CS213537B1 - Zpftsob pokovaní dilatační elektrody polovodičově součástky - Google Patents
Zpftsob pokovaní dilatační elektrody polovodičově součástky Download PDFInfo
- Publication number
- CS213537B1 CS213537B1 CS64781A CS64781A CS213537B1 CS 213537 B1 CS213537 B1 CS 213537B1 CS 64781 A CS64781 A CS 64781A CS 64781 A CS64781 A CS 64781A CS 213537 B1 CS213537 B1 CS 213537B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- electrode
- temperature
- diode electrode
- vacuum
- contact metal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Předmětem vynálezu je způsob pokovení dilatační elektrody, zejména wolframová nebo molybdenová pro výkonová velkoplošné polovodičová součástky. Podaiata vynálezu spočívá v tom, že se povreh dilatační elektrody odmastí, chemicky očistí např. leptáním, opláchne, osušíp potě se Vyhřeje ve vakuu min. 10 ”*' Pa na teplotu 200 až 450 °C, načež so na něj napaří vrstva kontaktního kovu 'např. zlata nebo stříbra silná min. 0,4/um a po časové prodlevě max. 20 minut so teplota sníží na 200 až 250 °C, načež se napařená vrstvakontaktního kovu zažíhne při teplotě 700 až 850 °C ve vakuu 10”^Pa.
Description
Vynález ee týká způsobu pokovení dilatační elektrody, zejména wolframová nebo molybdenová pro výkonová velkoplošná polovodičová eoučáetky,
Při Výrobě silnoproudých polovodičových součástek např. diod nebo tyrietorů je křemíková destička připojována k molybdenová nebo wolframové dilatační elektrodě, ktorá současně tvoří anodový příp. katodový kontakt PS /IS/ systému. Z důvodu dobrého odvodu tepla, která vzniká při provozu součástky, ale 1 pro sejištění minimálního kontaktního odporu a Jeho stálosti je povroh elektrody opatřen vrstvou vhodného kovu. Bsjčaetěji je používáno stříbro nebo zlato příp. jejioh slitiny. Bsnášení těchto kovů se provádí e*l— vaničky, nebo vtavováním folie příslušného kovu do materiálu elektrody. Vrstvy vytvořená galvanlokým pokovením musí být s důvodů zaručení homogenity povlaku relativně silná / esa 5 až 10/ta / a vyžadují následná sprsoování při teplotách eoe 900 °C. Zároveň se předpokládá speciální úprava povrehu molybdenová či wolframové elektrody např. jeamým lepováním e pod.
Vtavování folií - plátování, vyžaduje vždy následné meehanleké sprsoování kontaktní vrstvy, což předpokládá minimální výehozí tloužtku použitá folie 100 <um. Iři mechanickém opracování dochází k znehodnocení části materiálu plátoveeí folie a drahého kovu příp, jeho slitin. Teto technologie vyžaduje další teohnologloká postupy umožňující apětni získat materiál folie.
Popsané nevýhody stávajíeíeh způsobů přípravy kontaktních vrstev ns dllstačníoh elektrodách odstraňuje způsob pokovení dilatační elektrody polovodičová eoučáetky podle vynálezu, jehož podeteta epočívá v tom, že povrch dilatační elektrody např. molybdenové nebo wolframová ee odmastí, chemicky očistí např. leptáním, opláchne, eeuží a poté ab vyhřeje ve vakuu min 10^Pa na teplotu 200 až 450 °C, načež ee ne něj napaří vrstva kontaktního kovu např. zlata nebo etříbrs silná min. o,4 <ta a po časové prodlevě mazlBálnč 20 minut se teplota sníží na 200 až 250 °C, načež se napařená vrstva kontaktního kove sažíhne při teplotč 700 až 850 °0 ve vakuu 10“^Pa.
Způsob pokoveni dilatační elektrody polovodičová součástky podle vynálesu nevyžaduje speciální úpravu povrchu elektrody před napařením kontaktního kovu a zaručuje dobraň adheei kontaktní vrstvy na molybdenové příp. wolframové elektrodě, dále rovnoměrnost pokovení a minimální hodnoty a reprodukovetelnoet kontaktního odporu.
