CS212197B1 - Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa - Google Patents

Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa Download PDF

Info

Publication number
CS212197B1
CS212197B1 CS929880A CS929880A CS212197B1 CS 212197 B1 CS212197 B1 CS 212197B1 CS 929880 A CS929880 A CS 929880A CS 929880 A CS929880 A CS 929880A CS 212197 B1 CS212197 B1 CS 212197B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
melt
iron ions
single crystals
sum
preparation
Prior art date
Application number
CS929880A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiri Kvapil
Josef Kvapil
Bohumil Perner
Original Assignee
Jiri Kvapil
Josef Kvapil
Bohumil Perner
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiri Kvapil, Josef Kvapil, Bohumil Perner filed Critical Jiri Kvapil
Priority to CS929880A priority Critical patent/CS212197B1/cs
Publication of CS212197B1 publication Critical patent/CS212197B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železe k rozšíření aplikace těchto monokrystalů v odvětvích, využívajících luminiscenčních vlastností těchto monokrystalů tak, že výchozí surovina obsahuje alespoň 5.10"4 hmot. % iontů železa a při tažení součet radiální a vertikální složky elektrických gradientů vzhledem k ose tažení, měřený v místech od stykové linie taveniny, krystalu a prostředí v peci, je záporný. Nelze-li součtu radiální a vertikální složky elektrického gradientu takového, aby byl záporný, dosáhnout volbou a úpravou teplotního pole, lze použít další elektrody, připojené k cizímu elektrickému zdroji.

Description

Vynález se týká způsobu přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa tažením z taveniny pod redukční ochrannou atmosférou.
Monokrystaly oxidů kovů nacházejí velmi Široké použiti zejména pro své význačné mechanické a optické vlastnosti. Obecně přitom platí, že jakost těchto monokrystalů vzrůstá se snižujícím se obsahem nečistot. Mezi nejobvyklejSí nečistoty patří ionty železa, které se v používaných výchozích surovinách běžně vyskytují. Přitom čiětění výchozích surovin do iontů železa není vždy snadné a dostatečné. Zbývající příměs iontů železa, často v koncentracích nižSích než Id- 5 hmot. % potom nepříznivé ovlivňuje vlastnosti monokrystalů vypěsto — 3 —2 váných z takové suroviny. Například v monokrystalech rubínu způsobuje příměs 10 až 10 hmot. % iontů železa změnu barvy z červené na oranžovou a příměs 10”^ + 5.10”^ hmot. % iontů železa zhoršení funkce rubínu jako aktivního materiálu v laseru.
Totéž platí pro laserový yttritohlinitý granát s ionty neodymu, protože v obou případech ionty železa zhášejí luminiscenci iontů chromitých Cr^+, respektive iontů neodymitýoh NčP+, Také v případě, kdy jsou monokrystaly oxidů kovů použity jako luminiscenční materiál (scintilétor nebo termoluminiscenční materiál) je příměs většího množství iontů železa na závadu.
Na druhé straně se ukázalo, že monokrystaly s extrémně nízkou koncentrací iontů železa nejsou pro určitá použití vhodné, protože mohou vykazovat značnou citlivost vůči fotonovému záření. To se projevuje zejména u monokrytalů pěstovaných v redukčních podmínkách, např. tažením pod atmosférou vzácného plynu a vodíku, kdy ionty železa přítomné ve výchozí surovině se redukují a do monokrystalu zabudovávají jen ve velmi omezené míře nebo jen do čésti u zárodku, která byla vypěstována nejdříve. .
Tyto obtíže odstraňuje způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa do 10“^ hmot. % tažením z taveniny podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že surovina tavená v kelímku obsahuje alespoň 5.10“4 hmot. % iontů železa, přičemž součet radiální a vertikální složky elektrických gradientů vzhledem ke směru tažení monokrystalů měřitelný elektricky izolovanými elektrodami v místech vzdálených nejvýše o 2/3 poloměru hladiny taveniny od stykové linie krystal, tavenina a prostředí pěstovací pec-e, zmenšený o potenciál případné další elektrody, umístěné nad měřicími elektrodami a v oblasti, kde teplota je nejvýše o 300 °C. nižší než teplota tuhnutí taveniny a připojené k cizímu elektrickému zdroji, jehož opačný pól je připojen ke kelímku, je záporný.
Velikost a smysl příslušné složky elektrického gradientu se určí z měření v bodech na téže radiále nebo vertikále, vzdálených o jednotkovou délku jako hodnota nalezená v místě vzdálenějším od stykové linie krystal, tavenina a prostředí, zmenšené o hodnotu nalezenou v místě bližším této linii.
Atmosféra obsahující vzácný plyn umožňuje přitom přenos elektrického náboje. Příslušný elektrický gradient vzniká buóto samovolně jako následek teplotního gradientu, kde teplejší místa emitují elektrony a proto na nich vzniká oproti chladnějším místům náboj kladný, nebo může být opraven pomocí elektrody nebo elektrod připojených k cizímu elektrickému zdro ji. Tyto elektrody musí ovšem být na místech dostatečně teplých, aby byla zaručena elektric ká vodivost okolí.
Je-li součet obou složek gradientu záporný, převažuje emise elektronů z oblasti styku taveniny a krystalu do okolního plynu, takže se ionty železa oxidují a mohou se zabudovávat do rostoucího monokrystalu. Obsah železa v tavenině neklesá a dotace je téměř homogenní. V případě opačného, tj. kladného, součtu obou složek elektrického gradientu dochází v uvedené oblasti k dopadu elektronů. Ionty železa se redukují až na kov, který z taveniny o vysoké teplotě těká, respektive se slévá s kelímkovým kovem. Rostoucí monokrystal js potom prostý železa. Pokud tavenina obsahuje zároveň ionty molybdenu, nebo pokud je použit molybdenový kelímek, dochází při použití suché atmosféry k přednostnímu zabudovávání iontů železe a činí-li jejich obsah v tavenině alespoň 2.10^ hmot. %,nezabudovávají se ionty molybdenu ve zjistitelné míře.
Pouze při použití vlhké atmosféry, s obsahem větším než 10-^ obj. % HgO, může se docílit současného zabudovávání iontů molybdenu i železa. Naopak pro růst monokrystalů, obsahujících jen ionty molybdenu je třeba tavit surovinu nejprve za působení celkově kladné hc elektrického gradientu po dobu 1 až 3 hodin a poté smysl gradientu změnit a pěstovat monokrystal.
Způsobem podle vynálezu lze tak řídit obsah iontů železa v monokrystalech oxidů kovů a tím i rozšířit aplikace těchto monokrystalů zejména v odvětvích, kde se využívá jejich luminiscenčních vlastností.
Přikladl
Byly pěstovány monokrystaly korundu o průměru 70 mm Czochralskiho metodou tažením z taveniny obsahující 10 hmot. % iontů železa v molybdenovém kelímku o vnitřním průměru 80 mm. Jako ochranné atmosféry bylo použito směsi 98 obj. % argonu a 2 obj. % vodíku. Elektrický gradient nad taveninou byl měřen pomocí pohyblivého molybdenového drátu pokrytého 8 výjimkou konce sloužícího jako čidlo kysličníkem hlinitým, který byl na drát nanesen plasmovým hořákem. Úpravou teplotního pole byl ve. vzdálenosti nejvýše 25 mm od stykové linie plynu, taveniny a krystalu ovlivněn elektrický gradient natolik, že vykazoval průměrně hodnoty radikální složky +0,02 V/om a vertikální složky - 0,04 V/om.
Za těchto podmínek obsahovaly vypěstované monokrystaly korundu 6.10-^ hmot. % iontů železa a méně než 2.10-^ hmot.,% iontů molybdenu, což představuje mez citlivosti použité spektrální metody. Při použití1’výchozí suroviny (taveniny) s obsahem iontů železa pod 2.10“4 hmot. % obsahovaly vypěstované monokrystaly 8.10-^ hmot. % iontů molybdenu a analyticky nezjistitelné množství železa.
Příklad 2
Byly pěstovány monokrystaly yttritohlinitého granátu o průměru 25 mm Czochralskiho metodou tažením z taveniny za použití wolframového kelímku o vnitřním průměru 80 mm. Výchozí surovina obsahovala 5.10^ hmot. % iontů železa. Jako ochranné atmosféry bylo použito směsi 97 obj. % helia a 3 obj. 95 vodíku. Vzhledem k tomu, že použité teplotní pole vyvolávalo elektrický gradient, jehož obě složky byly kladné, železo ani molybden se do monokrystalu nezabudovávaly a obsah železa v taveriině po několika hodinách tavení poklesl na neměřitelně malou hodnotu. Elektrický gradient nad taveninou byl měřen stejným způsobem jako v přikladu 1.
Při nové tavbě stejné výchozí suroviny byl do výše 35 mm nad hladinu taveniny, kde teplota činila 1 820 °C, vložen izolovaný vodič o průměru 3 mm stočený do kruhu o průměru 40 mm, na který bylo vloženo napětí +2 V oproti ostatním dílům zařízení. Za těchto podmínek měly složky elektrického gradientu hodnotu +0,4 V/om a +0,3 V/om, takže součet složek činil +0,4 +0,3 - (+2) = -1,3 V/om a vypěstované monokrystaly yttritohlinitého granátu obsahovaly 8.10-4 hmot. % iontů železa.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa do 10”3 hmot. % tažením z vlastní taveniny vyznačený tím, že surovina tavené v kelímku obsahuje alespoň 5.10”4- hmot. % iontů železa, přičemž součet radiální a vertikální složky elektrických gradientů vzhledem ke směru tažení krystalu, měřitelný elektricky izolovanými elektrodami v místech vzdálených nejvýše o 2/3 poloměru hladiny taveniny od stykové linie krystalu, taveniny a prostředí pěstovaoí pece, zmenšený o potenciál případné další elektrody, umístěné nad měřicími elektrodami v oblasti, kde teplota je nejvýše o 300 °C nižší,než je teplota tuhnutí taveniny, a připojené k cizímu elektrickému zdroji, jehož opačný pól je připojen ke kelímku, je záporný.
CS929880A 1980-12-24 1980-12-24 Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa CS212197B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS929880A CS212197B1 (cs) 1980-12-24 1980-12-24 Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS929880A CS212197B1 (cs) 1980-12-24 1980-12-24 Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS212197B1 true CS212197B1 (cs) 1982-02-26

