CS200551B1 - Způsob povrchové úpravy substrátů z galiumfosfldu - Google Patents
Způsob povrchové úpravy substrátů z galiumfosfldu Download PDFInfo
- Publication number
- CS200551B1 CS200551B1 CS14077A CS14077A CS200551B1 CS 200551 B1 CS200551 B1 CS 200551B1 CS 14077 A CS14077 A CS 14077A CS 14077 A CS14077 A CS 14077A CS 200551 B1 CS200551 B1 CS 200551B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- substrates
- lid
- surface treatment
- support plate
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 10
- 241001101998 Galium Species 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 229910000154 gallium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K gallium;phosphate Chemical compound [Ga+3].[O-]P([O-])([O-])=O LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
(54) Způsob povrchové úpravy substrátů z galiumfosfldu
Vynález se týká povrchové úpravy substrátů z galiumfosfldu, které slouží pro depozici III v řady epitaxníoh vrstev A B látek.
Substráty se připravují řezáním destiček z monokrystalů galiumfosfldu orientovaných nejčastáji ve smčru ( 111 ) a ( 100 ), Substráty se dosud dále upravují broušením korundem různého zrační, lepováním a leštěním pastami obsahujícími diamantový prášek nebo oxidy se zrnem menším než jeden mikron. Takto upravené substráty jsou lesklé a planární. Jejich nevýhodou je, Že obsahují poruchy krystalové mřížky, které vznikají při broušení a dosahují hloubky řádovč desítek mikronů. Při depozici vnstev epitaxaí technikou na tyto substráty, reprodukují se poruchy do vrstvy, z většují se a vrstvy se stávají pro zpracování na polovodičové prvky praktioky nepoužitelnými. Odstranění broušením porušené vrstvy kapalnými leptadly je vzhledem ke značné chemické odolnosti galiumfosfldu obtížné a málo účinné. Další nevýhodou povrchové úpravy substrátů z galiumfosfldu mechanickým způsobem, například leštěním, je rovněž jeho náročnost na čas a kvalifikaci pracovníka provádějící tuto práci*
Uvedené nevýhody se odstraní způsobem povrchové úpravy substrátů z galiumfosfldu leštěním v plynné fázi pomooí směsi vodíku s chemicky aktivní složkou, například vodní parou neboohlorovodíkem, jehož podstata spočívá v tom, že substráty se umístí na nosnou desku opato řeneu vzpěrami, na které se do bezprostřední blízkosti substrátu, řádově 10 mikrometrů, uloží víko a v křemenné trubici se substráty zahřejí na teplotu kk23 K až 1273 K tak, aby
200 551
200 551 mezi substrátem a víkem vznikl teplotní gradient, přičemž substrát je teplejší než víko.
Výhedou způsobu povrchové úpravy substrátů z galiumfosfidu, podle vynálezu, je jaho dokonalý účinek, je relativně rychlý, zařízení k jeho provádění je zcela jednoduché a může jej provádět i méně kvalifikovaný pracovník.
Vynález bude dále podrobněji popsán při použití přiloženého výkresu, na němž je znázorněno uspořádání desek se substráty při úpravě většího počtu substrátů najednou. Způsob povrchové úpravy substrátu z galiumfosfidu podle vynálezu je založen na řízeném transportu ga liumfosfidu na víko. Protože víko působí jako tepelný štít je rozložení teploty na povrchu substrátu galiufosfidu rovnoměrné, což má za následek pozvolné a rovnoměrné odstranění vnstvy s porouchanou krystalografiekou mřížkou a vyleštění substrátu. Přitom pro úspěch tohoto * · Q způsobu je rozhodující bezprostřední vzdálenost víka od substrátu, řádově 10 mikrometrů · Tímto způsobem se povrohově upravují τ v podstatě leětí , substráty z galiumfosfidu, které se předem zpravidla brousí a lepují.
