CS201111B1 - Způsob výroby filmotvorného roztoku - Google Patents
Způsob výroby filmotvorného roztoku Download PDFInfo
- Publication number
- CS201111B1 CS201111B1 CS207976A CS207976A CS201111B1 CS 201111 B1 CS201111 B1 CS 201111B1 CS 207976 A CS207976 A CS 207976A CS 207976 A CS207976 A CS 207976A CS 201111 B1 CS201111 B1 CS 201111B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- solution
- tetraalkoxysilane
- film
- solutions
- water
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 24
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 238000001802 infusion Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000006273 (C1-C3) alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 97
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 17
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 11
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 8
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 7
- HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N [Si].[P] Chemical compound [Si].[P] HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 6
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- -1 polysiloxane chains Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 125000000532 dioxanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical group 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M sodium docusate Chemical compound [Na+].CCCCC(CC)COC(=O)CC(S([O-])(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N triethyl borate Chemical compound CCOB(OCC)OCC AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu výroby filmotvornýoh roztoků, které jsou urany k vylučování sklovitých filmů infundovanýoh fosforem, sloužících jako zdroj pre difúzi fosforu do křemíku. Vynález je použitelný v polovodičová mikroelektreteohnice při výrobě tranzistorových prvků a integrálních obvodů.
Postupy k výrobě filmotvornýoh roztoků, která se používají k vyjasňování optických výrobků, optických povlaků s různými reflexními vlastnostmi, osvětlovacích a optických filtrů, jsou známé z literatury.
Způsoby popsané v odborné literatuře spočívají například v postupném míěení tetra- etoxysilanu a některým organickým rozpouštědlem a vodou a k takto připravené směsi se potom přidává kyselý katalyzátor, minerální kyseliny jako je kyselina chlorovodíková, kyselina dusičná v množství 0,1 mol/1* Získaný roztok se potom ponechá několik hodin nebo dní vyzrát.
Takové roztoky k nanášení filmů jako zdrojů difuse donorových a akoeptorových příměsí do polovodičových materiálů však nejsou vhodné, nebol; neobsahují žádné odpovídajíoí infundovací sloučeniny.
Je znám také způsob výroby filmotvornýoh roztoků k infundování polovodičových mate201 111
201 111 riálů rozllěnýml příměsemi, jako bor, antimon, arsen a zinek·
Tento postup spočívá v tom, že v bezvodám etanolu se jednotlivě rozpustí tetramstoxysilan 1 infundovací přísada, například trletoxybor, a katalyzátor, například chlorid tltanlčitý· Pak se všeohny tři roztoky slijí dohromady, do směsi se přidá urěitý objem ledová kyseliny octová a směs se poneohá v hermeticky uzavřeném zásobníku asi 48 hodin vyzrát· Po této době je možno roztek používat·
Tento způsob výroby filmotvornýoh roztoků je věak spojen s nutnosti používat bezvodý etanol, nebo některé jiné bezvodé rozpouštědlo a je komplikovaný* Dále jsou takto připravené roztoky vysoce hygroskoploké a obsahují přebytečnou kyselinu octovou, což snižuje stabilitu roztoků a zhoršuje kvalitu filmů z těchto roztoků připravenýoh·
Je znám ještě jiný způsob výroby filmotvorných roztoků k infundování polovodičových materiálů rozličnými příměsemi, například fosforem·
Tento způsob spočívá v tom, že se k tetraetoxysllanu přidá některé hydrofilní organické rozpouštědlo, například etanol a voda* Přitom se tetraetoxysllan přidává ▼ množství asi 20 % hmot·, množství vody má být 7 molů na 1 mol tetraetoxysllanu·
Po smíšení jmenovaných složek se roztok poneohá stát po určité časové období, které postačuje k průběhu hydrolýzy tetraetexysilanu· Potom se k vyzrálému roztoku hydrolyzátu přidá infundovací přísada, chemická sloučenina, která obsahuje donorové nebo akceptorové příměsi, nutná k difúzi při výrobě polovodičových systémů, například kyselina ortofosforečná.
