CS216650B1 - Vícevrstvá polovodičová součástka řízená světlem - Google Patents
Vícevrstvá polovodičová součástka řízená světlem Download PDFInfo
- Publication number
- CS216650B1 CS216650B1 CS345781A CS345781A CS216650B1 CS 216650 B1 CS216650 B1 CS 216650B1 CS 345781 A CS345781 A CS 345781A CS 345781 A CS345781 A CS 345781A CS 216650 B1 CS216650 B1 CS 216650B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- emitter layer
- multilayer semiconductor
- area
- semiconductor light
- photosensitive
- Prior art date
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Vícevrstvá polovodičová součástka řízená světlem s vysokou citlivostí struktury ke spínání světlem a odolností proti strmému nárůstů blokůvacího napětí, obsahuje nejméně čtyři vrstvy střídavě opačného typu vodivosti. Vnější emitorová vrstva zasahuje úzkým výběžkem až ke středu fotocitlivé nekontaktované oblasti kruhového tvaru, přičemž plocha výběžku emitorové vrstvy tvoří méně než 20 % celkové plochy fotocitlivé oblasti.
Description
Vynález se týká vícevrstvé polovodičové součástky řízené světlem, např. optotyristoru nebo optotriaku.
Dosud známá provedení optotyristorů dosahují zlepšení relace mezi dynamiokými parametry a citlivostí ke spínání světlem zmenšením tlouitky emitorové vrstvy ve fotocitlivé oblasti leptáním. Tímto opatřením lze podstatně zvýšit citlivost struktury ke spínáni světlem při zachování odolnosti proti strmému nárůstu blokovacího napětí, protože silně dotovaná emitorová vrstva má pro používanou oblast vlnových dálek vysoký absorpční koeficient. Při úplném odstranění emitorové vrstvy z oelé fotocitlivé oblasti se věak citlivost ke spínání sníží, nebol místo s nejvyšším kladným potenciálem vůči katodě vzniká ve středu ozářené oblasti.
Nevýhody výše popsaných řešení struktur polovodičových prvků řízenýoh světlem spočívají v tom, že kladou vysoké nároky na přesnost a homogenitu leptání emitorové vrstvy, což lze ve výrobě velmi obtížně zajistit s dostatečnou reprodukovatelností.
Vynález řeší daný problém v podstatě tak, že vnější emitorová vrstva zasahuje úzkým výběžkem až ke středu fotocitlivé nekontaktované oblasti kruhového tvaru, přičemž plocha výběžku emitorové vrstvy tvoří méně než 20 % celkové ploohy fotocitlivé oblasti. Řešení fotocitlivé oblasti podle vynálezu klade na přesnost operace leptáním minimální nároky a umožňuje při použití vhodného selektivního leptadla dosáhnout vysoké reprodukovatelnosti ve výrobě. Přitom zůstává zachována vysoká citlivost struktury ke spínání světlem a odolnost proti strmému nárůstu blokovacího napětí.
Příklad řešení vícevrstvé polovodičové součástky řízené světlem podle vynálezu je znázorněn na obr. la, b, o. Na obr. la je plošné uspořádání fotocitlivé oblasti. Emitorová vrstva 2 zasahuje úzkým výběžkem 2 čo středu fotooitlivé oblasti. Ze zbývajíoí části fotocitlivé oblasti je emitorová vrstva £ odstraněna a zářivý tok dopadá na povrch vrstvy £ opačného typu vodivosti ležící pod emitorovou vrstvou.
Na obr. lb je řez popsanou strukturou ve směru Σ a na obr. Io řez ve směru Y, Při ozáření fotocitlivé oblasti dojde nejprve k sepnutí na konoi výběžku 2 emitorové vrstvy 2. Efektem příčného pole v emitoru ee ryohle rozšíří sepnutý stav pod kontakt mezikroužku £, kterým se proud rovnoměrně rozvede a způsobí sepnutí pod oelým obvodem katodového kontaktu 2·
Claims (1)
- Vícevrstvá polovodičová součástka řízená světlem obsahující čtyři vrstvy střídavě opačného typu vodivosti, vyznačuje se tím, že vnější emitorová vrstva /2/ zasahuje úzkým výběžkem /5/ až ke středu fotocitlivé nekontaktované oblasti kruhového tvaru, přičemž plocha výběžku /5/ emitorové vrstvy /2/ tvoří méně než 20 % celkové plochy fotooitlivé oblasti.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS345781A CS216650B1 (cs) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Vícevrstvá polovodičová součástka řízená světlem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS345781A CS216650B1 (cs) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Vícevrstvá polovodičová součástka řízená světlem |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS216650B1 true CS216650B1 (cs) | 1982-11-26 |
Family
ID=5374688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS345781A CS216650B1 (cs) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Vícevrstvá polovodičová součástka řízená světlem |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS216650B1 (cs) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2185690C1 (ru) * | 2001-04-26 | 2002-07-20 | Открытое акционерное общество "Оптрон" | Оптотиристор |
-
1981
- 1981-05-11 CS CS345781A patent/CS216650B1/cs unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2185690C1 (ru) * | 2001-04-26 | 2002-07-20 | Открытое акционерное общество "Оптрон" | Оптотиристор |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4642672A (en) | Semiconductor device having registration mark for electron beam exposure | |
| US2728835A (en) | Radiation-sensitive resistor | |
| CS216650B1 (cs) | Vícevrstvá polovodičová součástka řízená světlem | |
| KR100329672B1 (ko) | 고전압수직트렌치반도체소자 | |
| US4355320A (en) | Light-controlled transistor | |
| US6459109B2 (en) | Semiconductor position sensor | |
| EP0043099B1 (en) | Light-activated semiconductor device | |
| US6118128A (en) | Alignment mark for electron beam lithography | |
| JPH1012856A (ja) | 位置検知センサ | |
| JPH02117124A (ja) | 位置検出用マーク | |
| JPS6221282A (ja) | 光伝導形検出器 | |
| JPS6094771A (ja) | 光トリガサイリスタ | |
| JPH0621267Y2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH02241065A (ja) | 光検出素子 | |
| JPS63181449A (ja) | 半導体装置 | |
| KR960002693Y1 (ko) | 포오토 에칭(Photo etching)용 마스크 | |
| JPH0126191B2 (cs) | ||
| JPH01212909A (ja) | 電極形成方法 | |
| CS218437B1 (cs) | Vícevrstvá výkonová polovodičová struktura řízená světlem | |
| CA1153478A (en) | Gate turn-off thyristor | |
| JPS58212174A (ja) | 光点弧型サイリスタ | |
| JPS5972767A (ja) | プレ−ナ形光サイリスタ | |
| JPS63296369A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| CS210162B1 (cs) | Uspořádání elektrických a tepelných kontaktů velkoplošných polovodičových sóučástek | |
| JPS59195823A (ja) | 電極形成方法 |