je znázorněno jiné provedení, a to s dělenou nosnou deskou a tvarovacími členy, upravenými vně průmětu kelímku do desky. Je zde znázorněn kelímek 1 s taveninou, upravený na nosiči 2, nosná deska 3, ležící na kelímku 1, která je tvořena ze dvou částí, spodní části 9 a svrchní části 10. Ve svrchní části 10 jsou upraveny tvarovací členy 4 a rozvodné kanálky 11. Přestavitelná topná sestava 5 obklopuje kelímek 1 a leží pod nosnou deskou 3. Dále je zakreslena dávkovači trubice 7. Pro vzlínání taveniny do kanálků 11 jsou v kelímku 1 upraveny vzlínací členy 12, tvořené buďto trubicemi nebo paralelními plechy, vzájemně přes distanční vložky spojenými. V nich jsou s výhodou upraveny vzlínací prvky (dráty) 13.
Na obr. 3 je znázorněno jedno z uspořádání, kdy nosná deska je upravena nad kelímkem. V tomto případě je nosná deska zavěšena. Je zde znázorněn kelímek 1 s taveninou, upravený na nosiči 2, nosná deska 3 a v ní upravené tvarovací členy 4. Dále je zakreslen závěs 14, spojený z jedním z odrážecích plechů 8, na němž je nosná deska 3 zavěšena nad kelímkem 1. Je rovněž zakreslena topná sestava 5, odrážecí plechy 6 dávkovači trubice 7 a zárodky, respektive tažená profilová krystalová tělesa 8.
Na obr. 4 je znázorněno jiné uspořádání nosné desky nad kelímkem, a to v případě, kdy nosná deska je podepřena. Je zde znázorněn kelímek 1 s taveninou, upravený na nosiči 2, nosná deska 3 a v ní upravené tvarovací členy 4. Dále jsou zakresleny podpěry 15, podpírající .nosnou desku 3 nad kelímkem 1, jež jsou zachyceny ve spodním odrazovém plechu 6. Je rovněž zakreslena topná sestava 5, odrážecí plechy 6, dávkovači trubice 7 a zárodky, respektive tažená profilová krystalová tělesa 8.
Topná sestava může být vytvořena nejen z již zmíněných wolframových tyčí, upravených do tvaru písmene „U“ nebo otevřeného „M“, ale i z příslušně upraveného grafitového mezikruží nebo ze silitových, kantátových .nebo superkantalových topných elementů U-typu.
Upravení nosné desky nad kelímek vede k lepšímu prohřátí nosné desky, na druhé straně však k vyššímu odpařování suroviny v kelímku.

Claims (1)

  1. PREDMET
    Zařízení pro pěstování krystalických profilových těles z taveniny, sestávající z pece, obsahující kelímek a topný odporový systém, vyznačené tím, že na nebo nad kelímkem s taveninou je upravena nosná deska (3) pro tvarovací členy (4J, přečnívající okraj kelímku (lj, přičemž odporový topný přestavitelný systém (5) je upraven pod nosnou deskou (3) a tvarovací členy (4) jsou v nosné desce (3) upraveny tak, že se nacházejí v vynalezu oblasti kolmého průmětu obrysu kelímku (1) do nosné desky (3j nebo 1 vně této oblasti a jsou s taveninou spojeny svislým kapilárním dávkovacím systémem přímo nebo nepřímo vnitřními rozvodovými cestami, jimiž je nosná deska opatřena a nad deskou je upravena soustava stárcích plechů, přičemž nosná deska (3) upravená nad kelímkem (1) spočívá na podpěrách (15) nebo je zavěšena na závěsech (14).
CS492781A 1981-06-29 1981-06-29 Zařízení pro pěstování krystalických profilových těles z taveniny CS223311B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS492781A CS223311B1 (cs) 1981-06-29 1981-06-29 Zařízení pro pěstování krystalických profilových těles z taveniny

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS492781A CS223311B1 (cs) 1981-06-29 1981-06-29 Zařízení pro pěstování krystalických profilových těles z taveniny

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS223311B1 true CS223311B1 (cs) 1983-09-15

Family

ID=5393094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS492781A CS223311B1 (cs) 1981-06-29 1981-06-29 Zařízení pro pěstování krystalických profilových těles z taveniny

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS223311B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5497053B2 (ja) 単結晶ゲルマニウムの結晶成長システム、方法および基板
US5116456A (en) Apparatus and method for growth of large single crystals in plate/slab form
CN103451724B (zh) 一种冷心可调的泡生法蓝宝石单晶生长的保温结构
JP2009018987A (ja) 熱伝導率を調整することによって結晶質材料のブロックを製造するための装置
TW200938664A (en) Method for producing a monocrystalline or polycrystalline semiconductor material
CN1847468B (zh) 大直径单晶的制备方法和装置
CS223311B1 (cs) Zařízení pro pěstování krystalických profilových těles z taveniny
JP4555677B2 (ja) 連続的な結晶化により、所定の横断面及び柱状の多結晶構造を有する結晶ロッドを製造するための装置
JP2011520743A (ja) 結晶成長装置において加熱要素を配置するためのシステムおよび方法
JP3662962B2 (ja) 単結晶の製造方法及び装置
US4390505A (en) Crystal growth apparatus
JP2001192292A (ja) 坩堝を加熱するための発熱体および発熱体の構造
JP3907727B2 (ja) 単結晶引き上げ装置
JPH0218374A (ja) 単結晶成長装置
CN103160934A (zh) 一种生长晶体材料时的温度梯度控制装置及其方法
JPS6111914B2 (cs)
US3960511A (en) Zone melting process
JPS6046073B2 (ja) 半導体単結晶の製造方法
JP5923700B1 (ja) 大型efg法用育成炉の蓋体構造
CN110387579A (zh) 一种利用八边形铸锭热场铸造单晶的方法及铸造单晶硅锭
JPH05319996A (ja) 炭化ケイ素単結晶成長装置
KR20170109335A (ko) 보조 발열부가 구비된 결정성장장치
RU2830299C2 (ru) Способ выращивания кристаллов бестигельным методом и устройство для его реализации
JP2991585B2 (ja) 単結晶育成装置および単結晶の製造方法
CN103290485B (zh) 一种生长晶体材料时的温度引导装置及其方法