Získané filmotvorné roztoky se používají následovně:
a) filmotvorný roztok se pipetou nanese v množství nepřesahujícím 1 ml na povroh destičky z některého polovodičového materiálu, řetujleí na odstředivce·
b) polovodičová destička s nanešeným filmem se podrobí tepelnému zpracování při teplotě od 600 do 650 °C na vzduchu po dobu 30 sekund· Při tepelném zpracování se rozkladem polymerních esterů kyseliny ortokřemičité a kyseliny fosforečné tvoří fosforkřemlčlté sklo, zdroj difúze fosforu·
Tloušťku získaného filmu lze regulovat v rozsahu od 0,1 do 0,3 um změnou rychlosti rotace odstředivky a obsah infundovacích příměsí změnou koncentrace infundovaoíoh přísad v roztoku· Získané filmy se používají jako zdroje difúze v procesech bázové a dělicí difúze při vytváření tranzistorových struktur N-P-N, k dodatečnému Infundování kontaktních oblastí tranzistorů a v ostatních difuzních procesech při výrobě polovodičových přístrojů·
Při přídavku poměrně velkýoh množství kyseliny fosforečné k hydrolyzátu dochází k aktivní chemické reakoi složek roztoku, oož vede k zahřátí roztoku na teploty, při nlohž reakce hydrolýzy a polykondenzaoe tetraetoxysllanu probíhá o jeden i více řádů rychleji* Tím rychle vzrůstá viskosita roztoku a značně klesá doba jeho použitelnosti· Takové roz201 111 toky jeou vhodné pro použití během 2 až 3 dnů, přitom možnost jejich technické výroby je prakticky vyloučena·
Použitelnost roztoků a rychle se měnící viskositou v technologii polovodičů nezaručuje dobrou reprodukovatelnost získaných fosforkřemičitých filmů (podle tloušťky a konoentrace příměsí) a následkem toho vede k nedostatečné reprodukovatelnosti elektrofyzikálních parametrů difuzních struktur·
Používání roztoků získaných podle jmenovaných postupů vede k výrobě relativně silných nerovnoměrných filmů, které se při přeohovávání na vzduchu často zakaluji, při difuzním žíhání se odlupují nebo praskají· Odpovídajícím způsobem se zhoršují parametry přístrojů a klesá procento použitelných přístrojů.
Kromě toho sestává proces výroby známých roztoků ze dvou stupňů, které jsou odděleny intervalem několika dnů, což je pro technickou výrobu takových roztoků ve velkém měřítku nepříznivé·
Účelem vynálezu je odstranit uvedené nevýhody.
Základním úkolem vynálezu bylo vyvinout postup, který umožňuje získat filmotvorný roztok obsahující pólysiloxanové řetězce s výhodou lineární konfigurace, oož umožňuje podstatně brzdit proces vytváření struktury v roztoku, zvyšovat stabilitu těchto roztoků, zvyšovat reprodukovatelnost elektrofyzikálních parametrů difuzních struktur získaných za použití těchto roztoků a zlepšovat kvalitu vrstev vyloučených na polovodičových materiálech*
Nevýhody výše uváděných postupů byly podle vynálezu odstraněny tak, že se filmotvorný roztok k infundování polovodičových materiálů připraví smísením 49,3 až 71,8 % hmotnostních dioxanu jako hydrofilního rozpouštědla se 4,5 až 13,5 % hmotnostními vody, k této směsi se přidá 3,4 až 6,0 % hmotnostních infundovací přísady a nakonec 10,3 až
31,2 % hmotnostních tetraalkoxysilanu.
Navrženým postupem je možno získávat stabilní filmotvorné roztoky s vysokou koncentrací kyseliny ortofosforečné· Doba skladovatelnosti těchto roztoků zaručuje dosahování reprodukovatelných parametrů difuzních struktur po dobu tří měsíců i více. Filmy vyloučené z uvedených roztoků mají rovnoměrnou tloušíku a koncentraci příměsí. Po tepelném zpracování se neobjevují trhlinky, což svědčí o dobré adhezi vyloučených filmů na polovodičovém materiálu. Vyloučením stupně předřazené hydrolýzy tetraalkoxysilanu bylo dosaženo toho, že navržený postup vyhovuje technologickým nárokům a je vhodnější pro výrobu.
