CS206392B1 - Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby - Google Patents
Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby Download PDFInfo
- Publication number
- CS206392B1 CS206392B1 CS818779A CS818779A CS206392B1 CS 206392 B1 CS206392 B1 CS 206392B1 CS 818779 A CS818779 A CS 818779A CS 818779 A CS818779 A CS 818779A CS 206392 B1 CS206392 B1 CS 206392B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- housing
- ceramic
- terminals
- frequency
- plate
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000600039 Chromis punctipinnis Species 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N copper gold Chemical compound [Cu].[Au] QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 231100000086 high toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
(54) Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby •
Vynález se týká keramického pouzdra s páskovými vývody pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory s relativně malou hodnotou tepelného odporu a způsobu jeho výroby.
Pro výrobu vf a mikrovlnných tranzistorů je nutné použít pouzder s radiálními páskovými vývody pro dosažení minimálních parazitních kapacit a indukčností. K těmto účelům se používá keramických pouzder zhotovených technologií tvrdého pájení kovářových páskových vývodů za použití náročného pokovovacího a vypalovacího procesu na keramických polotovarech. Tento proces pokovování a pájení spočívá v nanesení kovové vrstvy ve stavu suspenze na keramický díl pouzdra o přesně definovaném tvaru pokovení, které se do keramiky vpaluje ve vodíkové atmosféře při teplotě mezi- 1400 až 1500 °C. K další kompletaci pouzdra je nutno vypálenou kovovou vrstvu bezproudově poniklovat, neboť tato není smáčivá pájkou. Po této opěrací následuje pájení natvrdo eutektickými pájkami ze stříbrných slitin opět ve vodíkové redukční atmosféře. Pouzdro zkompletované tímto postupem se potom povrchově upravuje zlacením. Popsaná výroba pouzder spočívá v kusovém zpracování jednotlivých dílů. Čip tranzistoru je pájen na pokovenou keramiku o velké tepelné vodivosti. Pro dosažení nižších hodnot tepelného odporu a tím vyššího 206392 dovoleného ztrátového příkonu se používá, v některých případech jako keramického substrátu materiál o vysoké tepelné vodivosti, t. j. keramika z kysličníku berylnatého. Výroba polotovarů z kysličníku berylnatého je však značně náročná vzhledem k vysoké toxicitě a surovinovým zdrojům.
Výše uvedené nedostatky jsou odstraněny u keramického pouzdra podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že páskové vývody pouzdra jsou měděné povrchově upravené stříbřením a zlacením, přičemž pájecí oblast tranzistorového čipu, je na nej delším z vývodůpouzdra. . ’ ;
Podstata způsobu výroby podle vynálezu spočívá v tom, že na velkoplošnou keramickou desku je vakuově. napařena složené adhézní vrstva např. niklchromu a zlata, na níž je vytvořen fotolitograficky selektivním zlacením a leptáním motiv pokovení, přičemž velkoplošná deska s motivy je rozřezána na jednotlivé základny pouzdra, na které působením tepla a tlaku jsou mechanicky pevně připojeny páskové vývody pouzdra.
Vyšší účinek dosažený způsobém výroby keramického pouzdra podle vynálezu spočívá v tom, že z jedné velkoplošné desky se po rozřezání získá přibližně 150 kusů základních destiček s motivem pokovení proti dosavadním jednotlivě obtížně zpracovávaným součástkám. Vynález umožňuje nejen produktivněj ší výrobu pouzder s radiálními vývody, ale i v řadě případů nahradí nutnost použití materiálu z kysličníku bérylňatéhó především v oblasti nižších výkonů.
Vynález spočívá v použití měděných pozlacených radiálních vývodů, které lze za pomoci tlaku a tepla pevně spojit s pokoveným keramickým substrátem,' kde pokovení lze provést vakuovým napařením složených kovových vrstev. Systém tranzistoru je pak připájen k' jednomu z radiálních vývodů a do značné míry zprostředkovává odvod vzniklého tepla, neboť materiál vývodů má vysokou tepelnou vodivost. Výrobu keramických substrátů lze provádět hromadně na velkých keramických deskách, které po vakuovém napaření lze fotolitograficky zpracovat do jednotlivých motivů spojovacích ploch pro radiální vývody a po rozřezání získat diskrétní substráty pouzdra.
Keramické pouzdro podle vynálezu a způsob jeho výroby jsou blíže osvětleny pomocí výkresů, na nich značí obr. 1 základní destičku, obr. 2 pomocný rámeček s pravoúhle uspořádanými vývody, obr. 3 sestavu pouzdra s pájecí oblastí, obr. 4 sestavu pouzdra s keramickým víčkem.
V jedné operaci se korundová keramická deska o rozměru 50 X 50 mm vakuově napaří nejdříve adhézní vrstvou ze slitiny niklochromu a pak souvislou vrstvou zlata. Po aplikací Eotoresistu na vakuově napařenou plochu, získáme osvětlením přes kontaktní fotomasku soubor diskrétních motivů pro selektivní galvanické zesílení vakuově napařené zlaté vrstvy.
