CS212197B1 - Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa - Google Patents
Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa Download PDFInfo
- Publication number
- CS212197B1 CS212197B1 CS929880A CS929880A CS212197B1 CS 212197 B1 CS212197 B1 CS 212197B1 CS 929880 A CS929880 A CS 929880A CS 929880 A CS929880 A CS 929880A CS 212197 B1 CS212197 B1 CS 212197B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- melt
- iron ions
- single crystals
- sum
- preparation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železe k rozšíření aplikace těchto monokrystalů v odvětvích, využívajících luminiscenčních vlastností těchto monokrystalů tak, že výchozí surovina obsahuje alespoň 5.10"4 hmot. % iontů železa a při tažení součet radiální a vertikální složky elektrických gradientů vzhledem k ose tažení, měřený v místech od stykové linie taveniny, krystalu a prostředí v peci, je záporný. Nelze-li součtu radiální a vertikální složky elektrického gradientu takového, aby byl záporný, dosáhnout volbou a úpravou teplotního pole, lze použít další elektrody, připojené k cizímu elektrickému zdroji.
Description
Vynález se týká způsobu přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa tažením z taveniny pod redukční ochrannou atmosférou.
Monokrystaly oxidů kovů nacházejí velmi Široké použiti zejména pro své význačné mechanické a optické vlastnosti. Obecně přitom platí, že jakost těchto monokrystalů vzrůstá se snižujícím se obsahem nečistot. Mezi nejobvyklejSí nečistoty patří ionty železa, které se v používaných výchozích surovinách běžně vyskytují. Přitom čiětění výchozích surovin do iontů železa není vždy snadné a dostatečné. Zbývající příměs iontů železa, často v koncentracích nižSích než Id- 5 hmot. % potom nepříznivé ovlivňuje vlastnosti monokrystalů vypěsto — 3 —2 váných z takové suroviny. Například v monokrystalech rubínu způsobuje příměs 10 až 10 hmot. % iontů železa změnu barvy z červené na oranžovou a příměs 10”^ + 5.10”^ hmot. % iontů železa zhoršení funkce rubínu jako aktivního materiálu v laseru.
Totéž platí pro laserový yttritohlinitý granát s ionty neodymu, protože v obou případech ionty železa zhášejí luminiscenci iontů chromitých Cr^+, respektive iontů neodymitýoh NčP+, Také v případě, kdy jsou monokrystaly oxidů kovů použity jako luminiscenční materiál (scintilétor nebo termoluminiscenční materiál) je příměs většího množství iontů železa na závadu.
Na druhé straně se ukázalo, že monokrystaly s extrémně nízkou koncentrací iontů železa nejsou pro určitá použití vhodné, protože mohou vykazovat značnou citlivost vůči fotonovému záření. To se projevuje zejména u monokrytalů pěstovaných v redukčních podmínkách, např. tažením pod atmosférou vzácného plynu a vodíku, kdy ionty železa přítomné ve výchozí surovině se redukují a do monokrystalu zabudovávají jen ve velmi omezené míře nebo jen do čésti u zárodku, která byla vypěstována nejdříve. .
Tyto obtíže odstraňuje způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa do 10“^ hmot. % tažením z taveniny podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že surovina tavená v kelímku obsahuje alespoň 5.10“4 hmot. % iontů železa, přičemž součet radiální a vertikální složky elektrických gradientů vzhledem ke směru tažení monokrystalů měřitelný elektricky izolovanými elektrodami v místech vzdálených nejvýše o 2/3 poloměru hladiny taveniny od stykové linie krystal, tavenina a prostředí pěstovací pec-e, zmenšený o potenciál případné další elektrody, umístěné nad měřicími elektrodami a v oblasti, kde teplota je nejvýše o 300 °C. nižší než teplota tuhnutí taveniny a připojené k cizímu elektrickému zdroji, jehož opačný pól je připojen ke kelímku, je záporný.
Velikost a smysl příslušné složky elektrického gradientu se určí z měření v bodech na téže radiále nebo vertikále, vzdálených o jednotkovou délku jako hodnota nalezená v místě vzdálenějším od stykové linie krystal, tavenina a prostředí, zmenšené o hodnotu nalezenou v místě bližším této linii.
Atmosféra obsahující vzácný plyn umožňuje přitom přenos elektrického náboje. Příslušný elektrický gradient vzniká buóto samovolně jako následek teplotního gradientu, kde teplejší místa emitují elektrony a proto na nich vzniká oproti chladnějším místům náboj kladný, nebo může být opraven pomocí elektrody nebo elektrod připojených k cizímu elektrickému zdro ji. Tyto elektrody musí ovšem být na místech dostatečně teplých, aby byla zaručena elektric ká vodivost okolí.
Je-li součet obou složek gradientu záporný, převažuje emise elektronů z oblasti styku taveniny a krystalu do okolního plynu, takže se ionty železa oxidují a mohou se zabudovávat do rostoucího monokrystalu. Obsah železa v tavenině neklesá a dotace je téměř homogenní. V případě opačného, tj. kladného, součtu obou složek elektrického gradientu dochází v uvedené oblasti k dopadu elektronů. Ionty železa se redukují až na kov, který z taveniny o vysoké teplotě těká, respektive se slévá s kelímkovým kovem. Rostoucí monokrystal js potom prostý železa. Pokud tavenina obsahuje zároveň ionty molybdenu, nebo pokud je použit molybdenový kelímek, dochází při použití suché atmosféry k přednostnímu zabudovávání iontů železe a činí-li jejich obsah v tavenině alespoň 2.10^ hmot. %,nezabudovávají se ionty molybdenu ve zjistitelné míře.
Pouze při použití vlhké atmosféry, s obsahem větším než 10-^ obj. % HgO, může se docílit současného zabudovávání iontů molybdenu i železa. Naopak pro růst monokrystalů, obsahujících jen ionty molybdenu je třeba tavit surovinu nejprve za působení celkově kladné hc elektrického gradientu po dobu 1 až 3 hodin a poté smysl gradientu změnit a pěstovat monokrystal.
Způsobem podle vynálezu lze tak řídit obsah iontů železa v monokrystalech oxidů kovů a tím i rozšířit aplikace těchto monokrystalů zejména v odvětvích, kde se využívá jejich luminiscenčních vlastností.
Přikladl
Byly pěstovány monokrystaly korundu o průměru 70 mm Czochralskiho metodou tažením z taveniny obsahující 10 hmot. % iontů železa v molybdenovém kelímku o vnitřním průměru 80 mm. Jako ochranné atmosféry bylo použito směsi 98 obj. % argonu a 2 obj. % vodíku. Elektrický gradient nad taveninou byl měřen pomocí pohyblivého molybdenového drátu pokrytého 8 výjimkou konce sloužícího jako čidlo kysličníkem hlinitým, který byl na drát nanesen plasmovým hořákem. Úpravou teplotního pole byl ve. vzdálenosti nejvýše 25 mm od stykové linie plynu, taveniny a krystalu ovlivněn elektrický gradient natolik, že vykazoval průměrně hodnoty radikální složky +0,02 V/om a vertikální složky - 0,04 V/om.
Za těchto podmínek obsahovaly vypěstované monokrystaly korundu 6.10-^ hmot. % iontů železa a méně než 2.10-^ hmot.,% iontů molybdenu, což představuje mez citlivosti použité spektrální metody. Při použití1’výchozí suroviny (taveniny) s obsahem iontů železa pod 2.10“4 hmot. % obsahovaly vypěstované monokrystaly 8.10-^ hmot. % iontů molybdenu a analyticky nezjistitelné množství železa.
Příklad 2
Byly pěstovány monokrystaly yttritohlinitého granátu o průměru 25 mm Czochralskiho metodou tažením z taveniny za použití wolframového kelímku o vnitřním průměru 80 mm. Výchozí surovina obsahovala 5.10^ hmot. % iontů železa. Jako ochranné atmosféry bylo použito směsi 97 obj. % helia a 3 obj. 95 vodíku. Vzhledem k tomu, že použité teplotní pole vyvolávalo elektrický gradient, jehož obě složky byly kladné, železo ani molybden se do monokrystalu nezabudovávaly a obsah železa v taveriině po několika hodinách tavení poklesl na neměřitelně malou hodnotu. Elektrický gradient nad taveninou byl měřen stejným způsobem jako v přikladu 1.
Při nové tavbě stejné výchozí suroviny byl do výše 35 mm nad hladinu taveniny, kde teplota činila 1 820 °C, vložen izolovaný vodič o průměru 3 mm stočený do kruhu o průměru 40 mm, na který bylo vloženo napětí +2 V oproti ostatním dílům zařízení. Za těchto podmínek měly složky elektrického gradientu hodnotu +0,4 V/om a +0,3 V/om, takže součet složek činil +0,4 +0,3 - (+2) = -1,3 V/om a vypěstované monokrystaly yttritohlinitého granátu obsahovaly 8.10-4 hmot. % iontů železa.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa do 10”3 hmot. % tažením z vlastní taveniny vyznačený tím, že surovina tavené v kelímku obsahuje alespoň 5.10”4- hmot. % iontů železa, přičemž součet radiální a vertikální složky elektrických gradientů vzhledem ke směru tažení krystalu, měřitelný elektricky izolovanými elektrodami v místech vzdálených nejvýše o 2/3 poloměru hladiny taveniny od stykové linie krystalu, taveniny a prostředí pěstovaoí pece, zmenšený o potenciál případné další elektrody, umístěné nad měřicími elektrodami v oblasti, kde teplota je nejvýše o 300 °C nižší,než je teplota tuhnutí taveniny, a připojené k cizímu elektrickému zdroji, jehož opačný pól je připojen ke kelímku, je záporný.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS929880A CS212197B1 (cs) | 1980-12-24 | 1980-12-24 | Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS929880A CS212197B1 (cs) | 1980-12-24 | 1980-12-24 | Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS212197B1 true CS212197B1 (cs) | 1982-02-26 |
Family
ID=5443795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS929880A CS212197B1 (cs) | 1980-12-24 | 1980-12-24 | Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS212197B1 (cs) |
-
1980
- 1980-12-24 CS CS929880A patent/CS212197B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3796552A (en) | Crucible | |
| GB819525A (en) | Improvements in semi-conductor current controlling devices | |
| Wagner | Preparation and properties of bulk In1− xGaxAs alloys | |
| JP5007596B2 (ja) | 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置 | |
| CS212197B1 (cs) | Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa | |
| JP5169455B2 (ja) | 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置 | |
| Fullmer et al. | Crystal growth of the solid electrolyte RbAg4I5 | |
| Su et al. | Directional solidification of HgCdTe and HgZnTe in a transverse magnetic field | |
| EP0133084B1 (fr) | Procédé de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth à fort rendement de scintillation | |
| JP3132094B2 (ja) | 単結晶の製造方法および単結晶製造装置 | |
| JP6172013B2 (ja) | Gsgg単結晶の製造方法と酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
| KR20030081364A (ko) | 응집된 고유 점 결함이 실질적으로 없는 저-철 단결정실리콘을 준비하기 위한 장치 및 방법 | |
| CS203604B1 (cs) | Způsob řízení dotace korundových monokrystalů ionty molybdenu | |
| Glebovsky et al. | Growing techniques and structure of niobium bicrystals | |
| JP3237408B2 (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| CN107923069B (zh) | 钽酸镓镧系单晶的制造方法以及钽酸镓镧系单晶 | |
| Bonner | Reproducible garnet film preparation using fast growth rates | |
| Menovsky et al. | The crystal growth of uranium tetraboride UB4 from the melt | |
| RU1457463C (ru) | Способ выращивани кристаллов сложных оксидов | |
| Alonzo et al. | Study of the microstructure of a Ni (100) single crystal grown by electron beam floating zone melting | |
| JPH01215799A (ja) | 半絶縁性GaAs化合物半導体単結晶及びその製造方法 | |
| JPS6221790A (ja) | 結晶成長装置および方法 | |
| JPS6158885A (ja) | 単結晶成長方法 | |
| Clszek et al. | Growth and properties of silicon filaments for photovoltaic applications | |
| JPH04295097A (ja) | カドミウムマンガンテルル単結晶体の製造方法 |