Ke zlepšení skladovatelnosti navržených roztoků, kdy uvedené roztoky zaručují do- . sazení reprodukovatelných parametrů difuzních struktur se účelně podle vynálezu přidává tetraalkoxysilan ke směsi dioxanu s vodou a infundovací příměsí, ochlazenou na teplotu nepřesahující +3 °0.
Jeden ze způsobů provedení vynálezu spočívá v tom, že se po přídavku tetraalkoxysilanu ke směsi dodatečně přidá kyselina chlorovodíková v množství 0,005 až 0,04 mol/1,
201 111 čímž ee zároveň zvySuje stabilita roztoků připravených podle vynálezu.
Další úkoly a výhody vynálezu vyplynou z dále uvedeného podrobného popisu způeobu výroby filmotvornýoh roztoků a příkladů provedení tohoto způsobu.
Bylo zjištěno, že současná změna složení filmotvorného roztoku a pořadí směšování výohozíoh složek tohoto roztoku umožňuje odstranit vlastní nevýhody známého postupu výroby filmotvornýoh roztoků k indundování polovodičových materiálů·
Dále bylo zjištěno, že je výhodné přidávání vody v množství 3 až 5 molů na jeden mol filmotvorné složky, tetraalkoxysilanu, bylo nalezeno, že při takovém poměru dochází k příznivému účinku na zpomalení polykondenzace v roztocích při delším skladování.
Při postupu podle vynálezu se používá jako hydrofllní organické rozpouštědlo nepolární nebo málo polární rozpouštědlo dioxan. Toto rozpouštědlo prakticky nereaguje se složkami směsi a neúčastní se pólykondenzační reakoe, což zaručuje stabilitu získaného roztoku, na což bylo již výše poukázáno.
Kromě toho se podle vynálezu navrhuje přidávání kyseliny chlorovodíkové k roztoku, neboť tato kyselina zpomaluje polykondenzační reakci a roztok stabilizuje.
Změna pořadí směšování složek získaného roztoku spočívá v tom, že se kyselina ortofosforečná přidává ke směsi hydrofilního nepolárního organického rozpouštědla, dioxanu s vodou, čímž doohází k velkému zředění kyseliny ortofosforečné rozpouštědlem. To vede k dosažení vyšší homogenity roztoku, k vyrovnání koncentrací reagujících složek v objemu* Předchozí ochlazení směsi na teplotu nepřesahující +3 ®C před přídavkem tetraalkoxysilanu je nutné pro snížení teploty při samovolném zahřívání směsi. Toto ochlazení zpomaluje rychlost polykondenzace získaného roztoku a zvyšuje stabilitu roztoku.
Všechny podle vynálezu navrhované změny postupu oproti dříve známým postupům jsou zaměřeny na-provedení reakoe hydrolytioké polykondenzace tetraalkoxysilanu za spoluúčasti kyseliny ortofosforečné za přísně kontrolovatelných podmínek. To znamená, že autoři vynálezu se snažili zabránit tvorbě trojrozměrných řetězců polysiloxanu, které jsou náchylné k rychlému vytváření prostorovýoh struktur a irreverzibilní přeměně roztoku v gel.
Záměrem navrhovaného postupu podle vynálezu je zpomalení efektu větvení řetězců polysiloxanu a prakticky úplné zamezení zesilováni řetězců při zachování možnosti tvorby lineárních řetězců, které rostou do délky rychleji než do prostoru.
Je známo, že ve filmotvornýoh roztocích připravených podle dříve známých postupů doohází k rychlému růstu polysiloxanových řetězců ve všeoh směrech (za současného zachytáváni molekul použitého polárního rozpouštědla), Právě tato skutečnost způsobuje vzrůst viskosity filmotvorného roztoku, což zhoršuje stabilitu roztoku, zvláště při vysokých koncentracích kyseliny ortofosforečné, a následkem toho klesá reprodukovatelnost parametrů difuzníoh struktur.
