CS197724B1 - Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových ušmerňovačoch - Google Patents

Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových ušmerňovačoch Download PDF

Info

Publication number
CS197724B1
CS197724B1 CS810977A CS810977A CS197724B1 CS 197724 B1 CS197724 B1 CS 197724B1 CS 810977 A CS810977 A CS 810977A CS 810977 A CS810977 A CS 810977A CS 197724 B1 CS197724 B1 CS 197724B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
layers
assembly
silicon
electrical contacts
solder
Prior art date
Application number
CS810977A
Other languages
English (en)
Inventor
Jozef Palaj
Miroslav Susta
Hana Kruzikova
Original Assignee
Jozef Palaj
Miroslav Susta
Hana Kruzikova
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jozef Palaj, Miroslav Susta, Hana Kruzikova filed Critical Jozef Palaj
Priority to CS810977A priority Critical patent/CS197724B1/cs
Publication of CS197724B1 publication Critical patent/CS197724B1/cs

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

Vynález sa týká výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových usmerňovačoch. Doteraz používané spósoby výroby elektrických kontaktov na zodpovedajúcich polovodičových súčiastkach sa spravidla vyznačujů aplikáciou vrstvy drahého kovu, ktorá má zabezpečit dobrú spájkovatelnosť a dostatočnú ochranu kontaktných plóch pri úpravě elektrických parametrov chemickým leptáním. Z dóvodov všeobecne nízkej adhézie vrstiev drahých kovov ku křemíku sa však používajú iba viacvrstvové kontaktně štruktúry ako například Ni/Au, Cr/Au, Ni/Rh, Ti/Pd/Au, Ti/Pt/Au apod., kde prvé vrstvy zabezpečujú dobrú adhéziu a nízkoohmový kontakt ku křemíku. Vrstvy kovov sa nanášajú na kontaktně plochy zostavy ešte před jej rozčleněním na jednotlivé štipce, z ktorých každý představuje funkčnú . časť polovodičového vysokonapaťového usmerňovača. Po rozčlenění a chemickom oleptaní sa k stlpcom pomocou PbSn fólie naspájkujú přívody. Nevýhodou uvedeného výrobného postupu je velká spotřeba drahých kovov a spósob spájania, ktorý je značné pracný a naviac neposkytuje uspokojivé výrobné výťažnosti. Předložený vynález rieši uvedené nedostatky tým spósobom, že na prvotné kontaktně vrstvy, z ktorých ani jedna nemusí byť vytvořená z drahého kovu, sa éšte před rozčleněním zostavy na jednotlivé štipce nanesie galvanickým spósobom vrstva nízkotavitelnej spájky, poskytujúca dobrú ochranu pri leptaní a umožňujúca prispájkovanie prívodov. Po nanesení spájky následuje členenie zostavy řezáním obvyklým v technologii polovodičov. Spósob výroby elektrických kontaktov podía předloženého vynálezu sa objasňuje pomocou přiloženého výkresu, na ktorom je znázorněná už nakontaktovaná zostava s detailnějším opisom časti technologického postupu výroby křemíkových vysokonapaťových usmerňovačov. Na .výkrese sú znázorněné křemíkové došky 10, spojené do zostavy pomocou hliníkových vrstiev 11. Na celách zostavy sú znázorněné napařené vrstvy 12 titanu, vrstvy 13 niklu a galvanicky nanesené vrstvy 14 spájky. Oproti konvenčným postupom nastáva pri aplikácii spósobu podlá předloženého vynálezu změna v technologii až po vytvoření zostavy polovodičových dosiek.

