CS206392B1 - Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby - Google Patents

Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby Download PDF

Info

Publication number
CS206392B1
CS206392B1 CS818779A CS818779A CS206392B1 CS 206392 B1 CS206392 B1 CS 206392B1 CS 818779 A CS818779 A CS 818779A CS 818779 A CS818779 A CS 818779A CS 206392 B1 CS206392 B1 CS 206392B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
housing
ceramic
terminals
frequency
plate
Prior art date
Application number
CS818779A
Other languages
English (en)
Inventor
Zoltan Kancel
Miroslav Kurz
Original Assignee
Zoltan Kancel
Miroslav Kurz
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zoltan Kancel, Miroslav Kurz filed Critical Zoltan Kancel
Priority to CS818779A priority Critical patent/CS206392B1/cs
Publication of CS206392B1 publication Critical patent/CS206392B1/cs

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

(54) Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby •
Vynález se týká keramického pouzdra s páskovými vývody pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory s relativně malou hodnotou tepelného odporu a způsobu jeho výroby.
Pro výrobu vf a mikrovlnných tranzistorů je nutné použít pouzder s radiálními páskovými vývody pro dosažení minimálních parazitních kapacit a indukčností. K těmto účelům se používá keramických pouzder zhotovených technologií tvrdého pájení kovářových páskových vývodů za použití náročného pokovovacího a vypalovacího procesu na keramických polotovarech. Tento proces pokovování a pájení spočívá v nanesení kovové vrstvy ve stavu suspenze na keramický díl pouzdra o přesně definovaném tvaru pokovení, které se do keramiky vpaluje ve vodíkové atmosféře při teplotě mezi- 1400 až 1500 °C. K další kompletaci pouzdra je nutno vypálenou kovovou vrstvu bezproudově poniklovat, neboť tato není smáčivá pájkou. Po této opěrací následuje pájení natvrdo eutektickými pájkami ze stříbrných slitin opět ve vodíkové redukční atmosféře. Pouzdro zkompletované tímto postupem se potom povrchově upravuje zlacením. Popsaná výroba pouzder spočívá v kusovém zpracování jednotlivých dílů. Čip tranzistoru je pájen na pokovenou keramiku o velké tepelné vodivosti. Pro dosažení nižších hodnot tepelného odporu a tím vyššího 206392 dovoleného ztrátového příkonu se používá, v některých případech jako keramického substrátu materiál o vysoké tepelné vodivosti, t. j. keramika z kysličníku berylnatého. Výroba polotovarů z kysličníku berylnatého je však značně náročná vzhledem k vysoké toxicitě a surovinovým zdrojům.
Výše uvedené nedostatky jsou odstraněny u keramického pouzdra podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že páskové vývody pouzdra jsou měděné povrchově upravené stříbřením a zlacením, přičemž pájecí oblast tranzistorového čipu, je na nej delším z vývodůpouzdra. . ’ ;
Podstata způsobu výroby podle vynálezu spočívá v tom, že na velkoplošnou keramickou desku je vakuově. napařena složené adhézní vrstva např. niklchromu a zlata, na níž je vytvořen fotolitograficky selektivním zlacením a leptáním motiv pokovení, přičemž velkoplošná deska s motivy je rozřezána na jednotlivé základny pouzdra, na které působením tepla a tlaku jsou mechanicky pevně připojeny páskové vývody pouzdra.
Vyšší účinek dosažený způsobém výroby keramického pouzdra podle vynálezu spočívá v tom, že z jedné velkoplošné desky se po rozřezání získá přibližně 150 kusů základních destiček s motivem pokovení proti dosavadním jednotlivě obtížně zpracovávaným součástkám. Vynález umožňuje nejen produktivněj ší výrobu pouzder s radiálními vývody, ale i v řadě případů nahradí nutnost použití materiálu z kysličníku bérylňatéhó především v oblasti nižších výkonů.
Vynález spočívá v použití měděných pozlacených radiálních vývodů, které lze za pomoci tlaku a tepla pevně spojit s pokoveným keramickým substrátem,' kde pokovení lze provést vakuovým napařením složených kovových vrstev. Systém tranzistoru je pak připájen k' jednomu z radiálních vývodů a do značné míry zprostředkovává odvod vzniklého tepla, neboť materiál vývodů má vysokou tepelnou vodivost. Výrobu keramických substrátů lze provádět hromadně na velkých keramických deskách, které po vakuovém napaření lze fotolitograficky zpracovat do jednotlivých motivů spojovacích ploch pro radiální vývody a po rozřezání získat diskrétní substráty pouzdra.
Keramické pouzdro podle vynálezu a způsob jeho výroby jsou blíže osvětleny pomocí výkresů, na nich značí obr. 1 základní destičku, obr. 2 pomocný rámeček s pravoúhle uspořádanými vývody, obr. 3 sestavu pouzdra s pájecí oblastí, obr. 4 sestavu pouzdra s keramickým víčkem.
V jedné operaci se korundová keramická deska o rozměru 50 X 50 mm vakuově napaří nejdříve adhézní vrstvou ze slitiny niklochromu a pak souvislou vrstvou zlata. Po aplikací Eotoresistu na vakuově napařenou plochu, získáme osvětlením přes kontaktní fotomasku soubor diskrétních motivů pro selektivní galvanické zesílení vakuově napařené zlaté vrstvy.
V dalších operacích se selektivně odleptá vakuově napařená vrstva zlata,: která byla chráněná maskou z fotoresistu a pak se odleptá i adhézní vrstva ze slitiny niklchromu, Tím získáme soubor diskrétních motivů pokovení 2, jak je vyznačeno šřáfováním, cca o 150 kusech na jedné velké desce, které se rozřežou diamantovou pilou na jednotlivé základní destičky o rozměru 3,5 X 3,5 mm, jak patrno z obr. 1.
Další součástí pouzdra jsou radiální vývody o šíři 1 mm zhotovené lisováním ve tvaru pravoúhlého kříže z. měděného pásového materiálu o tloušťce 0,09 mm. Vývody jsou v pravoúhle pozici fixovány současně vylisovaným pomocným rámečkem 5. Po galvanickém stříbření a zlacení vývodů ríásieduje vlastní komplétace pouzdra tak, že se základní destička 1 a vývody 4 spojí po jejich sesazení v přípravku za působení tlaku a tepla. Za účelem získaní dokonalého spoje a stejných elektrických parametrů pouzdra, -t, j. parazitní kapacity-a indukčnosti,· je nutno základní destičku 1 a soubor vývodů 4 sesadit v přípravku tak, aby motiv pokovení 2 na keramice a středová část kříže se vzájemně; překrývaly, jak patrno z obr. 3. Na nej delším z vývodů 4 pouzdra je pájecí oblast 3 pro čip. Po kompletaci se pomocný rámeček 5 fixující polohu vývodů jednoduše odstřihne. Po montáži systému polovodičové součástky ha jeden z vývodů a jeho zkontaktování s ostatními vývody 4 následuje uzavření pouzdra keramickým korundovým víčkem 6 pomocí vhodného tmelu, jak znázorněno v obr. 4. Tranzistor namontovaný do takto zhotoveného pouzdra s výše uvedenými základními rozměry umožní dosažení ztrátového výkonu tranzistoru o . rozměrech čipu 0,5 X 0,5 mm