Způsob výroby filmotvornýoh roztoků podle vynálezu se provádí takto:
201 111
Nepolární organické rozpouštědlo (diox&n) se smísí s vodou v množství 3 až 5 molů vody na 1 mol tetraalkoxysilanu. Přitom koncentrace vody v roztoku je v rozmezí od 1,5 do 7«5 mol/1 v závislosti na koncentraci tetraalkoxysilanu· Meněí množství vody než 1,5 mol/1 nezaručuje nutnou úplnost hydrolýzy. Množství vody větší než 7,5 mol/1 vede k silnému zvýšení viskozity a poklesu stability roztoku.
Ke směsi rozpouštědla a vody se přidá kyselina ortofoaf©řečná (d 1,69) v takovém množství, jak to vyžadují technologické pokyny. V technologii výroby polovodičových přístrojů se pro stupeň emitorové difúze používají filmotvorné roztoky, které obsahují kyselinu ortofosforečnou v molárním poměru kyselina ortofosforečná/tetraalkoxysilan od 0,36 do 1,28, s výhodou v poměru 0,57 až 0,86.
Směs organického rozpouštědla a vody s kyselinou ortofosforečnou se pak účelně ochladí v termostatované nádobě (voda a ledem) na takovou teplotu, aby se zamezilo samovolnému zahřívání roztoku při přidání tetraalkoxysilanu a teplota roztoku po smíšení nepřestoupila +25 ®C. Při vyšší teplotě totiž silně vzrůstá reakční rychlost hydrolytické polykondenzaoe. Konkrétní teplota ochlazení závisí na objemu použitého rozpouštědla a na podmínkách přestupu tepla. Před přidáním tetraalkoxysilanu však teplota směsi nesmí přesáhnout +3 *C.
K ochlazené směsi organického rozpouštědla a vody s kyselinou ortofosforečnou se bez přerušení ohlazení přidá tetraalkoxysilan, například tetrametoxy-.tetraetoxy-, nebe tetrapropoxysilan. Koncentrace tetraalkoxysilanu v roztoku může být v rozmezí 0,4 až 1,5 mol/1 v závislosti na požadované tloušťce filmu. Při nižší koncentraci než 0,4 mol/1 probíhá hydrolytioký proces velmi pomalu a dlouhou dobu se nepodaří z takových roztoků získat filmy s dobrou kvalitou. Kromě toho se tenké porézní filmy v technologii prakticky nepoužívají. Při konoentraoi vyšší než 1,5 mol/1 silně klesá stabilita roztoku a zhoršují se i charakteristické hodnoty filmů.
Po smíšení tetraalkoxysilanu s ostatními složkami roztoku se objem roztoku doplní dioxanem až po značku (při teplotě místnosti) a dodatečně se přidá kyselina chlorovodíková (d 4 1,19) v množství od 0,005 do 0,4 mol/k. Množství kyseliny závisí ňa konoentraoi tetraalkoxysilanu a vody v roztoku. Uvedený rozsah koncentrací zaručuje na jedné straně stabilitu roztoku a na druhé straně nezhoršuje kvalitu vyloučených filmů (přebytek kyseliny brzdí vylučování filmů z roztoku a klesá jejich adhese a pevnost).
Hotový roztok se po filtraci přechovává v hermetickém balení.
Filmotvorné roztoky připravené podle vynálezu mají tyto výhody»
Pokles obsahu vody v roztocích, náhrada polárního rozpouštědla rozpouštědlem nepolárním a přídavek kyseliny chlorovodíkové jako stabilizátoru, dále změna pořadí směšování a podmínek procesu umožňují výrobu filmotvorných roztoků s kyselinou fosforečnou, jejichž viskozita se mění velmi pomalu v úzkém rozmezí.
