CS203604B1 - Způsob řízení dotace korundových monokrystalů ionty molybdenu - Google Patents
Způsob řízení dotace korundových monokrystalů ionty molybdenu Download PDFInfo
- Publication number
- CS203604B1 CS203604B1 CS659778A CS659778A CS203604B1 CS 203604 B1 CS203604 B1 CS 203604B1 CS 659778 A CS659778 A CS 659778A CS 659778 A CS659778 A CS 659778A CS 203604 B1 CS203604 B1 CS 203604B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- molybdenum
- gradient
- melt
- contained
- vertical
- Prior art date
Links
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 title claims description 27
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 title claims description 27
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 26
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 14
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims description 11
- -1 molybdenum ions Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N alumane;yttrium Chemical compound [AlH3].[Y] PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000005078 molybdenum compound Substances 0.000 description 1
- 150000002752 molybdenum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu řízení dotace ko- . rundových monokrystalů ionty molybdenu, nebo přesněji zamezení nebo· umožnění vstupu molybdenových iontů do mřížky korundových monokrystalů, pěstovaných z vlastní taveniny ž molybdenového kelímku.
Monokrystaly kovových kysličníků nacházejí stále širší uplatnění v technické praxi. Jsou to zejména monokrystaly korundu nebo monokrystaly složené z více druhů kovových kysličníků, Obsahujícíclí jako. základní součást kysličník hlinitý, respektive hlinité ionty, jako. například yttritohlinitý granát Y3AI5O12. Pro určité druhy aplikace se ukázalo výhodným použití těchto· monokrystalů S příměsí iontů molybdenu vázaných v krystalové mřížce. Příprava dokonalých krystalů tohoto· typu je však mimořádně obtížná, Yttritohlinitý granát s příměsí iontů molybdenu lze připravit tažením z taveniny, obsažené v molybdenovém kelímku pod slabě redukční ochrannou atmosférou, obsahující malé množství vodní páry, avšak pro pěstování monokrystalů korundu s příměsí molybdenu tento způsob nevyhovuje, protože se získá krystal zakalený vyloučenou cizí fází. Pěstování v axidační atmosféře rovněž neumožňuje získat krystaly s příměsí molybdenu, protože sloučeniny molybdenu se za těchto· podmínek rozkládají, .respektive těkají. Naopak při pěstování ve vakuu nebo pod ochrannou atmosférou, obsahující vzácný plyn, popřípadě s příměsí vodíku a za použití molybdenových kelímků, obsahují krystaly korundu vždy kolísavé množství iontů molybdenu.
Zmíněné obtíže odstraňuje způsob řízení dotace korundových monokrystalů ionty molybdenu tažením z vlastní taveniny, jehož podstata spočívá v tom, že tavenina je obsažena v molybdenovém kelímku, přičemž pro zamezení dotace ionty molybdenu upraví se teplotním polem nad taveninou součet radiální .a vertikální složky elektrického gradientu, vzniklý jako důsledek gradientu teploty, vzhledem ke směru tažení krystalu, měřitelný elektricky izolovanými elektrodami v místech vzdálených nejvýše o 2/3 poloměru hladiny taveniny od stykové linie krystal/tavenina a prostředí pěstovací pece tak, aby byl kladný nebo nulový a pro· umožnění dotace molybdenovými ionty tak, aby tento součet byl záporný.
Velikost a smysl příslušné složky elektrického gradientu se určí z měření v bodech na téže radiále nebo· vertikále, vzdálených o jednotkovou délku, jako hodnota nalezená v místě vzdálenějším od stykové, linie krystal/tavenina a prostředí, zmenšená o hodnotu nalezenou v místě bližším té203604 to linii. Pěstování může probíhat jak ve vakuu, tak pod ochrannou atmosférou, obsahující větší podíl vzácného plynu, protože v těchto prostředích je možíiý přenos elektrického náboje. Příslušný elektrický gradient v těchto· prostředích vzniká „samovolně“ jako· důsledek gradientu teplotního·, kde teplejší místa emitují elektrony, a proto na nich vzniká oproti chladnějším místům kladný náboj.
Jestliže je uvedený součet. obou složek gradientu záporný, převažuje z taveniny v blízkosti jejího styku s krystalem emise elektronů do· prostředí a tím se ionty molybdenu přítomné v tavenině oxidují, což má za následek jejich zmenšení tak, že se mohou zabudovat do mříže korundu. Množství zabudovaného molybdenu je ovšem ještě závislé například na proudění taveniny a podobně, ale nutnou podmínkou zůstává udržení obou složek elektrických gradientů v prostředí nad taveninou na takových hodnotách, aby jejleh součet byl záporný, protože jinak by v blízkosti fázového· rozhraní docházelo· k absorpci elektronů v tavenině, čímž by se ionty molybdenu udržely na nízké valenci, Eventuálně by došlo až k jejich redukci na elementární molybden. Kě stejnému jevu dochází i v případě, kdy součet obou složek gradientu je nulový.
iZpůpobem podle vynálezu lze tak připravit monokrystaly korundu s obsahem iontů molybdenu nebo monokrystaly zcela prosté molybdenu, což umožňuje dále rozšířit aplikace tohoto všestranně důležitého· materiálu.
