KR960000062B1 - 수지상 웨브 결정의 성장 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

수지상 웨브 결정의 성장 방법 및 장치
제1도는 융체의 표면에서 고유 온도 프로필을 나타내고, 융체로부터 상승된 수지상 웨브 결정을 도시한 개략도.
제2도는 수지상 웨브결정에 대한 성장 시스템을 부분적으로 절단한 1/2부분 단면도.
제3도는 리드(lid)와 차폐 배치의 일실시예에 대한 1/4부분 단면도.
제4도는 제3도의 리드와 차폐 배치를 사용한 결정 성장에 대해 폭 대 길이를 비교한 그래프.
제5도는 본 발명에 사용된 기하학적인 리드-슬롯의 여러예를 도시한 개략도.
제6도는 복사열원을 사용한 본 발명의 다른 실시 방법을 도시한 개략도.
제7도는 가스제트를 사용한 본 발명의 다른 실시 방법을 도시한 서셉터 리드의 평면도.
제8도는 본 발명의 다른 실시 방법을 도시한 개략도.
제9도는 본 발명의 다른 실시 방법을 도시한 측면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 경계수지 15 : 리드
16 : 슬롯 18 : 단부영역
19 : 단부호울 23 : 수지면
20 : 복사차폐 25,27 : 복사배출구
28 : 서셉터 29 : 서셉터 공동
30 : 도가니
본 발명은 실리콘 수지상 웨브결정의 성장 방법 및 장치에 관한 것이다.
실리콘 수지상웨브 결정은 [111] 방향에서 성장 가능한 양호한 구조체의 단일 결정 물질인 길고 얇은 리본이다. 실리콘 수지상 웨브 결정을 개발하기 위해 현재 역점을 두는 까닭은 햇빛을 전기에너지로 직접 변화시키기 위해 저렴하고 고효율인 태양전지를 생산하기 때문이다. 얇은 리본 형태의 결정은 대량 생산하는데 고가이고 사용하기전 절단, 래핑 가공 및 폴리싱 가공을 해야만하는 종래의 쵸크랄스키 결정으로 부터 발생된 웨이퍼 기체에 비해 장치조립하기전 부차적인 공정을 필요하지 않는다. 게다가 직사각형의 실리콘 리본은 태양전지의 큰 모듈과 배열 속에 개개의 전지의 유효한 패킹을 유도한다.
기술과 경제적인 문제 경우 이러한 리본이 태양 전지와 같은 반도체 장치에서 궁극적인 조립을 위한 조건들과 일치시켜 소망의 고정된 폭에서 성장하는 것이 바람직하다. 대부분의 성장 배치는 현재까지 사용되어 왔으며 수지상 웨브 결정의 성장은 열변형력의 영향하 결정 변형시때까지 연속적으로 퍼진다.
본 발명에 따라서 실리콘 수지상 웨브 결정의 성장 방법은 도가니를 다결정 실리콘으로 충전시키는 단계와, 실리콘을 용융시키는 단계와, 상기 슬롯을 통해서 성장한 융체와 수지상 웨브결정 사이에 균형있는 열 유동을 제공하기위해 실리콘 융체상에 이격된 도가니내의 슬롯으로 복사차폐를 설치시키는 단계와, 수지상 웨브의 경계에서 온도 변화도를 제어시키고 웨브가 복사차폐내의 슬롯을 통해서 상승될 때 융체의 고유온도 기울기를 제어시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 실리콘 수지상 웨브 결정이 성장 방법은 도가니를 다결정 실리콘으로 충전시키는 단계와, 실리콘을 용융시키는 단계와, 수지상 웨브결정이 상승되므로서 도가니상의 리드를 도가니속에 있는 슬롯으로 설치시키는 단계와, 웨브가 리드내의 슬롯을 통해서 상승될 때 복사원으로 수지상 웨브의 경계면에서 온도 기울기를 제어시키는 단계를 포함한다.
