CN2911962Y - 扁形整流桥 - Google Patents
扁形整流桥 Download PDFInfo
- Publication number
- CN2911962Y CN2911962Y CNU2006201047186U CN200620104718U CN2911962Y CN 2911962 Y CN2911962 Y CN 2911962Y CN U2006201047186 U CNU2006201047186 U CN U2006201047186U CN 200620104718 U CN200620104718 U CN 200620104718U CN 2911962 Y CN2911962 Y CN 2911962Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- clad plate
- base copper
- utility
- flat
- model
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 15
- 150000001398 aluminium Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种扁形整流桥，包括外壳、树脂封灌层、整流二极管和电极引脚，其电极引脚伸出树脂封灌层，桥体上有安装通孔；整流二极管均焊接在铝基覆铜板的内面上，并由树脂材料封装在外壳与该铝基覆铜板围成的空腔中。铝基覆铜板具有高传热性能，整流二极管工作时产生的热量能很快通过铝基覆铜板传到外部配装的散热器上。本实用新型散热性能好、且结构简单。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体整流器件，特别是一种扁形整流桥。
背景技术
目前，一般的扁形整流桥只是用环氧树脂材料将整流二极管全封装而成，整流二极管的电极引脚伸出树脂封灌层。使用时，其整流二极管产生的热量需要及时散发，必须配装散热器，以保障整流桥正常运行。但是，上述整流二极管产生的热量传到散热器上要经过树脂封灌层，而树脂封灌层热阻高，热传导性能差，使传热效率降低。因此，上述整流二极管散热效果受到严重影响，整流桥的散热性能差。
发明内容
本实用新型为了解决上述扁形整流桥散热性能差的问题，提供一种改进的扁形整流桥，以提高其散热性能。
本实用新型所述的扁形整流桥，包括外壳、树脂封灌层、整流二极管和电极引脚，其电极引脚伸出树脂封灌层，桥体上有安装通孔；所述整流二极管均焊接在铝基覆铜板的内面上，并由树脂材料封装在外壳与该铝基覆铜板围成的空腔中。所述外壳可以为塑壳。
本实用新型由于将整流二极管均焊接在铝基覆铜板上，而铝基覆铜板具有高传热性能，整流二极管工作时产生的热量能很快通过铝基覆铜板传到配装的散热器上。因此，本实用新型散热性能好、且结构简单。
附图说明
图1为本实用新型扁形整流桥的外形结构示意图。
图2为图1中A-A剖视结构示意图。
具体实施方式
如图1、图2，一种扁形整流桥，包括外壳1、树脂封灌层2、整流二极管3和电极引脚4，其电极引脚4伸出树脂封灌层2，桥体上设有安装通孔5；所述整流二极管3均焊接在铝基覆铜板6的内面上，并由树脂材料封装在外壳1与该铝基覆铜板6围成的空腔中。
所述外壳1为塑壳。该外壳还可以采用其它材料制成。所述整流二极管3焊接的铝基覆铜板6内面为铜箔面，整流二极管按整流桥电路与电极引脚4的内端连接，电极引脚4外端均伸出树脂封灌层2。在外壳1与铝基覆铜板6围接而成的空腔中，封装在环氧树脂封灌层2内的整流二极管组成的整流桥可以是单相桥式或三相桥式。
本实用新型是将整流二极管都焊接在高传热性能铝基覆铜板上，从而使封装在环氧树脂封灌层内的整流二极管工作时产生的热量，均能很快通过铝基覆铜板传到配装的散热器上。本实用新型长期工作时其温升也不会过高，其可靠性大大提高。在通过20A电流的相同条件下，温度恒定后，本实用新型比同规格的普通扁形整流桥温度低25℃左右。本实用新型散热性能很好、并且结构简单。
使用时，本实用新型的铝基板外面与散热器相配接，整流二极管工作时产生的热量就能很快通过铝基覆铜板传到配装的散热器上。并且与普通扁形整流桥一样使用方便。
Claims (2)
1.一种扁形整流桥，包括外壳、树脂封灌层、整流二极管和电极引脚，其电极引脚伸出树脂封灌层，桥体上有安装通孔；其特征是：整流二极管均焊接在铝基覆铜板的内面上，并由树脂材料封装在外壳与该铝基覆铜板围成的空腔中。
2.根据权利要求1所述的扁形整流桥，其特征是：所述外壳为塑壳。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2006201047186U CN2911962Y (zh) | 2006-06-12 | 2006-06-12 | 扁形整流桥 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2006201047186U CN2911962Y (zh) | 2006-06-12 | 2006-06-12 | 扁形整流桥 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN2911962Y true CN2911962Y (zh) | 2007-06-13 |
Family