Tato skutečnost vede k významnému zvýšení stability filmotvorných roztoků. Sklade201 111 vatelnost, při niž uvedené roztoky zaručují dosahování reprodukovatelnýoh parametrů difusních struktur činí přes 3 měsíoe 1 při vysoké koncentraci kyseliny ortofosforečné, příčená reprodukovatelnost elektrofyzikálních vlastností difuzníoh vrstev je během celá skladovací doby dostatečně vysoká. Rozptyl měrného povrchového odporu difuzní vrstvy R je od procesu k procesu na úrovni <^5 %· Filmy vyloučené z roztoků mají rovnoměrnou tloušťku a koncentraci příměsí a po tepelném zpracování se neobjevují žédné trhliny. Tento fakt svědčí o vzrůstu adheze a o maskovací schopnosti získaných roztoků, hustota stoupá, oož je dokázáno nepřítomností průchodnýoh pórů ve filmu.
Rozptyl střední hodnoty
Rovnoměrnost podle tloušťky filmu...................................
Rovnoměrnost podle konoentraoe se charakterizuje nepatrným rozptylem měrného povrchového odporu difuzní vrstvy R. - 3 % (po difúzi) nad deskou
Vyloučením stupně předřazené hydrolýzy tetraalkoxysilanu (výroba hydrolyzátu) bylo dosaženo toho, že navržený postup lépe vyhovuje technologickým nárokům a je vhodnější pro výrobu,.
Příklad 1
V odměrné baňce o objemu 100 ml se smísí 50 až 55 ml dioxanu a 7,2 ml deionizované vody, přilije se 4,7 ml kyseliny ortofosforečné (85% o hustotě d 1,69) a roztok ee za míchání vychladí (v nádobě s chladnou vodou a ledem) na teplotu +3 °C. Potom se za intenzivního míchání a bez přerušení ohlazení přidá 22,3 ml tetraetoxysilanu. Jakmile se teplota roztoku vyrovná teplotě místnosti, doplní se objem roztoku dioxanem až po značku 100 ml, potom se přidá 0,15 ml (37%) kyseliny chlorovodíkové, promíchá, zfiltruje a hermeticky se uzavře. Roztok zaručuje výrobu fosforkřemičitých filmů o koncentraci kysličníku fosforečného asi 50 % hmot*, které jsou vhodné k provedení emitorové difúze fosforu v technologii integrálních mikroohvodů.
Doba použitelnosti roztoku činí 3 až 4 měsíce.
Příklad 2
V odměrné baňce o objemu 100 ml se smísí 50 až 55 ml dioxanu a 7,2 ml deionizované vody, přilije se 4,7 ml kyseliny ortofosforečné (85%) a roztok se za míohání vychladí na teplotu +1 °0, potom se za míohání a bez přerušení ohlazení přidá 14,3 ml tetrametoxysilanu. Jakmile se teplota roztoku vyrovná teplotě místnosti, doplní se objem roztoku dio201 111 xanem až po značku 100 ml, potom se přidá 0,15 ml (37%) kyseliny chlorovodíková, promíohá se, zfiltruje a hermeticky uzavře. Roztok zaručuje výrobu fosforkřemičitýoh filmů o koncentraci kysličníku fosforečného asi 50 % hmot,, Doba použitelnosti roztoku činí asi 3 měsíce.
Příklad 3
V odměrné baňce o objemu 100 ml se smísí 50 až 55 ml dioxánu a 7,2 ml deionizované vody, přilije se 4,7 ml kyseliny ortofosforečaé (85%) a roztok se za míchání vychladí aa teplotu 0 °0, potom se za«míchání a bez přerušení chlazení přidá 26,8 ml tetraprepoxysilanu. Jakmile se teplota roztoku vyrovná teplotě místnosti, doplní se objem roztoku dioxanem až po značku 100 ml, potom se přidá 0,15 (37%) kyseliny chlorovodíkové, promíchá se zfiltruje a hermeticky uzavře. Roztok zaručuje výrobu fosforkřemičitýoh filmů o koncentraci kysličníku fosforečného asi 50 % hmot. Doba použitelnosti roztoku činí asi 3 až 4 měsíce.