Family

ID=5443795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS929880A CS212197B1 (cs) 1980-12-24 1980-12-24 Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS212197B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3796552A (en) Crucible
GB819525A (en) Improvements in semi-conductor current controlling devices
Wagner Preparation and properties of bulk In1− xGaxAs alloys
JP5007596B2 (ja) 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置
CS212197B1 (cs) Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa
JP5169455B2 (ja) 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置
Fullmer et al. Crystal growth of the solid electrolyte RbAg4I5
Su et al. Directional solidification of HgCdTe and HgZnTe in a transverse magnetic field
EP0133084B1 (fr) Procédé de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth à fort rendement de scintillation
JP3132094B2 (ja) 単結晶の製造方法および単結晶製造装置
JP6172013B2 (ja) Gsgg単結晶の製造方法と酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法
KR20030081364A (ko) 응집된 고유 점 결함이 실질적으로 없는 저-철 단결정실리콘을 준비하기 위한 장치 및 방법
CS203604B1 (cs) Způsob řízení dotace korundových monokrystalů ionty molybdenu
Glebovsky et al. Growing techniques and structure of niobium bicrystals
JP3237408B2 (ja) 化合物半導体結晶の製造方法
CN107923069B (zh) 钽酸镓镧系单晶的制造方法以及钽酸镓镧系单晶
Bonner Reproducible garnet film preparation using fast growth rates
Menovsky et al. The crystal growth of uranium tetraboride UB4 from the melt
RU1457463C (ru) Способ выращивани кристаллов сложных оксидов
Alonzo et al. Study of the microstructure of a Ni (100) single crystal grown by electron beam floating zone melting
JPH01215799A (ja) 半絶縁性GaAs化合物半導体単結晶及びその製造方法
JPS6221790A (ja) 結晶成長装置および方法
JPS6158885A (ja) 単結晶成長方法
Clszek et al. Growth and properties of silicon filaments for photovoltaic applications
JPH04295097A (ja) カドミウムマンガンテルル単結晶体の製造方法