CS207287B1 - Způsob výroby kontaktní vrstvy z hliníku popřípadě jeho slitin na výkonové polovodičové součástky - Google Patents
Způsob výroby kontaktní vrstvy z hliníku popřípadě jeho slitin na výkonové polovodičové součástky Download PDFInfo
- Publication number
- CS207287B1 CS207287B1 CS130380A CS130380A CS207287B1 CS 207287 B1 CS207287 B1 CS 207287B1 CS 130380 A CS130380 A CS 130380A CS 130380 A CS130380 A CS 130380A CS 207287 B1 CS207287 B1 CS 207287B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- contact layer
- alloys
- aluminum
- temperature
- temperature rise
- Prior art date
Links
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 title 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000002932 luster Substances 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu výroby kontaktní vrstvy z hliníku popřípadě jeho slitin na výkonové polovodičové součástky s plošným členěním na křemíkové destičce, popřípadě systému s alespoň jedním PN přechodem nebo na rovinném křemíkovém substrátu.
Hliníková vrstva může sloužit jako kontakt zejména pro velkoplošné křemíkové součástky bud přímo, nebo jako základní vrstva další kovové vrstvy, potřebné pro dosažení vhodných vlastností součástky.
Při výrobě výkonových křemíkových polovodičových prvků je nutno základní křemíkovou destičku, na které jsou vytvořeny dvě nebo více vrstev různého typu vodivosti, opatřit vnější kovovou vrstvou, která vytváří ohmický neusměrňující kontakt, k němuž lze snadno připojit vnější přívody elektrického proudu. Tato kovová vrstva je v současné době zhotovována nejčastěji z niklu popřípadě ze zlata nebo z kombinace obou. Niklová vrstva je vhodná pro následující měkké připájení dalších součástek. Zlatá vrstva je vhodná pro připojení dalších součástek mechanickým způsobem například působením pružného elementu.
Niklové vrstvy se připravují bezproudovým vylučováním z pokovovacích lázní. Zlaté kontaktní vrstvy se vyrábějí bezproudovým nebo galvanickým pokovením, popřípadě napařením.
Velkou nevýhodou je obtížné nanášení první kontaktní vrstvy na křemíkový povrch, kde se projevuje rozdílné chování povrchů různých typů vodivosti u prvků s plošně členěným povrchem.
Jiný postup je v tavení zlaté folie, které se provádí zažíhnutím ve vakuu při nadeutektické teplotě soustavy zlato-křemík. Dále jsou známé způsoby výroby kontaktních vrstev z hliníku, které však nevyhovují pro použití na výkonových polovodičových součástkách, zejména pro malou mechanickou odolnost.
Všechny popsané způsoby jsou technologicky náročné a v případě použití drahých kovů i značně nákladné.
Uvedené nevýhody dosavadních postupů odstraňuje způsob výroby kontaktní vrstvy z hliníku popřípadě jeho slitin na výkonové polovodičové součástky podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že křemíkový povrch se vyhřeje s rychlostí nárůstu teploty do 20 °C/min na teplotu 180° až 200 °C, poté se ochladí rychlostí 5 až 10 °C/min na teplotu 200 až 50 °C, pak se provede napaření hliníku, po případě jeho slitin při vakuu nejméně 10~3 Pa a takto vytvořená kontaktní vrstva se vyhřeje na teplotu 400 až 450 °C s rychlostí nárůstu teploty 10 až 20 °C/min.
Povrch kontaktní vrstvy se mechanicky opracuje do vysokého kovového lesku.
Kontaktní vrstva ž hliníku vyrobená způsobem podle vynálezu splňuje požadavky kladené na mechanické a elektrické vlastnosti velkoplošných výkonových polovodičových součástek. Pro některé speciální případy je možné takto vyrobenou vrstvu ještě dále zesílit bud další vrstvou hliníku nebo jiným vhodným kovem.