Description

Vynález sa týká výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových usmerňovačoch.
Doteraz používané spósoby výroby elektrických kontaktov na zodpovedajúcich polovodičových súčiastkach sa spravidla vyznačujů aplikáciou vrstvy drahého kovu, ktorá má zabezpečit dobrú spájkovatelnosť a dostat očnú ochranu kontaktných plóch pri úpravě elektrických parametrov chemickým leptáním. Z dóvodov všeobecne nízkej adhézie vrstiev drahých kovov ku křemíku sa však používajú iba viacvrstvové kontaktně štruktúry ako například Ni/Au, Cr/Au, Ni/Rh, Ti/Pd/Au, Ti/Pt/Au apod., kde prvé vrstvy zabezpečujú dobrú adhéziu a nízkoohmový kontakt ku křemíku. Vrstvy kovov sa nanášajú na kontaktně plochy zostavy ešte před jej rozčleněním na jednotlivé štipce, z ktorých každý představuje funkčnú . časť polovodičového vysokonapaťového usmerňovača. Po rozčlenění a chemickom oleptaní sa k stlpcom pomocou PbSn fólie naspájkujú přívody.
Nevýhodou uvedeného výrobného postupu je velká spotřeba drahých kovov a spósob spájania, ktorý je značné pracný a naviac neposkytuje uspokojivé výrobné výťažnosti.
Předložený vynález rieši uvedené nedostatky tým spósobom, že na prvotné kontaktně vrstvy, z ktorých ani jedna nemusí byť vytvořená z drahého kovu, sa éšte před rozčleněním zostavy na jednotlivé štipce nanesie galvanickým spósobom vrstva nízkotavitelnej spájky, poskytujúca dobrú ochranu pri leptaní a umožňujúca prispájkovanie prívodov. Po nanesení spájky následuje členenie zostavy řezáním obvyklým v technologii polovodičov. Spósob výroby elektrických kontaktov podía předloženého vynálezu sa objasňuje pomocou přiloženého výkresu, na ktorom je znázorněná už nakontaktovaná zostava s detailnějším opisom časti technologického postupu výroby křemíkových vysokonapaťových usmerňovačov.
Na .výkrese sú znázorněné křemíkové došky 10, spojené do zostavy pomocou hliníkových vrstiev 11. Na celách zostavy sú znázorněné napařené vrstvy 12 titanu, vrstvy 13 niklu a galvanicky nanesené vrstvy 14 spájky.
Oproti konvenčným postupom nastáva pri aplikácii spósobu podlá předloženého vynálezu změna v technologii až po vytvoření zostavy polovodičových dosiek.
Příklad prevedenia
Najskór sa z potřebného počtu křemíkových dosiek, majúcich už nadifundované přechody PN známým spósobom, napr. zliatím pomocou Al vrstiev, nanesených na oboch stranách dosiek (vynímajúc obe krajné došky zostavy, na kto197724 rých je Al vrstva nanesená jednostranné) vytvoří zostava. Nepokovené plochy jednostranné napařených dosiek tvoriacich celá zostavy sa pokryjú vrstvou Ti (50 až 100 nm) a vrstvou Ni
200 nm), alebo vrstvou iného menej ušlechtilého, ale spájkovatelného kovu, napr. napařením, alebo naprášením apod. Na tieto kovové vrstvy sa potom v súlade s předloženým vynálezom nanesie galvanickým spósobom nízkotavitelná spájka, napr. spájka PbSn (do 5 % Sn), hrůbky cca 40 μτη. Galvanické nanášanie spájky možno uskutočniť vo fluoroboritánovom kúpeli o zložení:
fluoroboritan cínatý 15 g/1 fluoroboritan olovnatý 170 g/1 kyselina fluoroboritá, volná 40 g/1 kyselina boritá, volná 25 g/1 želatina 3 g/1 hydrochinon 2 g/1 alebo inom vhodnom kúpeli, umiestnením zostavy uchytenej v držiaku medzi anody zo zliatiny PbSn a aplikáciou prúdu odpovedajúceho přúdovej hustotě Ik = 1 až 7 A/dm2. Po nanesení vrstvy spájky je ďalšie spracovanie zostáv obdobné konvenčnému až na to, že pri operácií úpravy elektrických parametrov leptáním stlpcov, získaných rozčleněním zostáv, vo vhodnom leptadle, sa plné uplatnia výhody spósobu podía předloženého vynálezu.
Ďalšia možnosť aplikácie spomínaného spósobu je pri výrobě elektrických kontaktov k polovodičovým súčiastkam vyrobeným na jedinej Si doske.

Claims (1)

  1. Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokónapáťových usmerňovačoch, pri ktorom sa nanáša najmenej jedna vrstva kontaktného kovu na kontaktně plochy, vyznačujúci
    VYNALEZU sa tým, že sa před rozčleněním zostavy na jednotlivé štipce galvanicky nanáša vrstva spájky na uvedené kontaktně plochy s vrstvou kontaktného kovu.
CS810977A 1977-12-06 1977-12-06 Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových ušmerňovačoch CS197724B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS810977A CS197724B1 (cs) 1977-12-06 1977-12-06 Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových ušmerňovačoch

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS810977A CS197724B1 (cs) 1977-12-06 1977-12-06 Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových ušmerňovačoch

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS197724B1 true CS197724B1 (cs) 1980-05-30

Family

ID=5431243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS810977A CS197724B1 (cs) 1977-12-06 1977-12-06 Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových ušmerňovačoch

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS197724B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0070435B1 (en) Semiconductor device comprising a semiconductor substrate bonded to a mounting means
TW558821B (en) Under bump buffer metallurgy structure
DE102016110413B4 (de) Diffusionslötbonden unter Verwendung von Lotformteilen
DE102006011232B4 (de) Substrat zum Montieren eines elektronischen Bauteils sowie elektronisches Bauteil
JPH08148530A (ja) リードフレームとその製造方法
US3555664A (en) Bonding electrical conductors
US4709122A (en) Nickel/indium alloy for use in the manufacture of a hermetically sealed container for semiconductor and other electronic devices
JPH04329891A (ja) 錫めっき銅合金材およびその製造方法
JPH0763083B2 (ja) 端子接続構造およびその接続方法
US7943844B2 (en) Thermoelectric module and manufacturing method for same
EP0052309A1 (en) Method of manufacturing a semiconductor element
CS197724B1 (cs) Spósob výroby elektrických kontaktov na křemíkových vysokonapaťových ušmerňovačoch
US5074969A (en) Composition and coating to prevent current induced electrochemical dendrite formation between conductors on dielectric substrate
EP0441164A2 (en) Composition and coating to prevent current induced electro-chemical dendrite formation between conductors on dielectric substrate
CN1953168B (zh) 引线框架
US6323544B1 (en) Plated leadframes with cantilevered leads
JPS6033312B2 (ja) 半導体装置
JPH0574778A (ja) バンプおよびその形成方法
TW418470B (en) Method for forming solder bumps on flip chips and devices formed
JP4663975B2 (ja) 電子部品用パッケージ
US4759829A (en) Device header and method of making same
JP2709499B2 (ja) 半導体素子接続構造
US12125618B2 (en) Chip component production method
JP4038985B2 (ja) 半導体装置用テープキャリア
JPH0783172B2 (ja) 配線基板