CN85104913B - 一个用于高速开关装置的半导体模件 - Google Patents

Abstract

半导体开关模件用于开关时间为１００ｎｓ及大电流。有源半导体开关元件及二极管以并联方式直接与邻近的一负载相联接，其电流单向地流过开关元件和二极管。对直流电压源的连接从空间上紧密的相邻导体，尤其是由一个绝缘层分隔的两个导电层。该导体被直接安装在相邻的上述开关元件，二极管以及开关元件的电极上，二极管被连接到导电层是以这样的方法即电流以导体相同的方向流动，一滤波电容器连接在两导电层之间。

Description

一个用于高速开关装置的半导体模件

本发明是关于一个用于高速开关装置的半导体模件，该模件具有一个有源半导体开关元件和一个贴邻安装的续流二极管，半导体开关元件和续流二极管具有一个共同的负载连接从而使来自直流电压源的电流相对于共同负载连接来说单向流过半导体开关元件和续流二极管，电源与半导体开关元件和续流二极管相应的其余接线相连接。

这种半导体模件（GB2 015 291）被用来作为所谓的“斩波器”，用于从一恒定电压源中产生一个可变的直流电压。在这种情况下，半导体开关元件就与负载串联并且周期地接通或断开。结果在具有恒定的输入电压的情况下，输出电压的强度由接通时间与断开时间的比率决定。

在有电感负载的情况下，由电感驱使的负载电流在断开时间内通过续流二极管。因此，在由负载和续流二极管组成的电路里有电流通过。由储存磁能驱使的电流随时间常数L/R减弱。

在这种电路里，电流在由电压源、负载和半导体开关元件组成的传导回路中在接通时间内流动并且在断开时间里绕进由负载和续流二极管组成的回路。由于两个传导回路均具有电感，在电路断开的情况下产生极高的瞬变电压，尤其在高速开关的情况下，这种瞬变电压能够破坏半导体开关元件。

为了保护半导体开关元件以免受到瞬变电压的破坏，有一个已知的所谓缓冲电路（DE-OS32 01 296），它可以转换回路寄生电感的能量储存。这种电路产生损耗和附加寄生电感。

在另一个现有技术装置中，

将一个平流电容器在第一个传导回路中与半导体开关元件和负载组成的电路并联。该电容器能够接受储存在回路寄生电感中的能量而实际上不受损失，并且在接通时间内将其传递到负载上。

另外，已知在一个半导体开关的装置中包括若干个半导体开关元件，这些半导体开关元件被并联到导板上，这些导板相互迭放在一起由绝缘层分开。电流反向流过导板，使得导体电感下降（DE-OS32 01 296）。

在高开关电流的情况下，例如其数量级为100A，如果半导体开关装置所需要的开关时间极短，比如说开关时间的数量级为100ns，那么就会产生瞬变电压问题，而这个问题靠已知的方法是不能解决的。100ns的开关时间与以前通常的数量级为1μs的开关时间相比，要低出一个数量级。

本发明的目的在于产生一个半导体模件，以用于一种具有极短开关时间，非常高的开关频率的开关装置，这种模件无需其它元件在避免瞬变电压方面是非常成功的。

根据有关类型的一组半导体模件，该问题以这个方法得到了解决，即半导体开关元件和续流二极管的每一个未与负载相联的连接都与两个导电层的其中一个相连接，该导电层是由一个绝缘层所分隔的，并且导电层与半导体开关元件和续流二极管直接相连。并且通过该导电层，负载电流朝一个方向流动。

