CS218269B1 - Rozkladová elektroda snímací elektronky infračerveného záření - Google Patents
Rozkladová elektroda snímací elektronky infračerveného záření Download PDFInfo
- Publication number
- CS218269B1 CS218269B1 CS597280A CS597280A CS218269B1 CS 218269 B1 CS218269 B1 CS 218269B1 CS 597280 A CS597280 A CS 597280A CS 597280 A CS597280 A CS 597280A CS 218269 B1 CS218269 B1 CS 218269B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- electrode
- scanning
- infrared
- gelatin
- tube
- Prior art date
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Vynález se týká elektrody snímací elektronky infračerveného záření. Řeší materiál a podklad pro rozkladovou elektrodu snímacích elektronek. Podstata vynálezu spočívá v použití speciální práškové keramiky v želatině nanesené na křemíkové destičce. Vynález může být využit ve vakuové elektronice a v polovodičové technice.
Description
Předložený vynález se týká rozkladové elektrody snímací elektronky infračerveného záření s elektronovým snímáním obrazu při infračerveném osvětlení, kdy rozkladová elektroda je zhotovena z materiálu s pyroelektrickými vlastnostmi, což je zvlášť vhodné pro snímací elektronky typu pyroelektrický vidikon.
Dosud známé rozkladové elektrody pyroelektrických vidikonů jsou většinou zhotoveny z monokrystalických materiálů s pyroelektrickým jevem, jež s sebou nesou někkteré obtíže z hlediska technologie zpracování. Jednou z hlavních nevýhod je obtížné získávání monokrystalických materiálů větších průměrů a vysoká křehkost, která při požadavku zeslabování destiček na tloušťku 10 až 30 ,um vede k vysoké zmetkovitosti. Kromě toho, například vysoce citlivý trlglycinsulfát je silně hygroskopický a je třeba v průběhu opracování zabránit přístupu vlhkosti.
V poslední době se objevila možnost použití keramických materiálů i plastických látek na bázi polyvinylfluoridů, ale jejich citlivost je mnohonásobně menší než u krystalických materiálů. Vysoký pyroelektrický koeficient má například germanát olovnatý, z něhož však lze obtížně vypěstovat krystaly dostatečně velkých rozměrů a jehož křehkost silně komplikuje možnost získávání tenkých destiček.
Výše uvedené nedostatky jsou odstraněny rozkladovou elektrodou podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že se jako materiálu pro rozkladovou elektrodu použije práškového germanátu olovnatého PbsGesOn v želatině. Rozkladovou elektrodu tvoří 10 až 40 <um silná vrstvička germanátu olovnatého v želatině. Tímto filmem je pokryta jedna strana leštěné destičky vysokoohmového křemíku, který zároveň tvoří filtr propouštějící infra-paprsky. Křemíková destička může tvořit vstupní okénko pyroelektrického vidikonů.
Výhodou materiálu použitého podle vynálezu je jeho poměrně jednoduchá příprava a možnosti zpracování, umožňující zhotovení rozkladové elektrody potřebných rozměrů. Vedle nižší technologické náročnosti při výrobě rozkladové elektrody je výhodná i předpokládaná nižší zmetkovitost při výrobě, přičemž jsou zachovány do značné míry dobré fyzikální vlastnosti germanátu olovnatého, zvláště když se film germanátu olovnatého v želatině vytvoří polevem či odstředěním suspenze germanátu olovnatého v 70% vodném roztoku želatiny, jež obsahuje 20 až 50% práškového germanátu olovnatého. Velikost zrn germanátu olovnatého se pohybuje mezi 1 až 6 μτα. Polev či odstředění se provádí například na leštěném povrchu křemíkové destičky.
Jako příklad rozkladové elektrody podle vynálezu je uvedena rozkladová elektroda zhotovená z filmu vytvořeného ze suspenze práškového germanátu olovnatého ve vodném roztoku fotografické želatiny, naneseného na podložce monokrystalického vysokoohmového křemíku. Suspenze se vytvoří ze 70)% vodného roztoku želatiny a 30% práškového germanátu olovnatého.
Vodný roztok želatiny obsahuje 2 g pevné želatiny ve 100 ml roztoku. Minimální velikost zrn práškového germanátu olovnatého je 3 μηι. Ze suspeze se vytvoří požadovaný film litím suspenze na leštěnou křemíkovou destičku 0 25 mm, tloušťka 2 mm a sušením v čistém vzduchu za pokojové teploty se vytvoří film o tloušťce 15 μΐη. Povrch rozkladové elektrody tvořené želatinovou vrstvou germanátu olovnatého se opatří elektrodou vytvořenou vakuově napařenou 500 A silnou vrstvou oxidu ceričitého CeOz. Takto, na křemíkové destičce zhotovená rozkladová elektroda se použije jako vstupní okénko snímací elektronky pro infra-oblast.
Claims (1)
- Rozkladová elektroda snímací elektronky infračerveného záření, s elektronovým snímáním obrazu, zhotovená z materiálu s pyroelektrickým jevem, vhodná zvlášť pro pyrikonové snímací elektronky, vyznačená tím,VYNÁLEZU že jako materiálu s pyroelektrickým jevem je použito práškového germanátu olovnatého· Pb5Ge30u v želatině, který je nanesen na křemíkové destičce.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS597280A CS218269B1 (cs) | 1980-09-03 | 1980-09-03 | Rozkladová elektroda snímací elektronky infračerveného záření |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS597280A CS218269B1 (cs) | 1980-09-03 | 1980-09-03 | Rozkladová elektroda snímací elektronky infračerveného záření |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS218269B1 true CS218269B1 (cs) | 1983-02-25 |
Family
ID=5405725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS597280A CS218269B1 (cs) | 1980-09-03 | 1980-09-03 | Rozkladová elektroda snímací elektronky infračerveného záření |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS218269B1 (cs) |
-
1980
- 1980-09-03 CS CS597280A patent/CS218269B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4587172A (en) | Mirror substrate of atomically substituted Na Zr2 PO12 low expansion ceramic material | |
| US6531225B1 (en) | Scintillator panel and radiation image sensor | |
| US4712082A (en) | Pressure sensor | |
| FR2600550B1 (fr) | Procedes de fabrication de membrane minces composees d'un reseau mineral d'oxydes de titane et de silicium et poudre composee de grains submicroniques en oxydes mixtes de titane et de silicium | |
| WO2004077098A1 (ja) | X線検出器とそれを用いたx線検査装置 | |
| CS218269B1 (cs) | Rozkladová elektroda snímací elektronky infračerveného záření | |
| CS218270B1 (cs) | Rozkladová elektroda snímací elektronky infračerveného záření | |
| GB2138951A (en) | Electrical moisture sensor elements | |
| US3669887A (en) | Piezoelectric ceramic compositions | |
| US4392970A (en) | Piezoelectric ceramics | |
| US3740690A (en) | Electro-optical detector | |
| US4492857A (en) | Pyroelectric detector and vidicon | |
| US20220195586A1 (en) | Substrate holder for mass production of surface-enhanced raman scattering substrates | |
| JPS57156553A (en) | Humidity sensitive element | |
| JPH08136342A (ja) | 赤外線検出器用焦電体素子 | |
| JPH0567168B2 (cs) | ||
| JP3891757B2 (ja) | X線シンチレータおよびその製造方法 | |
| US20250084527A1 (en) | Substrate holder for mass production of surface-enhanced raman scattering substrates | |
| JPH05340884A (ja) | 表面異物検査装置用校正試料 | |
| US3542683A (en) | Piezoelectric ceramic compositions | |
| US3652412A (en) | Piezoelectric ceramic compositions | |
| JPS62268044A (ja) | 撮像管のタ−ゲツト | |
| JPS55159150A (en) | Production of sensor | |
| Moretzsohn | Method for mounting radulae for SEM using an adhesive tape desiccation chamber | |
| JPS6229042A (ja) | X線用撮像管のタ−ゲツト |