Příklad 4
V odměrné baňoe o objemu 100 ml se smísí 50 až 55 ml dioxánu a 5,4 ml deionizované vody, přilije se 4,7 ml kyseliny ortofosforeěné (85%) a roztok se za míchání vychladí na teplotu -2 °C, Potom se za míchání a bez přerušení chlazení přidá 22,3 ml tetraetoxysilanu. Jakmile se teplota roztoku vyrovná teplotě místnosti, doplní se objem roztoku dioxanem až po značku 100 ml, potom se přidá 0,15 ml (37%) kyseliny chlorovodíkové, promíchá se, zfiltruje a hermeticky uzavře. Roztok zaručuje výrobu fosforkřemičitýoh filmů o koncentraci kysličníku fosforečného asi 50 % hmot. Doba použitelnosti roztoku činí asi 3 měsíce.
Příklad 5
V odměrné baňce o objemu 100 ml se smísí 50 až 55 ml dioxánu a 13,5 ml deionlzované vody, přilije se 7,05 ml (85%) kyseliny ortofosforečné a roztok se za míchání vychladí na teplotu -3 °C, potom se za míchání a bez přerušení chlazení přidá 21,5 ml tetrametoxysilanu. Jakmile se teplota roztoku vyrovná teplotě místnosti, doplní se objem roztoku dioxanem až po značku 100 ml, potom se přidá 0,15 ml (37%) kyseliny chlorovodíková, promíchá se, zfiltruje a hermeticky uzavře, Roztok zaručuje výrobu fosforkřemičitýoh filmů o koncentraci kysličníku fosforečného, asi 50 % hmot. Doba použitelnosti roztoku činí asi 2 měsíce.
201 111 β
Příklad 6
V odměrné baňce o objemu 100 ml ee emisi 50 až 55 sl dioxanu a 4,5 ml deionizované vody, přilije ee 2,35 ul (85%) kyseliny ortofosforečné, roztok ee míchá a při teplotě +3 °C ee přidá tetraetoxyellan v množství 11,15 ml· Potom se objem roztoku doplní dioxanem až po značku 100 ml, přidá se 0,15 ml (37%) kyseliny chlorovodíková, promíchá se, zfiltruje a hermeticky uzavře. Roztok zaručuje výrobu fosforkřemičitýoh filmů o koncentraci kysličníku fosforečného asi 50 % hmot. Doba použitelnosti roztoku činí jeden rok.
Příklad 7
V odměrné baňce o objemu 100 ml se smísí 50 až 55 ml dioxanu a 13,5 ml deionizované vody, přilije se 7,05 ml (85%) kyseliny ortofosforečné, roztok se míchá a při teplotě místnosti se přilije 33»5 ml tetraetoxysilanu. Potom (po ochlazení na teplotu místnosti) se objem roztoku doplní dioxanem až po značku 100 ml, promíchá se, zfiltruje a hermeticky uzavře. Roztok zaručuje výrobu fosforkřemičitýoh filmů o koncentraci kysličníku fosforečného asi 50 % hmot. Doba použitelnoatl roztoku Činí 1 měsíc.
Příklad 8
V odměrné baňce o objemu 100 ml se smísí 50 až 55 ml dioxanu a 13,5 ml deionizované vody, přilije se 7,05 ul (85%) kyseliny ortofosforečné a za míchání se při teplotě místnosti přilije 33,5 ml tetraetoxysilanu. Potom se objem roztoku doplní dioxanem až po značku 100 ml, přidá se 0,15 ml (37%) kyseliny chlorovodíkové, promíchá se, zfiltruje a hermeticky uzavře. Roztok zaručuje výrobu fosforkřemičitýoh filmů o koncentraci kysličníku fosforečného asi 50 % hmot. Doba použitelnosti roztoku činí 40 dní (1,3 měsíce).