下面，对本发明的实施例予以描述，这些实施例是权利要求的主体。

附图的简要说明：

附图示出了本发明的一个例子，借助于附图本发明得到详细说明，其中：

图1是一个已知的斩波电路。

图2是根据本发明设计的相同电路。

图3是根据本发明设计的晶体管开关的简略图。

图4是图3中开关的一个详细的顶视图，它与平流电容器相连接。

图5是图3中沿线Ⅴ-Ⅴ的简略截面图。

图6是图3中沿线Ⅵ-Ⅵ的截面图。

图7是根据图3中设计的一个开关装置的导体的顶视图。

图8是一个半导体模件的侧视图。

图9是一多个在图8中已说明的半导体模件的顶视图。

图10是已知的反相器电路。

图11是本发明的反相器电路。

图12说明根据图11设计的反相器的进一步结构。

图13是根据图11或图12的反相器的多个模件的设计。

图14是根据图11和图12的用于反相器的多个模件的半导体开关元件和续流二极管的一种安排。

图1中已知的开关电路包括一个电感负载2，它与一个晶体管开关4串联，电压电源6通过晶体管开关4周期地向该负载输送电流。一个续流二极管8与负载2并联，二极管被设计成容量大体与晶体管相同。已知一通连的晶体管4，便由晶体管4、负载2和电压源6组成的导电回路平面产生一个向下的磁通φ1，如箭头所示。这个电路有一个寄生电感Lp，如果晶体管4被截断，负载2的电感就产生磁通φ2，这个磁通便在由负载2和续流二极管8组成的导电回路平面形成，正如箭头所指示的。倘若晶体管4被断开，那么回路电感产生一通过第一导电回路的电流并且该电流在晶体管4两端产生电压。这个电压由下式给出：

Us＝L·di/dt

经验表明系统的电感部分加引线电感加线路电感之和在25μH和100μH之间。

如果一个5A的电流在1μs内被切断，将在电感内产生一个瞬变电压，即：

Us＝100（MH）·5(A)/μs＝500V

这个电压（超过了晶体管允许的瞬变电压）由于在传导电路1中平流电容器10与负载2和晶体管4相关联得以限制。借助于平流电容器10，使有效地用于整流过程的导线回路减为由平流电容器10，晶体管4和负载2组成的回路。出现于断路电路中的电感因此减小了一个数量级，在大约2.5μH之间。在给定的条件下，瞬变电压预期在12.5V和50V之间。

由平流电容器保护晶体管的可能性，一方面受到从晶体管开关电流的限制，另一方面受到开关时间的限制。如果开关电流增加到100A，则瞬变电压的最大值达到1000V，作为另一参量的基础。如果开关时间从一个数量级进一步减小到100ns，（例如在上述电流强度下），将导致瞬变电压的最大值为10，000V，无论哪一种情况都不能够用平流电容器在晶体管上限制瞬变电压。图1描述的就是这种方式。

图2是根据本发明的另一个电路，在大电流的情况下，例如电流是100A而转换时间是100ns，就可以避免出现极限瞬变电压。在根据图2所示的实施例的情况下，传导电路原则上与图1说明的电路是相同的。差别是通过晶体管4和续流二极管8的电流相对于互连点12到负载-加载点来说是单向流动的，而晶体管4和续流二极管8是直接贴邻安装的，见由虚线组成的框架8。这样就在晶体管和续流二极管8的载流导体内要产生闭合磁耦合。传导回路包括电压源6，晶体管4和负载2，该回路可设想为负载电感的一个组成部分。对于在开关过程，只有由电压源6，晶体管4和续流二极管8组成的回路中的电感是有效的。如果平流电容器10可以被直接连在由晶体管4和续流二极管8组成的模件18的结点14和16之间，电感可以进一步减小，正如由并联线路的附图所指出的那样，通往电压源6的两根导线被尽可能的相互靠近，所以形成磁性密耦合。因此有效电感被减小到10nH。甚至在转换时间被测定为非常短的情况下，瞬变电压还能够借助于一个简单的平流电容器以通常的方法被限制。如果包括平流电容器的电感，则可获得总电感，其值低到20nH，它在开关时间为100ns内通过的电流为100A的情况下，将瞬变电压限制到20V。