Přiklad provedení
Molybdenové elektrody e neupraveným povrchem jeou odmaštěny v 30% KOH sa varu, odleptány ve směsi H202, H20 a KOH, opláchnuty destilovanou vodou a oeuěeny v etanolu e aeetonu. Takto očištěné elektrody jsou vloženy do napařovaoího zařízení, kde ee vyhřeji ve vakuu 10“^Pa ns teplotu 270°C, načež se na ně napaří vrstva Au silná 0,5/ta, Po časové prodlevě 20 minut se teplota eníží na 240°C. Poté jeou pokovené elektrody sažíhnuty při teplotě 700°C ve vakuu 10“^Pa.
Claims (1)
- Zpdsob pokovení dilatační elektrody polovodičové součástky, vyznačený tím, ie povrch dilatační elektrody např· nolyhdenové nebo wolframové ee odnastí, ohealeky očletí např· leptáním, opléohne, oeučí poté ee vyhřeje ve vakuu min. 10_^Pa na teplo tn 2Q0 až 450 °C, načo* eo na něj napaří vrstva kontaktního kovu např. zlata nebo etří bra silná min. 0,4 rvát e po čaeevé prodlevě max. 20 minut so teplota sníží na 200 až 250°0, načež ee napařená vrstva kontaktního kovu zažíhne při teplotě 700 až 850°C ve vakuu 103Pa.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS64781A CS213537B1 (cs) | 1981-01-29 | 1981-01-29 | Zpftsob pokovaní dilatační elektrody polovodičově součástky |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS64781A CS213537B1 (cs) | 1981-01-29 | 1981-01-29 | Zpftsob pokovaní dilatační elektrody polovodičově součástky |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS213537B1 true CS213537B1 (cs) | 1982-04-09 |
Family
ID=5338948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS64781A CS213537B1 (cs) | 1981-01-29 | 1981-01-29 | Zpftsob pokovaní dilatační elektrody polovodičově součástky |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS213537B1 (cs) |
-
1981
- 1981-01-29 CS CS64781A patent/CS213537B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3761309A (en) | Ctor components into housings method of producing soft solderable contacts for installing semicondu | |
| JP3587019B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4652336A (en) | Method of producing copper platforms for integrated circuits | |
| US3585461A (en) | High reliability semiconductive devices and integrated circuits | |
| US3597658A (en) | High current semiconductor device employing a zinc-coated aluminum substrate | |
| US3480412A (en) | Method of fabrication of solder reflow interconnections for face down bonding of semiconductor devices | |
| US3241931A (en) | Semiconductor devices | |
| US9640511B2 (en) | Method for producing a circuit carrier arrangement having a carrier which has a surface formed by an aluminum/silicon carbide metal matrix composite material | |
| US3654526A (en) | Metallization system for semiconductors | |
| US4235648A (en) | Method for immersion plating very thin films of aluminum | |
| JPS6227393A (ja) | セラミツク基材に銅膜を形成する方法 | |
| US3290565A (en) | Glass enclosed, passivated semiconductor with contact means of alternate layers of chromium, silver and chromium | |
| CN109348649A (zh) | 热沉复合材料电镀处理方法及其制品 | |
| US6191485B1 (en) | Semiconductor device | |
| CS213537B1 (cs) | Zpftsob pokovaní dilatační elektrody polovodičově součástky | |
| JP2004285470A (ja) | 貴合金はんだメッキ法 | |
| JPH02133597A (ja) | 無機誘電体上の高温耐性銅コーテイングを製造する方法、高温耐性銅コーテイング、および電気回路のパターン化法 | |
| JP7170849B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US10937657B2 (en) | Semiconductor device including a reactant metal layer disposed between an aluminum alloy film and a catalyst metal film and method for manufacturing thereof | |
| JP2001199775A (ja) | 金属をロウ付けした接合構造体及びこれを用いたウエハ支持部材 | |
| US3280382A (en) | Semiconductor diode comprising caustic-resistant surface coating | |
| JP6873311B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| CS207287B1 (cs) | Způsob výroby kontaktní vrstvy z hliníku popřípadě jeho slitin na výkonové polovodičové součástky | |
| RU2828329C1 (ru) | Способ изготовления плат на подложках из алюмонитридной керамики | |
| JPS5950090B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |