CS197724B1 - Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových ušmerňovačoch - Google Patents
Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových ušmerňovačoch Download PDFInfo
- Publication number
- CS197724B1 CS197724B1 CS810977A CS810977A CS197724B1 CS 197724 B1 CS197724 B1 CS 197724B1 CS 810977 A CS810977 A CS 810977A CS 810977 A CS810977 A CS 810977A CS 197724 B1 CS197724 B1 CS 197724B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layers
- assembly
- silicon
- electrical contacts
- solder
- Prior art date
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
Vynález sa týká výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových usmerňovačoch. Doteraz používané spósoby výroby elektrických kontaktov na zodpovedajúcich polovodičových súčiastkach sa spravidla vyznačujů aplikáciou vrstvy drahého kovu, ktorá má zabezpečit dobrú spájkovatelnosť a dostatočnú ochranu kontaktných plóch pri úpravě elektrických parametrov chemickým leptáním. Z dóvodov všeobecne nízkej adhézie vrstiev drahých kovov ku křemíku sa však používajú iba viacvrstvové kontaktně štruktúry ako například Ni/Au, Cr/Au, Ni/Rh, Ti/Pd/Au, Ti/Pt/Au apod., kde prvé vrstvy zabezpečujú dobrú adhéziu a nízkoohmový kontakt ku křemíku. Vrstvy kovov sa nanášajú na kontaktně plochy zostavy ešte před jej rozčleněním na jednotlivé štipce, z ktorých každý představuje funkčnú . časť polovodičového vysokonapaťového usmerňovača. Po rozčlenění a chemickom oleptaní sa k stlpcom pomocou PbSn fólie naspájkujú přívody. Nevýhodou uvedeného výrobného postupu je velká spotřeba drahých kovov a spósob spájania, ktorý je značné pracný a naviac neposkytuje uspokojivé výrobné výťažnosti. Předložený vynález rieši uvedené nedostatky tým spósobom, že na prvotné kontaktně vrstvy, z ktorých ani jedna nemusí byť vytvořená z drahého kovu, sa éšte před rozčleněním zostavy na jednotlivé štipce nanesie galvanickým spósobom vrstva nízkotavitelnej spájky, poskytujúca dobrú ochranu pri leptaní a umožňujúca prispájkovanie prívodov. Po nanesení spájky následuje členenie zostavy řezáním obvyklým v technologii polovodičov. Spósob výroby elektrických kontaktov podía předloženého vynálezu sa objasňuje pomocou přiloženého výkresu, na ktorom je znázorněná už nakontaktovaná zostava s detailnějším opisom časti technologického postupu výroby křemíkových vysokonapaťových usmerňovačov. Na .výkrese sú znázorněné křemíkové došky 10, spojené do zostavy pomocou hliníkových vrstiev 11. Na celách zostavy sú znázorněné napařené vrstvy 12 titanu, vrstvy 13 niklu a galvanicky nanesené vrstvy 14 spájky. Oproti konvenčným postupom nastáva pri aplikácii spósobu podlá předloženého vynálezu změna v technologii až po vytvoření zostavy polovodičových dosiek.
Description
Vynález sa týká výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových usmerňovačoch.
Doteraz používané spósoby výroby elektrických kontaktov na zodpovedajúcich polovodičových súčiastkach sa spravidla vyznačujů aplikáciou vrstvy drahého kovu, ktorá má zabezpečit dobrú spájkovatelnosť a dostat očnú ochranu kontaktných plóch pri úpravě elektrických parametrov chemickým leptáním. Z dóvodov všeobecne nízkej adhézie vrstiev drahých kovov ku křemíku sa však používajú iba viacvrstvové kontaktně štruktúry ako například Ni/Au, Cr/Au, Ni/Rh, Ti/Pd/Au, Ti/Pt/Au apod., kde prvé vrstvy zabezpečujú dobrú adhéziu a nízkoohmový kontakt ku křemíku. Vrstvy kovov sa nanášajú na kontaktně plochy zostavy ešte před jej rozčleněním na jednotlivé štipce, z ktorých každý představuje funkčnú . časť polovodičového vysokonapaťového usmerňovača. Po rozčlenění a chemickom oleptaní sa k stlpcom pomocou PbSn fólie naspájkujú přívody.
Nevýhodou uvedeného výrobného postupu je velká spotřeba drahých kovov a spósob spájania, ktorý je značné pracný a naviac neposkytuje uspokojivé výrobné výťažnosti.
Předložený vynález rieši uvedené nedostatky tým spósobom, že na prvotné kontaktně vrstvy, z ktorých ani jedna nemusí byť vytvořená z drahého kovu, sa éšte před rozčleněním zostavy na jednotlivé štipce nanesie galvanickým spósobom vrstva nízkotavitelnej spájky, poskytujúca dobrú ochranu pri leptaní a umožňujúca prispájkovanie prívodov. Po nanesení spájky následuje členenie zostavy řezáním obvyklým v technologii polovodičov. Spósob výroby elektrických kontaktov podía předloženého vynálezu sa objasňuje pomocou přiloženého výkresu, na ktorom je znázorněná už nakontaktovaná zostava s detailnějším opisom časti technologického postupu výroby křemíkových vysokonapaťových usmerňovačov.