如果晶体管4和续流二极管8安装在一块电路板上，那么就可获得最近的并联导向和磁耦合。若干个晶体管和续流二极管中的每一个可沿一个电路片的两边互相排列。每当进行高电流转换时，通常需要这样一种并联形式。然而，这种需要也应留有很大余地，因为在许多电路片上的大量晶体管和续流二极管，是被互相交替地排列在用于散热器的公共基板上。这里，也可以小心地将分离元件晶体管和续流二极管以两个单独的行排列。如果使用半导体元件使其与公共基板保持绝缘，那么就具有特别的优点，而这一点（例如）可以通过使用具有良好热传导性能的绝缘层获得，比如说用铍氧化层和铝氧化层。一个具有极低电感用于电感负载的高速开关在图3中示出。为了使导线的电感尽可能低，在晶体管和续流二极管连接区域的导线被这样设计，即以形成一组由绝缘层分开的三个薄导电层。导电层最好为带状并可（例如）由铜板组成。图3中所示的三个导电层20、22、24由绝缘层21、23相互隔开。其厚度在图中是经过放大的。这些绝缘层应设计得尽可能薄，最上面的导电层20与负载连接，该导电层在其一端形成直角，其中方形部分可形成一个附片26，这个附片可以（例如）紧贴在一个连接支撑板28的下侧，该支撑板由一绝缘材料制成，并且由一个螺钉（具有一个顶端30）连接在板28上。

较下面的导电层32和34与直流电源连接。两根导线在它们的左侧端弯转向上。它们都利用薄板36和38紧靠地安放在平板28的下面，同时利用螺旋把它们连接到平板28的上面的两个接线柱40和42上面，晶体管T1-Tx，二极管D1-Dx中的负载连接点（一定数量的负载连接点在系统中被互相并排连接的）被连到导电层20上。晶体管T1-Tx的漏或集电极连到导电狭板32上。而续流二极管D1-Dx通过其第二个极连到导电层34上。

如已经叙述的那样，单个的导电夹层20、22和24能够由若干层狭板组成。对于与电源连接的平流电容的两个导电层（它与电压源相连接）其一端（例如在本实施例中的右手端）可以以单个夹层32和34的形式延伸，在这里向右延伸。图4说明了一个导线接片装置的平面图。在这里，导线接片的宽度稍微小于导电层宽度的一半。相邻的附片32和34可被弯曲成相同的平面。在这两个附片上提供两个连接孔44、46，平流电容器的连接螺旋可以通过这两个孔，用这个方法平流电容器48被通电连接并且也被机械地支撑。象这样一种支撑电容器48应尽可能靠近自由接头32和34，该接头与晶体管和续流二极管的负载反向，这样便可获得一个低电感的导线回路。在导线层的另一端可以安装一个对应的附片。两个导电层22，24因此可以被延长。通往接头40的一个附片50（如图中虚线所示）可以通过导电层的端表面以导电的方式附在导线层22的上侧。与终端42相通的一个附片51可以有一个延伸部，该延伸部水平地与导电层22和24相连接并且以导电的方式附在导电层24的下侧。一个附加的平流电容器54安装在导线附片上，该电容器如图所示在图的左方。

在导线层两个端部的附片可以用来连接电压源。在这种情况下，将不需要使用向上通往终端40和42的附片。

从图5可以看出，具有续流二极管D和晶体管T的电路板被附在一个基板56上并且与该板一同安装在一个金属板58上，该金属板做为一个散热板。在这种组合中，若干个晶体管排成一排并且并联，在这里有一排续流二极管。图5还简略地说明了续流二极管和晶体管是如何与导线层20、22和24相连接的。

图3所示的开关已作描述，它可以设计成一个具有20nH或小于该数额的总电感，这个总电感包括一个平流电容器的电感。

晶体管和续流二极管的连接线可以直接与适当的导线层相连接。在这种情况下，最好的办法是在导线层上安装突出的连接元件，并且这样（通过举例）安装在形成导线层的板条上。附片也可以安装在两个纵向的边缘上。另一种可能是提供导电层，这种导电层在其中心部分有一个纵向的狭槽，如图7的例子所示。在晶体管和续流二极管的中心地区为导电层60提供了一个纵向的狭孔62，在该狭孔中，连接元件64和66从导线层的其中两个伸出。在第三个导电层上提供了连接元件68。根据图5所示的一个电路片，如果外表面连接元件安装在形成负载连接的导线层上，那么最好的办法是在相应的一端也提供相应的附件，这样，某些或一定的连接元件可适用于硅电路片和晶体管电路片的接线，由此可有利于组装。

如图7所示，可以在导体层上给出两个孔70和72，导体可以通过该孔作为晶体管的控制终端。

原则上，普通的快速工作开关晶体管可用作上述的开关。然而，最好使用场效应晶体管（FET'S）。

正如上文所述，导电层包括具有中间绝缘的板条。也可以以多层电路板的形式设计导电层。重要的一点是，在具有导电层的导线回路里，晶体管和二极管分别与其相应的公共连接的接点相连到负载上，该负载具有一个尽可能低的电感，使得这些导线层尽可能紧贴在一起。形成负载连接的导线板20的位置不是非常重要的。它可以被安排在与导体板22和24相距很大的距离并且不必并排排列。导体板22和负载接线之间可以（例如）安装另一个导线板，而这个导线板具有晶体管的控制连接装置。在该导线板的上面的一定距离上可以安装负载导体。

图8和图9简略地说明一个半导体模件，该模件具有若干个晶体管和续流二极管。在一个铜板74上，（该铜板作为一个散热片），有若干个电路片支撑板76。这些板包括一个铝氧化板82，在该板的两侧有铜涂层78和80。通过铜涂层78将电路片支撑板76用软焊的方法焊接在散热片74上。在上部的铜涂层80上，至少以一个晶体管电路片84和一个续流二极管电路片86以及（做为选择）若干个晶体管电路片和续流二极管被用软焊的方法加以焊接。象这样的若干个晶体管和续流二极管在下文中称为基本模件。

一个基本模件的晶体管和（或）续流二极管也可以安排在多于一个的支撑电路片上。因此铜涂层80做为晶体管和续流二极管的公共连接点。晶体管的基极B，集电极C和发射极E的各个接头与接线88，90，92和续流二极管86（该86具有一个接线94）的第二连接点相连接。无论续流二极管是否将靠其阳极和阴极与公共负载点连接，铜涂层80都可以在晶体管电路片4与续流二极管电路片86之间进行分离，这一点正如在图8中虚线81所示。这样就必须为续流二极管电路片86提供另一个接线96。

由于接线（这种接线例如是用铝制成的）的钢度很小，因此将其与钢性连接物连接，例如终端接头，通过这种连接，便建立了与导电层的连接。与铜涂层80连接点可以通过软焊的方式接在上面，并且也可以给出一个刚性设计。

图8说明一个电路片支撑物，它具有一个晶体管电路片和一个续流二极管电路片。如图9所示，最好使用若干个电路片支撑物并且将若干个晶体管和续流二极管安装在每一个电路片支撑上。在图8中以方框图的形式用虚线说明了附加的电路片支撑。

在电路片84和86的上端，在一个电路板100，它安装在支撑98上。在该电路板上具有孔102和110，与接线88至96相比，该孔的直径要大于接线88至96的直径。终端接头112，114，116，118和119分别沿孔102至110排列。在用于安装终端接头的电路板100的下侧可以提供预估软焊点。

如图9中简略说明的那样，可以将若干个电路片支撑76沿纵向相互排列，图9中的电路片支撑76是关于图8的相应位置上旋转了90°后示出的。在图14中说明了一个附加的电路片支撑排列，关于这个问题将在下面谈到。

在接线与电路片84和86连接之后，接线的方向垂直向上。这样，在安装电路板100的时候，既便是在接线很多的情况下，也可以非常容易的将这些接线穿过各自的大孔102到110。在电路板100安装完毕后，接线可以导电地与终端接头相连接，其方式是已知的。一种可行的方法是将接线与终端引线以这样的方式连接，以便可能就由于温度所导致的长度的变化得到补偿。在与连接引线的连接建立之后，在电路板100下面的线路片可以通过清理电路板100和散热片板74之间的缝隙得到保护。

将晶体管84的基极B的终端接头112设计成小于其余终端接头的办法是可行的。导狭板120可以安装在电路板100的下侧（如图9所示），在此，晶体管84的基极终端与其相连接，这种连接最好是通过串联晶体管122完成，同时，这些晶体管作为接触接头进行低温焊接。因此，终端接头112的低温焊接点可以同时设计成串联晶体管122的连接点。最好的办法是在每一个基本模件上都安装一个导电狭板，这样便可以分别控制基本模件。