Jeden nebo několik substrátů £ se uloží na nosnou desku 1, která je opatřena vzpěrami 2» na které se položí víko 2 . Povroh víka 2 obrácen# směrem k substrátu £ je vyhlazen a jeho • Λ vzdálenost od substrátu £ je řádově 10mikrometrů · Jestliže je třeba povrohově upravit vět ší množství substrátů najednou v průběhu jednoho oyklu, pak místo víka 2, se vloží na vzpěry 2 první nosné desky 1 další nosná deska, jejíž spodní strana, obrácená směrem k substrátům £ je vyhlazena a tvoří tedy zároveň jak nosnou desku pro druhou vrstvu substrátů tak i víko pro první vrstvu substrátů, Nesnýoh desek 3. je tedy několik á na každé jsou uloženy substráty určené k pevrohové úpravě podle vynálezu. Křemenná trubioe J5, respektive celá souprava se substráty v ní se nalézající, se umístí v peoi tak, aby mezi substráty £ a víkem 2, popřípadě vždy mezi Substráty s následující vrchní deskou 1, vznikl teplotní gradient. Přitom substráty £ vždy musí být teplejší než víko 2 nebo další vrchní deska 1 ,
Působením'směsi vodíku s chemicky aktivní složkou dochází k řízenému transportu materiálu z teplejšího substrátu £ směrem k chladnějšímu víku 2 . Tim se odleptá broušením narušená povrchová vrstva galiwzfosfidového substrátu. Doba působení se velí podle toho, kolik mikronů tlustá vrstva sé má ze substrátu odstranit, což je opět závislé zejména na předchozí úpravě povrohu substrátu. Rychlost edleptávání je závislá na různých podmínkách během probíhájíoíhe procesu, zejména na teplotě substrátů, která je vhodná ed 1X23 do 1273 K , na velikosti teplotního gradientu a na množství aktivní směsi.Vhodným materiálem nosných desek 2 °· vzpěrami 2 a xíh®® 2 1® grafit, křemen,' molybden nebo welfxam.
Představu e průběhu povrchové úpravy galiumfosfidových substrátů leštěním v plynné fázi podle vynálezu upřesní dále uvedený příklad úpravy jedné vrstvy substrátů.
Přikladl
De vertikálně umístěné křemenné trubioe £ se as držák umístí' nosná deska 1 z grafitu · Ha ni se uloží broušením a lapováním upravené substráty £ z galiumfosfidu s orientaoí( 100) Had substráty £ se umístí na vzpěry 2 rtl vzdálenosti řádově 1O2 /um grafitové víko 2 vyhlazeným pevrohea směrem k substrátů··
200 551
Po propláchnutí inertním plynem se do křemenná trubice vpustí směs vodíku a chlore vodíkem lychlostí 0,166 onP /S, parciální tlak Tjjqj 5 až 8 kPa. Křemenná trubice 5. se všemi nosnými prvky a se substráty £ se zahřeje odporovou pecí na 1173 K . Pec je umístěna tak , že mezi substráty £ a grafitovým víkem 2 je rozdíl v teplotě 288 K . Směs vodíku a chlorovodíku se nechá za uvedených podmínek působit asi 1800 s, za tuto dobu se odtransportuje asi 30 mikrometrů tlustá vrstva galiumfosfidu na víko 2 . Pak se pee vypne a po vychladnutí no substááty s lesklým a chemicky vysoce aktivním povrchem vyjmou a uloží do zásobníku nebo se přímo vloží do depoziční aparatury·
Claims (3)
1, Způsob povrchové úpravy substrátů z galiumfosfidu leštěním v plynné fázi pomooí smě* si vodíku s chemicky aktivní složkou, například vodní parou nebo chlorovodíkem, vyznačený tím, že substráty ( 4 ) se umístí na nosnou desku ( 1 ) opatřenou vzpěrami ( 3 ), na které se uloží do bezprostřední blízkosti substrátu ( 4 ) , řádově IO2 nm, načež víki ( 2 ) a substráty ( 4 > v křemenné trubici ( 5 ) se zahřejí na teplotu 1123 až 1273 K tak, aby mezi substráty ( 4 ) a víkem ( 2 ) vznikl teplotní gradient, přičemž substráty ( 4 ) jsou teplejší než víko ( 2 ) »
