CS209199B1 - Zařízení k výrobě polovodičových struktur - Google Patents

Zařízení k výrobě polovodičových struktur Download PDF

Info

Publication number
CS209199B1
CS209199B1 CS77725A CS72577A CS209199B1 CS 209199 B1 CS209199 B1 CS 209199B1 CS 77725 A CS77725 A CS 77725A CS 72577 A CS72577 A CS 72577A CS 209199 B1 CS209199 B1 CS 209199B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
semiconductor substrate
ion
mask
ion beam
semiconductor
Prior art date
Application number
CS77725A
Other languages
English (en)
Inventor
Rudolph Sacher
Original Assignee
Rudolph Sacher
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rudolph Sacher filed Critical Rudolph Sacher
Publication of CS209199B1 publication Critical patent/CS209199B1/cs

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/3115—Doping the insulating layers
    • H01L21/31155—Doping the insulating layers by ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32131—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by physical means only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3215—Doping the layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

(54) Zařízení k výrobě polovodičových struktur
Vynález se týká zařízení k výrobě polovodičových struktur, zejména k vytváření struktur izolačních a elektricky vodivých vrstev na polovodičových substrátech iontovým bombardováním, kde mezi iontovým zdrojem a polovodičovým substrátem je vlažena maska s vytvářenou strukturou a při kterém se vyvolávají lokálně omezené změny v polovodičovém substrátu případně ve vrstvách na tomto substrátu.
Je známé, že při výrobě polovodičových stavebních prvků se k vytváření struktur používá f otooptických zařízení. Přitom se vrstvy, na kterých se mají vytvořit struktury, potáhnou fotolakem citlivým na světlo a potom se pomocí fotooptického zařízení zobrazí na lakové vrstvě fotošablona se žádanými strukturami. Při následujícím vyvolávaní se vrstva fotolaku lokálně omezeně odstraní. Na těchto místech se pak vrstva, která leží pod ním, úplně nebo částečně odstraní kapalným leptacím médiem. Vrstvy, kde se vytvářejí struktury, mohou být polovodičové vrstvy, izolační vrstvy nebo vodivé vrstvy.
Světelně-optická zařízení k fotolitografickému vytváření struktur mají tu podstatnou nevýhodu, že jejich rozlišovací schopnost je teoreticky omezená vlnovou délkou použitého elektromagnetického záření. Fotošablony potřebné pro tato zařízení mají v důsledku nebezpečí znečištění poměrně malou životnost.
Rovněž známá jsou elektronově-optická zařízení, ve kterých elektronový paprsek ze zdroje se zaostřuje na vrstvu fotolaku, ulpívající na povrchu materiálu, a vytváří se rastrový obraz vyráběné struktury. Elektronově-optická zařízení mají tu nevýhodu, že k vytváření struktur jsou nezbytné ulpívající vrstvy citlivé na elektrony.
Existují iontově-optická zařízení k dotování struktur, kde iontový páprsek ze zdroje iontů se zaostřuje na povrchu materiálu a vytváří se rastrový obraz dotované struktury. Při vhodné volbě druhu a energie iontů mohou tato zařízení sloužit i k nanášení nebo odstraňování vrstev z materiálů. Podstatnou nevýhodou je časová náročnost při výrobě struktur, poněvadž k vytváření struktury materiálu je třeba vysokých dávek iontů. Rovněž je známé, že kysličník křemičitý ozářený ionty má oproti neozářenému kysličníku v závislosti na dávce záření a na jakosti kysličníku různou rychlost leptání.
Účelem vynálezu je odstranit uvedené nevýhody a umožnit bez použití fotolitografie výrobu strukturních metariálů, aby byla rychlá a přesná.
Úkolem vynálezu tedy je vypracovat zařízení k výrobě polovodičových struktur iontovým bom209199
r bardováním, které by zajišťovalo při dobré reprodukovatelnosti parametrů vyšší rozlišovací schopnost a tedy vyšší stupeň integrace než fotooptická zařízení a znemožňovalo vytváření nečistot.
Podle vynálezu je tento úkol vyřešen tím, že maska je mezi iontovým zdrojem a polovodičovým substrátem umístěna tak, že na polovodičovém substrátu nebo na vrstvách ležících na. tomto substrátu se vytvoří paprskem iontů zmenšený obraz masky, a v závislosti na druhu iontů, teplotě substrátu, dávce a energii iontů se vyvolá rozdílná rychlost leptání; na jejím základě lze po následujícím suchém a mokrém leptání vytvořit žádnou polovodičovou strukturu.
Zařízení podle vynálezu, znázorněné na výkrese, sestává z vakuové komory 10 s iontovým zdrojem 11. Iontový zdroj 11 vysílá iontový paprsek 12, například paprsek protonů nebo směsí iontů lehkých prvků s velkým rozptylem.
Iontový paprsek 12 prochází zobrazovanou maskou 13, která je uložena v přední části zařízení a v níž jsou vytvořeny požadované polovodičové struktury, a zaostřuje se iontově optickou soustavou, sestávající ze sběrné čočky 14a, a ze složené čočky 14b, na polovodičový substrát 15 uložený v zadní části zařízení.
Při průchodu iontového paprsku 12 prostorem mezi maskou 13 v přední části zařízení a polovodičovým substrátem 15 v zadní části zařízení se průměr paprsku 12 zmenší desetinásobně.
Polovodičový substrát 15 může být například křemíkový, pokrytý vrstvou 15' z kysličníku křemičitého nebo kovu, případně kysličníku křemičitého a kovu. Polovodičový substrát 15 je upevněn v držáku 16, který lze posouvat pomocí mechanického dopravního ústrojí 17 v zadní části zařízení v rovině rovnoběžné s rovinou masky 13.
Toto mechanické dopravní ústrojí 17 umožňuje vysunutí držáku 16 z vakuové komory 20, aby se substrát 15 mohl nahradit novým, a dá se použít také k definovanému místnímu posunutí polovodičového substrátu 15 v rovinně kolmé k ose iontového paprsku 12. Takové posouvání umožňuje například provádět postupp^,st|jké jžobrázení v různých oblastech polovodičového substrátu 15 a tím vytvářet několik identických obrazů. Při nehybném držáku 16 lze k vytvoření stejných zobrazení na různých místech polovodičového substrátu 15 posouvat iontový paprsek 12 pomocí deflektoru 18 ve tvaru magnetu, který je napájen rozdílovým proudem z regulačního obvodu 19. Tento způsob posouvám místa zobrazení na polovodičovém substrátu 15 však vyžaduje poměrně dlouhou cestu dopadajícího záření, aby byly chyby zobrazení dostatečně malé.
Maska 13 je upevněna v jednoduchém nosiči 20, který se dá vyjímat z vakuové komory 10, aby se z něj daly masky 13 snímat a nahrazovat jinými.
Ve speciálních případech může iontový paprsek 12 sestávat především z protonů (H+) s energií 60 až 100 ke V, přičemž se dosáhne rozlišovací schopnosti asi 10“4 nm.
Dávka potřebná k vytváření struktury v lokálně omezených oblastech termických vrstev kysličníku křemičitého, případně napařených hliníkových vrstev suchým nebo mokrým leptáním, je 10~16 až 1018 protonů/cm2.
Aby bylo možno polovodičový substrát zpracovávat různým způsobem, používá se dílčích masek uložených lineárně nebo do kruhu; tyto dílčí masky se ukládají v předběžně nastavené poloze do dráhy iontového paprsku 12 v přední části vakuové komory 10 a umožňují vyrobit konečnou polovodičovou strukturu jednotlivými po sobě následujícími pochody ozáření.
V zařízení podle vynálezu lze použít masky s nepřesnými detaily. Tyto masky se neznečišťují a neopotřebují a mají delší životnost než fotoligrafické masky (fotošablony).