对下文中要进一步描述的用于一种反相器的电路，需要具有晶体管和续流二极管的基本模件，其中，续流二极管一方面通过阳极，另一方面通过阴极与公共负载点相连接。在这种情况下，根据图8和图9的并联模件最好具有4个基本模件，这就是说，其中两个的续流二极管通过阳极与负载点相连接，另外两个续流二极管通过阴极连接。如果将若干个晶体管和续流二极管电路片安装在一个电路片支撑板上，也可以将若干个并联连接线导向一个终端接头。

一个根据图8和图9，具有若干个基本模件的多重模件可以通过一个设计用作相应目的的电路板进行连接。这样的一个电路板（如图8和图9所示），最好是设计成一种多层线路板124的形式。该线路板具有三层厚度导电层126，128和130，并且具有根据多重模件的终端接头114至118形式的通孔132。这些通孔的每一个都具有一个连接所需要的导电层126，128或130的连接线。根据所示的实施例，导电层126中的导电体是负载连接线，在导电层128中的导电体是正极，在导电层130中的导电体是负极。在导电层128和130中的导电体，可以在其端部分别安装连接体134和136，以用于直流电压连接，而在导电层126中的导电体安装一个负载连接体138。用于平流电容140和142的连接体可以安装在导电层128和130的端部。并联导电层狭板也可以设计成单独的导电层。

前面已讲得很清楚，上面所述的多重模件可以以多种方式互连，其中这种连接只是通过电路板124完成。该电路板可以十分容易地嵌在多重模件的终端接头上。这样，只需将终端接头软焊在通孔内。该电路板124导致一极低电感开关电路（正如根据图3至图6的导电体设计），甚至如果将形成负载连接的导电体层或板126安装在与导电体层128和130更远的位置或安装在相应于128和130的另一个位置上的情况下也不例外。

上述多重模件以一种特殊的方式也同样适用于电桥连接，例如用在反相器上。

图10说明了一种已知的反相器电路，它包括了四个半导体开关电路元件，在这里是T1，T1′，T2和T2′以及四个续流二极管D1，D1′，D2和D2′。负载L表示为一个电阻电感负载。它可以是（例如）一个互感器。反相器通过一个直流电压源B输电并且其性能在于一个连接于输电线之间的平流电容C。

在反相器的工作过程中，晶体管T1和T1′（例如）可以通过一个控制器在一个半波的起始端被控制，该控制器没有在图中示出。这样，来自电压源B的电流便流过晶体管T1到达负载L并且穿过晶体管T1′回到电压源。在晶体管T1和T1′被断开后，电流由于储存在负载电感中的磁能进一步持续并且通过续流二极管D1和D1回到电压源。晶体管T2和T2′可以导电地同时加以控制，其结果是电流在其减少后与负载反向并且在第二半波过程中从电池中流出并穿过晶体管T2和T2′。当这个半波完成之后，将重复同样的过程。晶体管T2和T2′被再一次断开，电流以同样的方法流动穿过续流二极管D2和D2′回到电压源直到T1和T1′被接通后，电流再一次穿过晶体管T1和T1′。在这种情况下，电流将流过相邻的晶体管和续流二极管。续流二极管和晶体管具有相同的负载并以相反的方向与直流电压源连接。

有关从晶体管臂到续流二极管臂的负载电流的转换的问题，出现了和上文中关于斩波电路所出现的同样问题。既使在根据图10的桥式连接这种情况下，电流以反方向通过导线回路的不同的空间，在转换过程中，转换电路里可以产生很高的峰值电压，从而晶体管将被损坏。借助于平流电容器C，仅仅能够消除从直流电压源到反相器的输电线路的电感的效应。