ID=38133824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNU2006201047186U Expired - Fee Related CN2911962Y (zh) | 2006-06-12 | 2006-06-12 | 扁形整流桥 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN2911962Y (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102723881A (zh) * | 2012-05-31 | 2012-10-10 | 姚仲飞 | 一种电子整流器 |
-
2006
- 2006-06-12 CN CNU2006201047186U patent/CN2911962Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102723881A (zh) * | 2012-05-31 | 2012-10-10 | 姚仲飞 | 一种电子整流器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105190874B (zh) | 半导体模块及半导体装置 | |
| CN208159088U (zh) | 一种散热封装装置 | |
| CN101304010A (zh) | 一种薄型功率模块 | |
| CN110010599A (zh) | 高集成智能功率模块及其制作方法以及空调器 | |
| CN101986775B (zh) | 大功率散热模组 | |
| CN2911962Y (zh) | 扁形整流桥 | |
| CN218039169U (zh) | 二极管光伏模块的封装结构和太阳能电池接线盒装置 | |
| CN216054669U (zh) | 一种便于散热的氮化镓功率器件 | |
| CN207637783U (zh) | 一种高功率半导体封装用基板及半导体封装结构 | |
| CN207165546U (zh) | 绝缘栅双极型晶体管模块 | |
| CN202474027U (zh) | 一种复合式led基板 | |
| CN202142517U (zh) | 半导体散热封装结构 | |
| CN201185187Y (zh) | 大功率小封装三极管 | |
| CN209461457U (zh) | 高集成智能功率模块及空调器 | |
| CN205508811U (zh) | 一种高散热性能的表面贴装功率器件封装结构 | |
| CN205582916U (zh) | 垂直导热封装结构的ic元件 | |
| CN201527972U (zh) | 一种薄型功率模块 | |
| CN210398590U (zh) | 一种分体式led灯板 | |
| CN210984717U (zh) | 散热封装结构 | |
| CN213212151U (zh) | 一种半导体封装结构 | |
| CN214411167U (zh) | 一种易封装集成电路封装结构 | |
| CN210575316U (zh) | 一种预充电阻、动力电池电路及电动汽车 | |
| CN218896627U (zh) | 一种sbd器件封装散热结构 | |
| CN210444696U (zh) | 一种mos管风冷散热器 | |
| CN106876348A (zh) | 芯片封装结构及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: ZHEJIANG GUERTE ELECTRONICS CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: FAN TAO Effective date: 20100329 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 321402 INSIDE OF JINYUN SILICON COMPONENT FACTORY, NO.3, JIANXI ROAD, XINJIAN TOWN, JINYUN COUNTY, ZHEJIANG PROVINCE TO: 321402 ZHEJIANG GUERTE ELECTRONICS CO., LTD., NO.3, JIANXI ROAD, XINJIAN TOWN, JINYUN COUNTY, ZHEJIANG PROVINCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20100329 Address after: 321402 Zhejiang County of Jinyun Province Jian Zhen Jian Xi Road No. 3 Zhejiang guerte Electronics Co. Ltd. Patentee after: Zhejiang Guchi Electronics Co., Ltd. Address before: 321402 Zhejiang County of Jinyun Province Jian Zhen Jian Xi Road No. 3 Jinyun silicon components factory Patentee before: Fan Tao |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070613 Termination date: 20150612 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |