CS216866B1 - Spdsob výroby otvorov s mikrometrovými rozmermi v polovodičových a izolačných doštičkách - Google Patents

Description

Vynález sa týká oblasti technológie mikroelektronických štruktúr a rieši problém vytvárania otvorov priemeru niekofkých desíatok míkrometrov v doštičkách hrubých niekorko stoviek míkrometrov.

Podstata vynálezu spočívá v tom, že sa doštička z oboch stráň pokryje — maskuje tenkou maskujúcou vrstvou, na jednej straně sa do maskujúcej vrstvy vytvoří leptací otvor (otvory) fotolitografickým postupom, cez ktorý (ktoré) sa doštička preleptá v plazme elektrického výboja. Po vyleptaní otvoru (otvorov) sa maskujúca vrstva odstráni. 216 866 216 866 (54) Sposob výroby otvorov s mikrometrovými rozmermi v polovodičových a izolačných doštičkách 1

Vynález sa týká spůsobu výroby otvorov s mikrometrovými rozmermi, ktoré prechádzajú celou hrúbkou doštičky z polovodiča alebo izolantu. Doštičky s otvormi možno využit pri výrobě miniatúrnych polovodičových súčiastok.

Otvory v doštičkách možno získat niekořkými sposobmi.

Na vytváranie otvorov možno použit chemické leptanie v kvapalných leptadlách, pričom velkost, tvar i poloha otvoru sa vymedzuje vhodnou maskou na leptanej doštičke. Nevýhodou tohto sposobu je izotropnosť leptania, to znamená laterálne leptanie do vzdialenosti rovnajúcej sa přibližné híbke leptania. Lokálně, bez masky, možno polovodičové doštičky preleptávať aj elektrochemicky prúdom leptadla vychádzajúceho pod určitým tlakom z dýzy, pričom medzi leptanou polovodičovou doštičkou a dýzou je potenciálny rozdiel. Priemer takto získaných otvorov závisí od priemeru leptacieho lúča, ktorý nemůže dosahovat mikrometrové rozměry. Ani jedným z uvedených sposobov však nemožno získat otvory, ktorých priemer je porovnatelný, alebo značné menší, ako je hrúbka leptanej doštičky.

Uvedené nedostatky v podstatnej miere odstraňuje vynález.

Podstata sposobu výroby otvorov s mikrometrovými rozmermi v polovodičových alebo izolačných doštičkách spočívá podlá vynálezu v tom, že sa doštička z oboch stráň pokryje — maskuje tenkou maskujúcou vrstvou, na jednej straně sa do maskujúcej vrstvy vytvoří leptací otvor (otvory) fotolitografickým postupom, cez ktorý (ktoré) sa doštička preleptá v plazme elektrického 2 výboja. Po vyleptaní otvoru (otvorov) sa masku júca vrstva odstráni. Výhodou vynálezu je, že uvedeným sposobom možno připravovat' otvory lubovolného tvaru s rozmermi niekolkých desiatok mikrometrov v polovodičových a izolačných doštičkách hrubých niekoíko stoviek mikrometrov. Ak to je potřebné, můžu byť otvory umiestnené na podložke v pravidelných roztečiach. Přednostou je tiež časová nenáročnost uvedeného postupu. Příklad Křemíkové doštička hrubá 200 mikrometrov, kruhového tvaru o priemere 63 mm sa z oboch stráň pokryje napařením hliníkovej maskujúcej vrstvy hruběj 2 mikrometre, do ktorej sa na jednej straně kremíkovej doštičky fotolitografickým postupom a leptáním v leptadle 760 ml kyseliny fosforečnej+ + 30 ml kyseliny dusičnej + 150 ml kyseliny octovej + 60 ml vody pri 340 K sa vyleptajú otvory v maskujúcej hliníkovej vrstvě po povrch doštičky, v miestach budúcich otvorov do kremíkovej doštičky. Cez otvory v maskujúcej vrstvě sa preleptá polovodičová doštička v plazme elektrického výboja v plyne tetrafluórmetán + 4 obj. % kyslíka, pričom sa tlak a prietok pracovného plynu i veíkosť budiaceho výkonu nastavia tak (závisí od tvaru použitéj komory), aby leptanie prebiehalo priemernou rýchlosťou váčšou ako 5 mikrometrov za minutu. Po preleptaní otvorov do kremíkovej doštičky sa maskujúca hliníková vrstva odstráni vo výše uvedenom leptadle. Křemíková doštička sa potom opláchne a osuší.

Claims (1)

1. PREDMET VYNÁLEZU Sposob výroby otvorov s mikrometrovými rozmermi v polovodičových a izolačných doštičkách, ktorých priemer je porovnatelný alebo menší ako je hrúbka doštičky, vyznačujúci sa tým, že na doštíčku z polovodičů alebo izolantu sa z oboch stráň nanesie maskujúca vrstva odolávajúca plazmovému leptaniu, potom sa fotolitografickým postupom a chemickým leptáním vytvoría ieplacie otvory v maskujúcej vrstvě až po povrch doštičky, cez ktoré sa potom doštička preleptá v plazme elektrického výboja a napokon sa odstráni maskujúca vrstva chemickým leptáním.