根据本发明，在图11的桥式连接中，续流二极管相对于晶体管来说以这样的方法被调整，即电流以两个单方向流动，与图10的电路相反，在这里电流以反方向通过相邻的晶体管和续流二极管。在这种排列中，因此，不再有任何导线回路使电流以交变的方向通过它，这正如图10中所示的实施例的情况。结果事实上，于电流以相同的方向在紧密排列的导线里流动，如图1到图9所描述的那样，所以电路获得了一个非常低的寄生电感。如果电阻低，那么闭合导线的导向装置只需要在这里被延伸与平流电容C相接。因此，根据本发明，一个多重模件在这个电路里被认为是实现该电路的一个特别可行的方法。

进一步减小不合适的寄生电感的方法是将平流电容器分成四个部分电容，即C1，C2，C2′和C1′，它们被分别贴邻连接到基本模件150，152上。从寄生电感的出现的角度上讲，只是由晶体管，续流二极管和电容器组成的导线回路是不合适的，并且寄生电感可由多重模件设计的足够小。基本模件150和152如图11和图12所示，它们最好具有若干个以这种方法设计的并联晶体管和续流二极管。

如图11和图12所示，如果有晶体管在一个电流通路中被断开而在同时还有晶体管在另一个电流通路被接通，（例如：当T1和T1′被断开而在同时T2和T2′被接通时），则电路里将出现短路电流，为了避免短路电流的出现，就必须在基本模件150和152的两个负载点之间提供一个电感。这样在开关时间缩短到100ns并且在高强度电流的情况下，一个电感有几个nH就足够了。电感可以（例如）由导线回路产生。正如图13中所说明的那样。在这个图中，多重模件仅仅由两个不同的基本模件表明，因此，在这两个模件中续流二极管由一端为阳极一端为阴极地连接负载点上。具有导电层126，128，130的电路板再一次由示意图说明。直流电压与导电层连接，即直流电压的负极与导电层130连，而正极则与导电层128连接。导电层126用于负载连接，在这里被分成两个通电的导电区域126′，126″。这两部分导电区域与具有相互通路的一个导线回路连接，而这个导线回路可以这样设计，（例如）形成一个金属片回路153。导线回路在其中心有负载连接线138′。这样，在基本模件中，给予特殊的条件，就可以在同时接通和断开晶体管期间，回路电感足以防止短路的发生。在这种情况下平流电容器140，142被再一次连接在导电层128和130之间。

一个多重模件的电路装置大体上如图14所示。四个基本模件156到162在这里被示出，它们做为电路片支撑板的每一个的特点都参考图8作了说明。续流二极管164和半导体开关元件被分别焊接在电路支撑板的上导电层的电离层上。尽管极点中的一个是电路片支撑导体层，续流二极管和半导体开关元件的各个极点如图所示。他们被分别通过焊接线或适当的引线孔相互连接起来。不难看出，这四个基本模件156到162有相同的设计。它们也可以通过连接线以同样的方法与终端附片相连接。

若干个半导体开关元件166被安装在电路支撑板或赋予各个基本模件，以便为基本模件156到162的每一个提供电流额定功率。因此，这些基本模件的任一个都可以（例如）用一个电流强度值在30A的方法设计。由于所有的基本模件是并联接的，所以一个120A的总电流强度可以用一个多重模件变换，如图14所示。如果两个基本模件的任一个都将以并联的方式连接，那么用一个电流强度为60A的这样两个多重模件就可获得象图11或12的那种类型的半桥式反相器电路。但是，用四个基本模件，也能够获得电流强度为30A的一个完整的桥式电路，将负载连接引向电路板126的四部分上，这四部分被分别相互成对地跨接在如图13所示的电感回路上，电感回路中心给定一个负载连接点。这里，对于总电路来说只需在半导体模件上有一个单个的平流电容器。从进一步减小寄生电感的观点看，最好的办法是提供两个电容器，如图13所示，这两个电容器能够再一次相贴邻地安装在基本模件156，160和158，162上并且它们在正半波黄间和负半波期间都是有效的。

使用高达20KHZ或更高的开关频率，可用一个已描述类型的反相器加上脉冲宽度调制产生正弦输出电压。所以，在一个半波周期内通过大多数接通开关，通常同时可在一个半波内补偿电压降，并且因此可获得一个高度恒定的正弦输出电压。