Na .výkrese sú znázorněné křemíkové došky 10, spojené do zostavy pomocou hliníkových vrstiev 11. Na celách zostavy sú znázorněné napařené vrstvy 12 titanu, vrstvy 13 niklu a galvanicky nanesené vrstvy 14 spájky.
Oproti konvenčným postupom nastáva pri aplikácii spósobu podlá předloženého vynálezu změna v technologii až po vytvoření zostavy polovodičových dosiek.
Příklad prevedenia
Najskór sa z potřebného počtu křemíkových dosiek, majúcich už nadifundované přechody PN známým spósobom, napr. zliatím pomocou Al vrstiev, nanesených na oboch stranách dosiek (vynímajúc obe krajné došky zostavy, na kto197724 rých je Al vrstva nanesená jednostranné) vytvoří zostava. Nepokovené plochy jednostranné napařených dosiek tvoriacich celá zostavy sa pokryjú vrstvou Ti (50 až 100 nm) a vrstvou Ni
200 nm), alebo vrstvou iného menej ušlechtilého, ale spájkovatelného kovu, napr. napařením, alebo naprášením apod. Na tieto kovové vrstvy sa potom v súlade s předloženým vynálezom nanesie galvanickým spósobom nízkotavitelná spájka, napr. spájka PbSn (do 5 % Sn), hrůbky cca 40 μτη. Galvanické nanášanie spájky možno uskutočniť vo fluoroboritánovom kúpeli o zložení:
fluoroboritan cínatý 15 g/1 fluoroboritan olovnatý 170 g/1 kyselina fluoroboritá, volná 40 g/1 kyselina boritá, volná 25 g/1 želatina 3 g/1 hydrochinon 2 g/1 alebo inom vhodnom kúpeli, umiestnením zostavy uchytenej v držiaku medzi anody zo zliatiny PbSn a aplikáciou prúdu odpovedajúceho přúdovej hustotě Ik = 1 až 7 A/dm2. Po nanesení vrstvy spájky je ďalšie spracovanie zostáv obdobné konvenčnému až na to, že pri operácií úpravy elektrických parametrov leptáním stlpcov, získaných rozčleněním zostáv, vo vhodnom leptadle, sa plné uplatnia výhody spósobu podía předloženého vynálezu.
Ďalšia možnosť aplikácie spomínaného spósobu je pri výrobě elektrických kontaktov k polovodičovým súčiastkam vyrobeným na jedinej Si doske.
Claims (1)
- Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokónapáťových usmerňovačoch, pri ktorom sa nanáša najmenej jedna vrstva kontaktného kovu na kontaktně plochy, vyznačujúciVYNALEZU sa tým, že sa před rozčleněním zostavy na jednotlivé štipce galvanicky nanáša vrstva spájky na uvedené kontaktně plochy s vrstvou kontaktného kovu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS810977A CS197724B1 (cs) | 1977-12-06 | 1977-12-06 | Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových ušmerňovačoch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS810977A CS197724B1 (cs) | 1977-12-06 | 1977-12-06 | Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových ušmerňovačoch |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS197724B1 true CS197724B1 (cs) | 1980-05-30 |
Family
ID=5431243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS810977A CS197724B1 (cs) | 1977-12-06 | 1977-12-06 | Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových ušmerňovačoch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS197724B1 (cs) |
-
1977
- 1977-12-06 CS CS810977A patent/CS197724B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0070435B1 (en) | Semiconductor device comprising a semiconductor substrate bonded to a mounting means | |
| TW558821B (en) | Under bump buffer metallurgy structure | |
| DE102016110413B4 (de) | Diffusionslötbonden unter Verwendung von Lotformteilen | |
| DE102006011232B4 (de) | Substrat zum Montieren eines elektronischen Bauteils sowie elektronisches Bauteil | |
| JPH08148530A (ja) | リードフレームとその製造方法 | |
| US3555664A (en) | Bonding electrical conductors | |
| US4709122A (en) | Nickel/indium alloy for use in the manufacture of a hermetically sealed container for semiconductor and other electronic devices | |
| JPH04329891A (ja) | 錫めっき銅合金材およびその製造方法 | |
| JPH0763083B2 (ja) | 端子接続構造およびその接続方法 | |
| US7943844B2 (en) | Thermoelectric module and manufacturing method for same | |
| EP0052309A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor element | |
| CS197724B1 (cs) | Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových ušmerňovačoch | |
| US5074969A (en) | Composition and coating to prevent current induced electrochemical dendrite formation between conductors on dielectric substrate | |
| EP0441164A2 (en) | Composition and coating to prevent current induced electro-chemical dendrite formation between conductors on dielectric substrate | |
| CN1953168B (zh) | 引线框架 | |
| US6323544B1 (en) | Plated leadframes with cantilevered leads | |
| JPS6033312B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0574778A (ja) | バンプおよびその形成方法 | |
| TW418470B (en) | Method for forming solder bumps on flip chips and devices formed | |
| JP4663975B2 (ja) | 電子部品用パッケージ | |
| US4759829A (en) | Device header and method of making same | |
| JP2709499B2 (ja) | 半導体素子接続構造 | |
| US12125618B2 (en) | Chip component production method | |
| JP4038985B2 (ja) | 半導体装置用テープキャリア | |
| JPH0783172B2 (ja) | 配線基板 |