V dalších operacích se selektivně odleptá vakuově napařená vrstva zlata,: která byla chráněná maskou z fotoresistu a pak se odleptá i adhézní vrstva ze slitiny niklchromu, Tím získáme soubor diskrétních motivů pokovení 2, jak je vyznačeno šřáfováním, cca o 150 kusech na jedné velké desce, které se rozřežou diamantovou pilou na jednotlivé základní destičky o rozměru 3,5 X 3,5 mm, jak patrno z obr. 1.
Další součástí pouzdra jsou radiální vývody o šíři 1 mm zhotovené lisováním ve tvaru pravoúhlého kříže z. měděného pásového materiálu o tloušťce 0,09 mm. Vývody jsou v pravoúhle pozici fixovány současně vylisovaným pomocným rámečkem 5. Po galvanickém stříbření a zlacení vývodů ríásieduje vlastní komplétace pouzdra tak, že se základní destička 1 a vývody 4 spojí po jejich sesazení v přípravku za působení tlaku a tepla. Za účelem získaní dokonalého spoje a stejných elektrických parametrů pouzdra, -t, j. parazitní kapacity-a indukčnosti,· je nutno základní destičku 1 a soubor vývodů 4 sesadit v přípravku tak, aby motiv pokovení 2 na keramice a středová část kříže se vzájemně; překrývaly, jak patrno z obr. 3. Na nej delším z vývodů 4 pouzdra je pájecí oblast 3 pro čip. Po kompletaci se pomocný rámeček 5 fixující polohu vývodů jednoduše odstřihne. Po montáži systému polovodičové součástky ha jeden z vývodů a jeho zkontaktování s ostatními vývody 4 následuje uzavření pouzdra keramickým korundovým víčkem 6 pomocí vhodného tmelu, jak znázorněno v obr. 4. Tranzistor namontovaný do takto zhotoveného pouzdra s výše uvedenými základními rozměry umožní dosažení ztrátového výkonu tranzistoru o . rozměrech čipu 0,5 X 0,5 mm
Claims (2)
- PREDMET VYNÁLEZU1. Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční , a mikrovlnné tranzistory obsahující základní, destičku a radiální, páskové Vývody, vyznačené tím, žě páskové vývody (4) pouzdra jsou měděné povrchově upravené stříbřením a zlacením,, přičemž pájecí oblast (3) tranzistorového čipu je .na nej delŠíin z vývodů (4) pouzdra.
- 2. Způsob výroby keramického pouzdra podlé bodu 1 vyznačený tím, že na velkoplošnou keramickou desku je vakuově napařena složená adhézní vrstva např. niklchromu a zlata, na níž je. vytvořen fotolitograficky selektivním zlacením a leptáním motiv pokovení, přičemž velkoplošná, deska s motivy je rozřezána na jednotlivé základny pouzdra, na které působením tepla a tlaku jsou mechanicky pevně připojeny páskové vývody pouzdra.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS818779A CS206392B1 (cs) | 1979-11-28 | 1979-11-28 | Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS818779A CS206392B1 (cs) | 1979-11-28 | 1979-11-28 | Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS206392B1 true CS206392B1 (cs) | 1981-06-30 |
Family
ID=5432101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS818779A CS206392B1 (cs) | 1979-11-28 | 1979-11-28 | Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS206392B1 (cs) |
-
1979
- 1979-11-28 CS CS818779A patent/CS206392B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3340347A (en) | Enclosed electronic device | |
| CN113113199B (zh) | 一种大功率合金箔电阻器及制造方法 | |
| JP2000508841A (ja) | レーザーダイオードアレイのパッケージング | |
| KR20040031680A (ko) | 전자 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPS639376B2 (cs) | ||
| CN106688091A (zh) | 布线基板、电子装置以及电子模块 | |
| CN113097684A (zh) | 一种微波铁氧体隔离器基板的制作方法 | |
| US7632716B2 (en) | Package for high frequency usages and its manufacturing method | |
| JP2003264444A (ja) | 圧電デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法 | |
| KR19990045105A (ko) | 기판 | |
| CS206392B1 (cs) | Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby | |
| WO1996017270A1 (en) | Method of producing optical isolator | |
| US3257704A (en) | Method of mounting high frequency piezoelectric crystals | |
| JPH10242331A (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造法 | |
| JP2000049427A (ja) | 接合体及びそれを用いた回路基板 | |
| RU2852521C1 (ru) | Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона | |
| JP3145388B2 (ja) | 圧電振動子収納用パッケージの製造方法 | |
| JPH0459779B2 (cs) | ||
| CN111313855B (zh) | 一种新型谐振器组装方法 | |
| JPS60178655A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2018125420A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP2000086367A (ja) | 接合体及びそれを用いた回路基板 | |
| JPH0617303Y2 (ja) | 半導体素子収納用パツケ−ジ | |
| JP2555585Y2 (ja) | 誘電体同軸共振器用端子 | |
| JPS59132153A (ja) | 混成集積回路装置 |