CN2888653Y - 功率型发光二极管的改进机构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种功率型发光二极管的改进机构，它主要由发光二极管芯片、芯片固定板和高发光度有机材料组成；所述的芯片固定板具有一反射腔；所述的发光二极管芯片安装在芯片固定板上反射腔的中部，在芯片固定板上反射腔内、芯片装片区周围及倒装芯片的衬底区域涂覆高发光度有机材料及充满高透光率的有机材料。由于有机材料的反射率要求在90％以上，耐温要求在200℃以上，因有机材料的反射效果优于普通支架及基板，对反射到其上面的光线吸收较少，能将大部分射到其上面的光线反射至出光面。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种照明装置，特别是涉及一种功率型发光二极管的改进机构。
背景技术
目前市场上的功率型LED通常是将功率型芯片装配在带反射腔的金属支架或基板上，支架式的反射腔一般是采取电镀方式提高反射效果，而基板式的反射腔一般是采用抛光方式，有条件的还会进行电镀处理，但以上两种处理方式受模具精度及工艺影响，处理后的反射腔反射效果并不理想，特别是目前基板式的反射腔，由于抛光精度不足或金属镀层的氧化，反射效果较差。这样导致很多光线在射到反射区后被吸收，无法按预期的目标反射至出光面，从而导致最终封装后的取光效率偏低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种反射效果好、取光效率高的功率型发光二极管的改进机构。
为实现上述目的，本实用新型的技术解决方案是：
本实用新型是一种功率型发光二极管的改进机构，它主要由发光二极管芯片、芯片固定板、高反光度的有机材料和高透光率的有机材料组成；所述的芯片固定板具有一反射腔；所述的发光二极管芯片安装在芯片固定板上反射腔的中部，在芯片固定板上反射腔内、芯片装片区周围及倒装芯片的衬底区域涂覆高反光度的有机材料并在透镜内充满高透光率的有机材料。
所述的芯片固定板为带反射腔的金属支架或基板。
采用上述方案后，本实用新型在芯片固定板上反射腔内、芯片装片区周围及倒装芯片的衬底区域涂覆高反光度的有机材料，由于有机材料的反射率要求在90％以上，耐温要求在200℃以上，因有机材料的反射效果优于普通支架及基板，对反射到其上面的光线吸收较少，能将大部分射到其上面的光线反射至出光面。这样处理后的产品取光效率与处理之前相比显著提高了30％-50％。
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。
附图说明
图1是本实用新型的俯视图；
图2是本实用新型的剖视图。
具体实施方式
如图1、图2所示，本实用新型是一种功率型发光二极管的改进机构，它主要由发光二极管芯片1、芯片固定板2、高反光度的有机材料3和高透光率的有机材料4组成。
所述的芯片固定板2具有一反射腔21；所述的发光二极管芯片1安装在芯片固定板2上反射腔21的中部，在芯片固定板2上反射腔21内、芯片装片区周围及倒装芯片的衬底区域涂覆高发光度有机材料3，并在透镜5内充满高透光率的有机材料4，该高透光率的有机材料4将发光二极管芯片1包裹其内。
所述的芯片固定板2为带反射腔的金属支架或基板。
本实用新型的发明点就在于：芯片装片区周围及倒装芯片的衬底区域涂覆高发光度有机材料及充满高透光率的有机材料。
Claims (2)
1、一种功率型发光二极管的改进机构，其特征在于：它主要由发光二极管芯片、芯片固定板、高反光度的有机材料和高透光率的有机材料组成；所述的芯片固定板具有一反射腔；所述的发光二极管芯片安装在芯片固定板上反射腔的中部，在芯片固定板上的反射腔内、芯片装片区周围及倒装芯片的衬底区域涂覆高反光度的有机材料并在透镜内充满高透光率的有机材料。
2、根据权利要求1所述的功率型发光二极管的改进机构，其特征在于：所述的芯片固定板为带反射腔的金属支架或基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2005200664329U CN2888653Y (zh) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | 功率型发光二极管的改进机构 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CNU2005200664329U CN2888653Y (zh) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | 功率型发光二极管的改进机构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN2888653Y true CN2888653Y (zh) | 2007-04-11 |
Family
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Family Applications (1)
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| CNU2005200664329U Expired - Fee Related CN2888653Y (zh) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | 功率型发光二极管的改进机构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN2888653Y (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102544309A (zh) * | 2011-08-24 | 2012-07-04 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种带凹面镜形封装基座的led芯片封装结构 |
| US8541801B2 (en) | 2008-12-30 | 2013-09-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting-device package and a method for producing the same |
-
2005
- 2005-10-24 CN CNU2005200664329U patent/CN2888653Y/zh not_active Expired - Fee Related
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| US8541801B2 (en) | 2008-12-30 | 2013-09-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting-device package and a method for producing the same |
| CN102544309A (zh) * | 2011-08-24 | 2012-07-04 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种带凹面镜形封装基座的led芯片封装结构 |
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Legal Events
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070411 Termination date: 20131024 |