CS218541B1 - Způsob pokovení dilatačních elektrod - Google Patents

Způsob pokovení dilatačních elektrod Download PDF

Info

Publication number
CS218541B1
CS218541B1 CS749681A CS749681A CS218541B1 CS 218541 B1 CS218541 B1 CS 218541B1 CS 749681 A CS749681 A CS 749681A CS 749681 A CS749681 A CS 749681A CS 218541 B1 CS218541 B1 CS 218541B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
temperature
electrode
alloy
maximum
electrodes
Prior art date
Application number
CS749681A
Other languages
English (en)
Inventor
Petr Svab
Timotej Simko
Josef Sulc
Original Assignee
Petr Svab
Timotej Simko
Josef Sulc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Petr Svab, Timotej Simko, Josef Sulc filed Critical Petr Svab
Priority to CS749681A priority Critical patent/CS218541B1/cs
Publication of CS218541B1 publication Critical patent/CS218541B1/cs

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Předmětem vynálezu je způsob pokovení dilatačních elektrod výkonových polovodičových prvků, jehož podstatou je, že na neupravený povrch — povrch základního materiálu dilatační elektrody, chemicky očištěný například leptáním — je naplátována slitina Ag s přísadou max. 5 % Ge v inertní či redukční atmosféře, příp. ve vakuu, při definovaném teplotním režimu s gradientem nárůstu teploty max. 60 °C/min, dobou prodlevy na teplotě 820 až 920 °C minimálně 10 minut a gradientem poklesu teploty 20 až 50 °C/min.

Description

Vynález se týká způsobu pokovení dilatačních elektrod používaných při výrobě výkonových polovodičových součástek, například diod a tyristorů.
Pro získání požadovaných vlastností dilatační elektrody, zvláště s ohledem na zajištění vhodných vlastností pro připojení Si destičky, resp. zaručení minimálních hodnot stykového odporu s dalšími díly pouzdra, se provádí pokovení jejího povrchu. Způsoby nanesení metalické vrstvy jsou voleny s ohledem na následnou technologii zpracování.
Galvanický způsob pokovení vyžaduje obvykle vytvoření několikavrstvého povlakového systému (Ni, Ag, Au apod.), aby nedocházelo k rozpuštění metalické pájitelné vrstvy v použité pájce. Nanesené vrstvy vyžadují obvykle tepelné zpracování při vyšších teplotách, aby došlo k jejich dokonalému zakotvení na povrchu surové dilatační elektrody. Nevýhodou je, že při silnějších vrstvách hrozí při tepelném zpracování nebezpečí loupání v důsledku vnitřních pnutí.
Naparováním kontaktních vrstev na dilatační elektrodu je využíváno pouze okrajově, vzhledem k problémům výběru vhodné pájky a úpravy technologie pájení, nehledě ná náročně vybavení vhodným zařízením.
Uvedené způsoby nanesené kovové vrstvy se vyznačují buď omezením následné technologie pájení, vysokou pracností nebo náročností využívaného zařízení. Technologie využívající připojení Si destičky s PN přechody k dilatační elektrodě pájkami na bázi Pb, Ag s bodem tání cca 300 CC vyžaduje dostatečnou sílu pokovení, aby nedošlo k jejímu plnému odlegování do použité pájky a tak ke snížení mechanické pevnosti spoje. Těmto požadavkům obvykle vyhovuje technologický způsob plátování fólií Ag nebo Au různé síly.
Tyto požadavky splňuje způsob pokovení dilatačních elektrod pro polovodičové součástky podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že na neupravený povrch základního materiálu elektrody, chemicky očištěný například leptáním, je naplátována slitina Ag s přísadou max. 5 °/o Ge v inertní či redukční atmosféře, případně ve vakuu, při definovaném teplotním režimu s gradientem nárůstu teploty max. 60 °C/min, dobou prodlevy na teplotě 820 až 920 °C minimálně 10 min a gradientem poklesu teploty 20 až 50 °C/min.
Způsob pokovení podle vynálezu zaručuje požadované vlastnosti dilatační elektrody nejen pro dokonalé připojení Si destičky s PN přechody pájením pájkami na bázi Pb, Sn, ale současně i zajišťuje dokonalost a stálost kontaktu k jednotlivým dílům pouzdra. Pracnost takto připravovaných elektrod je ve srovnání s ostatními způsoby výroby nižší.
Příklad provedení
Nepokovená Mo kotoučová elektroda upravená mechanickými operacemi na příslušný rozměr se odmastí a běžným chemickým způsobem očistí leptáním v kyselé nebo alkalické lázni. Kotouče plátování slitiny AgGe3 se odmastí a očistí leptáním. Takto připravené komponenty jsou skládány do grafitového přípravku takovým způsobem, aby vždy kotouč slitiny AgGe3 byl umístěn na horní i dolní povrch Mo elektrody, která má být pokovena.. Sestava plátovaná slitina, kovová elektroda, plátovaná slitina je pro dokonalejší podmínky spojení zatížena závažím vhodné hmotnosti. Tato sestava umístěná v grafitovém přípravku je podrobena tepelnému zpracování s definovaným režimem. — s gradientem nárůstu teploty 60 °C/min, dobou prodlevy na teplotě 890 °C 15 min a gradientem poklesu teploty 25 °C/ /min.

Claims (1)

  1. Způsob pokovení dilatačních elektrod výkonových polovodičových prvků, vyznačený tím, že na neupravený povrch základního materiálu dilatační elektrody, chemicky očištěný například leptáním, je naplátována 'slitina Ag s přísadou max. 5 % Ge v inertVYNALEZU ní či redukční atmosféře, případně ve vakuu, při definovaném teplotním režimu s gradientem nárůstu teploty max. 60 °C/min, dobou prodlevy na teplotě 820 až 920 °C minimálně 10 minut a gradientem poklesu teploty 20 až 50 °C/min.
CS749681A 1981-10-13 1981-10-13 Způsob pokovení dilatačních elektrod CS218541B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS749681A CS218541B1 (cs) 1981-10-13 1981-10-13 Způsob pokovení dilatačních elektrod

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS749681A CS218541B1 (cs) 1981-10-13 1981-10-13 Způsob pokovení dilatačních elektrod

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS218541B1 true CS218541B1 (cs) 1983-02-25

Family

ID=5424210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS749681A CS218541B1 (cs) 1981-10-13 1981-10-13 Způsob pokovení dilatačních elektrod

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS218541B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5269453A (en) Low temperature method for forming solder bump interconnections to a plated circuit trace
US5021300A (en) Solder back contact
US3480412A (en) Method of fabrication of solder reflow interconnections for face down bonding of semiconductor devices
EP0006810A1 (fr) Procédé de fabrication d'un circuit intégré hybride
US3050667A (en) Method for producing an electric semiconductor device of silicon
JPH10511226A (ja) フリップチップ実装用はんだバンプおよびその製造方法
US3647533A (en) Substrate bonding bumps for large scale arrays
JPS6317337B2 (cs)
US5448016A (en) Selectively coated member having a shank with a portion masked
EP0188838B1 (fr) Boîtier pour composant électronique
JPH0372713B2 (cs)
US3454374A (en) Method of forming presoldering components and composite presoldering components made thereby
EP0380289B1 (en) A process of manufacturing a multi-layer ceramic substrate assembly
CS218541B1 (cs) Způsob pokovení dilatačních elektrod
JPH0867978A (ja) スパッタリング用ターゲットのはんだ付け方法
JPH03179793A (ja) セラミックス基板の表面構造およびその製造方法
EP0717125A1 (en) Bonding of diamond to a substrate
CA1217163A (en) Method of depositing a metal
JP2768448B2 (ja) 半田バンプの形成方法
JPH10163404A (ja) Bga用入出力端子
JP2886945B2 (ja) 配線基板
JPS63119242A (ja) 基板
JPS60107845A (ja) 半導体用回路基板
JPH01216594A (ja) セラミック配線基板及びその製造方法
CN114175220A (zh) 用于热喷涂导体线路的方法和电子模块