아울러 본 발명은 실리콘이 용융되고 이 용융 상태로 유지시키는 도가니 및 공동을 구비하는 서셉터와, 수지상 웨브결정이 상승되므로써 도가니내의 슬롯상에 설치되고, 경계면에서 웨브내의 온도 기울기가 제어될 수 있도록 슬롯을 통해서 상승될 때 수지상 웨브 결정의 경계면에 인접한 넓은 단부 영역의 배치를 갖는 슬롯의 한단부에서 용융된 실리콘내의 고유온도 및 기울기가 제어되도록 상기 슬롯의 단부로부터 적절한 크기로 이격된 단부 호울을 갖는 리드와, 수지상 웨브결정이 상승되므로써 웨브의 경계면에서 온도 기울기는 제어되도록 수지상 웨브의 경계면에 인접한 넓은 단부 영역의 배치를 구비한 슬롯과 함께 리드상에 이격되어 있으며 상기 슬롯의 일단부에서 융체내의 고유온도 변화도가 제어되도록 상기슬롯의 단부로부터 적절한 크기로 이격된 단부 호울을 갖는 복사 차폐를 구비한다.
게다가 본 발명의 실리콘 수지상 웨브 결정의 성장 장치는 실리콘이 용융되고 이 용융 상태로 유지시키는 도가니 및 공동을 가진 서셉터와, 수지상 웨브 결정이 상승 가능하게되는 슬롯을 구비한 도가니 위쪽에 설치된 리드와, 수지상, 웨브 결정이 상승 가능하게되는 슬롯을 구비한 상기 리드 위쪽에 간격진 복사차폐를 구비하고 상기 서셉터 리드는 상기 도가니 내에 포함된 용융된 실리콘으로부터 상승된 실리콘 수지상 웨브의 경계면에 인접한 배출구를 구비하고 상기 배출구는 상기 수지상 웨브 결정을 통해서 온도 기울기를 제어한다.
또한 본 발명의 실리콘 수지상 웨브 결정의 성장 장치는 실리콘이 용융되고 이 용융 상태로 유지시키는 도가니 및 공동을 가진 서셉터와, 수지상 웨브 결정이 상승 가능하게되는 슬롯을 구비한 도가니 윗쪽에 설치된 리드를 구비하며, 상기 리드는 상기 슬롯으로부터 외측 방향으로 확장하는 복사 배출구를 구비하고 상기 슬롯을 통해서 상승된 실리콘 수지상 웨브 결정의 경계면에 인접되어 있으며 상기 복사 배출구를 상기 웨브의 경계면에서 온도 기울기가 제어되도록 상기 리드의 외측 에지로 확장한다.
아울러 본 발명의 실리콘 수지상 웨브결정의 성장장치는 실리콘이 용융되고 이 용융 상태로 유지시키는 도가니 및 공동을 가진 서셉터와, 수지상 웨브 결정이 상승가능하게되는 슬롯을 구비한 도가니 윗쪽에 설치된 리드를 구비하고 상기 서셉터는 상기 서셉터의 하부를 통해서 상기 서셉터 공동의 하부로부터 외측 방향으로 확장하는 복사 배출구를 구비하며 상기 도가니내에 포함된 실리콘의 고유 온도기울기가 제어 가능하게 된다.
본 발명은 기하학적인 열 시스템을 제어하기 위해 성장 배치를 기술함으로써 쉬지상 웨브 결정이 대부분의 길이 위쪽에 폭을 유지시킨다. 본 시스템에 대해서 설계된 배치는 종래의 기술되었던 신장과 보강의 열조건들을 나타낸다. 이러한 조건들은 축방향으로 대칭인 온도 분배가 수지상 트립 즉 액체에 의해서 전체적으로 둘러싼 경계수지 일부분 주위에서 발생될 때 일정한 성장폭이 생기도록 하는 상태에서 나타난다. 이런 상황에서는 일정한 성장폭이 융체내의 고유온도 프로필로 수지상 트립 근처에 비대칭적인 열손실을 균형시키므로서 얻게되는 종래의 단면을 기술하고 있다. 대칭적인 유효한 온도는 보다큰 두 양들을 균형시키므로서 얻게된다. 두량들중 하나의 변동은 비균형 일뿐만 아니라 수지상 성장이 불안정하는 조건으로 열조건을 유도한다. 이것은 성장(외측으로 상승)또는 다른 수지(세번째)를 멈추게 한다.
본 발명의 해결책은 성장이 보다 안정하고 실제적인 상황에서 용이하게 제어되도록 대칭적인 열손실 상태를 발생시키기 위해 부차적인 인자들을 사용한다. 이런 해결책을 위한 한가지 수단은 수지를 접근시킬 수단으로서 대략 원형이 되도록 서셉터리드내의 성장 슬롯을 퍼지게한다. 이러한 기하학적인 구성은 수지 트립 근처에 있는 영역으로부터 대칭적인 열손실 패턴을 부여하고 정상적인 성장 즉 일정한 웨브폭을 이룬다.