2, Způsob povrchové úpravy substrátů z galiumfosfidu podle bodu 1,vyznačený tím, že nosná deska ( 1 ) , vzpěry ( 3 ) a víko ( 2 ) jsou zhotoveny z grafitu nebo křemene nebo molybdénu nebo wolframu, nebo jejich kombinací·
3, Způsob povrchové úoravy substrátů z galiumfosfidu podle bodů 1 a 2 , vyznačený tím, že při povrchové úpravě většího množství substrátů v průběhu jednoho oyklu najednou so umístí víee nosných desek ( 1 ( se vzpěrami ( 3 ) a se substráty ( 4 ) nad sebou, přičemž každá další nosná deska ( 1 ) tvoří současně víko nosné desky předešlé·
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS14077A CS200551B1 (cs) | 1977-01-10 | 1977-01-10 | Způsob povrchové úpravy substrátů z galiumfosfldu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS14077A CS200551B1 (cs) | 1977-01-10 | 1977-01-10 | Způsob povrchové úpravy substrátů z galiumfosfldu |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS200551B1 true CS200551B1 (cs) | 1980-09-15 |
Family
ID=5333034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS14077A CS200551B1 (cs) | 1977-01-10 | 1977-01-10 | Způsob povrchové úpravy substrátů z galiumfosfldu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS200551B1 (cs) |
-
1977
- 1977-01-10 CS CS14077A patent/CS200551B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101632947B1 (ko) | Sic 에피택셜 필름을 갖는 sic 기판 | |
| US3142596A (en) | Epitaxial deposition onto semiconductor wafers through an interaction between the wafers and the support material | |
| KR20030086220A (ko) | 화학 증착 공정에 사용하기 위한 변형된 서셉터 | |
| US4032370A (en) | Method of forming an epitaxial layer on a crystalline substrate | |
| US3271208A (en) | Producing an n+n junction using antimony | |
| JPS6396912A (ja) | 基板ホルダ− | |
| US3821039A (en) | Method of epitaxially depositing a semiconductor material on a substrate | |
| US3372671A (en) | Apparatus for producing vapor growth of silicon crystals | |
| CS200551B1 (cs) | Způsob povrchové úpravy substrátů z galiumfosfldu | |
| US3533856A (en) | Method for solution growth of gallium arsenide and gallium phosphide | |
| US3747562A (en) | Sliding furnace boat apparatus | |
| JP3440769B2 (ja) | ウェーハアダプタ | |
| US4614672A (en) | Liquid phase epitaxy (LPE) of silicon carbide | |
| US3341374A (en) | Process of pyrolytically growing epitaxial semiconductor layers upon heated semiconductor substrates | |
| US3589336A (en) | Horizontal liquid phase epitaxy apparatus | |
| US4390379A (en) | Elimination of edge growth in liquid phase epitaxy | |
| JPH0234595A (ja) | 気相エピタキシャル成長装置および基板の加熱方法 | |
| JPS63503379A (ja) | テルルを含む物質の蒸着方法 | |
| US3420705A (en) | Method of etching a semiconductor material | |
| JPS55105000A (en) | Production of silicon carbide crystal layer | |
| JPH0243723A (ja) | 溶液成長装置 | |
| JP3913850B2 (ja) | 結晶薄膜の製法およびそれに用いる装置 | |
| DE1444525B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung | |
| JPH10294346A (ja) | 半導体検査方法およびそれに用いる検査治具 | |
| US3447977A (en) | Method of producing semiconductor members |