Claims (6)

  1. PREDMET
    1. Zařízení k výrobě polovodičových struktur, zejména k vytváření struktur na polovodičových substrátech nebo na nich uložených izolačních anebo vodivých vrstvách iontovým bombardováním, kde mezi iontovým zdrojem a polovodičovým substrátem je vložena maska s vytvářenou strukturou a při kterém se vyvolávají lokálně omezené změny v polovodičovém substrátu případně ve vrstvách · nacházejících se na tomto substrátu, vyznačující j;e tím, že ve vakuové komoře (10) je maska (l3), na níž jsou oblasti propouštějící a nepropouštějící ionty upraveny podle struktury vytvářené na polovodičovém substrátu a rozměry detailů mají pevné zvětšené měřítko než rozměry detailů vytvářené polovodičové struktury, umístěna v přední části zařízení mezi iontovým zdrojem (11), vytvářejícím silně rozbíhavý iontový svazek s vysokou hustotou, a iontově optickou soustavou,
    VYNALEZU která je vůči iontovému zdroji (11) jemně nastavena a zaostřuje iontový paprsek (12) mezi přední a zadní částí zařízení, přičemž v zadní části zařízení je posuvně uložen polovodičový substrát (15) a před ním iontově optická soustava tak, že povrch polovodičového substrátu (15) je vystaven působení tvarovaného iontového paprsku (12).
  2. 2. Zařízení podle bodu 1, vyznačující se tím, že obsahuje nastavovací soustavy ke znemožnění chybného nastavení polovodičového substrátu (15) a iontového paprsku (12) mezi jednotlivými operacemi iontového ozařování.
  3. 3. Zařízení podle bodu 2, vyznačující se tím, že nastavovací soustavy zahrnují ústrojí (17) k posoujápí držáku (16) materiálu v rovině polovodičového substrátu (15) rovnoběžné s rovinou masky (13) a kolmé k oSe iontového paprsku (12).
    '
  4. 4. Zúřížení podle boud 2, vyznačující se tím, že nastaýóýafcí soustavy zahrnují deflektor (18) záření h^js^M Íniezi iontovým zdrojem (11) v přední části zatíženi a:polovodičovým substrátem (15) v zadní části zařízení. i
  5. 5. Zařízení podle bodu 1, vyznačující se tím, že průměr iontového paprsku (12) mezi maskou (13) v přední Části zařízení a polovodičovým substrátem (15) v zadní části zařízení odpovídá poměru 10:1.
  6. 6. Zařízení podle bodu 1, vyznačující se tím, že nejméně jedna maska (13) je uložena v nosiči (20), případně v polohově nastaveném měniči.
CS77725A 1976-02-04 1977-02-03 Zařízení k výrobě polovodičových struktur CS209199B1 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD76191181A DD136670A1 (de) 1976-02-04 1976-02-04 Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleiterstrukturen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS209199B1 true CS209199B1 (cs) 1981-11-30

Family

ID=5503510

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS77725A CS209199B1 (cs) 1976-02-04 1977-02-03 Zařízení k výrobě polovodičových struktur

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS52155064A (cs)
CS (1) CS209199B1 (cs)
DD (1) DD136670A1 (cs)
DE (1) DE2701356A1 (cs)
FR (1) FR2340565A1 (cs)
GB (2) GB1597595A (cs)
SE (1) SE7700374L (cs)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4325182A (en) * 1980-08-25 1982-04-20 General Electric Company Fast isolation diffusion
GB2165692B (en) * 1984-08-25 1989-05-04 Ricoh Kk Manufacture of interconnection patterns
AT386297B (de) * 1985-09-11 1988-07-25 Ims Ionen Mikrofab Syst Ionenstrahlgeraet und verfahren zur ausfuehrung von aenderungen, insbes. reparaturen an substraten unter verwendung eines ionenstrahlgeraetes
AT393925B (de) * 1987-06-02 1992-01-10 Ims Ionen Mikrofab Syst Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind
US5266409A (en) * 1989-04-28 1993-11-30 Digital Equipment Corporation Hydrogenated carbon compositions
US5281851A (en) * 1992-10-02 1994-01-25 Hewlett-Packard Company Integrated circuit packaging with reinforced leads

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3682729A (en) * 1969-12-30 1972-08-08 Ibm Method of changing the physical properties of a metallic film by ion beam formation and devices produced thereby
US3666548A (en) * 1970-01-06 1972-05-30 Ibm Monocrystalline semiconductor body having dielectrically isolated regions and method of forming
DE2115823C3 (de) * 1971-04-01 1975-09-18 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Herstellen von Mikrostrukturen auf einer Halbleiterscheibe
US3804738A (en) * 1973-06-29 1974-04-16 Ibm Partial planarization of electrically insulative films by resputtering
NL7413977A (nl) * 1974-10-25 1976-04-27 Philips Nv Aanbrengen van een geleiderlaagpatroon met op een geringe onderlinge afstand gelegen delen, in het bijzonder bij de vervaardiging van half- geleiderinrichtingen.
DE2554638A1 (de) * 1975-12-04 1977-06-16 Siemens Ag Verfahren zur erzeugung definierter boeschungswinkel bei einer aetzkante

Also Published As

Publication number Publication date
JPS52155064A (en) 1977-12-23
SE7700374L (sv) 1977-08-05
GB1597595A (en) 1981-09-09
FR2340565A1 (fr) 1977-09-02
DD136670A1 (de) 1979-07-18
GB1597594A (en) 1981-09-09
DE2701356A1 (de) 1977-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Brodie et al. The physics of micro/nano-fabrication
Hatzakis Electron resists for microcircuit and mask production
JP2951947B2 (ja) 低エネルギー電子ビームのリソグラフィ
US4310743A (en) Ion beam lithography process and apparatus using step-and-repeat exposure
O'Keeffe et al. An electron imaging system for the fabrication of integrated circuits
JP2851996B2 (ja) デバイス製造方法
US4513203A (en) Mask and system for mutually aligning objects in ray exposure systems
US4008402A (en) Method and apparatus for electron beam alignment with a member by detecting X-rays
JPH0515057B2 (cs)
US5912468A (en) Charged particle beam exposure system
US3614423A (en) Charged particle pattern imaging and exposure system
US4746587A (en) Electron emissive mask for an electron beam image projector, its manufacture, and the manufacture of a solid state device using such a mask
CS209199B1 (cs) Zařízení k výrobě polovodičových struktur
US4652762A (en) Electron lithography mask manufacture
KR20020026532A (ko) 전자 빔 소스용의 패터닝된 열전도 포토캐소드
US4789786A (en) Method of projecting photoelectron image
US4101782A (en) Process for making patterns in resist and for making ion absorption masks useful therewith
JP2843249B2 (ja) デバイスを製造する方法および装置
JP3340468B2 (ja) 電子線露光装置及び電子線露光方法
WO2008002045A1 (en) Method for forming predetermined patterns on a wafer by direct etching with neutral particle beams
O'Keeffe et al. A high-resolution image tube for integrated circuit fabrication
US4368215A (en) High resolution masking process for minimizing scattering and lateral deflection in collimated ion beams
GB1597596A (en) Manufacture of semiconductor elements
JPS61123134A (ja) 光電子像転写方法
JPS61123135A (ja) 光電子像転写方法