또한 이러한 기하학적인 구성은 다른 웨브 성장 조건들과 호환성이 있어야 한다. 수지상 웨브결정의 단면 성장은 그 자체의 열조건들을 구비하는데 이러한 조건들은 대체로 비교적 좁은 슬롯과 차폐 배치에 의해서 수용된다. 게다가 웨브의 균일한 성장은 융체내의 비교적 편평한 고유온도 프로필을 필요한다. 모든 조건들의 수용력은 본 발명의 일실시예에 의해 수행되는데 이런 조건들은 웨브 단면의 적절한 성장을 제공시키기 위해 슬롯의 길이 위쪽에 좁게 배치된 슬롯과, 수지 주위에 대칭적인 열손실을 제공하기 위해 넓은 슬롯단부와, 고유 융체 온도 프로필을 제어하기 위해 슬롯으로부터 이격된 개구를 수용한다.
고유 융체 프로필은 편평하게 되어 있는데, 일정하지 않은 영역상에서는 존재하지 않는다. 수지 주위의 완전한 대칭적인 열손실을 웨브 및 에니스커스가 열손실 보다 작기 때문에 얻을 수가 없다. 그러므로 몇가지 보충시키는 기울기는 융체 온도프로필에서 필요하게 된다.
그러나 이러한 기울기는 거의 변함없지만 실제적으로 오직 약간의 열유동양은 균형을 이루게 되고 균형점으로부터 어느정도 이탈이 ″외측으로 상승″ 혹은 수지(세번째) 발생도 없이 안정한 성장을 허용하는 결과이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명하고자 한다.
수지상 웨브의 퍼짐에 포함된 물리적인 매카니즘은 제1도의 개략도로부터 쉽게 이해할 수 있다. 경계수지(10)는 아래로 오목한 트윈판 매카니즘의 기하학적인 대칭으로서 거의 기하학적인 [211] 방향으로 퍼진다. 그러나 경계 수지의 이러한 성장 대칭은 제1도에서 도시된 바와같이 측면 열손실에 의해 발생된 측면 온도 기울기에 의해 흐트러진다. 경계수지(10) 주위의 열손실은 수지면(23)과 내측에지(12)에서 작으며 외측에서는 많은 열손실이 있어 일정치 않다. 성장 결과 이런 기울기의 수지는 웨브 결정퍼짐이 내측에지(12)보다 외측(11)에서 다소 성장한다. 또한, 제1도는 융체의 표면에서 고유온도 프로필을 나타내고 제2도는 전형적인 성장 시스템으로서 서셉터를 차지하는 리드내의 슬롯과 호울을 통해 열손실을 초래하는 프로필을 나타내고 있다. 이론적으로, 성장은 측면의 열손실로부터 발생한 온도기울기가 고유융체 프로필로부터 발생한 온도 기울기에 의해 균형이 된다면 일정한 폭을 형성한다. 근본적으로 이것을 결정이 열통과내의 적절한 위치에서 성장하도록 시스템 온도를 변경함으로써 수지상 웨브 결정의 성장 제어폭을 가능하게 한다. 그러나 실제적으로 요구한 균형은 소정의 온도 변화가 수지를 성장하지 못하게하여, 결정은 융체로부터 상승하는 것을 알 수 있다.
제2도는 수지상 웨브 결정 성장에 사용된 대표적인 시스템이다. 도시한 바와같이 서셉터 공동(29)을 구비한 서셉터(28)는 융체된 다결정 실리콘(31)을 포함하는 도가니(30)를 구비한다. 서셉터 리드(15)는 수지상 웨브 결정(32)이 상승될수 있는 슬롯(16)을 포함한다. 수지상 웨브 결정(32)은 융체된 다결정 실리콘(31)에 있는 경계수지(10)를 제한한다. 또한 제2도에서는 리드(15)상에 이격되어 있는 복사차폐(20)를 도시하고 있는데 이러한 복사차폐(20)는 수지상 결정(32)이 상승될 수 있는 슬롯(16)을 포함한다.