Příklad
Křemíkový povrch, který má být kontaktován, se očistí, desoxiduje v kyselině flurovodíkové, odmastí se v koncentrované kyselině sírové při teplotě
Claims (2)
- PŘEDMĚT1. Způsob výroby kontaktní vrstvy z hliníku popřípadě jeho slitin na výkonové polovodičové součástky s plošným členěním na křemíkové destičce, popřípadě systému s alespoň jedním PN přechodem nebo na rovinném křemíkovém substrátu, kde povrch určený ke kontaktování se odmastí, oleptá, opláchne ve vodě a osuší se, vyznačený tím, že křemíkový povrch se následně vyhřeje s rychlostí nárůstu teploty do 20 °C/min na teplotu 180 až 200 °C, potom se ochladí rychlostí90 °C a potom se opláchne v deionizované, popřípadě destilované vodě a osuší se. Potom se křemíkový substrát vloží do napařovací aparatury, evakuuje na tlak 10-3 Pa a vyhřeje se na teplotu 180 °C s rychlostí nárůstu teploty 13 až 15 °C/min. Pak se křemíkový substrát ochladí rychlostí 5 až 10°C/min. na teplotu cca 100 °C a provede se napaření hliníku z wolframových spirál (popřípadě s použitím elektronového svazku) v síle cca 5 pm.Takto vytvořená vrstva se tepelně zpracuje při teplotě 400 °C s rychlostí nárůstu teploty 15 °C/min.VYNÁLEZU5 až 10 °C/min na teplotu 200 až 50 °C, pak se provede napaření hliníku popřípadě jeho slitin při vakuu nejméně 10-3 Pa, takto vytvořená kontaktní vrstva se vyhřeje na teplotu 400 až 450 °C s rychlostí nárůstu teploty 10 až 20 °C/min.
- 2. Způsob výroby kontaktní vrstvy z hliníku popřípadě jeho slitin na výkonové polovodičové součástky podle bodu 1, vyznačený tím, že povrch kontaktní vrstvy se mechanicky opracuje do vysokého kovového lesku.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS130380A CS207287B1 (cs) | 1980-02-26 | 1980-02-26 | Způsob výroby kontaktní vrstvy z hliníku popřípadě jeho slitin na výkonové polovodičové součástky |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS130380A CS207287B1 (cs) | 1980-02-26 | 1980-02-26 | Způsob výroby kontaktní vrstvy z hliníku popřípadě jeho slitin na výkonové polovodičové součástky |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS207287B1 true CS207287B1 (cs) | 1981-07-31 |
Family
ID=5347069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS130380A CS207287B1 (cs) | 1980-02-26 | 1980-02-26 | Způsob výroby kontaktní vrstvy z hliníku popřípadě jeho slitin na výkonové polovodičové součástky |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS207287B1 (cs) |
-
1980
- 1980-02-26 CS CS130380A patent/CS207287B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0166967B1 (ko) | 테이프 조립체 본딩용 반도체 디바이스 및 그 제조방법 | |
| US3761309A (en) | Ctor components into housings method of producing soft solderable contacts for installing semicondu | |
| US5492235A (en) | Process for single mask C4 solder bump fabrication | |
| JP3587019B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4005472A (en) | Method for gold plating of metallic layers on semiconductive devices | |
| US20160358890A1 (en) | Diffusion solder bonding using solder preforms | |
| US4032058A (en) | Beam-lead integrated circuit structure and method for making the same including automatic registration of beam-leads with corresponding dielectric substrate leads | |
| US8853002B2 (en) | Methods for metal bump die assembly | |
| US2989578A (en) | Electrical terminals for semiconductor devices | |
| US3241931A (en) | Semiconductor devices | |
| JPH04144259A (ja) | パワートランジスタ用パッケージ | |
| US4235648A (en) | Method for immersion plating very thin films of aluminum | |
| US3893156A (en) | Novel beam lead integrated circuit structure and method for making the same including automatic registration of beam leads with corresponding dielectric substrate leads | |
| US3528090A (en) | Method of providing an electric connection on a surface of an electronic device and device obtained by using said method | |
| US4871583A (en) | Housing for an electronic device | |
| WO2007108964A2 (en) | Gaas integrated circuit device and method of attaching same | |
| JP2002343931A (ja) | 配線基板およびその製造方法、マルチチップモジュールおよびその製造方法並びにマルチチップモジュール実装構造体 | |
| US6248958B1 (en) | Resistivity control of CIC material | |
| CS207287B1 (cs) | Způsob výroby kontaktní vrstvy z hliníku popřípadě jeho slitin na výkonové polovodičové součástky | |
| US4034467A (en) | Process for producing a multi-chip wiring arrangement | |
| US3956820A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a lead bonded to a surface thereof | |
| JP3539796B2 (ja) | 熱電変換装置 | |
| CN116613074A (zh) | 一种利用脉冲热压焊制备覆铜氮化铝金锡热沉的方法 | |
| US3280382A (en) | Semiconductor diode comprising caustic-resistant surface coating | |
| CS213537B1 (cs) | Zpftsob pokovaní dilatační elektrody polovodičově součástky |