CN2896771Y - 抗射频干扰的电容式麦克风 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种声电转换装置，即一种麦克风。包括声电信号转换部分、结型场效应晶体管以及滤波电容器，声电信号转换部分的一端连接第二信号输出端，另一端连接到结型场效应晶体管的栅极；结型场效应晶体管的源极连接第二信号输出端，其特征在于：结型场效应晶体管的漏极与第一信号输出端之间串联有电阻。该电容式麦克风可以应用GSM/PHS/CDMA等各种无线通讯终端，并且可以有效的屏蔽射频噪音，在一定程度上对于静放电的防护能力提高。

Description

抗射频干扰的电容式麦克风
技术领域
本实用新型涉及一种声电转换装置，即一种麦克风。
背景技术
目前，随着移动通信工业的迅速发展，大量的电容式麦克风应用到移动通讯终端产品中。一般而言，移动通讯终端的发射部分发射具有mW(毫瓦)单位与W(瓦)单位之间的瞬时大功率射频信号。通过电容式麦克风与外部语音信号处理电路之间的线路，将RF(射频)信号施加给作为前置放大器的结型场效应晶体管。当施加给结型场效应晶体管的射频信号的强度超过预定的水平时，结型场效应晶体管非线性地工作以产生对应于峰值包络的噪声分量以及谐波。因为峰值包络的频带的音频带相互重叠，所以射频信号与音频信号一起放大，经过放大的射频信号被传输到语音信号处理电路，从而增加了电容式麦克风的噪音。
发明内容
为了更有效的去除噪音，本发明提供了抗射频干扰的电容式麦克风，可以更加有效地屏蔽掉射频信号。
为了能达到以上目的，本实用新型采用如下的技术方案：
本实用新型所述的抗射频干扰的电容式麦克风包括声电信号转换部分、结型场效应晶体管以及滤波电容器，声电信号转换部分的一端连接第二信号输出端，另一端连接到结型场效应晶体管的栅极；结型场效应晶体管的源极连接第二信号输出端，其特征在于：结型场效应晶体管的漏极与第一信号输出端之间串联有电阻。
在结型场效应晶体管的漏级与源极之间并联有第一滤波电容器。
在结型场效应晶体管的源级与第一信号输出端之间并联有第二滤波电容器。
采用上述技术方案后，电容式麦克风可以应用GSM/PHS/CDMA等各种无线通讯终端，并且可以有效的屏蔽射频噪音，在一定程度上对于静放电的防护能力提高。
附图说明
图1是本实用新型一个实施例的电路图；
图2是本实用新型的另一个实施例的电路图；
图3是本实用新型的又一个实施例的电路图。
具体实施方式
如图1所示实施例，电容式麦克风安装了声电信号转换部分ECM等效表示有一个固定极板、一个可移动的振膜以及其他电阻器与电容器组成的滤波器，声电信号转换部分ECM连接到结型场效应晶体管JFET的栅极。第一滤波电容器C21一端连接到结型场效应晶体管JFET的漏极，另一端连接到结型场效应晶体管JFET的源极，容值可以为10Pf或33PF，可以有效的降低900MHz的噪声；结型场效应晶体管JFET的漏极与第一信号输出端A之间串联有电阻R；在结型场效应晶体管JFET的源级与第一信号输出端A之间并联有第二滤波电容器C22。第一滤波电容器C21、第二滤波电容器C22与电阻R组成π型滤波电路，电阻R的作用是可以限制谐波电流，阻值可以选取：100Ω，220Ω，330Ω，430Ω，620Ω，680Ω，820Ω，1000Ω。第二滤波电容器C22的容值可以选取1nf/2.2nf/3.3nf/10nf.100nf等。因为采用这样一个电路的电容式麦克风可以将射频噪音在一个宽的载波频率范围内降下来，并且由于采用一个nf级的较大的电容，在抗静放电耐压方面有所提高。
如图2所示实施例，电容式麦克风安装了声电信号转换部分ECM等效表示有一个固定极板、一个可移动的振膜以及其他电阻器与电容器组成的滤波器，声电信号转换部分ECM连接到结型场效应晶体管JFET的栅极。第一滤波电容器C21一端连接到结型场效应晶体管JFET的漏极，另一端连接到结型场效应晶体管JFET的源极，容值可以为10Pf或33PF或100pf，可以有效的降低射频噪声。结型场效应晶体管JFET的漏极与第一信号输出端A之间串联有电阻R；第一滤波电容器C21与后面的电阻R组成L型滤波电路，用以限制谐波电流，电阻R的阻值可以选取：100Ω，220Ω，330Ω，430Ω，620Ω，680Ω，820Ω，1000Ω。采用这样一个电路的电容式麦克风可以将射频噪音在一个宽的载波频率范围内降下来，在抗静放电耐压方面有所提高。
如图3所示实施例，电容式麦克风安装了声电信号转换部分ECM等效表示有一个固定极板、一个可移动的振膜以及其他电阻器与电容器组成的滤波器，声电信号转换部分ECM连接到结型场效应晶体管JFET的栅极。结型场效应晶体管JFET的漏极与第一信号输出端A之间串联有电阻R，用以限制谐波电流，阻值可以选取：100Ω，220Ω，330Ω，430Ω，620Ω，680Ω，820Ω，1000Ω。第一滤波电容器C21的一端连接到第一信号输出端A，另一端连接到JFET的结型场效应晶体管源极，容值可以为10Pf或33PF或100pf，可以有效的降低射频噪声并且与前面的电阻R组成L型滤波电路。采用这样一个电路的电容式麦克风可以将射频噪音在一个宽的载波频率范围内降下来，在抗静放电耐压方面有所提高。

Claims (3)

1、抗射频干扰的电容式麦克风，包括麦克风由声电信号转换部分(ECM)、结型场效应晶体管(JFET)以及滤波电容器，声电信号转换部分(ECM)的一端连接第二信号输出端(B)，另一端连接到结型场效应晶体管(JFET)的栅极；结型场效应晶体管(JFET)的源极连接第二信号输出端(B)，其特征在于：结型场效应晶体管(JFET)的漏极与第一信号输出端(A)之间串联有电阻(R)。
2、根据权利要求1所述的抗射频干扰的电容式麦克风，其特征在于：在结型场效应晶体管(JFET)的漏级与源极之间并联有第一滤波电容器(C21)。
3、根据权利要求1或2所述的抗射频干扰的电容式麦克风，其特征在于：在结型场效应晶体管(JFET)的源级与第一信号输出端(A)之间并联有第二滤波电容器(C22)。
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