Claims (3)
1. Způsob výroby filmotvorného roztoku k infundování polovodičových materiálů smísením hydroflíního organického rozpouštědla s vodou, tetraalkoxysllanem obecného vzoroe
Si(OR)4 , ve kterém značí R alkylovou skupinu s 1 až 3 uhlíkovými atomy a infundovací přísadou, kyselinou fosforečnou, vyznačený tím, že se smísí 49,3 až
201 111
71»8 hmotnostních dioxanu jako hydroflíního rozpouštědla se 4»5 až 13,5 hmotnostními vody, k této směsi se přidá 3,4 až 6,0 % hmotnostních infundovací přísady a nakonec 10,3 až 31»2 % hmotnostních uvedeného tetraalkoxysilanu.
2, Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, že se tetraalkoxysilan přidává ke směsi dioxanu, vody a infundovací přísady při teplotě smŽsl v rozmezí -5 ai 3 °C«
3« Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, že se po přídavku tetraalkoxysilanu přidá kyselina chlorovodíková v množství 0,005 až 0,4 mol/l.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS207976A CS201111B1 (cs) | 1976-03-31 | 1976-03-31 | Způsob výroby filmotvorného roztoku |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS207976A CS201111B1 (cs) | 1976-03-31 | 1976-03-31 | Způsob výroby filmotvorného roztoku |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS201111B1 true CS201111B1 (cs) | 1980-10-31 |
Family
ID=5356826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS207976A CS201111B1 (cs) | 1976-03-31 | 1976-03-31 | Způsob výroby filmotvorného roztoku |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS201111B1 (cs) |
-
1976
- 1976-03-31 CS CS207976A patent/CS201111B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2062258C1 (ru) | Способ получения реагента для нанесения покрытия на стекло и способ нанесения покрытия на флоатстекло | |
| DE69425473T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Organo-funktionelle Gruppen enthaltenden Organopolysiloxanen und daraus hergestellte Organopolysiloxane, Mercapto- und Alkoxygruppen enthaltende Organopolysiloxane und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE3300323C2 (cs) | ||
| US3915766A (en) | Composition for use in forming a doped oxide film | |
| US20040103841A1 (en) | Surface modification process of quartz glass crucible | |
| EP3634922A1 (de) | Verfahren zur erzeugung von schichten aus siliciumcarbid | |
| CS201111B1 (cs) | Způsob výroby filmotvorného roztoku | |
| US4460654A (en) | Aluminosilicate coating method, coated articles and organic substituted silicon-oxygen-aluminum oligomers | |
| WO2007130448A2 (en) | Method of depositing zinc oxide coatings on a substrate | |
| CA2492256C (en) | Sol-gel process for the preparation of vitreous films possessing high adhesion properties and stable colloidal solutions suitable for its carrying out the same | |
| US4801507A (en) | Arylsiloxane/silicate compositions useful as interlayer dielectric films | |
| IL157559A (en) | Mixtures of metallic siloxides from a single source | |
| JPH0247268A (ja) | ディップ溶液 | |
| EP0834488A1 (en) | Process for forming silica film and composition therefor | |
| RU2008970C1 (ru) | Катализатор ускоренной вулканизации | |
| Shilova | Ways of controlling structure and properties of sol-gel-derived hybrid micro-and nanocomposite materials | |
| JPH078725B2 (ja) | ムライト繊維又は膜状物の製造法 | |
| Sakka | Low Temperature Preparation of Oxide Glasses and Ceramics from Metal Alkoxide Solutions | |
| DE2610814B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer filmbildenden Lösung zum Datieren von Halbleitermaterial | |
| JP3486803B2 (ja) | チタニア薄膜形成用前駆体溶液の製造方法 | |
| CN101117708A (zh) | 一类氧化锗材料的液相沉积制备方法 | |
| RU2490074C1 (ru) | Способ получения высокопористого покрытия на основе двойных оксидов кремния и никеля | |
| RU2632835C1 (ru) | Способ получения тонкопленочного покрытия на основе сложных оксидных систем | |
| EP0286097A2 (en) | Method of forming silicon dioxide glass films | |
| JPH09249673A (ja) | シリカ被膜形成用水溶液及びシリカ被膜の形成方法 |