Claims (2)

  1. PREDMET VYNÁLEZU
    1. Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční , a mikrovlnné tranzistory obsahující základní, destičku a radiální, páskové Vývody, vyznačené tím, žě páskové vývody (4) pouzdra jsou měděné povrchově upravené stříbřením a zlacením,, přičemž pájecí oblast (3) tranzistorového čipu je .na nej delŠíin z vývodů (4) pouzdra.
  2. 2. Způsob výroby keramického pouzdra podlé bodu 1 vyznačený tím, že na velkoplošnou keramickou desku je vakuově napařena složená adhézní vrstva např. niklchromu a zlata, na níž je. vytvořen fotolitograficky selektivním zlacením a leptáním motiv pokovení, přičemž velkoplošná, deska s motivy je rozřezána na jednotlivé základny pouzdra, na které působením tepla a tlaku jsou mechanicky pevně připojeny páskové vývody pouzdra.
CS818779A 1979-11-28 1979-11-28 Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby CS206392B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS818779A CS206392B1 (cs) 1979-11-28 1979-11-28 Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS818779A CS206392B1 (cs) 1979-11-28 1979-11-28 Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS206392B1 true CS206392B1 (cs) 1981-06-30

Family

ID=5432101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS818779A CS206392B1 (cs) 1979-11-28 1979-11-28 Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS206392B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3340347A (en) Enclosed electronic device
CN113113199B (zh) 一种大功率合金箔电阻器及制造方法
JP2000508841A (ja) レーザーダイオードアレイのパッケージング
KR20040031680A (ko) 전자 장치 및 그 제조 방법
JPS639376B2 (cs)
CN106688091A (zh) 布线基板、电子装置以及电子模块
CN113097684A (zh) 一种微波铁氧体隔离器基板的制作方法
US7632716B2 (en) Package for high frequency usages and its manufacturing method
JP2003264444A (ja) 圧電デバイス用集合基板、圧電デバイス及びその製造方法
KR19990045105A (ko) 기판
CS206392B1 (cs) Keramické pouzdro pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory a způsob jeho výroby
WO1996017270A1 (en) Method of producing optical isolator
US3257704A (en) Method of mounting high frequency piezoelectric crystals
JPH10242331A (ja) パワーモジュール用基板及びその製造法
JP2000049427A (ja) 接合体及びそれを用いた回路基板
RU2852521C1 (ru) Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона
JP3145388B2 (ja) 圧電振動子収納用パッケージの製造方法
JPH0459779B2 (cs)
CN111313855B (zh) 一种新型谐振器组装方法
JPS60178655A (ja) リ−ドフレ−ム
JP2018125420A (ja) 配線基板およびその製造方法
JP2000086367A (ja) 接合体及びそれを用いた回路基板
JPH0617303Y2 (ja) 半導体素子収納用パツケ−ジ
JP2555585Y2 (ja) 誘電体同軸共振器用端子
JPS59132153A (ja) 混成集積回路装置