CN209218390U - 一种降噪传声器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种降噪传声器，包括外壳和PCB，所述外壳的底部设有多个进声孔，所述多个进声孔包括：位于中心的第一进声孔，环绕所述第一进声孔的、位于内圈的偶数个第二进声孔，以及环绕所述第一进声孔的、位于外圈的偶数个第三进声孔，所述第二进声孔至少有四个，且所述第三进声孔至少有四个；所述外壳的底部内侧还设有位于边缘的四个气槽，所述四个气槽均匀分布，且所述四个气槽分别与四个第三进声孔连接。本实用新型的降噪传声器，使频响曲线的低频保持平直，降噪性能好；并可利用高容值电容压低高频，降低高频噪声，确保高频性能。

Description

一种降噪传声器

技术领域

本实用新型涉及传声器技术领域，具体涉及一种降噪传声器。

背景技术

人耳的听力范围为20Hz~20KHz。普通的传声器，其低频和高频的性能会下降，导致不能满足降噪要求。例如，普通传声器的频响曲线，其低频部分即20Hz~50Hz或者20Hz~100Hz部分，不能保持曲线平直，不满足声音保真和降噪要求；其高频部分即不能保持下降趋势，也不满足降噪要求。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种降噪传声器，旨在改善传声器的降噪效果。

本实用新型采用的技术方案为：

一种降噪传声器，包括外壳和PCB，所述外壳的底部设有多个进声孔，所述多个进声孔包括：位于中心的第一进声孔，环绕所述第一进声孔的、位于内圈的偶数个第二进声孔，以及环绕所述第一进声孔的、位于外圈的偶数个第三进声孔，所述第二进声孔至少有四个，且所述第三进声孔至少有四个；所述外壳的底部内侧还设有位于边缘的四个气槽，所述四个气槽均匀分布，且所述四个气槽分别与四个第三进声孔连接。

进一步的，所述PCB上贴装有高容值电容，连接于所述PCB上的正极输出端和负极输出端之间，且所述高容值电容的容值不小于30nF。

进一步的，所述高容值电容的容值介于30-60nF之间。

进一步的，所述气槽的深度不小于所述外壳的底部的厚度的1/3。

进一步的，所述第二进声孔有8个，所述第三进声孔有8个。

进一步的，所述降噪传声器为驻极体电容传声器。

从以上技术方案可以看出，本实用新型实施例具有以下优点：

本实用新型的降噪传声器，通过采用两项措施，即：1）外壳底部设多个进声孔，且分为中心第一进声孔，内圈偶数个第二进声孔，外圈偶数个第三进声孔；2）外壳底部设4个气槽；使得，降噪传声器需要的20Hz~100Hz部分的频响曲线还能保持平直，而普通的传声器产品只能保证到50HZ，50Hz以下部分不能保证，从而，满足了低频部分的性能要求，即低频不失真，且降噪性能好。

进一步的，该降噪传声器的PCB上还设有连接在其正极输出端和负极输出端之间的高容值电容，且容值不小于30nF，即，利用高容值电容压低降噪传声器不需要的高频，使得，降噪传声器需要的接近20KHz的区域的频响曲线能够保持下降走势，以降低高频噪声，确保高频性能。

本实用新型的降噪传声器特别适用于降噪耳机产品。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本实用新型一个实施例提供的降噪传声器的结构示意图；

图2是本实用新型一个实施例提供的降噪传声器的外壳的结构示意图；

图3是本实用新型一个实施例提供的降噪传声器的频响曲线示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。

本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语 “包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

下面通过具体实施例，分别进行详细的说明。

传统的传声器，其外壳一般为单孔或3孔，最多不超过6孔，壳底无气槽或单个及双气槽，进而，其低频部分70Hz（甚至是100Hz）以前的频响曲线变化范围较宽，一般产品的曲线框也就设定比较宽。 另一个就是高频部分，没加高容值电容之前，高频部分是平直或上翘的。因此，不能满足声音保真以及降噪方面的要求。

为解决现有技术的问题，本实用新型实施例提供一种降噪传声器。该降噪传声器可以是驻极体电容传声器。本文对驻极体电容传声器的具体类型不予限制，其可以是振膜式的驻极体电容传声器，也可以是背极式的驻极体电容传声器，具体可以是前背极式，也可以是后背极式。其中，振膜式是指传声器的振膜（或者说膜片）上设有驻极体材料，驻留有永久电荷。背极式则是指传声器的背极（或者说极板）上设有驻极体材料，驻留有永久电荷。