Přikladl . Byly pěstovány monokrystaly korundu o 0 30 mm Czochralskiho· metodou tažením z taveniny v molybdenovém kelímku o· vnitřním 0 80 mm. Jako ochranné atmosféry bylo použito· směsi 98 % objemových argonu a 2 % objemových vodíku. Elektrický gradient nad taveninou byl měřen pomoci pohyblivého molybdenového drátu, pokrytého
Claims (1)
- '.PŘEDMĚTZpůsob řízení dotace korundových monokrystalů ionty molybdenu tažením z vlastní taveniny, vyznačený tím, že tavenina je obsažena v molybdenovém kelímku, přičemž pro zamezení dotace ionty molybdenu upraví se teplotním polem nad taveninou součet radiální a vertikální složky elektrickéhó gradientu, vzniklý jako důsledek gradientu s výjimkou konca·, sloužícího jako· čidlo, kysličníkem hlinitým, který byl na drát nanesen plazmovým hořákem. Úpravou teplotního pole byl ve vzdálenosti nanejvýše 25 mm od 'stykové linie plyn, tavenina a krystal ovlivněn elektrický gradient natolik, že vykazoval průměrné hodnoty radiální složky + 0,02 V/cm a vertikální složky — 0,04 V/cm. Za těchto· podmínek obsahovaly vypěstované monokrystaly korundu 0,008 % hmotnostních molybdenu. Při dokonalém zastínění prostoru, do něhož byl monokrystal tažen, klesly obě složky elektrického· gradientu na nulovou hodnotu a krystaly, vypěstované za těchto podmínek, neobsahovaly molybden žádný.Příklad 2Uprostřed molybdenového kelímku o· 0 24 mm a výšce 30 mmT)yl uspořádán molybdenový dutý váleček o vnějším 0 6 mm a vnitřním 0 4,5 mm, opatřený vertikálními kapilárními otvory tak, že jeho horní okraj přesahoval o 5 mm nad horní okraj kelímku. Při tažení korundu z taveniny v tomto kelímku, vzlínala tavenina kapilárami až na horní konec válečku. Přiložením zárodku k tavenině, vystupující z kapilár a tažením vertikálním směrem byly pak pěstovány korundové monokrystaly tvaru trubic o vnějším 0 6 mm a vnitřním 0 4,8 mm. Bylo pěstováno· ve vakuu 10_4 Pa,Elektrický gradient ve vzdálenosti nejvýše 8 mm od horního vnějšího· okraje válečku činil u vertikálního gradientu — 0,04 V/cm a u radiálního gradientu + 0,055 V/cnú Měření elektrického gradientu bylo· provádě-. no stejně jako v příkladu 1. Za těchto podmínek neobsahovaly vypěstované monokrystaly žádný molybden.Při úpravě stínění pěstovací pece bylo vytvořeno· takové teplotní pole, že vertikální elektrický gradient činil —- 0,12 V/cm a radiální elektrický gradient činil + 0,03 V/cm. Vypěstované krystaly obsahovaly nyní 0,002 procenta hmot. molybdenu.VYNALEZU teploty, vzhledem ke směru tažení krystalu, měřitelný elektricky izolovanými elektrodami v místech vzdálených nejvýše o 2/3 poloměru hladiny taveniny od stykové linie krystal/tavenina a prostředí pěstovací pece tak, aby byl kladný nebo nulový a pro· umož nění dotace molybdenovými ionty tak, aby tento součet byl záporný.·
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS659778A CS203604B1 (cs) | 1978-10-11 | 1978-10-11 | Způsob řízení dotace korundových monokrystalů ionty molybdenu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS659778A CS203604B1 (cs) | 1978-10-11 | 1978-10-11 | Způsob řízení dotace korundových monokrystalů ionty molybdenu |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS203604B1 true CS203604B1 (cs) | 1981-03-31 |
Family
ID=5413387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS659778A CS203604B1 (cs) | 1978-10-11 | 1978-10-11 | Způsob řízení dotace korundových monokrystalů ionty molybdenu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS203604B1 (cs) |
-
1978
- 1978-10-11 CS CS659778A patent/CS203604B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012236770A (ja) | 燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 | |
| EP2982781B1 (en) | Ga2o3 single crystal substrate | |
| Reed et al. | Growth of EuO, EuS, EuSe and EuTe single crystals | |
| CS203604B1 (cs) | Způsob řízení dotace korundových monokrystalů ionty molybdenu | |
| CN105112990B (zh) | 一种微下拉定向生长异型近器件倍频晶体的方法 | |
| Thompson et al. | Preparation and properties of InAs1-xPx Alloys | |
| CN105951172A (zh) | N型/p型单晶硅晶锭的制造方法 | |
| US4199396A (en) | Method for producing single crystal gadolinium gallium garnet | |
| CN100510202C (zh) | 石榴石单晶的制备方法和由该方法制得的石榴石单晶 | |
| US4202930A (en) | Lanthanum indium gallium garnets | |
| US4224099A (en) | Method for producing R-plane single crystal alpha alumina | |
| CN208594346U (zh) | 一种双感应钼坩埚提拉法晶体生长装置 | |
| US4664744A (en) | Process for the production of bismuth germanate monocrystals with a high scintillation response | |
| CS212197B1 (cs) | Způsob přípravy monokrystalů oxidů kovů s řízeným obsahem iontů železa | |
| EP3572562A1 (en) | Gallium arsenide compound semiconductor crystal and wafer group | |
| CN211620660U (zh) | 基于vgf法晶体生长用石英封帽以及晶体生长装置 | |
| KR950010802B1 (ko) | 전융 마그네시아의 제조방법 | |
| Whitmore et al. | Yield stress exerted on a body immersed in a Bingham fluid | |
| JPH0557239B2 (cs) | ||
| JP3132094B2 (ja) | 単結晶の製造方法および単結晶製造装置 | |
| Ahn et al. | Crystal growth of cesium cadmium chloride CsCdCl3 | |
| JP2735752B2 (ja) | 単結晶育成法 | |
| JPS58156597A (ja) | 炭化珪素結晶の成長装置 | |
| Kuroda et al. | Evaluation of Temperature Distribution of Melt in Silicon Ribbon Growth | |
| US3703478A (en) | Thermistors |