双向快速开关晶体管可以被用来做半导体开关。金属氧化物半导体场效应晶体管的使用具有特殊的优点，而矩形脉冲断开也可被作为开关元件的应用。

Claims (18)

1、一用于高速功率开关装置的半导体模件，该模件包括一有源半导体开关元件（4）和一具有第一和第二端的续流二极管（8），所说半导体开关元件的第一端和所说续流二极管的第一端彼此互相联接，并构成连接到一负载的一个公共端（12），一对导电层（22，24）的每层均分别连接到所述半导体开关元件和所述续流二极管的所述第二端（14，16）上，每层均可连接到一直流电压源（16）的一相应端上，其特征在于：所说的半导体开关元件和所说的续流二极管分别被安置在彼此直接接近之处，并被安置靠近所说一对导电层，在所说一对导电层之间有一层绝缘层（23），以致所说的一对导电层被安置得彼此平行和彼此直接接近，因此，在所述半导体开关元件和所述续流二极管的所述公共端被连接到一负载，以及通过所说负载连接到一直流电压源的其中一端，并且在所述导电层被连接到所述直流电压源的所述相应另一端时，电流相对于所说公共端以相同方向流经所说的一对导电层，并分别流向所说的半导体开关元件和续流二极管。

2、一根据权利要求1的半导体模件，其中，若干个半导体元件（T1-Tx）和续流二极管（D1-Dx）沿侧向彼此相邻安装并且导电层（22，24）覆盖多个邻近的半导体开关元件和续流二极管。

3、一根据权利要求1的半导体模件，其中，所说导电层（22，24）是用金属薄板构成的。

4、一根据权利要求1的半导体模件，其中，有一个多层电路板。

5、一根据权利要求2的半导体模件，其中，所说导电层（22，24）包括若干层板。

6、一根据权利要求2的半导体模件，其中，有一个多层电路板。

7、一根据权利要求1的半导体模件，其中，与直流电压源相连接的所说两个导电层（22，24）上具有许多与一个平流电容器的连接装置（32，46;34，44）。

8、一根据权利要求1的半导体模件，其中，在与半导体元件和续流二极管相邻近区域内的导电层的中心位置上设有一个狭长的孔（62），连接元件（64，66）至少从导电层的中心部分通过该狭孔伸出。

9、一根据权利要求1的半导体模件，其中，若干个所说的半导体开关元件（T1-Tx）和若干个所说的续流二极管（D1-Dx）被安装在至少一个电绝缘基板（56）上。

10、一根据权利要求9的半导体模件，其中，所说基板（56）的两侧有金属涂层，并且该基板安装在一个散热板（58）上。

11、一根据权利要求9的半导体模件，其中，若干个所说的基板（56）安装在一块公共散热板（76）上。

12、一根据权利要求9的半导体模件，其中装有固定连接元件（112-119），所说的半导体开关元件（84）和续流二极管（86）的接线（88-94）可以导电地与这些固定连接元件相连接。

13、一根据权利要求9的半导体模件，其中，绝缘接触顶板（100）被安装在所说半导体开关元件（84）和所说续流二极管（86）的上面并且终端接头（112-119）被安装在该顶板上。

14、一根据权利要求13的半导体模件，其中，为接线（88-94）在的顶板（100）上安排了若干个开口（102-110），上述开口具有的横截面要大于接线的横截面。

15、一根据权利要求12的半导体模件，其中，所说电路板（124）具有若干个孔洞（132）以容纳固定连接元件（112-119），其中，每一个孔洞都与所说导电层（126，128，130）中的一个呈导电连接。

16、一根据权利要求15的半导体模件，其中，在一个多重模件中，上部导电层（126）构成了负载连接。

17、一根据权利要求9的半导体模件，其中，在半导体开关元件和续流二极管并联连接的一半中，续流二极管是由阴极与一第一负载点相连接，在所说连接的另一半中，续流二极管是由阳极与一第二负载点相连接，所说两个负载点的每一个都通过一个电感与一个共同负载相连接。

18、一根据权利要求17的半导体模件，其中，电感被设计成为一个导线回路，在该回路中，所说的共同负载连接是对称连接的。

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