请参考图1，常规的驻极体电容传声器可包括：依次放置并封装在外壳1内部的膜片组件2、垫片3、极板铜环组件和PCB 6。其中膜片组件2包括膜环21和绷紧后粘贴在膜环上的振膜22。极板铜环组件包括极板4和铜环5以及塑料环7。振膜22和极板4构成电容，当声音从外壳1底部开设的进声孔进入后，使得振膜22发生振动，从而使电容的容值发生变化，进而使电容两端的电压发生变化，交变的电压信号通过极板铜环组件和外壳传输到PCB 6，经场效应管FET 61进行阻抗变换和信号放大后输出。

如图2，是本实用新型的降噪传声器的外壳1的结构示意图。所述外壳1的底部设有多个进声孔，所述多个进声孔包括：位于中心的第一进声孔11，环绕所述第一进声孔11的、位于内圈的偶数个第二进声孔12，以及环绕所述第一进声孔11的、位于外圈的偶数个第三进声孔13，所述第二进声孔12至少有四个，且所述第三进声孔13至少有四个；并且，所述外壳1的底部内侧还设有位于边缘的四个气槽14，所述四个气槽14均匀分布，且所述四个气槽14分别与四个第三进声孔13连接。

其中，内圈的偶数个第二进声孔12均匀分布，间隔角度相同；外圈的偶数个第三进声孔13均匀分布，间隔角度相同。

如上所述，该降噪传声器的外壳底部设有至少9个进声孔以及4个气槽。根据理论数据，以及多次试验验证，发现，该种结构的降噪传声器，其低频性能远优于市场上常规的驻极体电容传声器。

如图3所示，是该种降噪传声器的频响曲线示意图。从图中可以看出，其100Hz以下的低频部分，即20Hz~100Hz频率部分，频响曲线非常平直，完全符合低频部分的性能要求，可确保低频部分声音不失真，并满足降噪要求。

进一步的，所述PCB 6上可贴装有高容值电容62，该高容值电容62连接于所述PCB6上的正极输出端和负极输出端之间，且所述高容值电容62的容值不小于30nF。优选的，所述高容值电容的容值介于30-60nF之间。

通过设置容值不小于30nF的高容值电容，可以明显改善传声器的高频性能。请参考图3所示的频响曲线示意图，增加了高容值电容62之后，其高频部分例如2 KHz ~20KHz部门，频响曲线呈现完美的下降趋势，从而可以有效的降低高频噪声，确保高频性能。

进一步的，所述气槽14的深度不小于所述外壳1的底部的厚度的1/3。且优选的，不大于外壳1底部厚度的1/2。

进一步的，所述第二进声孔有8个，所述第三进声孔有8个。试验证明，该数量的进声孔布局结构，可以使传声器频响性能达到较优良的状态。

综上所述，本实用新型提供了一种降噪传声器，通过采用两项措施，即：1）外壳底部设多个进声孔，且分为中心第一进声孔，内圈偶数个第二进声孔，外圈偶数个第三进声孔；2）外壳底部设4个气槽；使得，降噪传声器需要的20Hz~100Hz部分的频响曲线还能保持平直，而普通的传声器产品只能保证到50HZ，50Hz以下部分不能保证，从而，满足了低频部分的性能要求，即低频不失真，且降噪性能好。

进一步的，该降噪传声器的PCB上还设有连接在其正极输出端和负极输出端之间的高容值电容，且容值不小于30nF，即，利用高容值电容压低降噪传声器不需要的高频，使得，降噪传声器需要的接近20KHz的区域的频响曲线能够保持下降走势，以降低高频噪声，确保高频性能。

本实用新型的降噪传声器特别适用于降噪耳机产品。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

上述实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对上述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (3)

1.一种降噪传声器，包括外壳和PCB，其特征在于，

所述外壳的底部设有多个进声孔，所述多个进声孔包括：位于中心的第一进声孔，环绕所述第一进声孔的、位于内圈的偶数个第二进声孔，以及环绕所述第一进声孔的、位于外圈的偶数个第三进声孔，所述第二进声孔至少有四个，且所述第三进声孔至少有四个；

所述外壳的底部内侧还设有位于边缘的四个气槽，所述四个气槽均匀分布，且所述四个气槽分别与四个第三进声孔连接。

2.根据权利要求1所述的降噪传声器，其特征在于，

所述PCB上贴装有高容值电容，连接于所述PCB上的正极输出端和负极输出端之间，且所述高容值电容的容值不小于30nF。

3.根据权利要求1所述的降噪传声器，其特征在于，

所述降噪传声器为驻极体电容传声器。