제3도는 소정의 폭에서 실리콘 수지상 웨브의 성장을 허여한 리드와 차폐의 배열을 설계한 도면이다. 이러한 배치는 성장시 소망의 폭의 조절을 허여한다. 서셉터 리드(15)는 측면 열손실을 감소시키기 위해 열브리지(17)를 제공하는 비교적 짧은 슬롯(16)을 구비하며 이런 슬롯(16)은 슬롯(16)의 단부로부터 소정의 거리로 이격된 적절한 크기인 단부 호울(19)을 구비하고 융체내의 고유열 기울기를 제어하기 위해 수지상 웨브의 경계면에 인접되어 있다. 제3도는 넓은 원형 단부영역(18)과 접속된 슬롯(16)을 도시하고 있다. 이런 단부 영역(18)은 수지 주위에서 대칭적으로 열손실을 허용하며 수지에 대해서 대체로 대칭이다. 게다가 융체내에 열기울기의 제어는 슬롯(16)의 원형 단부영역(18)의 크기에 의해서 제공된다. 제3도에 있어서 이런 배열은 차폐(20)의 수와 간격이 성장의 다른 열조건에 따라 변화할지라도 적절한 리드상의 복사차폐(20)을 구체적으로 도시하고 있다. 또한, 제3도의 복사차폐(20)는 슬롯영역(16) 단부호울(19), 및 단부영역(18)이 노출되도록 서셉터리드(15)의 상부에 있는 레지스터 내부에 적합하기 위한 배열된 것이다.
이런 설계에 있어서 리본의 에지로부터 측면열손실을 조절함으로써 우선 폭을 제어해야 한다. 짧은 슬롯(16)만이 사용된다면 그후 융체의 표면 온도 프로필은 측면 열손실이 감소되지 않을지라도 불안정한 성장을 하도록 아래쪽으로 기울려 있다. 게다가 단부호울은 안정한 성장이 가능하도록 융체온도를 변화시킨다. 제어가 수형된 폭은 슬롯(16)과 단부호울(19) 및 단부 호울(19)이 슬롯으로부터 이격된 거리의 차원에 의해서 결정된다. 융체 표면에 낮은 온도가 ″통과″하기 때문에 낮은 범위내의 결정 폭이 시스템 온도의 조절에 잘 적합된다.
제4도는 제3도의 성장 배치를 이용해서 결정 성장을 위한 길이와 폭의 함수 관계를 나타내는 그래프이다. 이런 결정은 1m폭상의 벽에 대해 ±0.5mm 범위내에서 결정의 폭을 유지한다. 동일한 온도에 의해 발생된 몇가지 변화는 작동자에 의해 조작된다. 한편 다른 결정은 5m의 일정한 폭에 대한 길이를 도시한 것으로 폭/길이 특성을 산출하는 배열로 성장한다. 의도적으로 약간 도입시킨 것이 시스템 온도내에서 변화하며 결정은 전체의 성장 안정성을 결정함이 없어 수행되도록 넓고/좁게 제조되어 있다.
상기에 기술된것과 제3도에 도시한 예는 본 발명의 한도를 개념에 부과시키지 않았다. 본 발명의 개념을 구체적으로 표현하는 다른 배열은 웨브 결정의 폭을 제어하는데 사용된다. 기하학적인 다른 리드 슬롯의 몇가지 예는 제5도에 도시되어 있다. 각각의 이러한 배열은 웨브 결정의 영역, 경계수지 및 슬롯패턴의 형태와 크기를 조절함으로써 웨브 성장 영역과 웨브 결정을 벗어난 융체 표면상에서 웨브폭의 수동제어 표시에서 열손실 패턴을 제어한다.
제5도에 도시한 바와같이 모든 기하학적인 리드슬롯은 공통으로 여러폭을 구비한다. 우선 각 슬롯은 단부 영역(18a-e)중 한단부상에 경계되어진 슬롯영역(16a-e)을 구비한다. 이러한 단부영역이 원형으로 종래에 기술되어진 동안 제5도에 도시한 바와같이 단부 영역들은 장방형, 다이아몬드형, 타원형 또는 특별한 응용에 적합한 다른 임의의 형태로 이루어져 있다. 이런 경우 단부 영역(18a-e)은 대체로 웨브의 경계에 대칭이다. 또한, 제5도에 도시되어진 바와같이 각각 기하학적인 리드슬롯은 단부호울(19a-e)을 포함한다. 이런 단부호울은 원형을 필요하지 않는다. 예컨대 제5b도와 제5c도에는 타원형 형태의 단부 호울이 도시되어 있다. 게다가 단부호울은 슬롯(16)의 각단부에서 보다큰 단부호울을 제공함으로써 본 발명의 실시를 가능케한다. 제5c도 내지 제5e도에서 도시한 바와같이 단부호울(19)에는 제2의 슬롯영역(21c-e)에 의해서 단부영역(18)이 결합된다. 도시되어진 바와같이 제2의 슬롯영역(21)은 시스템의 필요에 따라 여러 폭을 구성되어 있다.
본 발명을 수행하기 위한 또다른 방법은 제6도에 도시되어 있다. 예컨대 도시된 배치는 융체내의 소망의 온도 프로필을 예시하고 있다. 수지로부터 열손실 패턴은 집중된 복사열원(22)으로 수지에지(11)에 열을 첨가함으로써 제어 가능하게된다. 그후 수지 트립으로부터 좀더 대칭적인 열손실 패턴을 근접시키기 위해 수지에지(11)로 부터 나온 열손실을 감소시킨다.
제7도에 도시되어진 바와같이 열손실 패턴은 가스제트(24)을 사용하는 수지표면(23)으로부터 나온 열손실을 증가시키므로써 변경될 수 있다. 가스제트(24)는 수지주위에 대칭적인 열손실 조건을 근접시키기 위해 수지 표면(23)을 냉각시켜 사용될 수 있다.
제8도는 서셉터리드(15)내의 슬롯을 통해서 상승된 수지(10)를 구비한 수지상 웨브 시스템의 평면도이다.
제8도에서 도시되어진 바와같이 서셉터내의 복사 배출구(25)은 수지표면(23)으로부터 나온 열손실을 증가시키는데 사용 가능하다. 이러한 복사 배출구(25)는 서셉 리드(15)의 슬롯(16)에서 서셉터리드(15)의 외측단부(33)까지 외측 방향으로 확장되어 있다. 또한 복사 배출구는 수지상 웨브의 수지 또는 경계가 상승될 수 있는 영역에 인접한 슬롯(16)내의 영역으로 확장하고 경계 부분에서 온도 기울기를 추가로 제어시키기 위해 수지상 웨브 경계면에 인접한 서셉터의 측면을 따라 설치될 수 있다.
이와달리 설계된 슬롯은 제9도에 도시되어진 바와같이 서셉터(28)의 하부외측으로 확장하는 복사배출구(27)나 적절한 복사 차폐에 의해서 융체내의 온도분배가 제어가능한 수지로부터 나온 열손실 패턴을 제어한다. 복사배출구(27)는 서셉터하부(34)를 통해 서셉터공동(29)까지 확장한다. 복사배출구(27)는 융체로부터 나온 열손실을 허용하며 융체내의 융체온도 프로필은 제어될 수 있도록 서셉터(28) 내부에 설치된 것이다. 제8도와 제9도에 도시되어진 바와같이 이러한 설치는 대체로 서셉터 리드(15)내의 단부호울(19)을 포함한다.

Claims (12)

  1. 실리콘 수지상 웨브 결정의 성장 방법에 있어서, 도가니를 다결정 실리콘으로 충전시키는 단계와, 실리콘을 용융시키는 단계와, 상기 슬롯을 통해서 성장한 수지상 웨브 결정과 융체 사이에 균형있는 열유등을 제공하기 위해 실리콘 융체 위쪽에 이격된 도가니내의 슬롯으로 복사차폐를 설치시키는 단계와, 수지상 웨브결정의 경계면에서 온도 기울기를 제어시키고 웨브가 복사차폐내의 슬롯을 통해서 상승될때 융체의 고유 온도 기울기를 제어시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 수지상 웨브 결정이 성장방법.
  2. 제1항에 있어서, 수지상 웨브 결정의 경계면에서 온도 기울기는 넓은 단부 영역을 형성시키기 위해 상기 경계면에 인접한 슬롯을 확장시키므로서 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 슬롯의 넓은 단부 영역은 복사차폐내의 슬롯을 통해서 상승된 수지상 웨브 결정의 경계면 주위에 대칭적인 온도 기울기를 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 다결정 실리콘 융체내의 고유 온도 기울기는 수지상 웨브 결정이 경계면 주위에 인접한 슬롯으로부터 이격된 차폐 내부에 개구를 추가로 제공함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 수지상 웨브 결정의 경계면에서 온도기울기는 복사원 또는 가스제트에 의해서 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 실리콘 수지상 웨브 결정의 성장 장치에 있어서, 실리콘이 용융되고 이용융상태로 유지시키는 도가니 및 공동을 구비하는 서셉터와, 수지상 웨브 결정이 상승될 수 있는 슬롯을 구비한 도가니 윗쪽에 설치되는 리드와, 수지상 웨브결정이 상승될 수 있는 슬롯을 구비한 상기 리드 위쪽에 간격진 복사 차폐를 구비하고, 상기 슬롯은 경계면에서 웨브내의 온도 기울기가 제어될 수 있도록 슬롯을 통해서 상승된 수지상 웨브 결정의 경계면에 인접한 넓은 단부 영역으로 배치되어 있으며 웨브의 경계면에서 온도 기울기가 제어될 수 있도록 수지상 웨브 결정의 경계면에 인접한 넓은 단부영역으로 배치되어 있고, 상기 리드는 상기 슬롯의 어느 한 단부에서 단부 호울을 추가로 구비하고 상기 단부 호울은 용융된 실리콘내의 고유온도 및 기둘기가 제어되도록 상기 슬롯의 단부에 부터 적절한 크기로 이격되어 있으며, 융체태의 고유온도 기울기가 제어될 수 있도록 상기 슬롯의 단부로 부터 적절한 크기로 이격되어 있고 상기 복사차폐는 상기 슬롯의 어느 한 단부에서 단부 호울을 추가로 구비한 것을특징으로 하는 실리콘 수지상 웨브 결정의 성장 장치.
  7. 제6항에 있어서, 웨브의 경계면에 인접한 리드와 복사차폐의 넓은 슬롯 단부 영역은 웨브의 경계면에 대해 대칭인 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 실리콘 수지상 웨브 결정의 성장 장치에 있어서, 실리콘이 용융되고 이 용융 상태로 유지시키는 도가니 및 공동을 구비하는 서셉터와, 수지상 웨브 결정이 상승될 수 있는 슬롯을 구비한 도가니 위쪽에 설치된 리드와, 수지상 웨브 결정이 상승될 수 있는 슬롯을 구비한 상기 리드 위쪽에 간격진 복사 차폐를 구비하고, 상기 서셉터 리드는 상기 도가니내에 포함된 용융된 실리콘으로부터 상승된 실리콘 수지상 웨브 결정의 경계면에 인접한 배출구를 구비하고 상기 배출구는 수지상 웨브 결정을 통해서 온도 기울기를 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 수지상 웨브 결정의 성장 장치.
  9. 제8항에 있어서, 추가한 개구는 웨브의 경계면에서 온도 기울기를 제어하기 위해 수지상 웨브 결정의 경계면에 인접한 슬롯으로부터 이격된 복사 차폐와 리드 내에 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 실리콘 수지상 웨브 결정의 성장 장치에 있어서, 실리콘이 용융되고 이 용융 상태로 유지시키는 도가니 및 공동을 구비하는 서셉터와, 수지상 웨브 결정이 상승될 수 있는 슬롯을 구비한 도가니 위쪽에 설치된 리드를 구비하고, 상기 리드는 상기 슬롯으로부터 외측 방향으로 확장하는 복사 배출구를 구비하며 상기 슬롯을 통해서 상승된 실리콘 수지상 웨브 결정의 경계면에 인접되어 있고 상기 복사 배출구는 상기 웨브의 경계면에서 온도 기울기가 제어되도록 상기 리드의 외측 에지로 확장하는 것을 특징으로 하는 실리콘 수지상 웨브 결정의 성장 장치.
  11. 실리콘 수지상 웨브 결정의 성장 장치에 있어서, 실리콘이 용융되고 이 용융 상태로 유지시키는 도가니 및 공동을 구비하는 서셉터와, 수지상 웨브 결정이 상승될 수 있는 슬롯을 구비한 도가니 위쪽에 설치된 리드를 구비하고, 상기 서셉터는 서셉터의 하부를 통해서 서셉터 공동의 하부로부터 외측으로 확장하는 복사 배출구를 가지므로서 상기 도가니내에 포함된 실리콘 융체의 고유온도 기울기가 제어될 수 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 수지상 웨브 결정의 성장 장치.
  12. 실리콘 수지상 웨브 결정의 방법에 있어서, 도가니를 다결정 실리콘으로 충전시키는 단계와, 실리콘을 용융시키는 단계와, 수지상 웨브 결정이 상승될 수 있는 슬롯을 구비한 도가니 위쪽에 리드를 설치시키는 단계와, 웨브가 리드내의 슬롯을 통해서 상승될때 복사원으로 수지상 웨브 결정의 경계면에서 온도 기울기를 제어시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 수지상 웨브 결정의 방법.
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